JP2009152619A - 投影光学系の検査方法および検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被検査対象としての投影光学系PLの像面側に標示板81を配置する。この標示板81の上面の中央部には、投影光学系PLを通過して投影されるテストレチクルTRの開口部tr1の像よりも大きく設定された開口部81aが形成されている。投影光学系PLと標示板81との間に液体wを供給した状態で、テストレチクルTRの開口部tr1の像を、標示板81に形成された開口部81aを通過させた後に、コリメートレンズ82及びリレーレンズ83,84を順に通過させてマイクロフライアイ85で二次元的に分割し、これにより形成される多数の像をCCD86で検出する。
【選択図】図10
Description
本願は、2003年7月25日に出願された特願2003−279929号について優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本発明は、液浸露光に用いる投影光学系(PL)の光学性能を検査する投影光学系の検査装置であって、前記投影光学系の像面側に配置される基板(81)と、前記投影光学系に入射し、前記投影光学系と前記基板との間の少なくとも一部に供給された液体(w)を通過した後に前記基板を通過した測定光を光電検出する光電検出器(86)とを備える投影光学系の検査装置を提供する。
本発明は、投影光学系(PL)の光学性能を検査する投影光学系の検査装置であって、前記投影光学系の像面側に配置される複数の反射球面部(32b、36)と、前記複数の反射球面部で反射した測定光を光電検出する光電検出器(30)とを備える投影光学系の検査装置を提供する。
また、本発明によれば、検査対象としての投影光学系の光学性能を検査する際に、投影光学系の像面側に配置される複数の反射球面部で反射した測定光を光電検出するようにしているので、液浸用の投影光学系の光学性能を精度良く検査できる。
図1は、本発明の一実施形態による検査装置の全体構成の概略を示す図である。尚、以下の説明においては、図中にXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、Y軸及びZ軸が紙面に対して平行となるよう設定され、X軸が紙面に対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。本発明の第2実施形態による検査装置は、図1に示した検査装置とほぼ同様の構成であるが、折り返し硝子部材8に代えて図3に示す折り返し硝子部材32及びホルダ31をステージ9上に配置した点が異なる。図3A、図3Bは、本発明の第2実施形態による検査装置に設けられる折り返し硝子部材32の構成を示す図であって、図3Aは折り返し硝子部材32の断面図、図3Bは折り返し硝子部材32の上面斜視図である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。本発明の第3実施形態による検査装置は、図1に示した検査装置とほぼ同様の構成であるが、折り返し硝子部材8に代えて図4に示す反射球面部34が形成されたホルダ33をステージ9上に配置した点が異なる。図4A、図4Bは、本発明の第3実施形態による検査装置に設けられる反射球面部34及びホルダ33の構成を示す図であって、図4Aは反射球面部34及びホルダ33の断面図、図4Bは反射球面部34及びホルダ33の上面斜視図である。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。本発明の第4実施形態による検査装置は、図3に示した検査装置とほぼ同様の構成であるが、ステージ9上に設けられる反射球面部34が形成されたホルダ33に代えて、複数の反射球面部36が形成されたホルダ35を備える点が異なる。図5A、図5Bは、本発明の第4実施形態による検査装置に設けられる反射球面部36及びホルダ35の構成を示す図であって、図5Aは反射球面部36及びホルダ35の断面図、図5Bは反射球面部36及びホルダ35の上面斜視図である。
次に、本発明の第5実施形態について説明する。本発明の第5実施形態による検査装置の全体構成は、第2実施形態又は第4実施形態による検査装置と同様であるが、干渉計部2に代えて干渉計部37を備える点が異なる。図6は、本発明の第5実施形態による検査装置が備える干渉計部37の構成を示す図である。尚、図6においては、図3に示した折り返し硝子部材32及びホルダ31が投影光学系PLの像面側に配置されている場合を図示しているが、投影光学系PLの像面側には図5に示す反射球面部36及びホルダ35等を配置することもできる。
次に、本発明の第6実施形態による検査装置について説明する。前述した第1〜第5実施形態による検査装置は、検査対象としての投影光学系PLの光学性能を測定する単体の装置であった。以下に説明する本発明の第6実施形態による検査装置は露光装置に設けられる検査装置である。尚、本実施形態の露光装置は、例えばWO99/49504に開示されているような液浸用の露光装置を用いることができる。また、本実施形態の露光装置は、特開2000−97616号に開示されているような検査装置80を、ウェハを保持するウェハステージに着脱可能に取りつけることができるようになっている。
また、本発明によれば、検査対象としての投影光学系の光学性能を検査する際に、投影光学系の像面側に配置される複数の反射球面部で反射した測定光を光電検出するようにしているので、液浸用の投影光学系の光学性能を精度良く検査できる。
7 駆動コントローラ
9 ステージ
13 駆動コントローラ
15 液体供給装置
16 液体回収装置
30 センサ
32 折り返し硝子部材
32a 平面部
32b 反射球面部
35a 平坦部
36 反射球面部
37 干渉計部
81 標示板
86 CCD
PL 投影光学系
w 液体
ZP ゾーンプレート
Claims (17)
- 液浸露光に用いる投影光学系の光学性能を検査する投影光学系の検査方法であって、
前記投影光学系の像面側に基板を配置し、
前記投影光学系と前記基板の平面部との間に液体を供給し、
前記投影光学系から射出されて前記液体と前記基板とを通過した測定光を光電検出する。 - 請求項1に記載した投影光学系の検査方法であって、
前記基板を通過した前記測定光をレンズを介した後に前記光電検出する。 - 請求項2に記載した投影光学系の検査方法であって、
前記レンズを介した前記測定光を二次元的に分割した後に前記光電検出する。 - 請求項1から請求項3の何れか一項に記載した投影光学系の検査方法であって、
光電検出した出力に基づいて前記投影光学系の波面収差を算出する。 - 液浸露光に用いる投影光学系の光学性能を検査する投影光学系の検査装置であって、
前記投影光学系の像面側に配置される基板と、
前記投影光学系に入射し、前記投影光学系と前記基板との間の少なくとも一部に供給された液体を通過した後に前記基板を通過した測定光を光電検出する光電検出器とを備える。 - 請求項5に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記液体の供給を行う液体供給機構を備える。 - 請求項5又は請求項6に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記基板と前記光電検出器との間に配置されるレンズを備える。 - 請求項7に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記レンズを介した光束を二次元的に分割する手段を備える。 - 請求項5から請求項8の何れか一項に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記光電検出器からの出力に基づいて前記投影光学系の波面収差を算出する手段を備える。 - 投影光学系の光学性能を検査する投影光学系の検査装置であって、
前記投影光学系の像面側に配置される複数の反射球面部と、
前記複数の反射球面部で反射した測定光を光電検出する光電検出器とを備える。 - 請求項10に記載した投影光学系の検査装置であって、
一端側に形成された平面部と、その平面部に対向する前記反射球面部を有する光学部材を複数備え、
前記複数の光学部材の各平面部が、前記投影光学系と対向するように配置されている。 - 請求項10に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記複数の反射球面部の各々は、前記投影光学系に向かって凸状であって、
前記複数の反射球面部の周囲には各々平坦部が形成されている。 - 請求項10から請求項12の何れか一項に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記測定光を生成するための生成光学系と、
前記複数の反射球面部の各々に順次測定光が入射するように前記生成光学系を移動するための駆動装置とを備えている。 - 請求項10から請求項12の何れか一項に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記複数の反射球面部の各々に導かれる複数の測定光を生成するための生成光学系を備え、
前記光電検出器は、前記複数の反射球面部で反射した測定光を光電検出する。 - 請求項14に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記生成光学系は、前記複数の測定光を生成するための回折素子を含む。 - 請求項14に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記生成光学系は、前記複数の測定光を生成するためのゾーンプレートを含む。 - 請求項14に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記生成光学系は、前記複数の測定光を生成するために複数のエレメントを有する。
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KR20080017299A (ko) * | 2005-06-22 | 2008-02-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치 및 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7924416B2 (en) | 2005-06-22 | 2011-04-12 | Nikon Corporation | Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2007005731A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Jsr Corp | 液浸露光用液体およびその精製方法 |
CN101326465B (zh) * | 2005-12-15 | 2012-05-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 带有聚焦微结构阵列的分析装置 |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102007043896A1 (de) | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrooptik zur Messung der Position eines Luftbildes |
NL1036026A1 (nl) * | 2007-10-10 | 2009-04-15 | Asml Netherlands Bv | Apparatus and method for obtaining information indicative of the uniformity of a projection system of a lithographic apparatus. |
JP2010073936A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Tokuyama Corp | 真空紫外発光素子 |
JP5825808B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-12-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP2013101201A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Sanyo Engineer & Construction Inc | 波長選択光スイッチ装置 |
WO2020064265A1 (en) | 2018-09-24 | 2020-04-02 | Asml Netherlands B.V. | A process tool and an inspection method |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09184787A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Olympus Optical Co Ltd | 光学レンズ用解析評価装置 |
JP2002071513A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Nikon Corp | 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法 |
JP2002071514A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Nikon Corp | 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002202221A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nikon Corp | 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2002250677A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Nikon Corp | 波面収差測定方法、波面収差測定装置、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス |
JP2002250678A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Olympus Optical Co Ltd | 波面測定装置および波面測定方法 |
JP2003133207A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Nikon Corp | 光学特性測定方法及び光学特性測定装置、光学系の調整方法、並びに露光装置 |
Family Cites Families (150)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
KR900004060B1 (ko) | 1985-11-08 | 1990-06-11 | 미쯔비시주우고오교오 가부시기가이샤 | 2중 반전프로펠러용 선미 관베어링 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JPH10160582A (ja) | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Nikon Corp | 透過波面測定用干渉計 |
WO1999039375A1 (fr) * | 1998-01-29 | 1999-08-05 | Nikon Corporation | Luxmetre et systeme d'exposition |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JPH11297615A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Nikon Corp | 投影露光装置および該装置を用いた半導体デバイスの製造方法 |
AU3849199A (en) | 1998-05-19 | 1999-12-06 | Nikon Corporation | Aberration measuring instrument and measuring method, projection exposure apparatus provided with the instrument and device-manufacturing method using the measuring method, and exposure method |
JP2000097616A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 干渉計 |
JP3796369B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 干渉計を搭載した投影露光装置 |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
EP1231514A1 (en) | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus |
US20060285100A1 (en) * | 2001-02-13 | 2006-12-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
TWI221000B (en) * | 2001-02-13 | 2004-09-11 | Nikon Corp | Manufacturing method of exposure apparatus, adjustment method of exposure apparatus, and exposure method |
JP2002296005A (ja) | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Nikon Corp | アライメント方法、点回折干渉計測装置、及び該装置を用いた高精度投影レンズ製造方法 |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6598974B2 (en) * | 2001-05-08 | 2003-07-29 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Method and apparatus for measuring wavefront aberrations |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
TWI242691B (en) | 2002-08-23 | 2005-11-01 | Nikon Corp | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100585476B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
CN101349876B (zh) * | 2002-11-12 | 2010-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
DE10257766A1 (de) * | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
DE60326384D1 (de) | 2002-12-13 | 2009-04-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
WO2004057590A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
US7514699B2 (en) | 2002-12-19 | 2009-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
TWI247339B (en) | 2003-02-21 | 2006-01-11 | Asml Holding Nv | Lithographic printing with polarized light |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
KR101431938B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
KR101129213B1 (ko) | 2003-04-10 | 2012-03-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로 |
EP2950148B1 (en) | 2003-04-10 | 2016-09-21 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
SG2013077797A (en) | 2003-04-11 | 2017-02-27 | Nippon Kogaku Kk | Cleanup method for optics in immersion lithography |
SG139736A1 (en) | 2003-04-11 | 2008-02-29 | Nikon Corp | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
EP1614000B1 (en) | 2003-04-17 | 2012-01-18 | Nikon Corporation | Immersion lithographic apparatus |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI282487B (en) | 2003-05-23 | 2007-06-11 | Canon Kk | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TWI347741B (en) | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1486827B1 (en) | 2003-06-11 | 2011-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1494074A1 (en) | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7236232B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
JP4697138B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2011-06-08 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法 |
US7738074B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
CN101430508B (zh) | 2003-09-03 | 2011-08-10 | 株式会社尼康 | 为浸没光刻提供流体的装置和方法 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
KR101335736B1 (ko) * | 2003-09-29 | 2013-12-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
WO2005050324A2 (en) | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dsm Ip Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
EP1697798A2 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-06 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
US7385764B2 (en) | 2003-12-15 | 2008-06-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
KR101407204B1 (ko) | 2004-01-14 | 2014-06-13 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 투영 대물렌즈 |
KR101165862B1 (ko) | 2004-01-16 | 2012-07-17 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
EP1706793B1 (en) | 2004-01-20 | 2010-03-03 | Carl Zeiss SMT AG | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
US8852850B2 (en) | 2004-02-03 | 2014-10-07 | Rochester Institute Of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005076084A1 (en) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2007522508A (ja) | 2004-02-13 | 2007-08-09 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ |
CN1922528A (zh) | 2004-02-18 | 2007-02-28 | 康宁股份有限公司 | 用于具有深紫外光的高数值孔径成象的反折射成象系统 |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005098504A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005111722A2 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-24 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
KR20170028451A (ko) | 2004-05-17 | 2017-03-13 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101257960B1 (ko) | 2004-06-04 | 2013-04-24 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템 |
WO2005119369A1 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor |
-
2004
- 2004-07-23 JP JP2005512083A patent/JP4524669B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-23 EP EP04748072A patent/EP1650787A4/en not_active Withdrawn
- 2004-07-23 EP EP17198958.5A patent/EP3346485A1/en not_active Withdrawn
- 2004-07-23 WO PCT/JP2004/010863 patent/WO2005010960A1/ja active Application Filing
-
2006
- 2006-01-20 US US11/335,461 patent/US7868997B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-01 US US11/606,909 patent/US7843550B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-22 JP JP2009012288A patent/JP4798230B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09184787A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Olympus Optical Co Ltd | 光学レンズ用解析評価装置 |
JP2002071513A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Nikon Corp | 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法 |
JP2002071514A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Nikon Corp | 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002202221A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nikon Corp | 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2002250677A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Nikon Corp | 波面収差測定方法、波面収差測定装置、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス |
JP2002250678A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Olympus Optical Co Ltd | 波面測定装置および波面測定方法 |
JP2003133207A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Nikon Corp | 光学特性測定方法及び光学特性測定装置、光学系の調整方法、並びに露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4798230B2 (ja) | 2011-10-19 |
US20070076181A1 (en) | 2007-04-05 |
US7843550B2 (en) | 2010-11-30 |
EP3346485A1 (en) | 2018-07-11 |
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