JP2009164624A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の例に関わる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、トンネル絶縁膜を挟んで、上部及びチャネル幅方向の側部の一部が露出する複数の浮遊ゲート電極10aを形成する工程と、浮遊ゲート電極103aの露出表層部を化学反応させて、電極間絶縁膜の最下層となる第1の絶縁膜109aを浮遊ゲート電極103a上に形成するのと同時に、浮遊ゲート電極103aの上部のチャネル幅方向の幅を、浮遊ゲート電極103aの下部のチャネル幅方向の幅よりも狭くする工程と、電極間絶縁膜109a上に互いに対向する浮遊ゲート電極103aの間に一部が埋め込まれている制御ゲート電極を形成する工程と、を具備する。
【選択図】図8
Description
図1の(a)および(b)は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置である不揮発性メモリ(NANDフラッシュメモリ)の構成を示す図である。図1の(a)はNAND型フラッシュメモリのメモリセルの平面図、図1の(b)は上記メモリセルの等価回路図である。
図7の(a)〜(c)は、本第2の実施の形態に係る半導体装置である不揮発性メモリセルの製造手順を示す図である。以下、図2に示した如きメモリセルの製造手順を、図7の(a)〜(c)を基に説明する。なお、図7の(a)〜(c)では、ワード線方向(チャネル幅方向)の断面図を示している。
図8の(a) (b)は、本第3の実施の形態に係る半導体装置である不揮発性メモリセルの製造手順を示す図である。以下、図3に示した如きメモリセルの製造手順を、図8の(a)(b)を基に説明する。なお、図8の(a) (b)では、ワード線方向(チャネル幅方向)の断面図を示している。
Claims (5)
- 半導体基板上に、トンネル絶縁膜を挟んで、上部及びチャネル幅方向の側部の一部が露出する複数の浮遊ゲート電極を形成する工程と、
前記浮遊ゲート電極の露出表層部を化学反応させて、電極間絶縁膜の最下層となる第1の絶縁膜を浮遊ゲート電極上に形成するのと同時に、前記浮遊ゲート電極の上部のチャネル幅方向の幅を、前記浮遊ゲート電極の下部のチャネル幅方向の幅よりも狭くする工程と、
前記電極間絶縁膜上に、互いに対向する前記浮遊ゲート電極の間に一部が埋め込まれている制御ゲート電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜は、前記浮遊ゲート電極の露出表層部に対して、酸素ラジカルを含む酸化性雰囲気による酸化反応を施して、形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1の絶縁膜の表層部に対して、窒素を用いた化学反応を施して、前記電極間絶縁膜を構成する第2の絶縁膜を形成する工程を、さらに具備することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜上に、前記第1の絶縁膜よりも電子トラップ密度が高い前記電極間絶縁膜を構成する第2の絶縁膜を形成する工程を、さらに具備することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜上に、前記第1の絶縁膜との仕事関数差がシリコン窒化膜よりも大きい第2の絶縁膜を形成する工程を、さらに具備することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
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