JP2009224427A - 薄膜太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明における薄膜太陽電池20の製造方法は、(a)透明絶縁基板1を準備する工程と、(b)透明絶縁基板1の表面に凹凸構造を形成する工程と、(c)透明絶縁基板1上に透明電極層4を形成する工程と、(d)透明電極層4上に光電変換層12を形成する工程と、(e)光電変換層12上に裏面電極層8を形成する工程と、を備え、工程(b)は、(f)透明絶縁基板1上に非晶質膜2を形成する工程と、(g)非晶質膜2にレーザ照射を行い、結晶化された結晶質膜3を形成する工程と、(h)結晶質膜3にエッチングを行い、結晶質膜3を除去する工程と、を備える。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1における薄膜太陽電池20の構成を示した断面図である。薄膜太陽電池20は、表面に凹凸構造を有する透明絶縁性基板1、透明絶縁性基板1上に形成され第1の電極層となる透明導電膜4(透明電極層)、透明導電膜4上に形成される光電変換層12、光電変換層12上に形成され第2の電極層となる裏面電極層8、を備える。また、光電変換層12は少なくとも2層以上で構成され、本実施の形態では、下からP型の非晶質シリコン膜5、i型の非晶質シリコン膜6、N型の非晶質シリコン膜7、を備える。
図4は、本発明の実施の形態2における薄膜太陽電池20の構成を示した断面図である。実施の形態1と異なる点は、ガラス基板1の表面の一部分に凹凸構造を有する点である。分離溝9、接続溝10、分離溝11は、レーザ照射によって形成されたパターンである。その他の構成は実施の形態1と同様のため、説明を省略する。
Claims (7)
- (a)透明絶縁基板を準備する工程と、
(b)前記透明絶縁基板の表面に凹凸構造を形成する工程と、
(c)前記透明絶縁基板上に透明電極層を形成する工程と、
(d)前記透明電極層上に光電変換層を形成する工程と、
(e)前記光電変換層上に裏面電極層を形成する工程と、を備え、
前記工程(b)は、
(f)前記透明絶縁基板上に非晶質膜を形成する工程と、
(g)前記非晶質膜にレーザ照射を行い、結晶化された結晶質膜を形成する工程と、
(h)前記結晶質膜にエッチングを行い、前記結晶質膜を除去する工程と、を備える薄膜太陽電池の製造方法。 - 前記工程(g)は、照射領域を前記非晶質膜に平行にスキャンする工程をさらに備える請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記工程(g)は、前記非晶質膜の一部分に行う請求項2に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記工程(h)は、CHF3、C4F8、CF4、SF6単体ガスおよびO2、Heを混合させたガスにより行うRIEエッチングであり、
前記透明絶縁基板/前記結晶質膜の選択比1以上で行う請求項1から3のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 前記工程(f)は、50nm以上の非晶質膜を形成する請求項1から4のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記工程(d)は、2層以上の非晶質シリコンまたは結晶質シリコンを形成する請求項1から5のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 光電変換素子が形成される複数の素子領域と、前記素子領域の間に前記光電変換素子を相互に接続する接続領域と、を透明絶縁基板上に有する薄膜太陽電池において、
前記素子領域内の前記透明絶縁基板の表面に凹凸構造を有し、前記接続領域の前記透明絶縁基板の表面には凹凸構造を有さないことを特徴とする薄膜太陽電池。
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