JP2009212103A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GaN層2及びn型AlGaN層3に、絶縁性基板1の表面まで到達する開口部6を形成する。次に、開口部6内にソース電極4sに接続されるNi層8を導電性エッチングストッパとして形成すると共に、n型AlGaN層3上にアライメントマーク8aを形成する。次に、絶縁性基板1の裏面にフォトレジスト膜を形成し、アライメントマーク8aを基準として、ビア用遮光部及びアライメント用遮光部が設けられたフォトマスクの位置合わせを行う。次に、フォトマスクを用いてフォトレジスト膜からビアホール形成用レジストパターンを形成する。次に、ビアホール形成用レジストパターンを用いて、絶縁性基板1に、その裏面側からNi層8まで到達するビアホール1sを形成する。そして、ビア配線16を形成する。
【選択図】図1Y
Description
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。図1A乃至図1Yは、第1の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)を製造する方法を工程順に示す断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。SiC等には、所定時間のエッチングにより形成される開口部の深さが、当該開口部の大きさに依存しているという性質があり、第2の実施形態では、このような性質を利用する。
次に、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態は、第1の実施形態と第2の実施形態とを組み合わせたものである。図6A乃至図6Dは、第3の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)を製造する方法を工程順に示す断面図である。
1s:ビアホール
1h、1i、1j:開口部
2:GaN層
3:n型AlGaN層
4d:ドレイン電極
4g:ゲート電極
4s:ソース電極
6:開口部
8:Ni層
8a、8b:アライメントマーク
10:Au層
15:Au層
16:ビア配線
21:フォトマスク
21a:透光部
21b:ビア用遮光部
21c、21d:アライメント用遮光部
31:SiC層
Claims (8)
- 基板上に化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記化合物半導体層に、少なくとも前記基板の表面まで到達する開口部を形成する工程と、
前記開口部内に前記ソース電極に接続される導電性エッチングストッパを形成すると共に、前記化合物半導体層上にアライメントマークを形成する工程と、
前記基板の裏面にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記アライメントマークを基準として、ビア用パターン及びアライメント用パターンが設けられたフォトマスクの位置合わせを行う工程と、
前記フォトマスクを用いて前記フォトレジスト膜からビアホール形成用レジストパターンを形成する工程と、
前記ビアホール形成用レジストパターンを用いて、前記基板に、その裏面側から前記導電性エッチングストッパまで到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内から前記基板の裏面にわたってビア配線を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記基板の厚さに対する前記アライメント用パターンの幅の比を1/5以下とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板上に化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記化合物半導体層上に、前記ソース電極に接続される導電性エッチングストッパ及びアライメントマークを形成する工程と、
前記基板の裏面にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記アライメントマークを基準として、ビア用パターン及び線状のアライメント用パターンが設けられたフォトマスクの位置合わせを行う工程と、
前記フォトマスクを用いて前記フォトレジスト膜からビアホール形成用レジストパターンを形成する工程と、
前記ビアホール形成用レジストパターンを用いて、前記基板及び前記化合物半導体層に、その裏面側から前記導電性エッチングストッパまで到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内から前記基板の裏面にわたってビア配線を形成する工程と、
を有し、
前記基板及び前記化合物半導体層の総厚さに対する前記アライメント用パターンの幅の比を1/5以下とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記導電性エッチングストッパ及び前記アライメントマークを互いに同一の導電層から形成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板としてSiC基板を用い、前記化合物半導体層として窒化物半導体層を用いることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- ビアホールが形成された基板と、
前記基板上に形成された化合物半導体層と、
前記化合物半導体層上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ビアホール内から前記基板の裏面にわたって形成されたビア配線と、
を有し、
前記化合物半導体層には、前記ビア配線まで到達する開口部が形成されており、この開口部内に前記ソース電極に接続された導電性エッチングストッパが形成され、
更に、前記化合物半導体層上に形成されたアライメントマークを有することを特徴とする半導体装置。 - ビアホールが形成された基板と、
前記基板上に形成された化合物半導体層と、
前記化合物半導体層上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ビアホール内から前記基板の裏面にわたって形成されたビア配線と、
前記化合物半導体層上に形成された導電性エッチングストッパ及びアライメントマークと、
を有し、
前記基板には、前記ビアホールと平行してその裏面から前記アライメントマークに向かって延びる線状の開口部が形成されており、
前記基板の厚さに対する前記開口部の幅の比は1/5以下となっていることを特徴とする半導体装置。 - 前記導電性エッチングストッパ及び前記アライメントマークは同一の導電層から形成されていることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置。
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