JP4968322B2

JP4968322B2 - 交流−直流変換装置

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Publication number: JP4968322B2
Application number: JP2009297864A
Authority: JP
Inventors: 伸二佐藤
Original assignee: Sanken Electric Co Ltd
Current assignee: Sanken Electric Co Ltd
Priority date: 2009-12-28
Filing date: 2009-12-28
Publication date: 2012-07-04
Anticipated expiration: 2029-12-28
Also published as: JP2011139591A; US8681511B2; US20110157938A1

Description

本発明は、交流電力を絶縁された直流電力に変換する交流−直流変換装置に関し、特に、交流電力を直流電力に変換する変換器を構成する半導体スイッチ素子にオンオフ信号を供給するための駆動回路電源を得るための電源回路に関する。

交流電力を絶縁された直流電力に変換する電力変換装置は、例えば、通信用直流電源などに利用される。この電力変換装置は、一般的には、非絶縁の力率改善回路と、高周波絶縁のＤＣ／ＤＣコンバータとの２段で変換器を構成している。また、回路を簡素化することにより、１段の変換器で交流電力を高周波絶縁して直流電力に変換する電力変換装置も提案されている。

図３は従来の交流−直流変換装置の一例を示す回路構成図である。図３に示す交流−直流変換装置は、１段変換高周波絶縁ＰＷＭ整流器であり、３相交流電源１の交流端子（Ｒ相）２ａと交流端子（Ｔ相）２ｃとの間には、双方向スイッチＱ１０とトランス３の第１の１次巻線３ａとの直列回路が接続されている。３相交流電源１の交流端子（Ｓ相）２ｂと交流端子２ａとの間には、双方向スイッチＱ２０とトランス３の第２の１次巻線３ｂとの直列回路が接続されている。３相交流電源１の交流端子２ｃと交流端子２ｂとの間には、双方向スイッチＱ３０とトランス３の第３の１次巻線３ｃとの直列回路が接続されている。

双方向スイッチＱ１０は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）Ｑ１１とＩＧＢＴＱ１２との直列回路により構成されている。双方向スイッチＱ２０は、ＩＧＢＴＱ２１とＩＧＢＴＱ２２との直列回路により構成されている。双方向スイッチＱ３０は、ＩＧＢＴＱ３１とＩＧＢＴＱ３２との直列回路により構成されている。

直流電源１０ａの陰極には直流電源１１ａの陽極が接続され、直流電源１０ａの陽極はゲート駆動回路１２ａ内のスイッチＳａ１を介してＩＧＢＴＱ１１，Ｑ１２のゲートに接続されている。直流電源１１ａの陰極はゲート駆動回路１２ａ内のスイッチＳａ２を介してＩＧＢＴＱ１１，Ｑ１２のゲートに接続されている。直流電源１０ａの陰極と直流電源１１ａの陽極とはＩＧＢＴＱ１１，Ｑ１２のエミッタに接続されている。

直流電源１０ｂの陰極には直流電源１１ｂの陽極が接続され、直流電源１０ｂの陽極はゲート駆動回路１２ｂ内のスイッチＳｂ１を介してＩＧＢＴＱ２１，Ｑ２２のゲートに接続されている。直流電源１１ｂの陰極はゲート駆動回路１２ｂ内のスイッチＳｂ２を介してＩＧＢＴＱ２１，Ｑ２２のゲートに接続されている。直流電源１０ｂの陰極と直流電源１１ｂの陽極とはＩＧＢＴＱ２１，Ｑ２２のエミッタに接続されている。

直流電源１０ｃの陰極には直流電源１１ｃの陽極が接続され、直流電源１０ｃの陽極はゲート駆動回路１２ｃ内のスイッチＳｃ１を介してＩＧＢＴＱ３１，Ｑ３２のゲートに接続されている。直流電源１１ｃの陰極はゲート駆動回路１２ｃ内のスイッチＳｃ２を介してＩＧＢＴＱ３１，Ｑ３２のゲートに接続されている。直流電源１０ｃの陰極と直流電源１１ｃの陽極とはＩＧＢＴＱ３１，Ｑ３２のエミッタに接続されている。

整流器４は、トランス３の２次巻線３ｄに発生した高周波電圧を整流する。整流器４の両端には、平滑リアクトル５と平滑コンデンサ８との直列回路が接続されている。平滑コンデンサ８の両端には負荷７が接続されている。

このように構成された図３に示す従来の交流−直流変換装置によれば、
商用周波数の３相交流電源１から交流電力が双方向スイッチＱ１０,Ｑ２０，Ｑ３０と１次巻線３ａ〜３ｃとに入力される。

ゲート駆動回路１２ａ〜１２ｃは、図示しない制御回路からの制御信号によりスイッチＳａ１，Ｓｂ１，Ｓｃ１をオンして、双方向スイッチＱ１０,Ｑ２，Ｑ３０のゲート−エミッタ間に対して、直流電源１０ａ〜１０ｃの陽極電圧を印加して双方向スイッチＱ１０,Ｑ２０，Ｑ３０をオンさせる。また、スイッチＳａ２，Ｓｂ２，Ｓｃ２をオンして、直流電源１１ａ〜１１ｃの陰極電圧を印加して双方向スイッチＱ１０,Ｑ２０，Ｑ３０をオフさせる。

即ち、３相交流電源１から交流電力が双方向スイッチＱ１０,Ｑ２０，Ｑ３０により高周波スイッチングされて、トランス３の１次巻線３ａ〜３ｃ及び２次巻線３ｄに商用周波数よりも高い高周波電圧が発生する。この高周波電圧は、整流器４により整流され、平滑リアクトル５と平滑コンデンサ８とで平滑されて、負荷７に直流電力が供給される。

特開２００２−２３３１５５号公報

しかしながら、直流電源１０ａ〜１０ｃ，１１ａ〜１１ｃは主回路とは別に設けられているため、例えば、Ｓ相の交流端子２ｂが最も電位が低い状態では、直流電源１１ａの電力を主回路から非絶縁で供給することができない。このため、図示しない別の絶縁コンバータを介してゲート駆動回路１２ａ〜１２ｃへ直流電力を供給していた。

即ち、別の絶縁コンバータを用いなければならないため、部品点数が増加し、交流−直流変換装置が複雑化していた。

本発明は、非絶縁で簡単な回路で直流電源の電力を供給することができる交流−直流変換装置を提供することにある。

前記課題を解決するために、請求項１の発明は、単相交流電源の電源ライン間又は三相交流電源の各電源ライン間に接続されたスイッチング回路をスイッチングすることによりトランスの１次巻線に流れる電流を断続し、トランスの２次巻線に発生する電圧を整流平滑して負荷に出力する交流−直流変換装置において、前記トランスは、複数の１次巻線を有し、前記スイッチング回路は、前記トランスの第１の１次巻線、双方向スイッチ、前記トランスの第２の１次巻線の順に直列に接続された直列回路と、前記直列回路の両端間に印加される交流電源電圧から直流正電圧及び直流負電圧を生成する駆動回路電源生成回路と、前記駆動回路電源生成回路と前記双方向スイッチとの間に接続されて前記双方向スイッチをオンオフ駆動する駆動回路とを有し、前記双方向スイッチは、直列に接続された二つの半導体スイッチ素子からなり、互いに一方の主端子を接続し、この接続点を前記双方向スイッチの基準電位点とし、前記双方向スイッチの基準電位点と前記駆動回路電源生成回路の基準電位点とを接続したことを特徴とする。請求項２の発明は、単相交流電源の電源ライン間又は三相交流電源の各電源ライン間に接続されたスイッチング回路をスイッチングすることによりトランスの１次巻線に流れる電流を断続し、トランスの２次巻線に発生する電圧を整流平滑して負荷に出力する交流−直流変換装置において、前記トランスは、複数の１次巻線を有し、前記スイッチング回路は、前記トランスの第１の１次巻線、双方向スイッチ、前記トランスの第２の１次巻線の順に直列に接続された直列回路と、前記直列回路の両端間に印加される交流電源電圧から直流正電圧及び直流負電圧を生成する駆動回路電源生成回路と、前記駆動回路電源生成回路と前記双方向スイッチとの間に接続されて前記双方向スイッチをオンオフ駆動する駆動回路とを有し、前記双方向スイッチは、一つの半導体スイッチ素子からなり、一方の主端子と他方の主端子との間には直列に接続された二つのダイオードが接続され、この二つのダイオードの接続点を前記双方向スイッチの基準電位点とし、前記双方向スイッチの基準電位点と前記駆動回路電源生成回路の基準電位点とを接続したことを特徴とする。

本発明によれば、トランスの第１の１次巻線、双方向スイッチ、トランスの第２の１次巻線の順に直列に接続された直列回路及び双方向スイッチをオンオフ駆動する駆動回路の正及び負電源を生成する駆動回路電源生成回路に交流電源電圧が印加されても、双方向スイッチの基準電位点と駆動回路電源生成回路の基準電位点とが接続されているので、それぞれの基準電位点の電位が交流電源電圧の極性に関係なく交流電源電圧の中間電位になる。従って、非絶縁で簡単な回路で直流電源の電力を供給することができる。

実施例１の交流−直流変換装置を示す回路構成図である。実施例２の交流−直流変換装置を示す回路構成図である。従来の交流−直流変換装置の一例を示す回路構成図である。

以下、本発明の交流−直流変換装置の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は実施例１の交流−直流変換装置を示す回路構成図である。図１に示す実施例１の交流−直流変換装置は、図３に示す従来の交流−直流変換装置に対して、以下の構成が異なる。実施例１では、３相（Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相）の交流−直流変換装置について説明する。

トランス９は、交流端子２ａと交流端子２ｃとの間で直列に接続される第１の１次巻線９ａ１と第２の１次巻線９ａ２と、交流端子２ａと交流端子２ｂとの間で直列に接続される第１の１次巻線９ｂ１と第２の１次巻線９ｂ２と、交流端子２ｂと交流端子２ｃとの間で直列に接続される第１の１次巻線９ｃ１と第２の１次巻線９ｃ２と、２次巻線９ｄを有する。

半導体スイッチ素子（例えばＧａＮ）からなる双方向スイッチＱ１は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ；High Electron Mobility Transistor）Ｑ１ａのソース（一方の主端子）とＨＥＭＴＱ１ｂのソースとが共通に接続された直列回路により構成されている。双方向スイッチＱ２は、ＨＥＭＴＱ２ａのソースとＨＥＭＴＱ２ｂのソースが共通に接続された直列回路により構成されている。双方向スイッチＱ３は、ＨＥＭＴＱ３ａのソースとＨＥＭＴＱ３ｂのソースとが共通に接続された直列回路により構成されている。ＨＥＭＴは、窒化ガリウム（ＧａＮ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）などのワイドバンドギャップ半導体から構成される。ここで、ＨＥＭＴＱ１ａ，Ｑ１ｂ、ＨＥＭＴＱ２ａ，Ｑ２ｂ、ＨＥＭＴＱ３ａ，Ｑ３ｂのソースは、それぞれ双方向スイッチＱ１，Ｑ２，Ｑ３の基準電位点である。

なお、実施例１では、双方向スイッチとしてＨＥＭＴを用いているが、ＨＥＭＴに代えて、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ，ＪＦＥＴなどを用いても良い。

トランス９の第１の１次巻線９ａ１と双方向スイッチＱ１とトランス９の第２の１次巻線９ａ２とが順番に直列に接続されて第１直列回路を構成する。トランス９の第１の１次巻線９ａ１の一端は交流端子２ｃに接続され、トランス９の第２の１次巻線９ａ２の一端は交流端子２ａに接続されている。

トランス９の第１の１次巻線９ｂ１と双方向スイッチＱ２とトランス９の第２の１次巻線９ｂ２とが順番に直列に接続されて第２直列回路を構成する。トランス９の第１の１次巻線９ｂ１の一端は交流端子２ａに接続され、トランス９の第２の１次巻線９ｂ２の一端は交流端子２ｂに接続されている。

トランス９の第１の１次巻線９ｃ１と双方向スイッチＱ３とトランス９の第２の１次巻線９ｃ２とが順番に直列に接続されて第３直列回路を構成する。トランス９の第１の１次巻線９ｃ１の一端は交流端子２ｂに接続され、トランス９の第２の１次巻線９ｃ２の一端は交流端子２ｃに接続されている。

トランス９の第１の１次巻線９ａ１，９ｂ１，９ｃ１の一端は抵抗１３ａ，１３ｂ，１３ｃの一端と抵抗１７ａ，１７ｂ，１７ｃの一端とに接続されている。トランス９の第２の１次巻線９ａ２，９ｂ２，９ｃ２の一端は抵抗１６ａ，１６ｂ，１６ｃの一端と抵抗２０ａ，２０ｂ，２０ｃの一端とに接続されている。抵抗１３ａ，１３ｂ，１３ｃの他端はダイオード１４ａ，１４ｂ，１４ｃのカソードに接続されている。

ダイオード１４ａ，１４ｂ，１４ｃのアノードはダイオード１５ａ，１５ｂ，１５ｃのアノードとツェナーダイオード２３ａ，２３ｂ，２３ｃのアノードとコンデンサ２４ａ，２４ｂ，２４ｃの一端とスイッチＳａ２，Ｓｂ２，Ｓｃ２の一端とに接続されている。ダイオード１５ａ，１５ｂ，１５ｃのカソードは抵抗１６ａ，１６ｂ，１６ｃの他端に接続されている。

抵抗１７ａ，１７ｂ，１７ｃの他端はダイオード１８ａ，１８ｂ，１８ｃのアノードに接続されている。ダイオード１８ａ，１８ｂ，１８ｃのカソードはダイオード１９ａ，１９ｂ，１９ｃのカソードとツェナーダイオード２１ａ，２１ｂ，２１ｃのカソードとコンデンサ２２ａ，２２ｂ，２２ｃの一端とスイッチＳａ１，Ｓｂ１，Ｓｃ１の一端とに接続されている。

ツェナーダイオード２１ａ，２１ｂ，２１ｃのアノードとコンデンサ２２ａ，２２ｂ，２２ｃの他端とツェナーダイオード２３ａ，２３ｂ，２３ｃのカソードとコンデンサ２４ａ，２４ｂ，２４ｃの他端とは、ＨＥＭＴＱ１ａ，Ｑ２ａ，Ｑ３ａのソースとＨＥＭＴＱ１ｂ，Ｑ２ｂ，Ｑ３ｂのソースとに接続されている。スイッチＳａ１，Ｓｂ１，Ｓｃ１の他端とスイッチＳａ２，Ｓｂ２，Ｓｃ２の他端とはＨＥＭＴＱ１ａ，Ｑ２ａ，Ｑ３ａのゲート（制御端子）とＨＥＭＴＱ１ｂ，Ｑ２ｂ，Ｑ３ｂのゲート（制御端子）とに接続されている。

抵抗１３ａ，１６ａ，１７ａ，２０ａ、ダイオード１４ａ，１５ａ，１８ａ，１９ａ、ツェナーダイオード２１ａ，２３ａ、コンデンサ２２ａ，２４ａは、３相交流電源１の交流電源電圧（Ｒ相とＴ相とによる線間電圧）から直流正電圧及び直流負電圧を生成する第１駆動回路電源生成回路を構成する。ゲート駆動回路１２ａは、第１駆動回路電源生成回路の直流正電圧及び直流負電圧を双方向スイッチＱ１のゲートに印加することにより双方向スイッチＱ１をオンオフさせる。

抵抗１３ｂ，１６ｂ，１７ｂ，２０ｂ、ダイオード１４ｂ，１５ｂ，１８ｂ，１９ｂ、ツェナーダイオード２１ｂ，２３ｂ、コンデンサ２２ｂ，２４ｂは、３相交流電源１の交流電源電圧（Ｒ相とＳ相とによる線間電圧）から直流正電圧及び直流負電圧を生成する第２駆動回路電源生成回路を構成する。ゲート駆動回路１２ｂは、第２駆動回路電源生成回路の直流正電圧及び直流負電圧を双方向スイッチＱ２のゲートに印加することにより双方向スイッチＱ２をオンオフさせる。

抵抗１３ｃ，１６ｃ，１７ｃ，２０ｃ、ダイオード１４ｃ，１５ｃ，１８ｃ，１９ｃ、ツェナーダイオード２１ｃ，２３ｃ、コンデンサ２２ｃ，２４ｃは、３相交流電源１の交流電源電圧（Ｓ相とＴ相とによる線間電圧）から直流正電圧及び直流負電圧を生成する第３駆動回路電源生成回路を構成する。ゲート駆動回路１２ｃは、第３駆動回路電源生成回路の直流正電圧及び直流負電圧を双方向スイッチＱ３のゲートに印加することにより双方向スイッチＱ３をオンオフさせる。

次にこのように構成された実施例１の交流−直流変換装置の動作を説明する。

まず、３相交流電源１からの交流電源電圧が交流端子２ａ〜２ｃを介して、トランス９の第１の１次巻線９ａ１と双方向スイッチＱ１とトランス９の第２の１次巻線９ａ２との第１直列回路、トランス９の第１の１次巻線９ｂ１と双方向スイッチＱ２とトランス９の第２の１次巻線９ｂ２との第２直列回路、トランス９の第１の１次巻線９ｃ１と双方向スイッチＱ３とトランス９の第２の１次巻線９ｃ２との第３直列回路に印加される。

すると、例えば、交流端子２ａと交流端子２ｃとの間では、３相交流電源１からの交流電源電圧により抵抗１７ａ（２０ａ）を介してダイオード１８ａ（１９ａ）で整流されてコンデンサ２２ａに直流正電圧が得られる。また、抵抗１３ａ（１６ａ）を介してダイオード１４ａ（１５ａ）で整流されてコンデンサ２４ａに直流負電圧が得られる。コンデンサ２２ａには上端が陽極で下端が陰極となる直流正電圧が得られる。

コンデンサ２４ａには上端が陽極で下端が陰極となる直流負電圧が得られる。ここで、コンデンサ２２ａの下端及びコンデンサ２４ａの上端は第１駆動回路電源生成回路の基準電位点である。

このため、スイッチＳａ１をオンすることにより、コンデンサ２２ａの直流正電圧をＨＥＭＴＱ１ａ，Ｑ１ｂのゲートに印加すると、ＨＥＭＴＱ１ａ，Ｑ１ｂをオンすることができる。また、スイッチＳａ２をオンすることにより、コンデンサ２４ａの直流負電圧をＨＥＭＴＱ１ａ，Ｑ１ｂのゲートに印加すると、ＨＥＭＴＱ１ａ，Ｑ１ｂをオフすることができる。

なお、その他の交流端子２ａと交流端子２ｂとの間のトランス９の１次側回路、交流端子２ｂと交流端子２ｃとの間のトランス９の１次側回路についても、交流端子２ａと交流端子２ｃとの間のトランス９の１次側回路と同様に動作するので、その説明は省略する。

このように、実施例１の交流−直流変換装置によれば、トランス９の第１の１次巻線９ａ１，９ｂ１，９ｃ１、双方向スイッチＱ１，Ｑ２，Ｑ３、トランス９の第２の１次巻線９ａ２，９ｂ２，９ｃ２の順に直列に接続された直列回路及び双方向スイッチＱ１，Ｑ２，Ｑ３をオンオフ駆動する駆動回路１２ａ，１２ｂ，１２ｃの正及び負電源を生成する駆動回路電源生成回路に交流電源電圧が印加されても、双方向スイッチＱ１，Ｑ２，Ｑ３の基準電位点と駆動回路電源生成回路の基準電位点とが接続されているので、それぞれの基準電位点の電位が交流電源電圧の極性に関係なく交流電源電圧の中間電位になる。従って、非絶縁で簡単な回路で直流電源の電力を供給することができる。

図２は実施例２の交流−直流変換装置を示す回路構成図である。図１に示す実施例１の交流−直流変換装置は、単方向スイッチのＨＥＭＴを２つ直列に接続した２つの半導体スイッチ素子からなる双方向スイッチＱ１〜Ｑ３を用いたが、図２に示す実施例２の交流−直流変換装置は、双方向スイッチとして、１つの半導体スイッチ素子からなる双方向スイッチのＨＥＭＴＱ４〜Ｑ６を用いたことを特徴とする。

その他の構成は、図１に示す構成と同一であるので、同一部分は同一符号を付し、その説明は省略する。

双方向スイッチのＨＥＭＴＱ４，Ｑ５，Ｑ６は、ゲートＧとドレインＤとソースＳとを有し、ドレインＤにはダイオードＤ１，Ｄ３，Ｄ５のカソードが接続され、ダイオードＤ１，Ｄ３，Ｄ５のアノードとダイオードＤ２，Ｄ４，Ｄ６のアノードとは共通接続され、この接続点は仮想ソースＩＳ１，ＩＳ２，ＩＳ３であるとともに、双方向スイッチＱ４〜Ｑ６の基準電位点でもある。この仮想ソースＩＳ１，ＩＳ２，ＩＳ３には、コンデンサ２２ａ，２２ｂ，２２ｃとコンデンサ２４ａ，２４ｂ，２４ｃとの接続点とツェナーダイオード２１ａ，２１ｂ，２１ｃのアノードとツェナーダイオード２３ａ，２３ｂ，２３ｃのカソードとに接続されている。ダイオードＤ２，Ｄ４，Ｄ６のカソードは、双方向スイッチのＨＥＭＴＱ４，Ｑ５，Ｑ６のソースＳに接続されている。

このように、双方向スイッチのＨＥＭＴＱ４〜Ｑ６を用いても、実施例１の交流−直流変換装置と同様に動作し、同様な効果が得られる。また、双方向スイッチのＨＥＭＴＱ４〜Ｑ６は１つの半導体スイッチ素子であるので、安価となる。

なお、本発明は、実施例１，２の交流−直流変換装置に限定されるものではない。実施例１，２の交流−直流変換装置では、３相交流電源に接続された交流−直流変換装置について説明したが、本発明は単相交流電源に接続された交流−直流変換装置にも適用可能である。この場合には、図１、図２に示す第１スイッチング回路５０ａ，６０ａのみ用い、第２スイッチング回路５０ｂ，６０ｂ及び第３スイッチング回路５０ｃ，６０ｃを削除すれば良い。

本発明は、通信用直流電源等に適用可能である。

１３相交流電源
２ａ〜２ｃ交流端子
３，９トランス
４整流器
５平滑リアクトル
７負荷
８平滑コンデンサ
９ａ１，９ｂ１，９ｃ１第１の１次巻線
９ａ２，９ｂ２，９ｃ２第２の１次巻線
９ｄ２次巻線
１２ａ〜１２ｃゲート駆動回路
１３ａ〜１３ｃ，１６ａ〜１６ｃ，１７ａ〜１７ｃ，２０ａ〜２０ｃ抵抗
２１ａ〜２１ｃ，２３ａ〜２３ｃツェナーダイオード
２２ａ〜２２ｃ，２４ａ〜２４ｃコンデンサ
Ｑ１〜Ｑ３双方向スイッチ
Ｑ４〜Ｑ６双方向スイッチ
Ｑ１０，Ｑ２０，Ｑ３０双方向スイッチ
Ｄ１〜Ｄ６，１４ａ〜１４ｃ，１５ａ〜１５ｃ，１８ａ〜１８ｃ，１９ａ〜１９ｃダイオード
５０ａ，５０ｂ，５０ｃスイッチング回路
６０ａ，６０ｂ，６０ｃスイッチング回路

Claims

単相交流電源の電源ライン間又は三相交流電源の各電源ライン間に接続されたスイッチング回路をスイッチングすることによりトランスの１次巻線に流れる電流を断続し、トランスの２次巻線に発生する電圧を整流平滑して負荷に出力する交流−直流変換装置において、
前記トランスは、複数の１次巻線を有し、
前記スイッチング回路は、前記トランスの第１の１次巻線、双方向スイッチ、前記トランスの第２の１次巻線の順に直列に接続された直列回路と、前記直列回路の両端間に印加される交流電源電圧から直流正電圧及び直流負電圧を生成する駆動回路電源生成回路と、前記駆動回路電源生成回路と前記双方向スイッチとの間に接続されて前記双方向スイッチをオンオフ駆動する駆動回路とを有し、
前記双方向スイッチは、直列に接続された二つの半導体スイッチ素子からなり、互いに一方の主端子を接続し、この接続点を前記双方向スイッチの基準電位点とし、
前記双方向スイッチの基準電位点と前記駆動回路電源生成回路の基準電位点と
を接続したことを特徴とする交流−直流変換装置。
単相交流電源の電源ライン間又は三相交流電源の各電源ライン間に接続されたスイッチング回路をスイッチングすることによりトランスの１次巻線に流れる電流を断続し、トランスの２次巻線に発生する電圧を整流平滑して負荷に出力する交流−直流変換装置において、
前記トランスは、複数の１次巻線を有し、
前記スイッチング回路は、前記トランスの第１の１次巻線、双方向スイッチ、前記トランスの第２の１次巻線の順に直列に接続された直列回路と、前記直列回路の両端間に印加される交流電源電圧から直流正電圧及び直流負電圧を生成する駆動回路電源生成回路と、前記駆動回路電源生成回路と前記双方向スイッチとの間に接続されて前記双方向スイッチをオンオフ駆動する駆動回路とを有し、
前記双方向スイッチは、一つの半導体スイッチ素子からなり、一方の主端子と他方の主端子との間には直列に接続された二つのダイオードが接続され、この二つのダイオードの接続点を前記双方向スイッチの基準電位点とし、
前記双方向スイッチの基準電位点と前記駆動回路電源生成回路の基準電位点と
を接続したことを特徴とする交流−直流変換装置。