JP2009224657A - 半導体装置のはんだリフロー方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 厚いはんだ層を形成でき、接合寿命の向上を図ることができる半導体装置のはんだリフロー方法を提供する。
【解決手段】 はんだ材3'を絶縁基板2上に供給し、その上に少なくとも半導体素子4を含む表面実装部品を位置決めして加熱する半導体装置1のはんだリフロー方法において、半導体素子4の全周に密着し、かつ、はんだ材3'の外周を囲繞するガイド部材5を絶縁基板2上にセットした状態ではんだ溶融を行う。
【選択図】 図3
【解決手段】 はんだ材3'を絶縁基板2上に供給し、その上に少なくとも半導体素子4を含む表面実装部品を位置決めして加熱する半導体装置1のはんだリフロー方法において、半導体素子4の全周に密着し、かつ、はんだ材3'の外周を囲繞するガイド部材5を絶縁基板2上にセットした状態ではんだ溶融を行う。
【選択図】 図3
Description
本発明は、半導体装置のはんだリフロー方法の技術分野に属する。
特許文献1には、絶縁基板とヒートスプレッダとの間、およびヒートスプレッダと半導体との間にそれぞれはんだ層を設けた半導体装置が開示されている。
特開2003−124438号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載された技術にあっては、はんだリフロー時のはんだの濡れ広がり(はんだ流れ)により、厚いはんだ層を形成できないため、接合寿命(熱疲労寿命)の向上を図ることができない。
本発明の目的は、厚いはんだ層を形成でき、接合寿命の向上を図ることができる半導体装置のはんだリフロー方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置のはんだリフロー方法では、表面実装部品の全周に密着し、かつ、はんだの外周を囲繞するガイド部材を基板上にセットした状態ではんだ溶融を行うことを特徴とする。
よって、本発明のにあっては、ガイド部材によりはんだの濡れ広がりを阻止しつつはんだリフローを行うことができるため、厚いはんだ層を形成でき、接合寿命の向上を図ることができる。
以下、本発明の半導体装置のはんだリフロー方法を実現するための最良の形態を、実施例に基づいて説明する。
図1は、実施例1の半導体装置のはんだリフロー方法を用いて製造した半導体装置1の側面図である。
実施例1の半導体装置1は、任意幅に構成された絶縁基板(基板)2と、はんだ層3と、平面視矩形の板状に形成された半導体素子(表面実装部品)4とを有している。絶縁基板2は、いわゆるリードフレーム材料の金属部材である。はんだ層3は、半導体素子4と絶縁基板2とを電気的に接続し、かつ、半導体素子4を絶縁基板2上に位置固定している。
実施例1の半導体装置1は、任意幅に構成された絶縁基板(基板)2と、はんだ層3と、平面視矩形の板状に形成された半導体素子(表面実装部品)4とを有している。絶縁基板2は、いわゆるリードフレーム材料の金属部材である。はんだ層3は、半導体素子4と絶縁基板2とを電気的に接続し、かつ、半導体素子4を絶縁基板2上に位置固定している。
はんだ層3は、例えば、鉛フリーはんだ、共晶はんだ等、シート状のはんだ材を用い、4つの側面(端面)に形成されたフィレット31により、上方(半導体素子4)側から下方(絶縁基板2)側へ向かって徐々に幅広となる切頭四角錐状をなしている。はんだ層3の半導体素子4と接する上面32の平面視形状は、半導体素子4の平面視形状と同一である。また、フィレット31の高さ方向長さは、はんだ層3の高さ方向長さ(上面32から下面33までの距離)と同一である。
半導体素子4は、所定の矩形板状にダイシングされたもので、例えば、MOSFETをゲート部に組み込んだIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を用いている。なお、半導体素子4は、下面の全面と上面の複数の所定位置とに電極を設定している。
図2は、はんだリフロー工程で半導体素子4の位置固定およびフィレット31の成形に用いるガイド部材5の要部を示す断面図である。
ガイド部材5は、図3(b)に示すように、下方側が開口した断面コ字状に形成している。このガイド部材5の内周面51の形状は、半導体素子4を内部に挿入した状態で、半導体素子4の外周面41と全周に亘って密着するよう、半導体素子4の外形と略同一に形成している。
ガイド部材5は、図3(b)に示すように、下方側が開口した断面コ字状に形成している。このガイド部材5の内周面51の形状は、半導体素子4を内部に挿入した状態で、半導体素子4の外周面41と全周に亘って密着するよう、半導体素子4の外形と略同一に形成している。
ガイド部材5の先端部分は、三角形状とし、はんだリフロー工程でガイド部材5を絶縁基板2上にセットしたとき、ガイド部材5の内周面51とはんだ材との間には、三角形のフィレット成形用空隙部6が形成される。このフィレット成形用空隙部6の高さ方向長さは、はんだリフロー工程後のはんだ層3の高さ方向長さと同一、かつ、フィレット成形用空隙部6の水平方向長さ以上となるように設定している。
次に、実施例1の半導体装置1のはんだリフロー方法を説明する。
はんだリフロー工程に先立ち、はんだ供給工程と部品搭載工程を行う。はんだ供給工程とは、図3(a)のように絶縁基板2上の半導体素子4の固定位置に、シート状のはんだ材3'を供給する工程をいう。このはんだ供給工程は、例えば、自動ディスペンサまたは多軸ディスペンスロボットと自動クリームはんだ印刷機を用いることができる。
はんだリフロー工程に先立ち、はんだ供給工程と部品搭載工程を行う。はんだ供給工程とは、図3(a)のように絶縁基板2上の半導体素子4の固定位置に、シート状のはんだ材3'を供給する工程をいう。このはんだ供給工程は、例えば、自動ディスペンサまたは多軸ディスペンスロボットと自動クリームはんだ印刷機を用いることができる。
また、部品搭載工程とは、はんだ材3'の上に半導体素子4を載置させる工程をいう。この部品搭載工程は、例えば、自動部品搭載機や自動チップマウンタを用いることができる。
はんだリフロー工程では、まず、絶縁基板2の一方側からガイド部材5を近づけ、図3(b)に示すように、半導体素子4を内部に挿入し、先端部を絶縁基板2と当接させる。このとき、ガイド部材5の内周面51は、半導体素子4の外周面41と全周に亘って密着した状態となる。
次に、絶縁基板2上にはんだ材3'を介して位置決め搭載した半導体素子4を高温炉(リフロー炉)にて加熱し、絶縁基板2と半導体素子4とをはんだ付けする。このとき、溶融したはんだ材3'の一部が半導体素子4の外側へと移動するが、はんだ材3'の濡れ広がりは、ガイド部材5により規制され、はんだ材3'がフィレット成形用空隙部6に充填された時点で終了する。また、半導体素子4の外周面41とガイド部材5の内周面51とは全周に亘って密着しているため、溶融したはんだ材3'が半導体素子4の下面よりも上方へ移動する、いわゆるはんだのぬれ上がりが発生しない。
このため、図3(c)のはんだリフロー工程終了時には、はんだ層3の厚さを所望の厚さとすることができる。
このため、図3(c)のはんだリフロー工程終了時には、はんだ層3の厚さを所望の厚さとすることができる。
図4は、実施例1の比較例として、ガイド部材5を用いないではんだリフロー工程を実施した場合のフィレット形状を示す斜視図であり、この場合、はんだ材の濡れ広がりが制限されないため、フィレットは、高さ方向長さよりも水平方向長さの方が長くなる。よって、はんだ層をより厚くするためにはんだ材の供給量を増加させたとしても、フィレットが水平方向に広がってしまうため、はんだ層を狙った厚みに形成できず、接合寿命の向上を図ることができない。
これに対し、実施例1では、ガイド部材5によりフィレット31の濡れ広がりをフィレット成形用空隙部6内に抑えることができるため、図5に示すように、フィレット31の高さ方向長さを水平方向以上とすることが可能である。よって、はんだ層3を狙った厚みに形成でき、接合寿命の向上を図ることができる。
また、実施例1では、フィレット31は、フィレット成形用空隙部6の形状に応じた形状となるため、はんだ層3の端面形状を整えることができる。さらに、はんだリフロー工程において、半導体素子4はガイド部材5により基板平面方向の移動を規制されるため、はんだ材3'の溶融に伴う半導体素子4の位置ずれを防止でき、加工精度の向上を図ることができる。
すなわち、実施例1の半導体装置1の製造方法では、ガイド部材5により、はんだリフロー工程における、はんだ材3'の濡れ広がり抑制、はんだ層3の端面成形性の向上および半導体素子4の位置ずれ防止を同時に実現できる。
次に、効果を説明する。
実施例1の半導体装置1の製造方法にあっては、下記に列挙する効果を奏する。
実施例1の半導体装置1の製造方法にあっては、下記に列挙する効果を奏する。
(1) はんだ材3'を絶縁基板2上に供給し、その上に少なくとも半導体素子4を含む表面実装部品を位置決めして加熱する半導体装置1のはんだリフロー方法において、半導体素子4の全周に密着し、かつ、はんだ材3'の外周を囲繞するガイド部材5を絶縁基板2上にセットした状態ではんだ溶融を行う。これにより、厚いはんだ層を形成でき、接合寿命の向上を図ることができる。また、半導体素子4の位置ずれを防止できる。
(2) ガイド部材5は、はんだ材3'とガイド部材5との間に、フィレット成形用空隙部6を設定したため、はんだ層3の端面形状を、フィレット成形用空隙部6に応じた所望の形状に整えることができる。
まず、構成を説明する。
図6は、実施例2の半導体装置10の製造方法を示す図である。
実施例2では、図6(c)に示すように、絶縁基板2と第1はんだ層11を介して接続されるヒートスプレッダ12と、このヒートスプレッダ12と第2はんだ層13を介して接合される半導体素子14とから表面実装部品19を構成している。ヒートスプレッダ12は、半導体素子14からの発熱を効果的に拡散させるために設けられるもので、半導体素子14よりも大きな平面視矩形状に形成している。第1はんだ層11の4つの側面(端面)には、フィレット111を形成し、第2はんだ層13の4つの側面(端面)には、フィレット131を形成している。
図6は、実施例2の半導体装置10の製造方法を示す図である。
実施例2では、図6(c)に示すように、絶縁基板2と第1はんだ層11を介して接続されるヒートスプレッダ12と、このヒートスプレッダ12と第2はんだ層13を介して接合される半導体素子14とから表面実装部品19を構成している。ヒートスプレッダ12は、半導体素子14からの発熱を効果的に拡散させるために設けられるもので、半導体素子14よりも大きな平面視矩形状に形成している。第1はんだ層11の4つの側面(端面)には、フィレット111を形成し、第2はんだ層13の4つの側面(端面)には、フィレット131を形成している。
実施例2のガイド部材15では、表面実装部品19の形状に対応して、ヒートスプレッダ12の全周に密着し、かつ、第1はんだ層11の外周を囲繞する第1ガイド部16と、半導体素子14の全周に密着し、かつ、第2はんだ層13の外周を囲繞する第2ガイド部17とを備える。
第1ガイド部16および第2ガイド部17の先端部の形状は、実施例1のガイド部材5と同様、三角形状とし、はんだリフロー工程でガイド部材15を絶縁基板2上にセットしたとき、ガイド部16の内周面161と第1はんだ材との間には、三角形のフィレット成形用空隙部20が形成される。このフィレット成形用空隙部20の高さ方向長さは、はんだリフロー工程後の第1はんだ層11の高さ方向長さと同一、かつ、フィレット成形用空隙部20の水平方向長さ以上となるように設定している。
また、ガイド部材17の内周面171と第2はんだ材との間には、三角形のフィレット成形用空隙部21が形成される。このフィレット成形用空隙部21の高さ方向長さは、はんだリフロー工程後の第2はんだ層13の高さ方向長さと同一、かつ、フィレット成形用空隙部21の水平方向長さ以上となるように設定している。
次に、実施例2の半導体装置10の製造方法を説明する。
実施例2では、はんだ供給工程→部品搭載工程を2回繰り返す。すなわち、1回目のはんだ供給工程では、絶縁基板2上のヒートスプレッダ12の固定位置に、シート状の第1はんだ材11'を供給する。1回目の部品搭載工程では、第1はんだ材11'の上にヒートスプレッダ12を載置させる。2回目のはんだ供給工程では、ヒートスプレッダ12上の半導体素子14の固定位置に、シート状の第2はんだ材13'を供給する。2回目の部品搭載工程では、第2はんだ材13'の上に半導体素子14を載置させる。ここで、第1はんだ材11'および第2はんだ材13'は、同一のはんだ材または融点の等しいはんだ材としている。
図6(a)は、2回目の部品搭載工程が完了した状態である。
実施例2では、はんだ供給工程→部品搭載工程を2回繰り返す。すなわち、1回目のはんだ供給工程では、絶縁基板2上のヒートスプレッダ12の固定位置に、シート状の第1はんだ材11'を供給する。1回目の部品搭載工程では、第1はんだ材11'の上にヒートスプレッダ12を載置させる。2回目のはんだ供給工程では、ヒートスプレッダ12上の半導体素子14の固定位置に、シート状の第2はんだ材13'を供給する。2回目の部品搭載工程では、第2はんだ材13'の上に半導体素子14を載置させる。ここで、第1はんだ材11'および第2はんだ材13'は、同一のはんだ材または融点の等しいはんだ材としている。
図6(a)は、2回目の部品搭載工程が完了した状態である。
はんだリフロー工程では、まず、絶縁基板2の一方側からガイド部材15を近づけ、図6(b)に示すように、第2ガイド部17の内部に半導体素子4を挿入すると共に、第1ガイド部16の内部にヒートスプレッダ12を挿入し、第2ガイド部17の先端部を絶縁基板2と当接させる。このとき、第1ガイド部16の内周面161は、ヒートスプレッダ12の外周面121と全周に亘って密着した状態となる。また、第2ガイド部17の内周面171は、半導体素子14の外周面141と全周に亘って密着した状態となる。
次に、絶縁基板2上に第1はんだ材11'を介して位置決め搭載した表面実装部品19を高温炉(リフロー炉)にて加熱し、絶縁基板2とヒートスプレッダ12、ヒートスプレッダ12と半導体素子14とをそれぞれはんだ付けする。このとき、溶融した第1はんだ材11'の一部がヒートスプレッダ12の外側へと移動するが、第1はんだ材11'の濡れ広がりは、ガイド部材15の第1ガイド部16により規制され、第1はんだ材11'がフィレット成形用空隙部20に充填された時点で終了する。
また、溶融した第2はんだ材13'の一部が半導体素子14の外側へと移動するが、第2はんだ材13'の濡れ広がりは、ガイド部材15の第2ガイド部17により規制され、第2はんだ材13'がフィレット成形用空隙部21に充填された時点で終了する。
そして、ヒートスプレッダ12の外周面121と第1ガイド部16の内周面161とは全周に亘って密着しているため、溶融した第1はんだ材11'がヒートスプレッダ12の下面よりも上方へ移動する、いわゆるはんだのぬれ上がりが発生しない。また、半導体素子14の外周面41と第2ガイド部16の内周面161とは全周に亘って密着しているため、溶融したはんだ材13'が半導体素子14の下面よりも上方へ移動する、いわゆるはんだのぬれ上がりが発生しない。
このため、図6(c)のはんだリフロー工程終了時には、第1および第2はんだ層11,13の厚さを共に所望の厚さとすることができ、はんだリフロー工程における、第1および第2はんだ材11',13'の濡れ広がり抑制、第1および第2はんだ層11,13の端面(フィレット111,131)の成形性の向上およびヒートスプレッダ12、半導体素子14の位置ずれ防止を同時に実現できる。
次に、効果を説明する。
実施例2の半導体装置10の製造方法にあっては、実施例1の効果(1),(2)に加え、以下の効果を奏する。
実施例2の半導体装置10の製造方法にあっては、実施例1の効果(1),(2)に加え、以下の効果を奏する。
(3) ガイド部材15は、ヒートスプレッダ12の全周に密着し、かつ、第1はんだ層11の外周を囲繞する第1ガイド部16と、半導体素子14の全周に密着し、かつ、第2はんだ層13の外周を囲繞する第2ガイド部17と、を備える。これにより、2つのはんだ層11,13を有する半導体装置10において、両はんだ層11,13を厚く成形でき、接合寿命の向上を図ることができる。
(他の実施例)
以上、本発明を実施するための最良の形態を、各実施例に基づき説明したが、本発明の具体的な構成については、各実施例の構成に限らず、特許請求の範囲の各請求項に係る発明の要旨を逸脱しない限り、設計変更や追加等は許容される。
例えば、実施例では、はんだ材として鉛フリーはんだ、共晶はんだ等を用いると説明したが、本発明は任意のはんだに適用できる。
以上、本発明を実施するための最良の形態を、各実施例に基づき説明したが、本発明の具体的な構成については、各実施例の構成に限らず、特許請求の範囲の各請求項に係る発明の要旨を逸脱しない限り、設計変更や追加等は許容される。
例えば、実施例では、はんだ材として鉛フリーはんだ、共晶はんだ等を用いると説明したが、本発明は任意のはんだに適用できる。
また、実施例では、ガイド部材の先端を三角形状とすることにより、はんだリフロー工程の際、はんだ材とガイド部材との間にフィレット成形用空隙部を形成する例を示したが、ガイド部材の先端部分をはんだ材と反対方向に曲げ加工することでフィレット成形用空隙部を形成する構成としてもよい。
1 半導体装置
2 絶縁基板
3' はんだ材
3 はんだ層
4 半導体素子
5 ガイド部材
2 絶縁基板
3' はんだ材
3 はんだ層
4 半導体素子
5 ガイド部材
Claims (3)
- はんだを基板上に供給し、その上に少なくとも半導体素子を含む表面実装部品を位置決めして加熱する半導体装置のはんだリフロー方法において、
前記表面実装部品の全周に密着し、かつ、前記はんだの外周を囲繞するガイド部材を前記基板上にセットした状態ではんだ溶融を行うことを特徴とする半導体装置のはんだリフロー方法。 - 請求項1に記載の半導体装置のはんだリフロー方法において、
前記ガイド部材は、前記はんだと前記ガイド部材との間に、フィレット成形用の空隙部を設定したことを特徴とする半導体装置のはんだリフロー方法。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置のはんだリフロー方法において、
前記表面実装部品は、前記基板と第1はんだ層を介して接合されるヒートスプレッダと、このヒートスプレッダよりも小さく、ヒートスプレッダと第2はんだ層を介して接合される半導体素子とを有し、
前記ガイド部材は、前記ヒートスプレッダの全周に密着し、かつ、前記第1はんだ層の外周を囲繞する第1ガイド部と、前記半導体素子の全周に密着し、かつ、前記第2はんだ層の外周を囲繞する第2ガイド部と、を備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008069105A JP2009224657A (ja) | 2008-03-18 | 2008-03-18 | 半導体装置のはんだリフロー方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008069105A JP2009224657A (ja) | 2008-03-18 | 2008-03-18 | 半導体装置のはんだリフロー方法 |
Publications (1)
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ID=41241110
Family Applications (1)
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JP2008069105A Pending JP2009224657A (ja) | 2008-03-18 | 2008-03-18 | 半導体装置のはんだリフロー方法 |
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-
2008
- 2008-03-18 JP JP2008069105A patent/JP2009224657A/ja active Pending
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