JP2009212340A5 - - Google Patents

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  1. プラズマによって基板を処理する処理室と、前記プラズマを生成するために前記処理室内に高周波電圧を印加するプラズマ生成用電極とを有する基板処理装置に配置された電極ユニットであって、
    前記処理室側から順に配置された、前記処理室内に暴露される電極層、加熱層及び冷却層を有し、
    前記加熱層は前記電極層を全面的に覆うとともに、前記冷却層は前記加熱層を介して前記電極層を全面的に覆い、前記加熱層及び前記冷却層の間には伝熱媒体が充填される伝熱層が配置され、
    前記プラズマ生成用電極による前記高周波電圧の印加が中断されると、前記伝熱層から前記充填された伝熱媒体が排出されることを特徴とする電極ユニット。
  2. 前記伝熱媒体は伝熱ガスであることを特徴とする請求項１記載の電極ユニット。
  3. 前記伝熱ガスとしてプラズマを生成するためのプロセスガスを用いることを特徴とする請求項２記載の電極ユニット。
  4. 前記電極ユニットは前記処理室内に前記プロセスガスを供給し、
    前記伝熱層は、前記電極層の周縁部以外を覆うように形成されるとともに前記処理室内と複数のガス穴を介して連通し、
    前記プロセスガスは前記伝熱層に供給されることを特徴とする請求項３記載の電極ユニット。
  5. 前記伝熱媒体は伝熱性の液体であることを特徴とする請求項１記載の電極ユニット。
  6. 前記伝熱媒体は伝熱シートであることを特徴とする請求項１記載の電極ユニット。
  7. プラズマによって基板を処理する処理室と、前記プラズマを生成するために前記処理室内に高周波電圧を印加するプラズマ生成用電極と、電極ユニットとを備え、
    該電極ユニットは、前記処理室側から順に配置された、前記処理室内に暴露される電極層、加熱層及び冷却層を有し、
    前記加熱層は前記電極層を全面的に覆うとともに、前記冷却層は前記加熱層を介して前
    記電極層を全面的に覆い、前記加熱層及び前記冷却層の間には伝熱媒体が充填される伝熱層が配置され、
    前記プラズマ生成用電極による前記高周波電圧の印加が中断されると、前記伝熱層から前記充填された伝熱媒体が排出されることを特徴とする基板処理装置。
  8. プラズマによって基板を処理する処理室を備える基板処理装置に配置された電極ユニットであって、前記処理室側から順に配置された、前記処理室内に暴露される電極層、加熱層及び冷却層を有し、前記加熱層及び前記冷却層の間に空間からなる伝熱層が配置される電極ユニットの温度制御方法であって、
    前記基板処理装置が備える、前記プラズマを生成するために前記処理室内に高周波電圧を印加するプラズマ生成用電極による前記高周波電圧の印加の開始に応じて前記伝熱層に伝熱媒体を充填する電極層冷却ステップと、
    前記プラズマ生成用電極による前記高周波電圧の印加の中断に応じて前記伝熱層が前記充填された伝熱媒体を排出する電極層保温ステップとを有することを特徴とする温度制御方法。
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