DE102008022941A1 - Sensorsystem mit einer Beleuchtungseinrichtung und einer Detektoreinrichtung - Google Patents

Sensorsystem mit einer Beleuchtungseinrichtung und einer Detektoreinrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102008022941A1
DE102008022941A1 DE102008022941A DE102008022941A DE102008022941A1 DE 102008022941 A1 DE102008022941 A1 DE 102008022941A1 DE 102008022941 A DE102008022941 A DE 102008022941A DE 102008022941 A DE102008022941 A DE 102008022941A DE 102008022941 A1 DE102008022941 A1 DE 102008022941A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sensor system
wavelength
laser diode
semiconductor
laser radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102008022941A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Martin Rudolf Dr. Behringer
Jörg Dr. Heerlein
Johann Luft
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102008022941A priority Critical patent/DE102008022941A1/de
Priority to JP2009044343A priority patent/JP5688881B2/ja
Priority to US12/393,147 priority patent/US8115909B2/en
Priority to EP09153945.2A priority patent/EP2096459B1/de
Publication of DE102008022941A1 publication Critical patent/DE102008022941A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
    • G01V8/00—Prospecting or detecting by optical means
    • G01V8/10—Detecting, e.g. by using light barriers
    • G01V8/20—Detecting, e.g. by using light barriers using multiple transmitters or receivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2036—Broad area lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3095—Tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4018—Lasers electrically in series
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geophysics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)
  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
DE102008022941A 2008-02-29 2008-05-09 Sensorsystem mit einer Beleuchtungseinrichtung und einer Detektoreinrichtung Withdrawn DE102008022941A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008022941A DE102008022941A1 (de) 2008-02-29 2008-05-09 Sensorsystem mit einer Beleuchtungseinrichtung und einer Detektoreinrichtung
JP2009044343A JP5688881B2 (ja) 2008-02-29 2009-02-26 照明装置および検出装置を有するセンサシステム
US12/393,147 US8115909B2 (en) 2008-02-29 2009-02-26 Sensor system with a lighting device and a detector device
EP09153945.2A EP2096459B1 (de) 2008-02-29 2009-02-27 Sensorsystem mit einer Beleuchtungseinrichtung und einer Detektoreinrichtung

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008011865.6 2008-02-29
DE102008011865 2008-02-29
DE102008022941A DE102008022941A1 (de) 2008-02-29 2008-05-09 Sensorsystem mit einer Beleuchtungseinrichtung und einer Detektoreinrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102008022941A1 true DE102008022941A1 (de) 2009-09-03

Family

ID=40911443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008022941A Withdrawn DE102008022941A1 (de) 2008-02-29 2008-05-09 Sensorsystem mit einer Beleuchtungseinrichtung und einer Detektoreinrichtung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8115909B2 (ja)
JP (1) JP5688881B2 (ja)
DE (1) DE102008022941A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2442141A1 (de) * 2010-10-14 2012-04-18 Sick Ag Optoelektronischer Sensor mit Linienanordnung von Einzelemittern
DE102014226291A1 (de) 2014-12-17 2016-06-23 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Vorrichtung und Verfahren zum Warnen vor Oberflächenschäden an Fahrzeugen
DE102016013510A1 (de) * 2016-04-18 2017-10-19 Kastriot Merlaku Scheinwerfer-System für Fahrzeuge aller Art, mit mindestens einem Leuchtmittel und eine Kamera für die Fahrbahn-Erfassung
DE102019102499A1 (de) * 2019-01-31 2020-08-06 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlung
WO2020225008A1 (de) * 2019-05-09 2020-11-12 Robert Bosch Gmbh Sendeeinheit zur emission von strahlung in eine umgebung, lidar-sensor mit einer sendeeinheit und verfahren zur ansteuerung einer sendeeinheit
DE102020208790A1 (de) 2020-07-15 2022-01-20 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lidar-Sensor

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014107960A1 (de) * 2014-06-05 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US9575341B2 (en) * 2014-06-28 2017-02-21 Intel Corporation Solid state LIDAR circuit with waveguides tunable to separate phase offsets
WO2017010176A1 (ja) * 2015-07-14 2017-01-19 コニカミノルタ株式会社 レーザレーダ装置
CA3012691C (en) 2016-01-31 2023-02-28 Velodyne Lidar, Inc. Lidar based 3-d imaging with far-field illumination overlap
US10761195B2 (en) 2016-04-22 2020-09-01 OPSYS Tech Ltd. Multi-wavelength LIDAR system
KR102592139B1 (ko) 2017-03-13 2023-10-23 옵시스 테크 엘티디 눈-안전 스캐닝 lidar 시스템
US10514444B2 (en) 2017-07-28 2019-12-24 OPSYS Tech Ltd. VCSEL array LIDAR transmitter with small angular divergence
KR102589319B1 (ko) 2017-11-15 2023-10-16 옵시스 테크 엘티디 잡음 적응형 솔리드-스테이트 lidar 시스템
KR102506579B1 (ko) 2018-04-01 2023-03-06 옵시스 테크 엘티디 잡음 적응형 솔리드-스테이트 lidar 시스템
JP2022526998A (ja) 2019-04-09 2022-05-27 オプシス テック リミテッド レーザ制御を伴うソリッドステートｌｉｄａｒ送光機
WO2020242834A1 (en) 2019-05-30 2020-12-03 OPSYS Tech Ltd. Eye-safe long-range lidar system using actuator
WO2020251891A1 (en) 2019-06-10 2020-12-17 OPSYS Tech Ltd. Eye-safe long-range solid-state lidar system
CN112461352A (zh) * 2020-12-08 2021-03-09 苏州亮芯光电科技有限公司 基于量子阱二极管的同质集成光电子装置
WO2024101079A1 (ja) * 2022-11-10 2024-05-16 ソニーグループ株式会社 発光素子、発光素子アレイ、および電子機器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5212706A (en) 1991-12-03 1993-05-18 University Of Connecticut Laser diode assembly with tunnel junctions and providing multiple beams
US5684309A (en) 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
US5831277A (en) 1997-03-19 1998-11-03 Northwestern University III-nitride superlattice structures
WO1999039405A2 (de) 1998-01-30 1999-08-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Halbleiterlaser-chip
US6172382B1 (en) 1997-01-09 2001-01-09 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting and light-receiving devices
WO2001039282A2 (de) 1999-11-19 2001-05-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Optische halbleitervorrichtung mit mehrfach-quantentopf-struktur

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6450587A (en) * 1987-08-21 1989-02-27 Seiko Epson Corp Multi wavelength integrated semiconductor laser
US4996430A (en) 1989-10-02 1991-02-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Object detection using two channel active optical sensors
DE4007646C2 (de) 1990-03-10 2003-08-07 Daimler Chrysler Ag Anordnung zur Verbesserung der Sicht in Fahrzeugen
JPH04372187A (ja) * 1991-06-20 1992-12-25 Canon Inc 半導体装置及びその駆動方法
JPH0815434A (ja) * 1994-06-23 1996-01-19 Nikon Corp 距離測定装置
DE19840049C5 (de) * 1998-09-02 2007-11-08 Leica Geosystems Ag Vorrichtung zur optischen Distanzmessung
JP2000349387A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Sony Corp 半導体レーザ装置及びその作製方法
DE19935998B4 (de) * 1999-07-30 2007-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mehrfach-Halbleiterlaserstruktur mit schmaler Wellenlängenverteilung
JP3950590B2 (ja) * 1999-08-31 2007-08-01 ローム株式会社 半導体レーザおよびその製法
JP3868353B2 (ja) * 2002-08-27 2007-01-17 富士通株式会社 量子ドットを有する半導体光装置
DE102004014041B4 (de) 2004-03-19 2006-04-06 Martin Spies Sensor zur Hinderniserkennung
JP4999038B2 (ja) * 2004-08-20 2012-08-15 古河電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP4820556B2 (ja) * 2005-02-02 2011-11-24 株式会社リコー 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置および光送信モジュールおよび光伝送装置および光スイッチング方法
DE102005030451A1 (de) 2005-06-28 2007-01-04 Deutsche Bahn Ag Jahreszeitunabhängige Bewertung von Vegetation auf und/oder an Verkehrswegen oder anderen zugänglichen Flächen
US7325318B2 (en) * 2005-09-22 2008-02-05 Cubic Corporation Compact multifunction sight
DE102005055272B4 (de) 2005-11-17 2008-07-31 Gmc-I Gossen-Metrawatt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung von Leckströmen in batteriegespeisten Netzen
EP1976296A4 (en) * 2006-01-20 2011-11-16 Sumitomo Electric Industries INFRARED IMAGING SYSTEM
US7544945B2 (en) * 2006-02-06 2009-06-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) array laser scanner
DE102007032997A1 (de) 2007-07-16 2009-01-22 Robert Bosch Gmbh Fahrerassistenzvorrichtung
DE102007051167A1 (de) 2007-09-14 2009-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser, Verfahren zur Herstellung und Verwendung

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5212706A (en) 1991-12-03 1993-05-18 University Of Connecticut Laser diode assembly with tunnel junctions and providing multiple beams
US5684309A (en) 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
US6172382B1 (en) 1997-01-09 2001-01-09 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting and light-receiving devices
US5831277A (en) 1997-03-19 1998-11-03 Northwestern University III-nitride superlattice structures
WO1999039405A2 (de) 1998-01-30 1999-08-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Halbleiterlaser-chip
WO2001039282A2 (de) 1999-11-19 2001-05-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Optische halbleitervorrichtung mit mehrfach-quantentopf-struktur

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2442141A1 (de) * 2010-10-14 2012-04-18 Sick Ag Optoelektronischer Sensor mit Linienanordnung von Einzelemittern
DE102014226291A1 (de) 2014-12-17 2016-06-23 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Vorrichtung und Verfahren zum Warnen vor Oberflächenschäden an Fahrzeugen
DE102016013510A1 (de) * 2016-04-18 2017-10-19 Kastriot Merlaku Scheinwerfer-System für Fahrzeuge aller Art, mit mindestens einem Leuchtmittel und eine Kamera für die Fahrbahn-Erfassung
DE102016013510B4 (de) 2016-04-18 2019-03-14 Kastriot Merlaku Scheinwerfer-System für Fahrzeuge aller Art, mit mindestens einem Leuchtmittel und eine Kamera für die Fahrbahn-Erfassung
DE102019102499A1 (de) * 2019-01-31 2020-08-06 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlung
WO2020156775A1 (de) * 2019-01-31 2020-08-06 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung zur erzeugung von laserstrahlung
WO2020225008A1 (de) * 2019-05-09 2020-11-12 Robert Bosch Gmbh Sendeeinheit zur emission von strahlung in eine umgebung, lidar-sensor mit einer sendeeinheit und verfahren zur ansteuerung einer sendeeinheit
DE102019206675A1 (de) * 2019-05-09 2020-11-12 Robert Bosch Gmbh Sendeeinheit zur Emission von Strahlung in eine Umgebung, LIDAR-Sensor mit einer Sendeeinheit und Verfahren zur Ansteuerung einer Sendeeinheit
DE102020208790A1 (de) 2020-07-15 2022-01-20 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lidar-Sensor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009210577A (ja) 2009-09-17
JP5688881B2 (ja) 2015-03-25
US8115909B2 (en) 2012-02-14
US20090244515A1 (en) 2009-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008022941A1 (de) Sensorsystem mit einer Beleuchtungseinrichtung und einer Detektoreinrichtung
DE112013004345B4 (de) Halbleiter-Einheit und Verfahren zu deren Herstellung
EP2220733B1 (de) Laserlichtquelle
DE60225781T2 (de) Langwelliges photonisches Bauelement mit InGaAsSb Quantentopfschicht
DE112018004477T5 (de) Elektro-optische einheit mit lateralen aktiven bereichen
DE102012106687A1 (de) Steglaser
DE102008030818B4 (de) Oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit mehreren aktiven Zonen
DE60026991T2 (de) Halbleiterlaser mit vergrabener Streifenstruktur und aluminiumfreier Begrenzungsschicht
EP2494665B1 (de) Kantenemittierender halbleiterlaser
EP2191548B1 (de) Strahlungsemittierendes bauelement
WO2014048687A1 (de) Algainn halbleiterlaser mit einem mesa und verbesserter stromführung
EP2218153B1 (de) Verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauelements und strahlungsemittierendes bauelement
DE112019006198T5 (de) Laterales Maßschneidern einer Strominjektion für Laserdioden
EP2096459B1 (de) Sensorsystem mit einer Beleuchtungseinrichtung und einer Detektoreinrichtung
WO2024068344A1 (de) Photonische integrierte schaltung mit verstärkungsmedium und optoelektronische vorrichtung
EP2478601B1 (de) Kantenemittierender halbleiterlaser
DE102012110613A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement
WO2021214174A1 (de) Halbleiterlaser und lidar-system sowie laser-system mit dem halbleiterlaser
DE102007051167A1 (de) Halbleiterlaser, Verfahren zur Herstellung und Verwendung
DE102018123019A1 (de) Gewinngeführter halbleiterlaser und herstellungsverfahren hierfür
DE60209184T2 (de) Integriertes Halbleiterlaser-Wellenleiter-Element
WO2022053406A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102021132164A1 (de) Laserdiodenbauelement und verfahren zur herstellung zumindest eines laserdiodenbauelements
WO2022243025A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiterlaserdiode und halbleiterlaserdiode
DE102022104418A1 (de) Kantenemittierende halbleiterlaserdiode

Legal Events

Date Code Title Description
OR8 Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: G01S 7/481 AFI20080509BHDE

R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination