JP2009140894A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1電極と、光取り出し側に設けられた第2電極と、第1電極と第2電極の間に形成された発光層と、を有し、発光層よりも第1電極側に反射面が構成されており、発光層から光取り出し側に発光する光と、発光層から反射面側へ発光し反射面により反射される光とを干渉により強め合わせる発光素子において、発光層で発生し発光素子の面内方向に導波する光を発光素子の外に取り出す周期構造が、干渉の節に形成されている。
【選択図】 図1
Description
第1電極と、光取り出し側に設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極の間に形成された発光層と、を有し、
前記発光層よりも前記第1電極側に反射面が構成されており、前記発光層から前記光取り出し側に発光する光と、前記発光層から前記反射面側へ発光し前記反射面により反射される光とを干渉により強め合わせる発光素子において、
前記発光層で発生し前記発光素子の面内方向に導波する光を前記発光素子の外に取り出す周期構造が、前記干渉の節に形成されていることを特徴とする。
図1に示す構成の有機EL素子を以下に示す方法で作製する。つまり、本実施例1の発光素子は、第1電極と光取り出し側の第2電極との間に発光層を有し、前記発光層よりも前記第1電極側に反射面が構成されている。
まず、基板100上に、透明電極103として、スパッタリングによりITOを190nmの膜厚で形成して電極のパターニングをし、陽極を形成する。素子分離層110の形成以降は実施例1と同様である。つまり、周期構造を有さない構成とされている。
まず、基板100上に、透明電極103として、スパッタリングによりITOを140nmの膜厚で形成する。次に、Alからなる周期構造300の形成までは、実施例1と同様である。この上に、スパッタリングによりITOを35nmの膜厚で形成して電極のパターニングをし、フォトニック結晶付きの陽極を形成する。素子分離層110の形成以降は実施例1と同様である。つまり、反射面による干渉の腹領域に金属の周期構造が配置される構成とされている。
図7に示す構成の有機EL素子を以下に示す方法で作製する。
反射電極102の形成までは、実施例2と同様である。スパッタリングによりIZOを20nmの膜厚で形成して電極のパターニングをし、陽極を形成する。ホール輸送層の形成以降は、実施例2と同様である。つまり、周期構造を有さない構成とされている。
101 有機層
102 反射電極
103 透明電極
103B 反射電極上の透明電極
104 金属半透明電極
104B 誘電体層
105 発光層
106 ホール輸送層
107 電子輸送層
108 ホール注入層
109 電子注入層
110 素子分離層
201 発光点
202 伝播光
203 導波光
204 回折光
300 周期構造
301 光導波路
302 EL発光領域
Claims (7)
- 第1電極と、光取り出し側に設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極の間に形成された発光層と、を有し、
前記発光層よりも前記第1電極側に反射面が構成されており、前記発光層から前記光取り出し側に発光する光と、前記発光層から前記反射面側へ発光し前記反射面により反射される光とを干渉により強め合わせる発光素子において、
前記発光層で発生し前記発光素子の面内方向に導波する光を前記発光素子の外に取り出す周期構造が、前記干渉の節に形成されていることを特徴とする発光素子。 - 前記周期構造が前記反射面から離間する位置に形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記周期構造が4回対称性を有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記周期構造の周期が、125nm以上780nm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記発光素子が有機EL素子であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の発光素子。
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