JP2009166404A - 積層板、積層板の製造方法、多層プリント配線板および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】微細配線化が可能な積層板、積層板の製造方法、多層プリント配線板および半導体装置を提供すること。
【解決手段】一方の面側の表面粗さＲｚが、０．０１μｍ以上、５μｍ以下である支持基材１０１と、支持基材１０１の他方の面側に剥離層２０１と、金属箔３０１と、絶縁層４０１とをこの順に積層成形した積層板５００であり、また、金属箔３０１の絶縁層４０１面側の表面粗さＲｚが、０．０１μｍ以上、３μｍ以下であり、また、支持基材１０１は銅箔であることを特徴とする積層板５００である。
【選択図】図１

Description

本発明は、積層板、積層板の製造方法、多層プリント配線板および半導体装置に関する。

近年の電子部品・電子機器等の小型化・薄膜化・高速信号化等に伴って、それに用いられる多層プリント配線板等にもさらなる小型化・薄膜化・微細配線化が要求されている。このような要求に対応するために、多層プリント配線板に用いられる積層板も薄膜化・微細配線化対応等の検討がされている。微細配線化に対応するには、薄い金属箔を用いることが考えられる。しかしながら薄い金属箔は取り扱いが煩雑であり、シワや折れ目が発生しやすく、回路パターン形成時の配線回路の断線、エッチング液やデスミア液等の染み込みなどが発生することがあった。

そこで、薄い金属箔に剥離が可能な支持基材を張り合わせた支持基材付き金属箔を用いた積層板が主流となってきている。支持基材付き金属箔は、絶縁層と積層したあと、支持基材を剥離することで、薄い金属箔を有する積層板とすることができる（例えば特許文献１）。

ところが支持基材付き金属箔を用いることにより、微細配線化は可能となったものの金属箔表面の平滑性が十分ではなく、それによる、配線回路の断線などの問題があった。
特開２０００−３３１５３７号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、微細配線化が可能な積層板、積層板の製造方法、多層プリント配線板および半導体装置を提供することにある。

本発明による積層板は、一方の面側の表面粗さＲｚが、０．０１μｍ以上、５μｍ以下である支持基材と、前記支持基材の他方の面側に剥離層と、金属箔と、絶縁層とをこの順に積層成形したことを特徴とする。

この積層板においては、一方の面側の表面粗さＲｚが、０．０１μｍ以上、５μｍ以下である支持基材付き金属箔と、絶縁層とを積層成形している。従来、支持基材の一方の面側の平滑性について管理するより、金属箔の絶縁層と積層される面側の表面粗さについて管理されていた。ところが、微細線加工に関して、金属箔表面の凹凸が回路歩留に起因し、成形時、支持基材の凹凸が金属箔面に転写し表面平滑性に影響を及ぼすことが分り、支持基材の一方の面側の表面粗さをコントーロールすることにより、微細線加工が可能な積層板を提供できることがわかった。

さらには、支持基材と、前記支持基材の他方の面側に剥離層と、金属箔とをこの順に積層して支持基材付き金属箔を得る工程と、前記支持基材の一方の面側に研磨加工を施すことにより表面粗さＲｚを、０．０１μｍ以上、５μｍ以下となるようにした支持基材付き金属箔を得る工程と、前記金属箔と、前記絶縁材料をさらに対向配置するとともに、前記一方の面側の支持基材面側に、鏡面加工された当て板を配置し、加熱加圧する工程とを含む積層板の製造方法とすることができる。鏡面加工の当て板で挟み込むことにより、安定した表面平滑性を得ることができる。

また、積層板の前記支持基材を、前記剥離層面で剥離した後、金属箔を回路形成してなる多層プリント配線板とすることができる。

さらには、多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置とすることができる。

本発明によれば、微細配線化が可能な積層板、積層板の製造方法、多層プリント配線板および半導体装置を提供することができる。

以下、本発明の積層板、多層プリント配線板および半導体装置について説明する。

図１に示すように、本発明の積層板５００は、一方の面側の表面粗さＲｚが、０．０１μｍ以上、５μｍ以下である支持基材１０１と、支持基材１０１の他方の面側に剥離層２０１と、金属箔３０１と、絶縁層４０１とをこの順に積層成形した積層板５００である。

支持基材１０１の一方の面側の表面粗さＲｚは、０．０１以上、５μｍ以下であり、好ましくは０．０５μｍ以上、２μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以上、１μｍ以下である。表面粗さが、この範囲内にあれば、積層板製造時に、絶縁層４０１と支持基材付き金属箔１５０とを積層し、加熱・加圧後、支持基材１０１を剥離しても金属箔３０１面の凹凸は小さく、表面平滑性に優れるものとなる。従来、表面粗さは、金属箔３０１と絶縁層４０１との密着性を考慮して、支持基材付き金属箔１５０の絶縁層４０１面側の粗さをコントロールしてきた。しかしながら、微細線化が進につれ回路歩留の低下が顕著となり、その要因が金属箔３０１表面に発生している凹凸であることが判明した。また、その金属箔３０１表面の凹凸の原因について研究者が鋭意検討した結果、金属箔３０１を支持している支持基材１０１の表面の粗さが起因していることが判明した。すなわち、支持基材付き金属箔１５０と絶縁層４０１とを対向配置し、加熱加圧積層成形する際、支持基材１０１と接する積層用当て板の圧力により、支持基材１０１表面の凹凸が金属箔３０１表面に転写し、凹凸が形成されることが分った。このように、支持基材１０１の当て板面側の表面粗さをコントロールすることにより微細線化が可能な積層板５００とすることができる。
なお、表面粗さＲｚとは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で規定する１０点平均粗さのことである。

支持基材１０１の一方の面側の表面粗さＲｚを０．０１μｍ以上、５μｍ以下にする方法としては、例えば、機械的研磨、化学的研磨、電気化学的溶解、或いは電解めっき法などの方法を単独で、或いは２つ以上を組み合わせて表面粗さＲｚを０．０１μｍ以上、５μｍ以下に平滑化できる。
また、研磨加工は、支持基材付き金属箔１５０にしてから、支持基材１０１の一方の面側を研磨して表面粗さＲｚを０．０１μｍ以上、５μｍ以下にしてもよいし、または、予め支持基材１０１の一方の面側を研磨して表面粗さＲｚを０．０１μｍ以上、５μｍ以下にしたのち、支持基材１０１の他方の面側に剥離層２０１と、金属箔３０１とをこの順に積層して支持基材付き金属箔を得てもよい。

絶縁層４０１と接する面側の金属箔３０１の表面粗さＲｚは、０．０１μｍ以上、３μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上、２．５μｍ以下がより好ましく、さらには０．５μｍ以上、２μｍ以下が好ましい。表面粗さがこの範囲にあると、微細な凹凸のアンカー効果が生じ絶縁層４０１との密着が強くなる。

支持基材１０１の材質は、特に限定されないが、例えば、アルミニウム箔、ステンレス鋼箔、チタン箔、銅箔、銅合金箔等が挙げられる。これらの中で、銅箔が好ましい。

また、銅箔は、コスト面を考慮すると、電解銅箔、電解銅合金箔などが好ましい。

支持基材１０１の厚さは１０μｍ以上、１００μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、１０μｍ以上、３５μｍ以下である。厚さがこの範囲内にあることにより、箔切れを起こしたり、製造時折れやシワが発生することがない。

支持基材１０１の厚さバラツキは、５μｍ以内であることが好ましい。さらに好ましくは３μｍ以下、さらにより好ましくは１μｍ以下である。バラツキをこの範囲内にすることで加熱・加圧後の金属箔３０１のうねりを抑制することができ、平坦性に優れるものとなる。また、平面平滑性にすぐれる。なお、ここで厚さのバラツキとは支持基材面方向に対しての厚さバラツキをいい、例えば、デジタル厚み計を用いて１ｍ²あたり１００点を計測して求められる。この厚さバラツキは計測値の最大値から最小値を差し引いた値である。

金属箔３０１の材質としては、例えば、銅箔が好ましい。また、厚さは、０．１μｍ以上、９μｍ以下の厚さが好ましい。厚さがこの範囲内にあると、金属箔のピンホールの発生がなく微細配線加工が可能となる。また、支持基材と材質を同じ構成にすることにより、支持基材付き金属箔１５０としたとき、反りのない支持基材付き金属箔１５０とすることができるのでより好ましい。

支持基材付き金属箔１５０は、支持基材１０１と金属箔３０１との間に、剥離を容易にすべく剥離層２０１が設けられている。剥離層２０１は、剥離時に剥離できれば特に限定されないが、例えば、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、及びＰからなる群より選ばれる合金層、または、若しくは水和酸化物、または有機皮膜等が挙げられる。

剥離層２０１を形成する場合、金属箔３０１は、剥離層２０１上にめっきで形成しても良い。めっきを形成には、例えば、硫酸銅めっき浴、シアン化銅めっき浴、ホウフッ化銅めっき浴、ピロリン酸銅めっき浴、スルファミン酸銅めっき浴、ストライク銅めっき浴等を用いることができる。好ましくは、ストライク銅めっきを用いることである。これにより均一なめっきを行うことができる。

本発明の積層板５００を構成する絶縁層４０１は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂が好ましい。例えばエポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノキシ樹脂、又はポリイミド樹脂等が挙げられ、これらを併用しても良い。

エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂及びこれらの共重合体等が挙げられ、これらを単独又は複数種併用してもよい。

シアネート樹脂としては、特に制限されないが、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂やビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができ、これらを単独又は複数種併用してもよい。

フェノキシ樹脂としては、特に制限されないが、例えばビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられ、これらの骨格を複数種類有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。またこれらを単独、又は複数種併用してもよい。

ポリイミド樹脂としては、特に制限されないが、その前駆体であるものも含み、公知のジアミンと酸無水物を反応させて成るものである。用いられるジアミンとしては、例えば、４,４’-ジアミノジフェニルエーテル、２’-メトキシ-４,４’-ジアミノベンズアニリド、１,４-ビス（４-アミノフェノキシ）ベンゼン、１,３-ビス（４-アミノフェノキシ）ベンゼン、２,２’-ビス[４-(４-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、２,２’-ジメチル-４,４’-ジアミノビフェニル、３,３’-ジヒドロキシ-４,４’-ジアミノビフェニル、４,４’-ジアミノベンズアニリド等が挙げられる。また、酸無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸、３,３’, ４,４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３,３’, ４,４’-ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物、４,４’-オキシジフタル酸無水物が挙げられる。ジアミン、酸無水物はそれぞれ、その１種のみを使用してもよく２種以上を併用して使用することもできる。

さらに、用いる熱硬化性樹脂にあわせ、適宜硬化剤を用いることができる。硬化剤としては、公知のものを使用することがでる。例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドルキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール系化合物、トリフェニルホスフィン等のホスフィン系化合物が挙げられる。

絶縁層４０１は、無機充填材を含んでも良い。無機充填材としては、特に限定されないが、例えばタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等を挙げることができる。これらの中でもシリカが好ましく、溶融シリカが高弾性、低熱膨張性に優れる点で好ましい。溶融シリカの形状は、破砕状及び球状があるが、樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを用いることが好ましい。

熱硬化性樹脂と無機充填材とを用いる場合は、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。カップリング剤は、特に限定されないが、例えばエポキシシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、及びシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられ、それらを単独または複数併用してもよい。カップリング剤を含むことで、熱硬化性樹脂と無機充填材との界面の濡れ性が向上し、界面強度が高くなり、機械的強度を向上できる。

絶縁層４０１は、さらに必要に応じて消泡剤、レベリング剤、顔料、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を含有することができる。

さらに、絶縁層４０１は、基材を含んでも良い。基材としては、例えば、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等の繊維基材、ポリエステル、ポリイミド等の樹脂フィルム等を含んでも良い。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、絶縁層４０１の弾性率を高くすることができる。また、絶縁層４０１の熱膨張係数を小さくすることができる。

基材を含む絶縁層４０１は、絶縁層４０１を形成する基材以外の成分を溶剤に分散させた樹脂ワニスに調製し、樹脂ワニスを基材に含浸させて得ることができる。

次に積層板の製造方法について説明する。

一方の面側の表面粗さＲｚが、０．０１μｍ以上、５μｍ以下である支持基材１０１と、支持基材１０１の他方の面側に剥離層２０１と、金属箔３０１とをこの順に積層した支持基材付き金属箔１５０を用意し、支持基材付き金属箔１５０面と、絶縁層４０１面とを対向するように配置した構成を複数組準備する。そして、各組の間に、鏡面加工された当て板をそれぞれ配置し、積層成形を行い積層板を得る。

本発明の積層板５００は、絶縁層４０１の両面側または片面側に支持基材付き金属箔１５０を積層し、加熱・加圧することにより得ることができる。加熱する温度は、特に限定されないが、１２０℃以上、２８０℃以下が好ましく、特に１５０℃以上、２６０℃以下が好ましい。また、加圧する圧力は、特に限定されないが、２ＭＰａ以上、５ＭＰａ以下が好ましく、特に２．５ＭＰａ以上、４ＭＰａ以下が好ましい。

なお、絶縁層４０１は１枚でもよく、絶縁層４０１を２枚以上積層して用いても良い。また絶縁層４０１の片面にのみ支持基材付き金属箔１５０を重ねた場合は、他方の面側には別の金属箔を用いてもよい。別の金属箔の材質は、特に限定されないが、アルミニウム箔、ステンレス鋼箔、チタン箔、銅箔、銅合金箔等を用いることができる。

鏡面仕上げの当て板としては、例えば、鋼材、ステンレス板などがあげられる。当て板の厚さとしては、強度、熱伝導を考慮すると０．５ｍｍ以上、２ｍｍ以下が好ましい。また、表面粗さＲｚは、０．０１μｍ以上、２μｍ以下が好ましい。

次に多層プリント配線板について説明するが、例示であり、特に限定されるものでない。

多層プリント配線板は、積層板５００から得られる、一般的にコアと呼ばれる内層回路基板上にビルドアップ材と呼ばれるフィルム付き絶縁樹脂シート、または金属箔付き絶縁樹脂シートを積層することにより得られる。

内層回路基板は、上記で得られた支持基材付き金属箔１５０を有する積層板５００を用いて得ることができる。内層回路基板はまず、積層板５００の支持基材付き金属箔１５０から支持基材１０１を剥離する。次に、表裏の導通を図るべく、レーザーまたはドリルにより開口する。
なお、金属箔３０１を予めエッチング後に、レーザーまたはドリルにより開口しても良い。

その後、無電解めっきにより表裏の導通を図る。そして、エッチングで内層回路を形成することで内層回路基板を得ることができる。なお、内層回路部分は、黒化処理等の粗化処理したものを好適に用いることができる。また開口部は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。

次に、内層回路基板上に、フィルム付き絶縁樹脂シート、または金属箔付き絶縁樹脂シートを形成する。
ビルドアップ材には、市販のフィルム付き絶縁樹脂シートや金属箔付き絶縁樹脂シートも用いることができる。

フィルム付き絶縁樹脂シートを用いた場合は、内層回路を覆うように、フィルム付き絶縁樹脂シートを積層し、絶縁層を形成する。積層（ラミネート）方法は、特に限定されないが、真空プレス、常圧ラミネーター、および真空下で加熱加圧するラミネーターを用いて積層する方法が好ましく、更に好ましくは、真空下で加熱加圧するラミネーターを用いる方法である。

次に、形成した絶縁層を加熱することにより硬化させる。硬化させる温度は、特に限定されないが、１００℃以上、２８０℃以下の範囲が好ましい。特に、１５０℃以上、２６０℃以下が好ましい。また、次のレーザー照射および樹脂残渣の除去を容易にするため、半硬化状態にしておく場合もある。また、一層目の絶縁層を一部硬化（半硬化）させ、絶縁層上に、一層ないし複数の絶縁層をさらに形成し半硬化の絶縁層を実用上問題ない程度に再度加熱硬化させることにより絶縁層間および絶縁層と回路との密着力を向上させることができる。この場合の半硬化の温度は、８０℃以上、２００℃以下が好ましく、１００℃以上、１８０℃以下がより好ましい。

次に、絶縁層に、レーザーを照射して、開口部を形成する。レーザーは、エキシマレーザー、ＵＶレーザーおよび炭酸ガスレーザー等が使用できる。レーザーによる開口部の形成は、絶縁層の材質が、感光性・非感光性に関係なく、微細な開口部を容易に形成することができる。したがって、絶縁層に微細な開口部を形成することが必要とされる場合に特に好ましい。
なお、レーザー照射後の樹脂残渣等は過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより除去することが好ましい。また、平滑な絶縁層の表面を同時に粗化することができ、続く金属メッキにより形成する導電配線回路の密着性を上げることができる。

次に、外層回路を形成する。外層回路の形成方法は、例えば、公知の方法であるセミアディティブ法などで形成することができるが、本発明は何らこれらに限定されない。次に、導体ポストを形成する。導体ポストの形成方法としては、公知の方法である電解メッキ等で形成することができる。例えば、外層回路を電解メッキ用リードとして、銅電解メッキを行い、銅で充填し銅ポストを形成することができる。工程を繰り返すことにより、さらに多層にすることができる。尚、前記で絶縁層を半硬化状態にした場合は、後硬化（ポストキュア）を行う場合もある。

次に、ソルダーレジストを形成する。ソルダーレジストの形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像により形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像により形成する方法によりなされる。なお、接続用電極部は、金めっき、ニッケルメッキおよび半田めっき等の金属皮膜で適宜被覆することができる。このような方法により多層配線板を製造することができる。

次に半導体装置について説明する。

多層プリント配線板を用いてなる半導体装置は、特に限定されるものではないが、例えば、多層プリント配線板と半導体素子がボンディングワイヤーにより接続された半導体装置や、多層プリント配線板と半導体素子が半田バンプを介して接続されたフリップチップタイプの半導体装置等が挙げられる。以下、フリップチップタイプの半導体装置について一例を示す。

フリップチップタイプの半導体装置は、多層プリント配線板に半田バンプを有する半導体素子を実装し、半田バンプを介して、多層プリント配線板と半導体素子とを接続する。そして、多層プリント配線板と半導体素子との間には液状封止樹脂を充填し、半導体装置を形成する。半田バンプは、錫、鉛、銀、銅、ビスマスなどからなる合金で構成されることが好ましい。半導体素子と多層プリント配線板との接続方法は、フリップチップボンダーなどを用いて多層プリント配線板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプとの位置合わせを行ったあと、ＩＲリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、多層プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。尚、接続信頼性を良くするため、予め多層プリント配線板上の接続用電極部に半田ペースト等、比較的融点の低い金属の層を形成しておいても良い。この接合工程に先んじて、半田バンプおよび、または多層プリント配線板上の接続用電極部の表層にフラックスを塗布することで接続信頼性を向上させることもできる。

（実施例１）
機械的研磨でＲｚを１．２μｍに均一化し、次いで電気化学的溶解にて平滑化処理を行い、プレス面側の表面粗さＲｚが１μｍ、厚み１８μｍ、厚みバラツキ１μｍの剥離可能な支持基材に、厚さ３μｍの極薄電解銅箔層を有する支持基材付き金属箔を、ガラス繊維基材を有し絶縁層としてシアネート樹脂、エポキシ樹脂を含む樹脂成分等から構成されるプリプレグ(住友ベークライト（株）製、ＥＩ−６７６５ＧＳ、厚み０．３ｍｍ)の上下に挟み、更に表面粗さＲｚが、０．１μｍの鏡面当て板、クッション紙で順次挟み込み、温度２００℃、圧力３ＭＰａでプレス成形した積層板を得た。

（実施例２）
機械的研磨でＲｚを２．５μｍに均一化し、次いで電気化学的溶解にて平滑化処理を行い、プレス面側の表面粗さＲｚが２μｍ、厚み３５μｍ、厚みバラツキ１μｍの剥離可能な支持基材に、厚さ３μｍの極薄電解銅箔層を有する支持基材付き金属箔を用いて、実施例１と同様にして得た積層板を得た。

（実施例３）
機械的研磨による平滑化処理を行い、プレス面側の表面粗さＲｚが５μｍ、厚み１８μｍ、厚みバラツキ１μｍの剥離可能な支持基材に、厚さ３μｍの極薄電解銅箔層を有する支持基材付き金属箔を用いて、実施例１と同様にして得た積層板を得た。

（比較例１）
平滑化処理を行わずプレス面側の表面粗さＲｚが１０μｍ、厚み１８μｍ、厚みバラツキ２μｍの剥離可能な支持基材に、厚さ３μｍの極薄電解銅箔層を有する支持基材付き金属箔を用いて、実施例１と同様にして得た積層板を得た。

（比較例２）
平滑化処理を行わずプレス面側の表面粗さＲｚが１０μｍ、厚み３５μｍ、厚みバラツキ６μｍの剥離可能な支持基材に、厚さ３μｍの極薄電解銅箔層を有する支持基材付き金属箔を用いて、実施例１と同様にして得た積層板。

実施例および比較例で得られた積層板を用い、以下の評価項目の評価を行った。結果を表１に示す。

（１）プレス面側Ｒｚ（表面平滑性）
実施例および比較例の積層板の断面写真より、１００μｍ当りの支持基材／金属箔界面のうねりを山の最頂部と谷の最深部の差として計測した。

（２）微細配線形成性
２−１ セミアディティブ工法
実施例および比較例の積層板の支持基材を引き剥がした後、２５μｍ厚みのメッキレジスト用ドライフィルムを形成し、ライン／スペース＝２５μｍ／２５μｍ、及び２０μｍ／２０μｍのテストパターンを描いているガラスマスクにて露光、現像をおこなった（ライン長さ４０ｍｍ、ライン本数１０本）。その後、電解メッキにて厚み１２μｍまで形成し、メッキレジストを剥離して微細配線形成の試験サンプルを得た。次いでパターン配線の断線の箇所を金属顕微鏡で観察した。各記号は以下の通りである。
Ａ；断線なし 良好
Ｂ；１〜３箇所断線 実質上問題なし
Ｃ；４〜６箇所断線 実質上使用不可
Ｄ；７〜１０箇所断線 不良
Ｅ；１０箇所すべて断線 不良

２−２ サブトラクティブ工法
実施例および比較例の積層板の支持基材を引き剥がした後、金属箔表面をパネルめっきにより１２μｍの厚さとし、２５μｍ厚みのメッキレジスト用ドライフィルムを形成し、ライン／スペース＝２５μｍ／２５μｍ、及び２０μｍ／２０μｍのテストパターンを描いているガラスマスクにて露光、現像をおこなった（ライン長さ４０ｍｍ、ライン本数１０本）。その後エッチングを行い微細配線形成の試験サンプルを得た。次いでパターン配線の断線の箇所を金属顕微鏡で観察した。各符号は以下の通りである。
Ａ；断線なし 良好
Ｂ；１〜３箇所断線 実質上問題なし
Ｃ；４〜６箇所断線 実質上使用不可
Ｄ；７〜９箇所断線 不良
Ｅ；１０箇所すべて断線 不良

表１から明らかなように、支持基材の表面粗さＲｚが５μｍ以下である支持基材付き金属箔を用いた実施例１〜３は、表面平滑性に優れ、且つ微細配線形成性に優れるものであった。また表面平滑性に優れることから、多層プリント配線板、およびこれを用いた半導体装置は高周波特性に優れるものとなる。これに対して、支持基材の表面粗さＲｚが５μｍより大きい支持基材付き金属箔を用いた比較例１〜２は、表面平滑性が悪く、微細配線形成の際に露光工程での乱反射による露光不良により、目的のＬ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍの配線を形成することが出来なかった。

本発明の積層板は、微細加工を必要とする多層プリント配線板のビルドアップ層などに用いることができる。また、部品の小型化や信号の高速伝送性、および高信頼性が要求される電子機器用の多層プリント配線板が得られるので、高密度化、薄型化、および信頼性に優れた半導体装置などに適用できる。

積層板の断面を示す図である。

符号の説明

１０１ 支持基材
１５０ 支持基材付き金属箔
２０１ 剥離層
３０１ 金属箔
４０１ 絶縁層
５００ 積層板

Claims (9)

1. 一方の面側の表面粗さＲｚが、０．０１μｍ以上、５μｍ以下である支持基材と、前記支持基材の他方の面側に剥離層と、金属箔と、絶縁層とをこの順に積層成形したことを特徴とする積層板。
2. 前記金属箔の絶縁層面側の表面粗さＲｚが、０．０１μｍ以上、３μｍ以下である請求項１に記載の積層板。
3. 前記支持基材は、銅箔である請求項１または２のいずれかに記載の積層板。
4. 前記銅箔が、電解銅箔である請求項３に記載の積層板。
5. 前記銅箔の厚さが、１０μｍ以上、１００μｍ以下である請求項３または４に記載の積層板。
6. 前記絶縁層は、樹脂成分を含浸したプリプレグである請求項１ないし５のいずれかに記載の積層板。
7. 請求項１ないし６のいずれかに記載の積層板の製造方法であって、
   支持基材と、前記支持基材の他方の面側に剥離層と、金属箔とをこの順に積層して支持基材付き金属箔を得る工程と、
   前記支持基材付き金属箔の一方の面側に、研磨加工を施すことにより表面粗さＲｚを、０．０１μｍ以上、５μｍ以下となるようにした支持基材付き金属箔とする工程と、
   前記金属箔と、前記絶縁層をさらに対向配置するとともに、前記一方の面側の支持基材面側に、鏡面加工された当て板を配置し、加熱加圧し前記積層板を得る工程と、
   を含む積層板の製造方法。
8. 請求項１ないし６のいずれかに記載の積層板の、前記支持基材を前記剥離層面で剥離した後、金属箔を回路形成してなる多層プリント配線板。
9. 請求項８に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。

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