JP2009210577A5

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Publication number: JP2009210577A5
Application number: JP2009044343A
Authority: JP
Filing date: 2009-02-26
Publication date: 2012-01-12
Anticipated expiration: 2029-02-26

Claims

照明装置（１，３）と検出装置（Ｄ）とを有するセンサシステム（Ｓ）において、
前記照明装置を構成して、第１波長のレーザビーム（Ｌ１１，Ｌ１２）と、第１波長とは異なる第２波長のレーザビーム（Ｌ２１，Ｌ２２）を放射するようにし、
前記検出装置を構成して、第１波長および第２波長の電磁ビームが検出されるようにし、
前記センサシステムは半導体レーザダイオード（１）を含んでおり、
− 該半導体レーザダイオードは、第１活性領域（１１）と第１活性領域（１２）とを有しており、
− 当該の第１活性領域および第２活性領域は、前記半導体レーザダイオードの半導体層列（１０）に含まれており、かつ上下に積層されており、
− 第１活性領域（１１）は、半導体レーザダイオードの動作時に第１波長のレーザビーム（Ｌ１１，Ｌ１２）を放射し、
− 第２活性領域（１２）は、半導体レーザダイオードの動作時に第２波長のレーザビーム（Ｌ２１，Ｌ２２）を放射することを特徴とする、
センサシステム（Ｓ）。
前記の半導体層列（１０）には、第１活性領域（１１）と第２活性領域（２２）との間にトンネルダイオード（１３０）が含まれている、
請求項１に記載のセンサシステム（Ｓ）。
前記の第１活性領域（１１）および第２活性領域（１２）は１つずつの量子井戸構造を有しており、
当該量子井戸構造は、層厚および／または量子化の次元が異なっている、
請求項１または２に記載のセンサシステム（Ｓ）。
前記の活性領域（１１，１２）のうちの一方の活性領域は、量子点または量子線を有しており、他方の活性領域は量子箱を有する、
請求項１から３までのいずれか１項に記載のセンサシステム（Ｓ）。
前記レーザダイオード（１）は、３つまたはそれ以上の活性領域（１１，１２）を有しており、当該の複数の活性領域は、第１波長（Ｌ１１，Ｌ１２）のレーザビームを放射する、
請求項１から４までのいずれか１項に記載のセンサシステム（Ｓ）。
前記半導体層列は、屈折率調整形のリブ導波器を形成するためにウェブとして構造化されている、
請求項１から５までのいずれか１項に記載のセンサシステム（Ｓ）。
前記半導体層列にはブラインド層（１１５）が含まれており、
当該ブラインド層は、前記ウェブの長手方向に延在するストライプ状の開口部（１１５１）を有しており、
当該開口部は横方向に絶縁領域（１１５２）によって包囲されている、
請求項１から６までのいずれか１項に記載のセンサシステム（Ｓ）。
前記のストライプ状の開口部（１１５１）は、１ないし１０μｍの幅を有する、
請求項７に記載のセンサシステム（Ｓ）。
前記の第１活性領域（１１）および第２活性領域（１２）は１つずつの量子井戸構造を有しており、
当該量子井戸構造は、材料組成が異なっている、
請求項１から８までのいずれか１項に記載のセンサシステム（Ｓ）。
前記の照明装置（１，３）を構成して、赤外線のスペクトル領域にてレーザビームが放射されるようにした、
請求項１から９までのいずれか１項に記載のセンサシステム（Ｓ）。
前記の第１波長および／または第２波長は、８００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の値を有する、
請求項１０に記載のセンサシステム（６）。
前記の第１波長と第２波長との間の差分は、２０ｎｍ以上である、
請求項１から１１までのいずれか１項に記載のセンサシステム（Ｓ）。
前記センサシステム（Ｓ）は、間隔および／または速度の測定のために構成されている、
請求項１から１２までのいずれか１項に記載のセンサシステム（Ｓ）。
請求項１から９までのいずれか１項に記載のセンサシステム（Ｓ）を有する衝突警報システム。
請求項１から９までのいずれか１項に記載のセンサシステム（Ｓ）を有する暗視装置。
前記検出装置（Ｄ）には、半導体画像センサまたは残光増幅器が含まれている、
請求項１５に記載の暗視装置。