JP2009242878A - めっき処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】めっき槽内のめっき液の温度や流動を均一にすることで、ワーク等の被めっき物に均一なめっきを施すことが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】リザーブ槽20からポンプ50によってめっき液Bをめっき槽10へ導入させ、多孔管60の吐出口62よりめっき槽10上方へ吐出させることで、めっき槽10内のめっき液Bに流動が与えられる。このとき、吐出口62が複数箇所に設けられ、また、その開口方向が多孔管60の上方および両側方であり、さらに、多孔管60の上部に多孔質板90が設けられていることから、めっき槽10内のめっき液Bの流動は均一化される。また、めっき液Bの温度については、リザーブ槽20内に設けられたヒーター80、ヒーター制御部81および攪拌機70によって調節され、その後に温度調節されためっき液Bがめっき槽10へ導入される。
【選択図】図1
【解決手段】リザーブ槽20からポンプ50によってめっき液Bをめっき槽10へ導入させ、多孔管60の吐出口62よりめっき槽10上方へ吐出させることで、めっき槽10内のめっき液Bに流動が与えられる。このとき、吐出口62が複数箇所に設けられ、また、その開口方向が多孔管60の上方および両側方であり、さらに、多孔管60の上部に多孔質板90が設けられていることから、めっき槽10内のめっき液Bの流動は均一化される。また、めっき液Bの温度については、リザーブ槽20内に設けられたヒーター80、ヒーター制御部81および攪拌機70によって調節され、その後に温度調節されためっき液Bがめっき槽10へ導入される。
【選択図】図1
Description
本発明は、ワーク等の被めっき物にめっきを施すめっき処理装置に関する。
従来、例えば無電解Niめっき等の無電解めっきは、めっき槽内に被めっき物を収容させ、めっきを行うと共に、オーバーフローしためっき液をろ過機によってろ過させ、液管理装置等によって調整した後、めっき槽内へ循環させるといった方法により行われてきた。
また、めっき液の温度調節に関してはめっき槽内に設けられたヒーターおよび温度センサーによって管理されてきた。
また、めっき液の温度調節に関してはめっき槽内に設けられたヒーターおよび温度センサーによって管理されてきた。
めっき槽内における被めっき物のめっき膜厚は、めっき槽内のめっき液の温度や流動が均一であるほどめっき膜厚も均一となる。しかし、めっき槽内にヒーターを設けると、ヒーターからの距離によってワークの各部分によって温度が異なる場合があった。また、めっき槽内にめっき液の温度均一化のための攪拌機を設けると、めっき液の攪拌によってめっき槽内の流動が均一ではなくなってしまうという問題があった。そのため、従来、以下のようなめっき装置が公開されてきた。
例えば、特許文献1には、めっき槽内の下部に多孔板を設け、めっき槽から抜き出しためっき液を多孔板とめっき槽底面の間から小孔を通して上方に向かって連続的に供給する、というめっき液の循環によってめっき槽内を攪拌し、めっき膜厚のばらつきを軽減するというめっき方法が記載されている。
また、特許文献2には、多孔整流板とともに空気吐出管を設けたことにより、空気によるめっき液の循環アシストを行い、めっき液の流速および分散が均一となるような化学めっき槽が記載されている。
一方、特許文献3には、めっき液をめっき槽下部の入液部から上部の排液部へ流動させ、流動促進手段(制流板)によってめっき槽水平方向の流動を促し、それら流動によってめっき液の液深方向の温度差や濃度差を低減させるようなめっき処理装置が記載されている。
また、特許文献2には、多孔整流板とともに空気吐出管を設けたことにより、空気によるめっき液の循環アシストを行い、めっき液の流速および分散が均一となるような化学めっき槽が記載されている。
一方、特許文献3には、めっき液をめっき槽下部の入液部から上部の排液部へ流動させ、流動促進手段(制流板)によってめっき槽水平方向の流動を促し、それら流動によってめっき液の液深方向の温度差や濃度差を低減させるようなめっき処理装置が記載されている。
しかしながら、上記特許文献1に記載のめっき方法を利用する場合、オーバーフロー部がめっき槽の一方向にしか設けられていないため、めっき槽下部の多孔板から供給されためっき液の液流はオーバーフロー部方向へ偏ってしまい、その結果、めっき膜厚にばらつきが生じるといった問題点があった。
また、上記特許文献2に記載の化学めっき槽を用いる場合、空気によるめっき液の循環アシストが行われるため、被めっき物が酸化してしまう可能性がある。例えば、パワーモジュール用基板等の回路のパターン上における所望箇所の半田濡れ性をよくするためにめっきを行う場合に、空気による酸化のためにその半田濡れ性が悪化してしまうという懸念があった。
上記特許文献3に記載のめっき処理装置を用いる場合は、上記特許文献1に記載のめっき方法同様、めっき液の流動が排液室方向へ偏ってしまい、めっき膜厚にばらつきが生じるといった問題点があった。
また、上記特許文献2に記載の化学めっき槽を用いる場合、空気によるめっき液の循環アシストが行われるため、被めっき物が酸化してしまう可能性がある。例えば、パワーモジュール用基板等の回路のパターン上における所望箇所の半田濡れ性をよくするためにめっきを行う場合に、空気による酸化のためにその半田濡れ性が悪化してしまうという懸念があった。
上記特許文献3に記載のめっき処理装置を用いる場合は、上記特許文献1に記載のめっき方法同様、めっき液の流動が排液室方向へ偏ってしまい、めっき膜厚にばらつきが生じるといった問題点があった。
また、従来は、めっき槽にめっき液調整部が設けられ、めっき槽のめっき液をサンプリングし、めっき槽のめっき液に直接主成分の薬液補給やpHの調整のための薬液を補給していたが、この場合に、補給箇所周辺の濃度が変わる、すなわちめっき液組成にばらつきがめっき槽内に発生している可能性があるという問題点があった。
そこで、本発明の目的は、上記問題点に鑑み、めっき槽内のめっき液の温度や流動および組成を均一にすることで、ワーク等の被めっき物に均一なめっきを施すことが可能なめっき処理装置を提供することにある。
本発明によれば、ワークにめっきを施すめっき処理装置であって、ワークを浸漬させるめっき槽と、前記めっき槽の四方を囲むオーバーフロー部と、前記オーバーフロー部と連通するリザーブ槽と、前記リザーブ槽から前記めっき槽へ液体を補給する液補給ポンプとを備えることを特徴とする、めっき処理装置が提供される。
前記リザーブ槽は、温度調節部と、めっき液調整部と、攪拌機とを備えることとしても良い。
前記液補給ポンプの液吐出部に多孔管を設け、前記めっき槽の内部において前記多孔管の上部に多孔質板を設けることとしても良い。
本発明によれば、めっき槽内のめっき液の温度や流動を均一にすることで、ワーク等の被めっき物に均一なめっきを施すことが可能となる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照にして説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図1は本発明の実施の形態にかかるめっき処理装置1を模式的に示した説明図である。
図1に示すように、めっき処理装置1はめっき槽10とリザーブ槽20により構成されており、めっき槽10およびリザーブ槽20はめっき液Bで満たされている。めっき槽10にはワーク30が収容され、めっき液Bに浸漬している。
また、めっき槽10の上方側部には、めっき槽10側部四方を囲むようにオーバーフロー部40が設けられ、オーバーフロー部40は連結管41を介してリザーブ槽20内部と連通している。なお、連結管41にはフィルター45が設けられている。
図1に示すように、めっき処理装置1はめっき槽10とリザーブ槽20により構成されており、めっき槽10およびリザーブ槽20はめっき液Bで満たされている。めっき槽10にはワーク30が収容され、めっき液Bに浸漬している。
また、めっき槽10の上方側部には、めっき槽10側部四方を囲むようにオーバーフロー部40が設けられ、オーバーフロー部40は連結管41を介してリザーブ槽20内部と連通している。なお、連結管41にはフィルター45が設けられている。
一方、リザーブ槽20にはリザーブ槽20内のめっき液Bをめっき槽10へ導入する液補給ポンプ50がリザーブ槽とめっき槽を連接するパイプの途中に設けられ、液補給ポンプ50のめっき槽10側には多孔管60が設けられている。また、めっき槽10内の多孔管60上部には、めっき槽10の内部を上下に仕切るように多孔質板90が水平に設けられている。このとき、ワーク30は多孔質板90の上に位置している。
また、リザーブ20槽にはリザーブ槽20内のめっき液Bを攪拌する攪拌機70、めっき液Bの濃度・pH調整などを実施するめっき液調整部72およびめっき液Bの温度調節を行うヒーター80およびヒーター制御部81が設けられている。
また、リザーブ20槽にはリザーブ槽20内のめっき液Bを攪拌する攪拌機70、めっき液Bの濃度・pH調整などを実施するめっき液調整部72およびめっき液Bの温度調節を行うヒーター80およびヒーター制御部81が設けられている。
ここで、リザーブ槽20の大きさとしては、めっき槽10の半分より大きい液容量を有するものが好ましく、さらに好ましくはめっき槽と同等以上である。リザーブ槽20がめっき槽10の液容量の半分以下の液容量では、めっき液の液温の時間的なばらつきを抑制することが困難で、大量のワークのめっき処理や非常に小さい範囲のめっき厚が求められるワークのめっき処理については、めっき膜厚の均一性が問題になる場合があることが試験によりわかってきた。
図2(a)は図1におけるめっき槽10の上面図であり、図2(b)は図2(a)のA−A断面図である。
図2(a)に示すように、めっき槽10内に設けられている多孔管60は、U形管であり、その上面には複数の吐出口62が備えられている。吐出口62は、図2(a)のように多孔管60の上方向と両側方向へ向いている3箇所の穴が複数備えられる構成となっている。
図2(a)に示すように、めっき槽10内に設けられている多孔管60は、U形管であり、その上面には複数の吐出口62が備えられている。吐出口62は、図2(a)のように多孔管60の上方向と両側方向へ向いている3箇所の穴が複数備えられる構成となっている。
以上のように構成されるめっき処理装置1において、ワーク30にめっきを施す場合について、以下に説明する。
めっき槽10およびリザーブ槽20内はめっき液Bで満たされており、ワーク30はめっき槽10内のめっき液Bに浸漬される。ここで、めっきを施す際のめっき液Bにはある所定の温度と流動が必要である。
めっき槽10およびリザーブ槽20内はめっき液Bで満たされており、ワーク30はめっき槽10内のめっき液Bに浸漬される。ここで、めっきを施す際のめっき液Bにはある所定の温度と流動が必要である。
本実施の形態においては、リザーブ槽20からポンプ50によってめっき液Bをめっき槽10へ導入させ、多孔管60の吐出口62よりめっき槽10上方へ吐出させることで、めっき槽10内のめっき液Bに流動が与えられる。このとき、吐出口62が複数箇所に設けられ、また、その開口方向が多孔管60の上方および両側方であり、さらに、多孔管60の上部に多孔質板90が設けられていることから、めっき槽10内のめっき液Bの流動は均一化される。
また、めっき液Bの温度については、リザーブ槽20内に設けられた図示しない温度測定手段、ヒーター80、ヒーター制御部81および攪拌機70によって調節され、その後に温度調節されためっき液Bがめっき槽10へ導入される。
つまり、ある所定の温度を保つめっき液Bがめっき槽内を均一に流動することになる。
つまり、ある所定の温度を保つめっき液Bがめっき槽内を均一に流動することになる。
一方、めっき槽10内には、随時めっき液Bが導入されるため、めっき槽10からはめっき液Bがあふれ出ることとなる。そのため、本実施の形態においては、めっき槽10の側部四方を囲むオーバーフロー部40を設けており、めっき槽10からあふれ出ためっき液Bはオーバーフロー部40へ流入する。オーバーフロー部40へ流入しためっき液Bは連結管41およびフィルター45を経てリザーブ槽20内へと循環される。なお、このとき、めっきにより汚れ等が含まれためっき液Bはフィルター45により浄化される。
従来技術としてのオーバーフローは、めっき槽内のめっき液の流速及び分散を均一にするためにめっき液をオーバーフローさせ循環させるのが主旨であり、めっき槽外ではフィルタリングでの異物の除去や液温を保持する程度の制御であった。本実施の形態においては、それに加えて、従来用いられてきたオーバーフロー方式と比較して、めっき槽10に対してリザーブ槽20を設け、その容量を非常に大きくし、リザーブ槽で20めっき液組成の調整まで精密に行うこととしている。
リザーブ槽20には、めっき液調整部72が設けられている。めっき液調整部72は、めっき液の主成分の濃度調整機能を有し、めっき液のサンプリング手段、主成分補給手段、pH調整手段、めっき液分析手段、めっき液自動制御手段からなる。めっき液はリザーブ槽のめっき液について、サンプリング手段である例えばサンプリングパイプを介してめっき液分析手段に液が移送され、めっき液分析手段で金属成分、pH成分が測定され、めっき液自動制御手段から主成分補給手段、pH調整手段にリザーブ槽への各主成分補給液およびpH調整液の補給指示がだされ、主成分及びpHが自動的に調整される。したがってサンプリングは、リザーブ槽のめっき液について実施し、リザーブ槽のめっき液に主成分補給液およびpH調整液補給する。
従来のようにめっき槽でめっき液を調整すると、めっき液内に液成分の濃度ばらつきが生じて、これがめっき膜厚のばらつきの原因のひとつであることが発明者らの調査によりわかってきた。これに対し、本発明ではリザーブ槽でめっき液の成分を精密に調整するために、その要因は除外することができ、めっき膜厚のばらつきを極めて小さくすることができる。
従来のようにめっき槽でめっき液を調整すると、めっき液内に液成分の濃度ばらつきが生じて、これがめっき膜厚のばらつきの原因のひとつであることが発明者らの調査によりわかってきた。これに対し、本発明ではリザーブ槽でめっき液の成分を精密に調整するために、その要因は除外することができ、めっき膜厚のばらつきを極めて小さくすることができる。
また、本実施の形態にかかるめっき処理装置1においては、リザーブ槽20内でめっき液Bの温度調節および温度均一化のための攪拌が行われる。また、攪拌によってリザーブ槽20内でめっき液Bの濃度およびpHについても好適に調整される。これにより、めっき槽10に導入されるめっき液Bは温度・濃度・pH等の調整されためっきに適した条件に調整される。
めっき槽10内におけるめっき液Bの流動については、図2(a)に示すようにめっき槽10の側部四方にオーバーフロー部40が設けられているため、めっき液Bはめっき槽10上方外周部より全ての位置で均等にあふれ出ることになる。つまり、めっき槽10内では、多孔管60の吐出口62から上方に吐出されためっき液がめっき槽10上方外周部へ向かって均等に流動する。
上述したように温度・濃度・pHが調整されためっき液Bをめっき槽10内において均一に流動させることにより、ワーク30には均一なめっき膜厚であるめっきが施されることになる。
以上、本発明の好ましい実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、めっき槽10内に設ける多孔管60について、本実施の形態においてはU形管であるとし、その上部には3箇所ずつの吐出口62が複数設けられることとしている。しかし、多孔管60の形状はU形に限られるものではなく、めっき槽10の下部からめっき槽10内へ均等にめっき液Bを吐出させることができるような形状であれば足りる。また、吐出口62についても多孔管60より上方にめっき液Bを均等に吐出することができるような数であれば足りる。
また、温度やめっき液のサンプリングは、リザーブ槽のほかに、めっき槽のめっき液についても実施し、リザーブ槽のめっき液の温度および濃度と、めっき槽の温度および濃度との差について、めっき液自動制御手段において微調整させることも考えられる。これにより、より正確にめっき液の温度および組成を制御することができる。
前記最良の実施の形態(図1、図2)の装置において、めっきを実施した。ワークは1回のめっき処理で、約1000個の銅張りセラミックス回路基板の銅板について、無電解Ni−Pめっきを施した。
銅張りセラミックス基板は、一個の大きさが長さ50mm×幅25mm×厚さ0.6mmのセラミックス基板の両面に、長さ50mm×幅25mm×厚さ0.3mmの銅板をろう材を介して真空中で接合し、接合後の銅板上に回路形状をマスキングし、エッチングにより不要な銅およびろう材を除去して所定の回路を形成したものである。
これについて、無電解Ni−Pめっきを4μm狙いで施し、20個サンプリングところ、平均厚さ4.0μm、標準偏差が0.09μmであった。
銅張りセラミックス基板は、一個の大きさが長さ50mm×幅25mm×厚さ0.6mmのセラミックス基板の両面に、長さ50mm×幅25mm×厚さ0.3mmの銅板をろう材を介して真空中で接合し、接合後の銅板上に回路形状をマスキングし、エッチングにより不要な銅およびろう材を除去して所定の回路を形成したものである。
これについて、無電解Ni−Pめっきを4μm狙いで施し、20個サンプリングところ、平均厚さ4.0μm、標準偏差が0.09μmであった。
めっき槽のオーバーフローが2辺であって、オーバーフローしためっき液をフィルタリングすることで不純物を除去する構成であり、且つリザーブ槽を設けずに、めっき槽の温度調整はめっき液中のヒーターと温度測定手段および自動温度調整手段により、まためっき液調節部をめっき槽に設けることでめっき液組成を調整すること以外は、実施例と同様の装置、方法で無電解Ni−Pめっきを実施した。
このとき、実施例と同様のサンプリングによると、めっきの平均厚さが4.1μm、標準偏差が0.21μmであり、実施例と比べ厚さの標準偏差が約2倍であった。
このとき、実施例と同様のサンプリングによると、めっきの平均厚さが4.1μm、標準偏差が0.21μmであり、実施例と比べ厚さの標準偏差が約2倍であった。
本発明は、ワーク等の被めっき物にめっきを施すめっき処理装置に適用できる。
1…めっき処理装置
10…めっき槽
20…リザーブ槽
30…ワーク
40…オーバーフロー部
50…液補給ポンプ
60…多孔管
70…攪拌機
80…ヒーター
90…多孔質板
10…めっき槽
20…リザーブ槽
30…ワーク
40…オーバーフロー部
50…液補給ポンプ
60…多孔管
70…攪拌機
80…ヒーター
90…多孔質板
Claims (3)
- ワークにめっきを施すめっき処理装置であって、
ワークを浸漬させるめっき槽と、
前記めっき槽の四方を囲むオーバーフロー部と、
前記オーバーフロー部と連通するリザーブ槽と、
前記リザーブ槽から前記めっき槽へ液体を補給する液補給ポンプとを備えることを特徴とする、めっき処理装置。 - 前記リザーブ槽は、温度調節部と、めっき液調整部と、攪拌機とを備えることを特徴とする、請求項1に記載のめっき処理装置。
- 前記液補給ポンプの液吐出部に多孔管を設け、前記めっき槽の内部において前記多孔管の上部に多孔質板を設けることを特徴とする、請求項1または2に記載のめっき処理装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102936743A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-02-20 | 隆昌山川精密焊管有限责任公司 | 电镀微裂纹铬槽、制造方法及检漏方法 |
JP2014234539A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置 |
KR102002342B1 (ko) * | 2018-06-28 | 2019-07-23 | 김대범 | 도금액 교반 및 공급 장치 |
CN110344100A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-18 | 江苏欧姆圣智能装备股份有限公司 | 镀槽溢流装置 |
CN110670114A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-01-10 | 江西志浩电子科技有限公司 | 一种生产hdi板的电镀装置 |
CN112680766A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-20 | 镇江锦兴表面工程技术有限公司 | 一种电子散热器电镀用可均匀浸液装置及其使用方法 |
CN110344100B (zh) * | 2019-07-23 | 2024-05-28 | 江苏欧姆圣智能装备股份有限公司 | 镀槽溢流装置 |
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2008
- 2008-03-31 JP JP2008091365A patent/JP2009242878A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102936743A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-02-20 | 隆昌山川精密焊管有限责任公司 | 电镀微裂纹铬槽、制造方法及检漏方法 |
CN102936743B (zh) * | 2012-11-20 | 2015-02-18 | 隆昌山川精密焊管有限责任公司 | 电镀微裂纹铬槽、制造方法及检漏方法 |
JP2014234539A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置 |
KR102002342B1 (ko) * | 2018-06-28 | 2019-07-23 | 김대범 | 도금액 교반 및 공급 장치 |
CN110344100A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-18 | 江苏欧姆圣智能装备股份有限公司 | 镀槽溢流装置 |
CN110344100B (zh) * | 2019-07-23 | 2024-05-28 | 江苏欧姆圣智能装备股份有限公司 | 镀槽溢流装置 |
CN110670114A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-01-10 | 江西志浩电子科技有限公司 | 一种生产hdi板的电镀装置 |
CN112680766A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-20 | 镇江锦兴表面工程技术有限公司 | 一种电子散热器电镀用可均匀浸液装置及其使用方法 |
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