JP2009147195A - 銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を備えた半導体ウェハー - Google Patents
銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を備えた半導体ウェハー Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009147195A JP2009147195A JP2007324421A JP2007324421A JP2009147195A JP 2009147195 A JP2009147195 A JP 2009147195A JP 2007324421 A JP2007324421 A JP 2007324421A JP 2007324421 A JP2007324421 A JP 2007324421A JP 2009147195 A JP2009147195 A JP 2009147195A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- film
- tantalum
- titanium
- metal elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 112
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 112
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 111
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 46
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims abstract description 20
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 40
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 27
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 27
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 17
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 112
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 37
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000575 Ir alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000629 Rh alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940071106 ethylenediaminetetraacetate Drugs 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000717 platinum sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】タンタル又はチタンから選択した1成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素及び前記タンタル又はチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜。
【採用図面】なし
Description
例えば、銅配線を形成する溝の凹部に高純度タンタルターゲットでスパッタリングによりタンタル若しくは窒化タンタルを成膜して拡散バリア膜を形成し、次いで銅あるいは銅合金からなるシード層をスパッタリングにより成膜し、最後に電気めっきで銅を埋め込むことにより行われている。
従来、半導体ウェハーのような鏡面上に無電解めっきを行った場合、析出しためっき膜の密着性を得るのは困難であった。また、めっきの反応性が低く、基板全面に均一なめっきを行うことも困難であった。例えば、無電解銅めっき法を使用するにあたっての現状の問題点として、窒化タンタルなどのバリアメタル層上に銅を成膜した際のめっきの均一性や密着力の弱さが挙げられる。
しかし、実際にこれら触媒金属をダマシン配線形成に適用するためには銅拡散防止のためのバリア層が別に必要であり、銅を成膜する前に間に二層も入れることとなって、膜厚を厚くできない超微細配線では実用上適用が困難である。
1)タンタル又はチタンから選択した1成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素及び前記タンタル又はチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜
2)触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素を12〜26at%、タンタル又はチタンから選択した1成分以上の金属元素を48〜52at%含有し、残余が窒素である前記1)記載の銅拡散防止用バリア膜
4)触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素を12〜26at%、タンタル又はチタンから選択した1成分以上の金属元素を48〜52at%含有し、残余が窒素である前記3)記載の銅拡散防止用バリア膜の形成方法
6)触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素を12〜26at%、タンタル又はチタンから選択した1成分以上の金属元素を48〜52at%含有し、残余が窒素である前記5)記載のダマシン銅配線用シード層の形成方法
8)銅拡散防止用バリア膜が、触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素を12〜26at%、タンタル又はチタンから選択した1成分以上の金属元素を48〜52at%含有し、残余が窒素である前記7)記載の半導体ウェハー。
このことは高価な貴金属が多い触媒金属を使用したスパッタリングターゲット製造において、ターゲット中の触媒金属成分比率を大きく上げる必要がなくなるので、実用上極めて有効である。
触媒能を持つ金属としては白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムを挙げることができるが、なかでも白金、パラジウム、ルテニウムの使用が好ましい。また、触媒能を持つこれらの金属の、2種類以上の同時使用も可能である。
また、めっき前にめっきする基材の酸処理、アルカリ処理、界面活性剤処理、超音波洗浄あるいはこれらを組み合わせた処理を実施することで、基材のクリーニング、濡れ性向上を図ることができる。
様々な組成比のタンタルとパラジウムのスパッタリング合金ターゲットを用いて、スパッタ時のチャンバー内のアルゴン・窒素ガス圧比を変化させて窒化タンタル・パラジウム合金膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400℃×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。
50Wの出力でプラズマを発生させ、15分間のプレスパッタ後、本成膜を実施した。
無電解めっきによる銅の成膜は、以下の組成のめっき液を用いて、pH12.5、60℃×3〜5分の条件で実施した。めっき時の銅膜とタンタル合金膜の、界面の酸化状態の確認をAESデプスプロファイル測定により確認した。
この結果を、表1にまとめた。
硫酸銅:0.02mol/L
エチレンジアミン四酢酸塩:0.21mol/L
グリオキシル酸:0.1mol/L
2,2‘−ビピリジル:20mg/L
ポリエチレンイミン(Mw10,000):200mg/L
pH12.5(水酸化カリウム)
一方、タンタル比率は減ってバリア性が低下する。また、ターゲット中のタンタル比率が下がるほど、めっき時の銅膜とタンタル合金膜の界面の耐酸化性は向上する。
バリア性、めっき性、耐酸化性を兼ね備えた組成は窒素ガス未導入時には見出せなかったが、窒素ガスを適当量導入することにより、膜中パラジウム組成比13〜19at%、膜中タンタル組成比48〜50at%、膜中窒素組成比32〜39at%の範囲で適正条件を見出すことができた。表1において、この適正条件の総合評価を○として表示した。
表2に示す複数種の組成比のタンタルと白金のスパッタリング合金ターゲットを用いて、スパッタ時のチャンバー内のアルゴン・窒素ガス圧比を変化させて窒化タンタル・白金合金膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400℃×30分間の真空アニール処理後のバリア性をAESデプスプロファイル測定により確認した。
また、めっき時の銅膜とタンタル合金膜の界面の酸化状態の確認を、AESデプスプロファイル測定により確認した。結果を表2にまとめた。
バリア性、めっき性、耐酸化性を兼ね備えた組成は窒素ガス未導入時には見出せなかったが、窒素ガスを適当量導入することにより、膜中白金組成比17〜25at%、膜中タンタル組成比49〜51at%、膜中窒素組成比24〜33at%の範囲で、適正条件を見出すことができた。表2において、この適正条件の総合評価を○として表示した。
表3に示す種々の組成比のチタンとルテニウムのスパッタリング合金ターゲットを用いて、スパッタ時のチャンバー内のアルゴン・窒素ガス圧比を変化させて窒化チタン・ルテニウム合金膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400℃×30分間の真空アニール処理後のバリア性をAESデプスプロファイル測定により確認した。
また、めっき時の銅膜とチタン合金膜の界面の酸化状態の確認を、AESデプスプロファイル測定により確認した。結果を表3にまとめた。
バリア性、めっき性、耐酸化性を兼ね備えた組成は窒素ガス未導入時には見出せなかったが、窒素ガスを適当量導入することにより、膜中ルテニウム組成比15〜21at%、膜中チタン組成比49〜52at%、膜中窒素組成比30〜33at%の範囲で適正条件を見出すことができた。表3において、この適正条件の総合評価を○として表示した。実施例1と実施例2においては、タンタルを使用し、本実施例3においては、チタンを使用したが、タンタルとチタンは、同傾向があることが確認できた。
表4に示す種々の組成比のチタンと金のスパッタリング合金ターゲットを用いて、スパッタ時のチャンバー内のアルゴン・窒素ガス圧比を変化させて窒化チタン・金合金膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400℃×30分間の真空アニール処理後のバリア性をAESデプスプロファイル測定により確認した。
また、めっき時の銅膜とチタン合金膜の界面の酸化状態の確認を、AESデプスプロファイル測定により確認した。結果を表4にまとめた。
バリア性、めっき性、耐酸化性を兼ね備えた組成は窒素ガス未導入時には見出せなかったが、窒素ガスを適当量導入することにより、膜中金組成比19〜23at%、膜中チタン組成比49〜50at%、膜中窒素組成比27〜32at%の範囲で適正条件を見出すことができた。表4において、この適正条件の総合評価を○として表示した。
表5に示す種々の組成比のタンタルと銀のスパッタリング合金ターゲットを用いて、スパッタ時のチャンバー内のアルゴン・窒素ガス圧比を変化させて窒化タンタル・銀合金膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400℃×30分間の真空アニール処理後のバリア性をAESデプスプロファイル測定により確認した。
また、めっき時の銅膜とタンタル合金膜の界面の酸化状態の確認を、AESデプスプロファイル測定により確認した。結果を表5にまとめた。
バリア性、めっき性、耐酸化性を兼ね備えた組成は窒素ガス未導入時には見出せなかったが、窒素ガスを適当量導入することにより、膜中銀組成比13〜20at%、膜中タンタル組成比48〜51at%、膜中窒素組成比32〜36at%の範囲で適正条件を見出すことができた。表5において、この適正条件の総合評価を○として表示した。
表6に示す種々の組成比のタンタルとロジウムのスパッタリング合金ターゲットを用いて、スパッタ時のチャンバー内のアルゴン・窒素ガス圧比を変化させて窒化タンタル・ロジウム合金膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400℃×30分間の真空アニール処理後のバリア性をAESデプスプロファイル測定により確認した。
また、めっき時の銅膜とタンタル合金膜の界面の酸化状態の確認を、AESデプスプロファイル測定により確認した。結果を表6にまとめた。
バリア性、めっき性、耐酸化性を兼ね備えた組成は、窒素ガス未導入時には見出せなかったが、窒素ガスを適当量導入することにより、膜中ロジウム組成比14〜22at%、膜中タンタル組成比49〜52at%、膜中窒素組成比29〜34at%の範囲で適正条件を見出すことができた。表6において、この適正条件の総合評価を○として表示した。
表7に示す種々の組成比のタンタルとイリジウムのスパッタリング合金ターゲットを用いて、スパッタ時のチャンバー内のアルゴン・窒素ガス圧比を変化させて窒化タンタル・イリジウム合金膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400℃×30分間の真空アニール処理後のバリア性をAESデプスプロファイル測定により確認した。
また、めっき時の銅膜とタンタル合金膜の界面の酸化状態の確認を、AESデプスプロファイル測定により確認した。結果を表7にまとめた。
バリア性、めっき性、耐酸化性を兼ね備えた組成は、窒素ガス未導入時には見出せなかったが、窒素ガスを適当量導入することにより、膜中イリジウム組成比16〜21at%、膜中タンタル組成比49〜51at%、膜中窒素組成比30〜33at%の範囲で適正条件を見出すことができた。表7において、この適正条件の総合評価を○として表示した。
これによって、効率良く銅の絶縁膜への拡散を防ぐためのバリア層として機能する窒化合金膜、これらの合金膜を触媒層として無電解銅めっき膜を成膜するダマシン銅配線用シード層形成及びこの方法により形成した銅シード層を用いてダマシン銅配線を形成した半導体ウェハーを提供できる。
Claims (8)
- タンタルまたはチタンから選択した1成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素及び前記タンタルまたはチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜。
- 触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素を12〜26at%、タンタルまたはチタンから選択した1成分以上の金属元素を48〜52at%含有し、残余が窒素である請求項1記載の銅拡散防止用バリア膜。
- タンタルまたはチタンから選択した1成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素を含有するターゲットを用いて窒素雰囲気中でスパッタリングし、これらの金属元素とタンタル又はチタンとの窒化物からなる銅拡散防止用バリア膜の形成方法。
- 触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素を12〜26at%、タンタル又はチタンから選択した1成分以上の金属元素を48〜52at%含有し、残余が窒素である請求項3記載の銅拡散防止用バリア膜の形成方法。
- タンタル又はチタンから選択した1成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素及び前記タンタル又はチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜上に、前記触媒能を持つ金属元素を触媒として、無電解銅めっき膜を成膜することを特徴とするダマシン銅配線用シード層の形成方法。
- 触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素を12〜26at%、タンタル又はチタンから選択した1成分以上の金属元素を48〜52at%含有し、残余が窒素である請求項5記載のダマシン銅配線用シード層の形成方法。
- タンタル又はチタンから選択した1成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素及び前記タンタル又はチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜上に、前記触媒能を持つ金属元素を触媒として無電解銅めっきにより形成された銅シード層を備え、さらに当該銅シード層上に形成されたダマシン銅配線を有する半導体ウェハー。
- 銅拡散防止用バリア膜が、触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素を12〜26at%、タンタル又はチタンから選択した1成分以上の金属元素を48〜52at%含有し、残余が窒素である請求項7記載の半導体ウェハー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007324421A JP5285898B2 (ja) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | 銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を備えた半導体ウェハー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007324421A JP5285898B2 (ja) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | 銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を備えた半導体ウェハー |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009147195A true JP2009147195A (ja) | 2009-07-02 |
JP5285898B2 JP5285898B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=40917449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007324421A Active JP5285898B2 (ja) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | 銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を備えた半導体ウェハー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5285898B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010283347A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | アモルファスなタンタル−イリジウム拡散バリアを用いた銅相互接続構造、その形成方法、および該方法による半導体デバイス製造方法 |
WO2012008334A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタル基焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN110767604A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-07 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 化合物半导体器件和化合物半导体器件的背面铜制程方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010091100A1 (en) | 2009-02-03 | 2010-08-12 | Abbott Cardiovascular Systems Inc. | Multiple beam laser system for forming stents |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005033164A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の銅配線形成方法 |
JP2005072044A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Ebara Corp | 配線形成装置 |
WO2006121604A2 (en) * | 2005-05-05 | 2006-11-16 | Applied Materials, Inc. | Conductive barrier layer, especially an alloy of ruthenium and tantalum and sputter deposition thereof |
JP2007251164A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 相互接続構造体、半導体構造体および相互接続構造体の形成方法(相互接続用途のための耐酸化性シード層の形成) |
JP2007300113A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 100%又はそれより大きい段差被覆性を有する相互接続部金属化プロセス |
-
2007
- 2007-12-17 JP JP2007324421A patent/JP5285898B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005033164A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の銅配線形成方法 |
JP2005072044A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Ebara Corp | 配線形成装置 |
WO2006121604A2 (en) * | 2005-05-05 | 2006-11-16 | Applied Materials, Inc. | Conductive barrier layer, especially an alloy of ruthenium and tantalum and sputter deposition thereof |
JP2008541428A (ja) * | 2005-05-05 | 2008-11-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 導電性バリヤ層、特にルテニウムとタンタルの合金及びそのスパッタ堆積 |
JP2007251164A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 相互接続構造体、半導体構造体および相互接続構造体の形成方法(相互接続用途のための耐酸化性シード層の形成) |
JP2007300113A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 100%又はそれより大きい段差被覆性を有する相互接続部金属化プロセス |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010283347A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | アモルファスなタンタル−イリジウム拡散バリアを用いた銅相互接続構造、その形成方法、および該方法による半導体デバイス製造方法 |
WO2012008334A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタル基焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2015042787A (ja) * | 2010-07-16 | 2015-03-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタル基焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP5701879B2 (ja) * | 2010-07-16 | 2015-04-15 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタル基焼結体スパッタリングターゲットの製造方法 |
CN110767604A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-07 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 化合物半导体器件和化合物半导体器件的背面铜制程方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5285898B2 (ja) | 2013-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101110447B1 (ko) | 무전해 도금에 의해 금속 박막을 형성한 도금물 및 그 제조방법 | |
JP4376958B2 (ja) | 無電解めっきにより金属薄膜を形成しためっき物及びその製造方法 | |
JP5268159B2 (ja) | 基板、及びその製造方法 | |
JP2010037622A (ja) | 無電解置換めっきにより銅薄膜を形成しためっき物 | |
FR2929449A1 (fr) | Procede de formation d'une couche d'amorcage de depot d'un metal sur un substrat | |
JP5285898B2 (ja) | 銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を備えた半導体ウェハー | |
JP5300156B2 (ja) | 無電解めっきにより銅薄膜を形成しためっき物 | |
JP6113692B2 (ja) | タンタル基焼結体スパッタリングターゲット | |
JP5268160B2 (ja) | 基板、及びその製造方法 | |
TWI384605B (zh) | 於基材上形成阻障兼種晶層的電子構件 | |
JP4531115B2 (ja) | 基材上にバリア兼シード層が形成された電子部材 | |
JP5399421B2 (ja) | バリア機能を有する金属元素と触媒能を有する金属元素との合金膜を有する基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100813 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130509 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130528 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130603 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5285898 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |