JP2009152479A - 双方向スイッチ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 双方向スイッチ10は、主半導体領域12上に第1及び第2の主電極13,14とゲート電極15と第1及び第2のダイオード形成用電極16,17とを有する。第1及び第2の主電極13,14は主半導体領域12にオーミック接触してHEMTから成る主半導体スイッチング素子20のドレイン又はソースとして機能すると共に第1及び第2のダイオード21,22のカソードとして機能する。ゲート電極15と第1及び第2のダイオード形成用電極16,17とは主半導体領域12にショットキー接触している。第1及び第2のダイオード形成用電極16,17は第1及び第2のダイオード21,22としてのショットキーダイオードを形成する。
【選択図】図3
Description
第1の主面と該第1の主面に対向する第2の主面とを有し且つ電流通路を形成するための少なくとも1つの半導体層を有している主半導体領域と、
所定の間隔を有して前記主半導体領域の前記第1の主面上にそれぞれ配置され且つ前記主半導体領域の前記第1の主面にそれぞれオーミック接触している第1及び第2の主電極と、
前記主半導体領域の前記第1及び第2の主電極間部分を流れる電流を制御するために前記主半導体領域の前記第1の主面の前記第1及び第2の主電極の間に配置されたゲート手段(例えばショットキーゲート又は絶縁ゲート又はpn接合ゲート)と、
前記主半導体領域の前記第1の主面の前記第1の主電極を基準にして前記ゲート手段と反対側の位置に配置された第1のダイオード形成用電極と、
前記主半導体領域の前記第1の主面の前記第2の主電極を基準にして前記ゲート手段と反対側の位置に配置された第2のダイオード形成用電極と、
前記第1のダイオード形成用電極と前記第2のダイオード形成用電極とを相互に接続するための接続手段と
を備えていることを特徴とする双方向スイッチに係わるものである。
また、請求項3に示すように、前記主半導体領域は2次元キャリアガス層を生じさせることができる第1及び第2の半導体層を有していることが望ましい。
また、請求項4に示すように、前記主半導体領域は電流通路として機能する第1導電型半導体層を有していることが望ましい。
また、請求項5に示すように、前記ゲート手段は、前記主半導体領域の前記第1の主面にショットキー接触しているゲート電極であることが望ましい。
また、請求項6に示すように、前記ゲート手段は、前記主半導体領域の前記第1の主面上に配置されたゲート絶縁膜と該ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極とから成ることが望ましい。
また、請求項7に示すように、前記第1及び第2のダイオード形成用電極は、前記主半導体領域の前記第1の主面にショットキー接触している電極であることが望ましい。
また、請求項8に示すように、前記主半導体領域は、更にpn接合を得るために前記第1及び第2のダイオード形成用電極と前記第1導電型半導体層との間に第1及び第2の第2導電型半導体層を有し、前記第1及び第2のダイオード形成用電極は前記第1及び第2の第2導電型半導体層にオーミック接触した電極であることが望ましい。
また、請求項9に示すように、更に、前記半導体領域の前記他方の主面に電気的及び機械的に結合された一方の主面と該一方の主面に対向する他方の主面とを有する導電性基板と、前記導電性基板を前記接続手段に電気的に接続する導体とを有していることが望ましい。
また、請求項10に示すように、前記接続手段は、前記半導体領域の前記第2の主面に電気的及び機械的に結合された一方の主面と該一方の主面に対向する他方の主面とを有する導電性基板と、前記導電性基板の前記他方の主面に形成された補助電極と、前記第1のダイオード形成用電極を前記導電性基板に電気的に接続する導体と、前記第2のダイオード形成用電極を前記導電性基板に電気的に接続する導体とから成ることが望ましい。
(イ)共通の主半導体領域の第1の主面上に、第1及び第2の主電極と、ゲート手段と、第1及び第2のダイオード形成用電極とを設け、第1のダイオード形成用電極と第2のダイオード形成用電極とを相互に接続することによって特許文献1に開示されている双方向スイッチと同様な機能を有する双方向スイッチが構成されている。即ち、第1及び第2の主電極とゲート手段とによって主半導体スイッチング素子(例えばHEMT)が構成され、第1及び第2の主電極と第1及び第2のダイオード形成用電極とよって第1及び第2のダイオードが構成されている。従って、第1及び第2のダイオードを個別部品とすることが不要になり、双方向スイッチの小型化及び低コスト化が可能になる。
(ロ)第1及び第2の主電極は、主半導体スイッチング素子(例えばHEMT)の主電極(ソース又はドレイン)と第1及び第2のダイオードの電極(例えばカソード)との両方の機能を有するので、双方向スイッチの更なる小型化及び低コスト化が可能になる。また、主半導体スイッチング素子と第1及び第2のダイオードとの相互接続部分の長さを短くすることができる。これにより、相互接続部分の寄生インピーダンスを低減し、双方向スイッチの動作速度を高めることができる。
(ハ)第1及び第2のダイオードには負荷電流が流れないので、第1及び第2のダイオードを設けることによる主半導体領域のサイズの増大は少ない。
また、請求項9に示すように、主半導体領域に電気的及び機械的に結合された導電性基板を前記接続手段に電気的に接続することによって、導電性基板の電位を安定化することができる。即ち、HEMTにおいて周知のように、ソース電極を基板に接続し、基板の電位をソース電極の電位にすることが望ましい。しかし、本願の双方向スイッチにおいて、第1及び第2の主電極間に正方向電圧が印加された時には第2の主電極がソース電極として機能し、第1及び第2の主電極間に負方向電圧が印加された時には第1の主電極がソース電極として機能する。従って、第1及び第2の主電極を固定的にソース電極とすることができない。しかし、基板電極を、接続導体を介して第1及び第2のダイオード形成用電極に接続すると、第1及び第2の主電極間に正方向電圧が印加された時と負方向電圧が印加された時のいずれにおいても、導電性基板がソース電極として機能する第1又は第2の主電極に近い電位になり、導電性基板の電位がソース電極に近い電位に安定化する。これにより、周知のHEMTにおける、ソース電極を基板に接続して基板の電位を安定化することと同様な効果を請求項9の発明によって得ることができ、ゲート手段による電流制御の動作安定化を図ることができる。
また、請求項10の発明によれば、第1のダイオード形成用電極を導電性基板に電気的に接続する導体と、第2のダイオード形成用電極を導電性基板に電気的に接続する導体とを設けることによって、第1のダイオード形成用電極と第2のダイオード形成用電極との相互接続を容易に達成することができる。
AlaInbGa1-a-bN,
ここで、aは0≦a<1、bは0≦b<1を満足する数値、
である。しかし、第1の半導体層(電子走行層)28を第1の窒化物半導体以外の化合物半導体で形成することもできる。
AlxInyGa1-x-yN,
ここで、xは0<x<1、yは0≦y<1を満足する数値、
である。
この第2の半導体層29を、アンドープのAlxInyGa1-x-yNで形成する代わりに、n型(第1導電型)の不純物を添加したAlxInyGa1-x-yNから成る窒化物半導体、又は別の組成の窒化物半導体、又は別の化合物半導体で形成することもできる。
(1) 共通の主半導体領域12の第1の主面25上に、第1及び第2の主電極13,14と、ゲート手段としてのゲート電極15と、第1及び第2のダイオード形成用電極16,17とを設け、第1のダイオード形成用電極16と第2のダイオード形成用電極17とを相互に接続することによって特許文献1に開示されている双方向スイッチと同様に動作する双方向スイッチ10が構成されている。即ち、主半導体スイッチング素子20と第1及び第2のダイオード21,22が共通の主半導体領域12を使用して形成されているので、従来の第1及び第2のダイオードを個別部品とする場合に比較して双方向スイッチ10の小型化及び低コスト化が可能になる。なお、第1及び第2のダイオード21,22はゲートの基準電位の決定に寄与するものであり、負荷電流を流すものではない。従って、第1及び第2のダイオード21,22を形成するための主半導体領域12のスペースは、主半導体スイッチング素子20を形成するための主半導体領域12のスペースよりも大幅に小さくできる。
(2)主半導体スイッチング素子20は2DEG層30を使用したHEMT構成の電界効果トランジスタであり、且つ第1及び第2のダイオード21,22も2DEG層30を使用したショットキーダイオードであるので、高速動作可能であり且つオン状態における抵抗が比較的小さい双方向スイッチ10を提供できる。
(3)第1及び第2の主電極13,14は、主半導体スイッチング素子20の主電極(ソース電極又はドレイン電極)と第1及び第2のダイオード21,22のカソード電極との両方の機能を有するので、双方向スイッチ10の更なる小型化及び低コスト化が可能になる。また、第1及び第2のダイオード形成用電極16、17と第1及び第2の主電極13,14との間が外部導体を使用しないで2DEG層30で電気的に接続されているので、寄生インピーダンス成分が小さくなり、双方向スイッチ10の高速動作が可能になる。
(4)主半導体領域12が高耐圧化可能な窒化物半導体(窒化物系半導体)から成るので、主半導体スイッチング素子20及び第1及び第2のダイオード21,22の高耐圧化が可能になる。
(5)第1及び第2のダイオード21,22のための第1及び第2のダイオード形成用電極16,17はゲート電極15と同一材料で同時に形成されているので、第1及び第2のダイオード21,22を形成すための製造工程の増加を抑制できる。
なお、基板電極31を接続導体18に接続する代りに図5で点線32aで示すようにゲート電極15に接続することもできる。
図8の双方向スイッチ10cは図5の双方向スイッチ10aと同様な作用効果も有する。なお、図3及び図7の主半導体領域12を図8の主半導体領域12aに変形することができる。
(1) 主半導体領域12〜12cをGaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InAlN等の窒化物半導体又は窒化物系半導体、又はAlP、GaP、AlInP、GaInP、AlGaP、AlGaAs、GaAs、AlAs、InAs、InP、InN、GaAsP等の3−5族化合筒半導体、又はZnO等の2−6族化合物半導体、又は更に別の化合物半導体で形成することができる。
(2) 主半導体スイッチング素子20〜20fに周知のフィールドプレートを設けることができる。
(3) 実施例1〜4、及び7のHEMT構成の主半導体領域12、12aの第2の半導体層29をp型半導体から成る正孔供給層に置き換えることができる。この場合には、2DEG層30に対応する領域に2次元キャリアガス層として2次元正孔ガス層が生じる。また、図9の実施例5のn型の第2の半導体層29aをp型半導体層に変形することもできる。また、図10の実施例6のn型の第2の半導体層29aをp型半導体層に変形し、p型半導体層61,62,63をn型半導体層に変形することができる。
(4)図3、図5、図7、図8、図11の実施例において、例えばゲート電極15の下に対応させて第2の半導体層29にリセスを形成して、このリセスの上にゲート電極15を配置すること、又はゲート電極15と第2の半導体層29との間にp型半導体層を配置すること等によってノーマリオフ型のHEMT構成の主半導体スイッチング素子を設けることができる。また、図9、図10の実施例においても主半導体スイッチング素子20d,20eをノーマリオフ型に変形することができる。
12〜12c 主半導体領域
13,14 第1及び第2の主電極
15 ゲート電極
16,17 第1及び第2のダイオード形成用電極
Claims (10)
- 電気回路の電流をオン・オフするための双方向スイッチであって、
第1の主面と該第1の主面に対向する第2の主面とを有し且つ電流通路を形成するための少なくとも1つの半導体層を有している主半導体領域と、
所定の間隔を有して前記主半導体領域の前記第1の主面上にそれぞれ配置され且つ前記主半導体領域の前記第1の主面にそれぞれオーミック接触している第1及び第2の主電極と、
前記主半導体領域の前記第1及び第2の主電極間部分を流れる電流を制御するために前記主半導体領域の前記第1の主面の前記第1及び第2の主電極の間に配置されたゲート手段と、
前記主半導体領域の前記第1の主面の前記第1の主電極を基準にして前記ゲート手段と反対側の位置に配置された第1のダイオード形成用電極と、
前記主半導体領域の前記第1の主面の前記第2の主電極を基準にして前記ゲート手段と反対側の位置に配置された第2のダイオード形成用電極と、
前記第1のダイオード形成用電極と前記第2のダイオード形成用電極とを相互に接続するための接続手段と
を備えていることを特徴とする双方向スイッチ。 - 更に、前記ゲート手段と前記接続手段との間に接続されたゲート制御回路を備えていることを特徴とする請求項1記載の双方向スイッチ。
- 前記主半導体領域は2次元キャリアガス層を生じさせることができる第1及び第2の半導体層を有していることを特徴とする請求項1又は2記載の双方向スイッチ。
- 前記主半導体領域は電流通路として機能する第1導電型半導体層を有していることを特徴とする請求項1又は2記載の双方向スイッチ。
- 前記ゲート手段は、前記主半導体領域の前記第1の主面にショットキー接触しているゲート電極であることを特徴とする請求項1又は2又は3又は4記載の双方向スイッチ。
- 前記ゲート手段は、前記主半導体領域の前記第1の主面上に配置されたゲート絶縁膜と該ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極とから成ることを特徴とする請求項1又は2又は3又は4記載の双方向スイッチ。
- 前記第1及び第2のダイオード形成用電極は、前記主半導体領域の前記第1の主面にショットキー接触している電極であることを特徴とする請求項1又は2又は3又は4又は5記載の双方向スイッチ。
- 前記主半導体領域は、更にpn接合を得るために前記第1及び第2のダイオード形成用電極と前記第1導電型半導体層との間に第1及び第2の第2導電型半導体層を有し、
前記第1及び第2のダイオード形成用電極は前記第1及び第2の第2導電型半導体層にオーミック接触した電極であることを特徴とする請求項4記載の双方向スイッチ。 - 更に、前記主半導体領域の前記他方の主面に電気的及び機械的に結合された一方の主面と該一方の主面に対向する他方の主面とを有する導電性基板と、前記導電性基板を前記接続手段に電気的に接続する導体とを有していることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1つに記載の双方向スイッチ。
- 前記接続手段は、前記主半導体領域の前記第2の主面に電気的及び機械的に結合された一方の主面と該一方の主面に対向する他方の主面とを有する導電性基板と、前記導電性基板の前記他方の主面に形成された補助電極と、前記第1のダイオード形成用電極を前記導電性基板に電気的に接続する導体と、前記第2のダイオード形成用電極を前記導電性基板に電気的に接続する導体とから成ることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1つに記載の双方向スイッチ。
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