JP2009164579A - Cpp型磁気抵抗効果素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、一対の磁性層7,9であって、該一対の磁性層の磁化方向がなす相対角度が外部磁界に応じて変化するようにされた一対の磁性層7,9と、一対の磁性層の間に挟まれた結晶質のスペーサ層8と、を有し、センス電流22が一対の磁性層およびスペーサ層の膜面に対して直交方向に流れるようにされている。スペーサ層8は、結晶質酸化物を含み、一対の磁性層7,9のうち、外部磁界に応じて磁化方向が変化する少なくとも一方の磁性層は、CoFe層とNiFe層の間にCoFeB層が挟まれ、かつCoFeB層が前記スペーサ層と前記NiFe層との間に位置する膜構成を有している。
【選択図】図2
Description
2 磁気抵抗効果素子
3 上部電極兼シールド
4 下部電極兼シールド
5 バッファ層
6 反強磁性層
7 ピンド層
8 非磁性のスペーサ層
9 フリー層
10 キャップ層
12 ハードバイアス膜
22 センス電流
71 アウターピンド層
72 中間層
73 インナーピンド層
Claims (15)
- 一対の磁性層であって、該一対の磁性層の磁化方向がなす相対角度が外部磁界に応じて変化するようにされた一対の磁性層と、
前記一対の磁性層の間に挟まれた結晶質のスペーサ層と、
を有し、
センス電流が前記一対の磁性層および前記スペーサ層の膜面に対して直交方向に流れるようにされ、
前記スペーサ層は、結晶質酸化物を含み、
前記一対の磁性層のうち、外部磁界に応じて磁化方向が変化する少なくとも一方の磁性層は、CoFe層とNiFe層の間にCoFeB層が挟まれ、かつ該CoFeB層が前記スペーサ層と前記NiFe層との間に位置する膜構成を有している、磁気抵抗効果素子。 - 前記一対の磁性層は、外部磁界に対し磁化方向が固定されたピンド層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層である、請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記スペーサ層は、Cu層の間にZnO層が挟まれた膜構成を有している、請求項1または2に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記CoFeB層中のBの原子分率は、6%以上、31%以下である、請求項3に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記CoFeB層の膜厚は、0.1nm以上、1.0nm以下である、請求項3に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記スペーサ層は、Cu層とZn層の間にZnO層が挟まれた膜構成を有している、請求項1または2に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記CoFeB層中のCoFe部におけるCoの原子分率は、70%以上、90%以下である、請求項6に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記スペーサ層はMgO層を含んでいる、請求項1または2に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記CoFeB層の膜厚は、0.1nm以上、1.0nm以下である、請求項8に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記CoFe層の膜厚は、0.1nm以上、1.2nm以下である、請求項8に記載の磁気抵抗効果素子。
- 請求項1から10のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子を含む薄膜磁気ヘッド。
- 請求項1から10のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子を含む積層体と、
前記積層体を挟んで設けられ、該積層体に前記センス電流を供給する一対の電極と、
を有するスライダ。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子が形成されたウエハ。
- 請求項12に記載のスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、
を有するヘッドジンバルアセンブリ。 - 請求項12に記載のスライダと、
前記スライダを支持するとともに、該スライダを記録媒体に対して位置決めする装置と、
を有するハードディスク装置。
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