JP2009147237A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板10に設けられた2つの溝部12と、2つの溝部12のそれぞれの側面に設けられ、溝部12の底面で分離された絶縁体からなる電荷蓄積層24と、2つの溝部12のそれぞれの底面の半導体基板10に設けられたビットライン14と、を具備し、半導体基板10のうち、2つの溝部12の一方の側面から2の溝部12の間に設けられた凸部13の上面を介し2つの溝部12の他方の側面にかけてチャネル領域30が形成される。
【選択図】図4
Description
12 溝部
13 凸部
14 ビットライン
16 ワードライン
20 ONO膜
22 トンネル絶縁膜
24 電荷蓄積層
26 トップ絶縁膜
50 マスク層
52 側壁層
58 保護層
Claims (10)
- 半導体基板に設けられた2つの溝部と、
前記2つの溝部のそれぞれの側面に設けられ、前記2つの溝部のそれぞれの底面で分離され絶縁体からなる電荷蓄積層と、
前記2つの溝部のそれぞれの底面の前記半導体基板内に設けられたビットラインと、を具備し、
前記半導体基板のうち、前記2つの溝部の一方の側面から前記2の溝部の間に設けられた凸部の上面を介し前記2つの溝部の他方の側面にかけてチャネル領域が形成されることを特徴とする半導体装置。 - 前記ビットラインは、前記2つの溝部のそれぞれの側面から離間して設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記2つの溝部のそれぞれの底面において、前記ビットラインは前記分離された電荷蓄積層により画定されていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 半導体基板に2つの溝部を形成する工程と、
前記2つの溝部のそれぞれの側面に、前記2つの溝部のそれぞれの底面で分離され絶縁体からなる電荷蓄積層を形成する工程と、
前記2つの溝部のそれぞれの底面の前記半導体基板内にビットラインを形成する工程と、を有し、
前記半導体基板のうち、前記2つの溝部の一方の側面から前記2の溝部の間に設けられた凸部の上面を介し前記2つの溝部の他方の側面にかけてチャネル領域が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記2つの溝部のそれぞれの側面に形成された前記電荷蓄積層の側面に側壁層を形成する工程を有し、
前記電荷蓄積層を形成する工程は、前記側壁層をマスクに前記2つの溝部のそれぞれの底面に形成された電荷蓄積層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ビットラインを形成する工程は、前記側壁層をマスクに前記ビットラインを形成する工程であることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記2つの溝部を形成する工程は、前記半導体基板上に形成されたマスク層をマスクに前記溝部を形成する工程であり、
前記電荷蓄積層を形成する工程は、前記2つの溝部の内面、前記マスク層の側面および上面に電荷蓄積層を形成する工程であり、
前記側壁層を形成する工程は、前記2つの溝部の側面および前記マスク層の側面に形成された前記電荷蓄積層の側面に前記側壁層を形成する工程であることを特徴とする請求項5または6記載の半導体装置の製造方法。 - 前記マスク層を研磨し、前記マスク層を除去する工程を有することを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスク層は、前記半導体基板上に保護層を介し形成されており、
前記マスク層を前記保護膜に対し選択的に除去する工程を有することを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。 - 前記2つの溝部を形成する工程は、前記半導体基板上に形成されたマスク層をマスクに前記2つの溝部を形成する工程であり、
前記電荷蓄積層を形成する工程は、前記マスク層を除去した後、前記2つの溝部の内面に前記電荷蓄積層を形成する工程であることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO2014081928A1 (en) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | Spansion Llc | Forming charge trap separation in a flash memory semiconductor device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003309192A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体メモリおよびその製造方法 |
JP2003332469A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2006245579A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Infineon Technologies Ag | 電荷トラップメモリセルを有する半導体メモリとその形成方法 |
WO2007014034A2 (en) * | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Freescale Semiconductor | Programmable structure including nanocrystal storage elements in a trench |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002280465A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US6754105B1 (en) * | 2003-05-06 | 2004-06-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Trench side wall charge trapping dielectric flash memory device |
US6963108B1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-11-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Recessed channel |
US7049652B2 (en) * | 2003-12-10 | 2006-05-23 | Sandisk Corporation | Pillar cell flash memory technology |
TWI270977B (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Powerchip Semiconductor Corp | Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003309192A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体メモリおよびその製造方法 |
JP2003332469A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2006245579A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Infineon Technologies Ag | 電荷トラップメモリセルを有する半導体メモリとその形成方法 |
WO2007014034A2 (en) * | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Freescale Semiconductor | Programmable structure including nanocrystal storage elements in a trench |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014081928A1 (en) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | Spansion Llc | Forming charge trap separation in a flash memory semiconductor device |
US8975185B2 (en) | 2012-11-26 | 2015-03-10 | Spansion, Llc | Forming charge trap separation in a flash memory semiconductor device |
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