JP2009164491A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009164491A JP2009164491A JP2008002647A JP2008002647A JP2009164491A JP 2009164491 A JP2009164491 A JP 2009164491A JP 2008002647 A JP2008002647 A JP 2008002647A JP 2008002647 A JP2008002647 A JP 2008002647A JP 2009164491 A JP2009164491 A JP 2009164491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal foil
- metal
- opening
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
【課題】ビアホールを介して上下の導電層が相互接続された配線基板の製造方法において、導電層(配線層)を微細化できて信頼性の高いビア接続が得られる方法を提供する。
【解決手段】絶縁層20の少なくとも一方の面に、金属箔32上に保護金属層40が設けられた構造を形成すると共に、保護金属層40及び金属箔32の貫通孔VHに対応する箇所に開口部32a,40aを設ける工程と、開口部32a、40aを通して絶縁層20をレーザで加工して貫通孔VHを形成する工程と、金属箔32の一部を選択的に除去して、金属箔32の開口径を貫通孔VHの開口径に対応させる工程と、保護金属層40を金属箔32に対して選択的に除去して金属箔32を露出させる工程と、金属箔32を含んで形成され、貫通孔VHを介して電気的に接続される導電層42を形成する工程とを含む。
【選択図】図11
【解決手段】絶縁層20の少なくとも一方の面に、金属箔32上に保護金属層40が設けられた構造を形成すると共に、保護金属層40及び金属箔32の貫通孔VHに対応する箇所に開口部32a,40aを設ける工程と、開口部32a、40aを通して絶縁層20をレーザで加工して貫通孔VHを形成する工程と、金属箔32の一部を選択的に除去して、金属箔32の開口径を貫通孔VHの開口径に対応させる工程と、保護金属層40を金属箔32に対して選択的に除去して金属箔32を露出させる工程と、金属箔32を含んで形成され、貫通孔VHを介して電気的に接続される導電層42を形成する工程とを含む。
【選択図】図11
Description
本発明は配線基板の製造方法に係り、さらに詳しくは、ビアを介して上下の導電層が相互接続された多層配線構造を有する配線基板の製造方法に関する。
従来、半導体チップなどが実装される多層配線構造を有する配線基板がある。そのような配線基板の第1の製造方法(ビルドアップ工法)としては、図1(a)に示すように、第1配線層200を備えた基板100の上に樹脂層300を形成した後に、樹脂層300をレーザで加工することにより、第1配線層200に到達するビアホールVHを形成する。
その後に、図1(b)に示すように、樹脂層300の上及びビアホールVHの内面を粗面化処理した後に、無電解めっきによって銅からなるシード層220を形成する。シード層220は、樹脂層300の粗化面に形成されることにより、アンカー効果によって密着性が確保される。
次いで、図1(c)に示すように、第2配線層が配置される部分に開口部350aが設けられためっきレジスト350を形成する。さらに、電解めっきによってビアホールVH内からめっきレジスト350の開口部350aに銅層パターン240を形成する。次いで、図1(d)に示すように、めっきレジスト350を除去した後に、銅層パターン240をマスクにしてシード層220をエッチングすることにより、シード層220及び銅層パターン240から構成される第2配線層260を得る。
また、従来技術の配線基板の第2の製造方法(銅箔を使用する工法(ダイレクトレーザ加工法))としては、図2(a)に示すように、第1配線層200を備えた基板100の上に樹脂フィルムからなる樹脂層300を介して銅箔400の粗化面を熱圧着によって接着する。次いで、ビアホールが配置される部分の銅箔400及び樹脂層300をレーザでダイレクト加工することにより、銅箔400に開口部400aを形成すると共に、樹脂層300にビアホールVHを形成する。
このとき、図2(b)に示すように、銅箔400よりも樹脂層300の方がレーザ加工されやすい特性を有することから、樹脂層300に設けられるビアホールVHが金属箔400の開口部400aから外側に食い込むように形成される。つまり、ビアホールVHは、その上部に銅箔400の鍔部400xがリング状に設けられたオーバーハング形状となる。さらに、銅箔400の開口部400aの近傍上には、レーザによって昇華した銅が再付着して形成される銅ばり400yが残る。
続いて、図2(c)に示すように、セミアディティブ法で第2配線層を形成する際のシード層の被覆性を改善するために、銅箔400をウェットエッチングによって厚みの途中までエッチングすることにより、銅箔400の鍔部400x及び銅ばり400yを除去して緩和させる。この処理は、シード層として利用される銅箔400の厚みを薄くすることも兼ねている。その後に、第1の製造方法で説明したセミアディティブ法によって、ビアホールVHを介して第1配線層200に接続される第2配線層(不図示)が形成される。
また、従来技術の配線基板の第3の製造方法(銅箔を使用する工法(コンフォーマルレーザ加工法/(小径マスク法))としては、図3(a)に示すように、第1配線層200を備えた基板100の上に樹脂フィルムからなる樹脂層300を介して銅箔400の粗化面を熱圧着によって接着する。その後に、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングにより、銅箔400に開口部400aを形成してコンフォーマルマスクCMとする。
次いで、図3(b)に示すように、コンフォーマルマスクCMの開口部400aに対応しかつその径より小さい径の開口部500aを備えたメタルマスク500を用意する。そして、メタルマスク500の開口部500aがコンフォーマルマスクCMの開口部400aの内側に配置されるように位置合わせしてメタルマスク500をコンフォーマルマスクCMの上に配置する。
続いて、メタルマスク500の開口部500aより大きなビーム径のレーザを使用し、メタルマスク500の開口部500aを通して樹脂層300をレーザ加工する.これにより、図3(c)に示すように、メタルマスク500の開口部500aに対応する樹脂層300にビアホールVHが形成される。その後に、第1の製造方法で説明したセミアディティブ法などによって、ビアホールVHを介して第1配線層200に接続される第2配線層(不図示)が形成される。
また、従来技術の配線基板の第4の製造方法(銅箔を使用する工法(コンフォーマルレーザ加工法)/(ラージウィンドウ法))では、図4(a)に示すように、上記した第2の製造方法の図3(a)と同様に、銅箔400に開口部400aを形成してコンフォーマルマスクCMとする。さらに、コンフォーマルマスクCMの開口部400aより小さい径のビーム径のレーザによって、コンフォーマルマスクCMの開口部400aより内側の樹脂層300を選択的に加工することによりビアホールVHを形成する。その後に、第1の製造方法で説明したセミアディティブ法などによって、ビアホールVHを介して第1配線層200に接続される第2配線層(不図示)が形成される。
さらに、従来技術の配線基板の第5の製造方法(樹脂付き銅箔を使用する方法)としては、図5(a)に示すように、樹脂塗布用のポット600に対し、銅箔400を移動させながら銅箔400の粗化面の全体に液状樹脂320を塗布することにより樹脂付銅箔420を得る。この方法では、樹脂塗布用のポット600の近傍に設けられたドクターブレード700により均一な厚みの樹脂が銅箔400の上に形成される。
さらに、図5(b)に示すように、図5(a)の樹脂付銅箔420を上下反転させ、第1配線層200を備えた基板100の上に樹脂付銅箔420の液状樹脂320の面を熱圧着することにより、基板100の上に樹脂層300及び銅箔400を形成する。
続いて、図5(c)に示すように、第2〜第4の配線基板の製造方法と同様な方法により、銅箔400に開口部400aを形成すると共に、樹脂層300にビアホールVHを形成する。その後に、第1の製造方法で説明したセミアディティブ法などによって、ビアホールVHを介して第1配線層200に接続される第2配線層(不図示)が形成される。
上述した従来技術に関連する技術としては、特許文献1には、銅張積層板にレーザによってダイレクトにビア加工を行う方法において、レーザ加工時に発生する溶融飛散Cuとオーバーハングを選択的に除去する技術について記載されている。
また、特許文献2には、配線基板の絶縁層の上に金属層が被覆された状態でレーザによってダイレクト加工してビアを形成する方法において、金属層としてキャリア金属箔に剥離層を介して金属箔が形成されたキャリア付金属箔を使用し、ダイレクト加工を行った後にキャリア金属箔を剥離することにより、開口部に形成されるばりの発生を抑えることが記載されている。
特許文献3には、ビルドアップ層に樹脂付銅箔を使用し、銅箔にビアホールの径より大きな開口部を形成し、その開口部内の樹脂にビアホール径に絞ったビーム径のレーザを照射することによりビアホール用孔を形成することが記載されている。
さらには、特許文献4には、外層銅箔に設けられた穴の径よりも小さな径の穴を有するメタルマスクを外層銅箔の上に配置し、そのメタルマスクの穴を通してレーザをエポキシフィルムに照射することにより、ブラインドスルーホールを形成することが記載されている。
特開2007−129147号公報
特開2004−289109号公報
特開2001−24329号公報
特開平11−17340号公報
前述した従来技術の第1の製造方法(図1(a)〜(d))では、シード層220を薄く形成できることから配線層の微細化には有利であるものの、配線層のさらなる微細化が進むと、シード層220の密着性が比較的弱いためシード層220をエッチングする際に発生するアンダーカットU(図1(d))影響によって、第2配線層260の密着性が問題になるおそれがある。さらには、ビアホールVH内にボイドが発生することがある。
また、前述した従来技術の第2の製造方法(図2(a)〜(c))では、銅箔400の鍔部400xや銅ばり400yをウェットエッチングで除去する際に、銅箔400に局所的にピット(微細な穴)400z(図2(c))が発生することがある。
さらには、銅箔400が厚みの途中までエッチングされるので、シード層として利用される残った銅箔400の厚みがばらつきやすく、シード層をエッチングする際にエッチングシフトが大きくなる問題がある。また、鍔部400xや銅ばり400yを除去する際に、鍔部400xが逆に引き下がり部A(図2(c))となってしまうこともあり、歩留り低下の要因になる。
また、前述した従来技術の第3の製造方法(図3(a)〜(c))では、ビアホールの径よりも一回り小さな径のメタルマスク500を必要とするので、特に微細なビアホールを形成する場合、コンフォーマルマスクCMの開口部400aにメタルマスク500の開口部500aを制御よく位置合せすることは困難になる。
また、前述した従来技術の第4の製造方法(図4(a)及び(b))では、メタルマスクを使用しないことから、レーザのビーム径に合わせてそれより大きな径の開口部400aを備えたコンフォーマルマスクCMを使用する必要があるので、ビアホールの微細化に容易に対応できない。
さらに、上述した従来技術の第5の製造方法(図5(a)〜(c))では、第2〜第4の製造方法と同様な課題を有すると共に、液状樹脂から樹脂層を形成するので、層間絶縁層の材料が限定されてしまう問題もある。
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、ビアホールを介して上下の導電層が相互接続された多層配線構造を有する配線基板の製造方法において、導電層(配線層)を微細化できて信頼性の高いビア接続が得られる方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明は配線基板の製造方法に係り、絶縁層の両面に導電層が形成され、前記導電層同士が前記絶縁層を貫通して設けられた貫通孔を介して電気的に接続された配線基板の製造方法であって、前記絶縁層の少なくとも一方の面に、金属箔上に保護金属層が設けられた構造を形成すると共に、前記保護金属層及び前記金属箔の前記貫通孔に対応する箇所に開口部を設ける工程と、前記開口部を通して前記絶縁層をレーザで加工することにより前記絶縁層を貫通する前記貫通孔を形成する工程と、前記金属箔の一部を選択的に除去して、前記金属箔の開口径を前記貫通孔の開口径に対応させる工程と、前記保護金属層を前記金属箔に対して選択的に除去して前記金属箔を露出させる工程と、前記金属箔を含んで形成され、前記貫通孔を介して電気的に接続される前記導電層を形成する工程とを有することを特徴とする。
本発明の配線基板の製造方法では、絶縁層をレーザ加工して貫通孔(ビアホールなど)を形成する前に、絶縁層の上に、絶縁層を露出させる開口部が設けられた金属箔及び保護金属層が積層された構造を形成する。金属箔及び保護金属層の開口部はレーザを使用せずにエッチングなどに基づいて形成される。保護金属層は絶縁層をレーザ加工する際に金属箔をレーザから保護するために設けられ、ニッケルなどのレーザを反射しやすい特性の金属が使用される。
本発明の一つの好適な態様では、まず、絶縁層の上に、薄膜の金属箔の上にそれを補強するキャリア金属箔が剥離できる状態で積層されたキャリア付金属箔を接着した後に、キャリア金属箔を剥離して薄膜の金属箔を絶縁層の上に残す。次いで、貫通孔が配置される部分に対応する金属箔の上にレジストを形成し、めっき法によってレジストが形成されていない金属箔上に保護金属層を形成する。さらに、レジストを除去して保護金属層の開口部を得た後に、その開口部を通して金属箔をエッチングして開口部を形成する。
この工程では、樹脂フィルムや液状樹脂から形成される絶縁層に金属箔の粗化面を接着させて形成するので、後に金属箔を利用して形成される導電層(配線層)は絶縁層との高い密着性が得られる。さらなる高い密着性を得る場合は、金属箔を接着剤で絶縁層に接着することも可能である。その場合は平滑な金属箔を使用することができるので、導電層(配線層)の微細化に有利になる。
このように、本発明では、絶縁層にレーザで貫通孔を形成する前に、絶縁層上に積層した金属箔及び保護金属層にエッチングなどに基づく方法で開口部を設けておく。
次の工程では、保護金属層及び金属箔の開口部を通して絶縁層をレーザで加工することにより導電層に到達する貫通孔を形成する。このとき、貫通孔が金属箔の開口部から外側に食い込んでレーザ加工され、貫通孔の上に金属箔の突出部(鍔部)が設けられた状態となる。
絶縁層がコア基板からなる場合は、コア基板の下面に、スルーホール(貫通孔)に対応する箇所に開口部が設けられた下側銅箔が設けられており、その状態でコア基板にスルーホール(貫通孔)が形成される。
次の工程では、金属箔をウェットエッチングすることにより、金属箔の突出部を後退させて金属箔の開口部の開口径を貫通孔の開口径に対応させる。
次の工程では、保護金属層を金属箔に対して選択的に除去して金属箔を露出させた後に、金属箔を含んで構成されて、貫通孔を介して相互接続される導電層を絶縁層の両面側に得る。
本発明では、従来技術と違って、貫通孔と金属箔の開口部の開口径は略同一に設定されることからそれらの連通部には段差(突出部)がほとんど発生しない。このため、導電層(配線層)をセミアディティブ法で形成する場合、シード層がビアホール及び金属箔の開口部の内面で断線することなく良好なステップカバレジ(被覆性)で形成される。従って、ビアホールから絶縁層の上に形成される導電層(配線層)は貫通孔内にボイドが発生することなく信頼性よく形成される。
また、絶縁層の上に接着剤によって平滑な金属箔を接着することも可能であり、しかもビアホールの近傍部に金属箔が存在しない面積が増えて密着力が低下する不具合も解消されるので、従来技術よりも導電層の密着性を向上させることができ、導電層(配線層)の微細化に対応できるようになる。さらには、金属箔を保護金属層によって被覆しておくことで厚みの均一性がよくかつビットが発生しない薄膜の金属箔を用いて導電層を形成できるという観点からも、信頼性の高い導電層(配線層)をファインピッチで形成することができる。
なお、特許文献1及び2では、金属層及びその下の絶縁層をレーザでダイレクト加工してビア穴を形成する際に発生するばりを除去する方法が開示されているだけであり、本発明の構成を示唆するものではない。
以上説明したように、本発明では、導電層(配線層)を微細化できると共に、信頼性の高いビア接続が得られる。
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
図6〜図13は本発明の実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。本実施形態の配線基板の製造方法では、図6(a)に示すように、まず、両面側に第1配線層12(導電層)がそれぞれ形成されたコア基板10を用意する。コア基板10はガラスエポキシ樹脂などからなり、コア基板10には厚み方向に貫通するスルーホールTHが設けられている。コア基板10のスルーホールTHの側面にはスルーホールめっき層14が形成されており、スルーホールTHの孔には樹脂体15が充填されている。コア基板10の両面側の第1配線層12はスルーホールめっき層14を介して相互接続されている。
あるいは、コア基板10の両面側の第1配線層12がスルーホールTH内に充填された貫通電極を介して相互接続されていてもよい。
次いで、図6(b)に示すように、コア基板10の両面側の第1配線層12の上に絶縁層20を介してキャリア付銅箔30(キャリア付金属箔)をそれぞれ積層して形成する。キャリア付銅箔30は、厚みが0.5〜5μmの薄膜銅箔32(金属箔)と、その上に剥離できる状態で仮接着された厚みが18〜35μmのキャリア銅箔34(キャリア金属箔)とによって構成される。キャリア銅箔34は薄膜銅箔32の取り扱いを容易にするために設けられており、薄膜銅箔32から容易に剥離できるようになっている。キャリア付銅箔30は、その薄膜銅箔32が絶縁層20側になって絶縁層20の上に積層される。
絶縁層20は半硬化状態(B−ステージ)の樹脂フィルムから形成されるか、あるいは液状樹脂を塗布して形成される。絶縁層20を構成する樹脂としては、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などがある。
コア基板10の両面側の第1配線層12の上に樹脂フィルム又は液状樹脂を介してキャリア付銅箔30を圧着し、例えば200℃程度の温度で熱処理して樹脂を硬化させることにより、第1配線層12の上に絶縁層20を介してキャリア付銅箔30が接着される。このような製法を採用することにより、絶縁層20として、ガラスクロスなどに樹脂を含侵させたプリプレグ、ボンディングシート(接着シート)、又は液状樹脂などのさまざまな樹脂材料を選択することができる。
キャリア付銅箔30の薄膜銅箔32の接着面は粗化されており(図6(b)の拡大図)、絶縁層20と薄膜銅箔32との界面の表面粗さ(Ra)は、0.1〜0.5μmに設定される。これにより、アンカー効果によって十分な密着性をもった状態でキャリア付銅箔30の薄膜銅箔32が絶縁層20の上に形成される。
なお、薄膜銅箔32と絶縁層20との密着性をさらに向上させる場合は、図6(c)に示すように、絶縁層20と薄膜銅箔32とを薄膜銅箔32上に形成しておいた接着剤33で接着することができる。
この形態の場合、薄膜銅箔32の接着面を必ずしも粗化する必要はなく、図6(c)の拡大図に示すように、鏡面を有する平滑な薄膜銅箔32を使用する場合であっても絶縁層20との十分な密着性を得ることができる。絶縁層20と薄膜銅箔32とを接着剤33で接着することによって、粗面化された樹脂層の上に電解めっきでシード層を形成する方法(従来技術の第1の製造方法)よりも薄膜銅箔32と絶縁層20の界面の平滑性がよい状態で十分な密着性を得ることができる。
後述するように、薄膜銅箔32と絶縁層20との界面が平滑であることは、第2配線層を形成する際のシード層のエッチングにおいて残渣が発生しずらくなってオーバーエッチングを減らすことができるので、第2配線層の微細化に有利になる。
以下の工程では、絶縁層20と薄膜銅箔32との間に接着剤33を使用しない図6(b)の構造体を使用する例について説明する。
次いで、図7(a)に示すように、コア基板10の両面側のキャリア銅箔34を薄膜銅箔32との界面からそれぞれ剥離してコア基板10から分離する。これにより、図7(b)に示すように、コア基板10の両面側に薄膜銅箔32がそれぞれ露出した状態となる。このようにして、取り扱いが困難な薄膜銅箔32が絶縁層20の上に形成された状態となる。
図8(a)及び(b)には、絶縁層20の上に薄膜銅箔32を形成する別の方法が示されている。図8(a)に示すように、キャリア付銅箔30を使用する代わりに、コア基板10の両面側の第1配線層12の上に絶縁層20を介して取り扱いが容易な厚み(30〜50μm)の厚膜銅箔35(厚膜金属箔)をそれぞれ形成する。さらに、図8(b)に示すように、コア基板10の両面側の厚膜銅箔35をウェットエッチングによって所望の厚みになるように厚みの途中までエッチングすることにより薄膜銅箔32を得る。この方法を使用しても、図7(b)と同様な構造体を得ることができる。
なお、厚膜銅箔35をハーフエッチングして薄膜銅箔32を得る方法では、薄膜銅箔32の厚みの均一性がスペックから外れる場合があるので、より微細な配線層を形成する場合は、キャリア付銅箔30を使用することが好ましい。
続いて、図7(c)に戻って説明すると、コア基板10の両面側において、ビアホールが配置される部分に対応する薄膜銅箔32の上にめっきレジスト50をパターニングして残す。めっきレジスト50は、ドライフィルムレジスト又は液状レジストがフォトリソグラフィによって露光・現像されて形成される。
さらに、図9(a)に示すように、コア基板10の両面側において、薄膜銅箔32をめっき給電経路として利用する電解めっきによってめっきレジスト50が形成されていない薄膜銅箔32の上に膜厚が1〜5μmの保護金属層40を形成する。保護金属層40としては、ニッケル、銀、錫又ははんだなどの金属が使用される。後述するように、保護金属層40は薄膜銅箔32をレーザから保護するために設けられるので、上記したようなレーザを反射しやすい特性の金属が適しており、さらには光沢めっき層から形成されることが好ましい。
続いて、図9(a)のコア基板10の両面からめっきレジスト50をそれぞれ除去する。これにより、図9(b)に示すように、めっきレジスト50が配置されていた部分の保護金属層40に開口部40aが設けられた状態となる。
次いで、図9(c)に示すように、コア基板10の両面側において、保護金属層40の開口部40aを通して薄膜銅箔32をウェットエッチングすることによって開口部32aを形成する。この工程では、保護金属層40が十分に残るように、好適には、薄膜銅箔32をエッチングする際に保護金属層40に対してエッチングの選択性が得られるエッチャント(薬液)が使用される。
例えば、保護金属層40としてニッケルを使用する場合は、硫酸(H2SO4)/過酸化水素水(H2O2)、又は塩化第2銅水溶液によって薄膜銅箔32がエッチングされる。また、保護金属層40として錫やはんだを使用する場合は、アルカリ水溶液(アンモニア系など)によって薄膜銅箔32がエッチングされる。さらに、保護金属層40として銀を使用する場合は、硫酸(H2SO4)/過酸化水素水(H2O2)によって薄膜銅箔32がエッチングされる。
なお、薄膜銅箔32の厚みはかなり薄いので、保護金属層40を予め厚く形成しておくことで、保護金属層40に対してエッチングの選択性のないエッチャントで薄膜銅箔32をエッチングすることも可能である。
このようにして、コア基板10の両面側において、絶縁層20の上のビアホールが配置される部分に対応する薄膜銅箔32及び保護金属層40に開口部32a,40aがそれぞれ形成されて、開口部32a,40aの底部に絶縁層20が露出した状態となる。
なお、薄膜銅箔32及び保護金属層40に開口部32a,40aを形成する方法としては上記した方法以外に各種の方法がある。例えば、前述した図9(a)の工程でめっきレジスト50を形成せずに、薄膜銅箔32上の全面に電解めっきによって金属保護層40を形成してもよい。そして、金属保護層40の上に開口部が設けられたマスク(レジストなど)を形成し、マスクの開口部を通して金属保護層40及び薄膜銅箔32をエッチングして開口部40a、32aを形成する。その後に、マスクが除去される。
あるいは、前述した図6(b)の工程で、薄膜銅箔32とキャリア銅箔34との間に金属保護層40を介在させてもよい。そして、キャリア銅箔34を剥離して金属保護層40を露出させた後に、同様にマスクの開口部を通して金属保護層40及び薄膜銅箔32をエッチングすることにより開口部40a、32aを形成する。なお、硫酸(H2SO4)/過酸化水素水(H2O2)のようなレジストが耐えられないエッチャントを使用する場合は、除去可能なハードマスクが使用される。
このようにして、本実施形態では、絶縁層20にレーザでビアホールを形成する前に、ビアホールに対応する部分の薄膜銅箔32及び保護金属層40にエッチングに基づいた方法によって開口部32a,40aを予め形成しておく。
次いで、図10(a)に示すように、保護金属層40をマスクにし、開口部32a,40aを通して絶縁層20にレーザを照射して加工する。レーザとしては、CO2レーザ又はUV−YAGレーザなどが使用される。
これにより、図10(b)に示すように、薄膜銅箔32及び保護金属層40の開口部32a,40aの下の絶縁層20に第1配線層12に到達するビアホールVH(貫通孔)が形成される。このとき、レーザによって昇華した保護金属層40の金属成分がその開口部40aの近傍に再付着して金属ばり40x(図10(b)の拡大図)が形成される。
さらに、絶縁層20に設けられたビアホールVHは薄膜銅箔32の開口部32aから外側に食い込んで配置され、ビアホールVHの内側に突出するリング状の薄膜銅箔32の突出部32x(鍔部)がビアホールVHの上に設けられた状態となる(図10(b)の拡大図)。
本実施形態では、絶縁層20をレーザで加工する前に、予め保護金属層40と薄膜銅箔32にエッチングに基づいて開口部32a,40aを形成しておき、その後にレーザを反射しやすい特性の保護金属層40をマスクとしてビアホールVHを形成している。このため、金属ばり40xが発生するとしても銅をダイレクトにレーザ加工する場合に比べて金属ばり40xの発生量をかなり抑制することができると共に、ビアホールVHの内側に突出する薄膜銅箔32の突出部32xの発生量も抑制されてビアホールVHの微細化を図ることができる。
さらには、保護金属層40をマスクにして開口部32a,40aからレーザを照射することから、レーザの口径を絞る必要がないので、ビアホールVHの加工速度を速くできるという利点もある。
次いで、図11(a)に示すように、前述した銅のエッチャント(硫酸(H2SO4)/過酸化水素水(H2O2)など)を用いたウェットエッチングにより、保護金属層40の開口部40aの下の薄膜銅箔32の突出部32xを外側に後退させる。このとき、エッチング量をコントロールすることによって、薄膜銅箔32の開口部32aの開口径がビアホールVHのトップ部の開口径と同一になるように薄膜銅箔32の開口部32aを肥大させて調整する。またこのとき、絶縁層20をレーザで加工する際に、薄膜銅箔32の開口部32aの近傍部から昇華して保護金属層40上に再付着した銅も同時に除去される。
この工程では、薄膜銅箔32が絶縁層20と保護金属層40とで挟まれた状態で薄膜銅箔32の突出部32xをウェットエッチングするので、薄膜銅箔32の上面がエッチングされるおそれがなく、しかも突出部32xを比較的制御よくエッチングすることができる。
その後に、図11(a)のビアホールVHに残留する樹脂をデスミア処理によって洗浄する。このとき、ビアホールVHの内面が粗化される。
次いで、図11(b)示すように、ウェットエッチングによって保護金属層40をその下の薄膜銅箔32に対して選択的に除去する。保護金属層40がニッケル層から形成される場合は、ウェットエッチングのエッチャントとして、MEC社製の「メックリムーバー(NH−1865)」などが使用される。このとき、保護金属層40の開口部40aの近傍部に形成された金属ばり40xは保護金属層40と同一材料からなるので、保護金属層40を除去する際に同時に除去される。
これにより、コア基板10の両面側に薄膜銅箔32がそれぞれ露出する。薄膜銅箔32の突出部32xは図11(a)の工程で除去されているので、薄膜銅箔32の開口部32aはビアホールVHのトップ部と略同一の位置に配置される。
なお、保護金属層40を除去した後に、ビアホールVH内をデスミア処理してもよい。デスミア処理により絶縁層20の開口部20aのトップ部の開口径がさらに外側に後退する場合には、薄膜銅箔32を予めその分後退させておけばよい。あるいは、デスミア処理を行った後に、薄膜銅箔32を後退させることもできる。
このようにして、コア基板10の両面側において、絶縁層20に設けられたビアホールVHの上にそのトップ部の開口径と略同一の開口径の薄膜銅箔32の開口部32aが配置される。これにより、従来技術と違って、絶縁層20のビアホールVHの内側に薄膜銅箔32が突出したり、逆にビアホールVHの周りに薄膜銅箔32が存在しない引き下がり部が発生したりするおそれがなくなる。従って、後述するように、薄膜銅箔32を利用して第2配線層を形成する際に、ビアホールVH内にボイドが発生したり、密着性のよい薄膜銅箔32が存在しない面積が増えることによって第2配線層の密着力が低下したりする不具合が解消される。
さらには、保護金属層40を薄膜銅箔32に対して選択的に除去して薄膜銅箔32を露出させることから、薄膜銅箔32の表面にダメージを与えることもなく、厚みが薄くともピットが発生するおそれもない。しかも、キャリア付銅箔30から厚みの均一性のよい薄膜銅箔32がほとんどエッチングされることなく絶縁層20の上に残される。
これにより、後述するように、セミアディティブ法による第2配線層の形成において、シード層をエッチングする際のサイドエッチングのばらつきやその発生量を抑えることができ、第2配線層を加工精度よく微細化することができる。
次いで、図12(a)に示すように、コア基板10の両面側において、薄膜銅箔32上及びビアホールVHの内面に銅などからなるシード層36を無電解めっきなどによって形成する。このとき、ビアホールVHと薄膜銅箔32の開口部32aとの連通部B(図12(a)の拡大図)には段差がほとんどないため、シード層36がビアホールVH及び薄膜銅箔32の開口部32aの内面で断線することなく良好なステップカバレジ(被覆性)で形成される。
続いて、図12(b)に示すように、第2配線層が配置される部分に開口部52aが設けられためっきレジスト52をシード層36の上に形成する。さらに、シード層36をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジスト52の開口部52a内に銅などからなる金属めっき層38を形成する。このとき、ビアホールVH内にはシード層36が被覆性よく形成されているので、ビアホールVH内からめっきレジスト52の開口部52aにボイドが発生することなく金属めっき層38が充填される。
次いで、めっきレジスト52を除去した後に、金属めっき層38をマスクにしてシード層36及び薄膜銅箔32をエッチングする。これにより、図13(a)に示すように、ビアホールVHを介して第1配線層12に接続される第2配線層42(導電層)が絶縁層20の上に形成される。第2配線層42は、薄膜銅箔32、シード層36及び金属めっき層38によって構成される。
本実施形態では、ビアホールVHの上にその開口径に対応する薄膜銅箔32の開口部32aが配置されるので、絶縁層20上のビアホールVHの端まで密着性の高い薄膜銅箔32が残される。従って、配線層を微細化する際に配線層が倒れにくくなり、配線層の高密度化やファインピッチ化に容易に対応することができる。また、薄膜銅箔32は、ピットが発生するおそれがなく、厚みの均一性もよいので、セミアディティブ法によって信頼性の高い第2配線層42を加工精度よく形成することができる。
さらには、絶縁層20と薄膜銅箔32とを接着剤33で接着する場合は、鏡面を有する平滑な薄膜銅箔32を密着性よく形成できるので、シード層36及び薄膜銅箔32をエッチングする際のサイドエッチングや第2配線層42の密着性をさらに改善することができ、配線層のさらなる微細化を図ることができる。
なお、本実施形態では、コア基板10の両面側にスルーホールめっき層14を介して相互接続される配線層をそれぞれ2層で形成したが、配線層の積層数は任意に選択することができる。また。コア基板10の片面のみに配線層を積層してもよい。あるいは、コアレス配線基板やフレキシブル配線基板の多層配線の形成に利用してもよい。
上記の形態では、セミアディティブ法によって第2配線層42を形成する方法を説明したが、各種の配線形成方法を採用することができる。例えば、サブトラクティブ法を採用する場合は、図12(b)の工程でめっきレジスト52を省略し、シード層36上の全面に金属めっき層を形成する。そして、レジストパターンをマスクにして金属めっき層、シード層36及び薄膜銅箔32をウェットエッチングした後に、レジストを除去する。サブトラクティブ法では、厚膜の金属めっき層をウェットエッチングする必要があるので、より微細な配線層を形成する場合は、セミアディティブ法の方が有利となる。
次いで、図13(b)に示すように、コア基板10の両面側の第2配線層42のパッド部上に開口部54aが設けられたソルダレジスト54をそれぞれ形成する。さらに、コア基板10の両面側において、ソルダレジスト54の開口部54a内のパッド部に金属めっき又はプリフラックス処理を施すことにより接続部Cをそれぞれ形成する。接続部Cとしては、ニッケル(Ni)/金(Au)めっき層、銀めっき層、はんだめっき層、又は有機防錆層などが使用される。
さらに、コア基板10の下面側の第2配線層42の接続部Cにはんだボールを搭載するなどして外部接続端子56を設ける。あるいは、コア基板10の上面側の第2配線層42の接続部Cに外部接続端子56を設けてもよい。
以上により、本実施形態の配線基板1が得られる。本実施形態の配線基板1は、マルチチップモジュール、インターポーザ、又は半導体パッケージなどに利用される。例えば、配線基板1の上面側の第2配線層42の接続部Cに半導体チップ(LSIチップ)のバンプがフリップチップ接続され、配線基板1の外部接続端子56がマザーボードなどに接続される。
(その他の実施形態)
図14(a)に示すように、前述した図6(a)のコア基板10を使用せずに、導電層としての下側銅箔12aの上に絶縁層20を介して薄膜銅箔32及び保護金属層40を積層し、同様な方法によってビアホールVHと略同一の開口径の開口部32aが設けられた薄膜銅箔32が絶縁層20の上に接着された構造を作成してもよい。
図14(a)に示すように、前述した図6(a)のコア基板10を使用せずに、導電層としての下側銅箔12aの上に絶縁層20を介して薄膜銅箔32及び保護金属層40を積層し、同様な方法によってビアホールVHと略同一の開口径の開口部32aが設けられた薄膜銅箔32が絶縁層20の上に接着された構造を作成してもよい。
次いで、図14(b)に示すように、前述した方法と同様な方法によってビアホールVHを介して下側銅箔12aに接続される第2配線層42を絶縁層20の上に形成する。
その後に、図14(c)に示すように、下側銅箔12aをフォトリソグラフィ及びエッチングでパターニングすることにより、第1配線層12を得る。下側銅箔12aをパターン化するタイミングは、下側銅箔12aの上に絶縁層20を介して薄膜銅箔32(キャリア付銅箔30)を形成した後であれば任意に行うことができる。さらに、絶縁層20の両面又は片面に任意の層数の多層配線を形成してもよい。この形態の場合は、リジッド基板をもたないコアレス配線基板となる。
あるいは、本発明の絶縁層はコア基板であってもよく、コア基板のスルーホール加工に適用することもできる。この形態の場合は、特に図示しないが、まず、両面に金属箔及び保護金属層がそれぞれ設けられたコア基板を用意する。このとき、レーザ加工する側のコア基板の面のみに金属箔及び保護金属層が設けられ、その反対面に下側金属箔のみが形成されていてもよい。つまり、コア基板の反対面には少なくとも下側金属箔が形成されていればよい。
さらに、コア基板の両面側において、スルーホールに対応する箇所の保護金属層及び金属箔にエッチングなどにより開口部をそれぞれ形成する。その後に、その開口部を通してコア基板をレーザによって加工してスルーホール(貫通孔)を得る。
その後に、前述した方法と同様な方法によって、金属箔の開口部をスルーホールの開口径に対応させ、保護金属層を除去する。このとき、上記した図14(a)においてビアホールVHに対応する箇所の下側銅箔12aに開口部が設けられた構造と同一構造となる。その後に、コア基板の両面側の金属箔を利用してスルーホールを介して相互接続される配線層がコア基板の両面側にそれぞれ形成される。
コア基板の材料としては、ガラスクロスなどを含侵させたエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、又は液晶ポリマーなどが好適に使用される。
1…配線基板、10…コア基板、12…第1配線層、12a…下側銅箔、14…スルーホールめっき層、15樹脂体、20…絶縁層、30…キャリア付銅箔、32…薄膜銅箔、32x…突出部、32a,40a,52a,54a…開口部、33…接着剤、34…キャリア銅箔、35…厚膜銅箔、36…シード層、38…金属めっき層、40…保護金属層、40x…金属ばり、42…第2配線層、50,52…めっきレジスト、54…ソルダレジスト、56…外部接続端子、TH…スルーホール、VH…ビアホール、B…連通部、C…接続部。
Claims (10)
- 絶縁層の両面に導電層が形成され、前記導電層同士が前記絶縁層を貫通して設けられた貫通孔を介して電気的に接続された配線基板の製造方法であって、
前記絶縁層の少なくとも一方の面に、金属箔上に保護金属層が設けられた構造を形成すると共に、前記保護金属層及び前記金属箔の前記貫通孔に対応する箇所に開口部を設ける工程と、
前記開口部を通して前記絶縁層をレーザで加工することにより前記絶縁層を貫通する前記貫通孔を形成する工程と、
前記金属箔の一部を選択的に除去して、前記金属箔の開口径を前記貫通孔の開口径に対応させる工程と、
前記保護金属層を前記金属箔に対して選択的に除去して前記金属箔を露出させる工程と、
前記金属箔を含んで形成され、前記貫通孔を介して電気的に接続される前記導電層を形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記保護金属層及び前記金属箔の前記貫通孔に対応する箇所に開口部を設ける工程は、
前記絶縁層の上に前記金属箔を接着する工程と、
前記金属箔上の前記ビアホールが配置される部分にレジストをパターン化して残す工程と、
めっき法により前記レジストが存在しない前記金属箔の上に前記保護金属層を形成する工程と、
前記レジストを除去して前記保護金属層の開口部を得る工程と、
前記保護金属層の前記開口部を通して前記金属箔をエッチングすることにより、前記金属箔の開口部を得る工程とを含むことを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。 - 前記絶縁層の上に前記金属箔を接着する工程は、
前記絶縁層の上に、前記金属箔とその上に剥離できる状態で形成されて前記金属箔より厚みの厚いキャリア金属箔とにより構成されるキャリア付金属箔の前記金属箔側の面を接着する工程と、
前記キャリア金属箔を前記金属箔から剥離して前記金属箔を露出させる工程とを含むことを特徴とする請求項2に記載の配線基板の製造方法。 - 前記絶縁層の上に前記金属箔を接着する工程は、
前記絶縁層の上に前記金属箔の厚みより厚い厚膜金属箔を接着する工程と、
前記厚膜金属箔を厚み方向にエッチングして所要の厚みの前記金属箔を得る工程とを含むことを特徴する請求項2に記載の配線基板の製造方法。 - 前記保護金属層及び前記金属箔の前記貫通孔に対応する箇所に開口部を設ける工程は、
前記絶縁層の上に前記金属箔を接着する工程と、
前記金属箔上の全体に保護金属層を形成する工程と、
前記保護金属層の上に開口部が設けられたマスクを形成する工程と、
前記マスクの開口部を通して前記保護金属層及び前記金属箔をエッチングすることにより前記開口部を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。 - 前記導電層を形成する工程は、
前記貫通孔の内面、前記金属箔の開口部の側面及び前記金属箔の上にシード層を形成する工程と、
前記導電層が配置される部分に開口部が設けられたレジストを前記シード層の上に形成する工程と、
めっき法により前記ビアホール内から前記レジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記レジストを剥離する工程と
前記金属めっき層をマスクにして前記シード層及び前記金属箔をエッチングすることにより、前記絶縁層の一方の面に前記導電層を得る工程とを含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記金属箔は銅箔からなり、前記保護金属層はニッケル、銀、錫、及びはんだのいずれかから形成されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記絶縁層の上に、金属箔上に保護金属層が設けられた構造を形成する工程において、
前記金属箔は接着剤を介して前記絶縁層の上に接着されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記絶縁層の上に、金属箔上に保護金属層が設けられた構造を形成する工程において、
前記絶縁層は導電層の上に形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記保護金属層及び前記金属箔の前記貫通孔に対応する箇所に開口部を設ける工程において、
前記絶縁層はコア基板よりなり、前記コア基板のレーザ加工される面に前記金属箔及び前記保護金属層が形成され、前記コア基板の反対面に少なくとも下側金属箔が形成されており、前記コア基板の両面側の前記金属箔及び前記保護金属層と前記下側金属箔とおいて、前記貫通孔に対応する箇所に前記開口部を形成することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008002647A JP2009164491A (ja) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008002647A JP2009164491A (ja) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009164491A true JP2009164491A (ja) | 2009-07-23 |
Family
ID=40966726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008002647A Withdrawn JP2009164491A (ja) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009164491A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013074150A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi Chemical Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
JP2013247294A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-01-09 JP JP2008002647A patent/JP2009164491A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013074150A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi Chemical Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
JP2013247294A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5290455B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
JP4658974B2 (ja) | キャビティの形成された基板製造方法 | |
JP2003209366A (ja) | フレキシブル多層配線基板およびその製造方法 | |
JP2006032947A (ja) | 高密度基板の製造方法 | |
JP2007173371A (ja) | フレキシブル配線基板の製造方法及び電子部品実装構造体の製造方法 | |
JP2010135721A (ja) | 金属バンプを持つプリント基板及びその製造方法 | |
JP4855186B2 (ja) | 両面フレキシブルプリント配線板の製造方法 | |
JP2010135720A (ja) | 金属バンプを持つプリント基板及びその製造方法 | |
JP2005243999A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP4022405B2 (ja) | 半導体チップ実装用回路基板 | |
KR20130057314A (ko) | 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판 제조 방법 | |
JP2017069524A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
US10811348B2 (en) | Method of manufacturing wiring substrate | |
JP2009164492A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP4376891B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP5861400B2 (ja) | 半導体実装部材 | |
JP2012074487A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JP2008270633A (ja) | 半導体素子内蔵基板 | |
JP2009164491A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2010067888A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP2011100792A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2004111578A (ja) | ヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法とヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板 | |
JP4376890B2 (ja) | 半導体チップ実装用回路基板 | |
JP2015222805A (ja) | 印刷配線板およびその製造方法 | |
JP4887575B2 (ja) | 高密度多層ビルドアップ配線板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110405 |