JP2009128618A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フォトレジスト膜に転写されるパターンの精度を向上させることができるフォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】遮光パターン１５は、露光光の回り込みを防止するために開口パターンの形成が禁止されたパターン形成禁止領域１９、及びその周囲に設けられている。パターン形成禁止領域１９は、ダイシング領域１３の外縁から露光装置においてブラインドの内側を通過した光が当たる領域の外縁までの領域である。パターン形成禁止領域１９の周囲の部分はグローバルフレアを抑制するために設けられている。遮光帯領域１４内のパターン形成禁止領域１９の周囲に、開口部からなる複数の位置精度測定用パターン１６が形成されている。つまり、位置精度測定用パターン１６が遮光パターン１５の一部に形成されている。位置精度測定用パターン１６は回路パターン１２ａと同時に形成され、回路パターン１２ａの位置精度を測定する際に用いられる。
【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、半導体装置を構成する素子分離絶縁領域及びゲートの形成等に用いられるフォトマスク及びその製造方法に関する。

従来、フォトマスクの一種として、集積回路のパターンが形成されたメインパターン領域を取り囲むダイシング領域の周囲に額縁状の遮光帯領域が設けられたブライトフィールドタイプのフォトマスクが用いられている。図６Ａは、従来のブライトフィールドタイプのフォトマスクの構造を示す平面図であり、図６Ｂは、図６Ａ中のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。

このフォトマスク１０１では、基板として透明基板１１１が用いられており、集積回路の回路パターン１１２ａが形成されたメインパターン領域１１２、及びメインパターン領域１１２を取り囲むダイシング領域１１３が存在する。ダイシング領域１１３には、アライメントマーク（図示せず）が形成されている。このアライメントマークは半導体基板上のフォトレジスト膜に転写され、その後の半導体基板と露光装置との位置合わせに用いられる。ダイシング領域１１３の周囲には、遮光パターン１１５を備えた額縁状の遮光帯領域１１４が位置する。遮光パターン１１５は、露光光の回り込みを防止するために設けられている。更に、その周囲には複数の位置精度測定用パターン１１６が形成されている。位置精度測定用パターン１１６は回路パターン１１２ａと同時に形成され、回路パターン１１２ａの位置精度を測定する際に用いられる。また、位置精度測定用パターン１１６から離間してフィディシャルパターン１１７が形成されている。フィディシャルパターン１１７はフォトマスク１０１と露光装置との位置合わせに用いられる。また、位置精度測定用パターン１１６等を内包するペリクル１１８が設けられている。フィディシャルパターン１１７はペリクル１１８の外側に位置する。なお、図６Ａでは、ペリクル１１８の膜を省略し、ペリクル１１８の枠のみを図示してある。

このようなフォトマスク１０１の製造には、ネガ型の電子線レジスト膜が一般的に使用されている。このため、電子線によって描画された部分が残しパターンとなる。従って、描画時間の短縮のために、遮光パターン１１５の面積は小さいほど好ましい。また、位置精度測定用パターン１１６はメインパターン領域１１２に近いことが好ましい。従って、露光装置にも依存するが、その幅は一般的に１．５ｍｍ〜２ｍｍとされている。

また、フィディシャルパターン１１７は半導体基板上のフォトレジスト膜に転写されてはいけないため、必ず遮光帯領域１１４よりも外側に配置されている。また、フィディシャルパターン１１７は残しパターンである。これは、露光装置に、フィディシャルパターン１１７を高い精度で認識させるためである。また、ネガ型の電子線レジスト膜を用いた場合、残しパターンであるフィディシャルパターン１１７を、高い位置精度で形成することができるという利点もある。

次に、従来のブライトフィールドタイプのフォトマスクの製造方法について説明する。図７Ａ〜図７Ｄは、従来のフォトマスクの製造方法を工程順に示す断面図である。

先ず、図７Ａに示すように、透明基板１１１上に遮光膜１３１及びネガ型の電子線レジスト膜１３２をこの順で形成する。

次いで、図７Ｂに示すように、電子線レジスト膜１３２に対する描画及び現像を行うことにより、レジストパターン１３２ａ、レジストパターン１３２ｂ、レジストパターン１３２ｃ、及びレジストパターン１３２ｄを形成する。レジストパターン１３２ａは、回路パターン１１２ａを形成する予定の領域に形成される。レジストパターン１３２ｂは、遮光パターン１１５を形成する予定の領域に形成される。レジストパターン１３２ｃは、位置精度測定用パターン１１６を形成する予定の領域に形成される。レジストパターン１３２ｄは、フィディシャルパターン１１７を形成する予定の領域に形成される。

その後、図７Ｃに示すように、レジストパターン１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ及び１３２ｄをマスクとして遮光膜１３１をエッチングすることにより、回路パターン１１２ａ、遮光パターン１１５、位置精度測定用パターン１１６、及びフィディシャルパターン１１７を残しパターンとして形成する。

続いて、図７Ｄに示すように、レジストパターン１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ及び１３２ｄを除去する。その後、ペリクル（図示せず）を貼り付ける。

しかしながら、幅が１．５ｍｍ〜２ｍｍ程度の遮光パターン１１５を用いると、回路パターン１１２ａのフォトレジスト膜への転写の際に、露光装置の照明系及びレンズでの反射に起因するグローバルフレアが生じる。この結果、回路パターン１１２ａに露光光がかぶり、フォトレジスト膜に転写されるパターンの寸法精度が低下することがある。露光光のかぶりは、多い場合には露光エネルギーの１％程度にも達する。

特開２００２−１０７９１１号公報 特開２００５−７０６７２号公報 特開平４−２１８０４７号公報

本発明の目的は、フォトレジスト膜に転写されるパターンの精度を向上させることができるフォトマスク及びその製造方法を提供することにある。

グローバルフレアの影響を低減する方法として、遮光帯領域１１４を広げることが考えられる。例えば、図８に示すように、遮光パターン１１５よりも幅が広い遮光パターン１２５を用いることが考えられる。

しかしながら、遮光帯領域１１４を広げると、位置精度測定用パターン１１６をメインパターン領域１１６から離間させる必要がある。上述のように、位置精度測定用パターン１１６は、回路パターン１１２ａの位置精度を測定する際に用いられるため、これが回路パターン１１２ａから離間するほど、位置精度の妥当性及び信頼性が低下してしまう。位置精度の妥当性及び信頼性が低いフォトマスクを使用すると、フォトレジスト膜に転写されるパターンの精度が低下してしまう。

また、メインパターン領域１１２及びダイシング領域１１３の外側にはフィディシャルパターン１１７が位置しているため、メインパターン領域１１２が大きい場合に遮光帯領域１１４を広げると、位置精度測定用パターン１１６を設ける場所がなくなってしまう。

本願発明者は、上記課題を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。

第１の態様に係るフォトマスクには、透明基板上に形成された回路パターンを含むメインパターン領域と、前記メインパターン領域を囲むように形成された遮光帯領域と、が設けられており、更に、前記遮光帯領域内に配置された開口部よりなる前記回路パターンの位置精度の測定用パターンが設けられている。

第２の態様に係るフォトマスクの製造方法では、透明基板上にクロムを含む膜を成膜し、その後、前記クロムを含む膜上にネガレジストを塗布する。次いで、前記ネガレジストを露光及び現像し、ネガレジストパターンを形成する。その後、前記ネガレジストパターンをマスクとして、前記クロムを含む膜をエッチングし、回路パターンを含むメインパターン領域と、前記メインパターン領域の周囲に位置する遮光帯領域と、前記遮光帯領域内に位置する開口部からなる前記回路パターンの位置精度の測定用パターンとを形成する。

上記のフォトマスク及びその製造方法によれば、回路パターンの位置精度の測定用パターンが開口部からなるものとして遮光帯領域内に配置されるため、遮光帯領域を広げても位置精度の測定結果の妥当性及び信頼性を確保することができる。従って、フォトレジスト膜に転写されるパターンの精度を向上させることができる。

以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１Ａは、本発明の実施形態に係るフォトマスクの構造を示す平面図であり、図１Ｂは、図１Ａ中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

本実施形態に係るフォトマスク１では、基板として透明基板１１が用いられており、集積回路の回路パターン１２ａが形成されたメインパターン領域１２、及びメインパターン領域１２を取り囲むダイシング領域１３が存在する。ダイシング領域１３には、アライメントマーク（図示せず）が形成されている。このアライメントマークは半導体基板上のフォトレジスト膜に転写され、その後の半導体基板と露光装置との位置合わせに用いられる。ダイシング領域１３の周囲には、遮光パターン１５を備えた額縁状の遮光帯領域１４が位置する。遮光パターン１５は、露光光の回り込み（多重露光）を防止するために開口パターンの形成が禁止されたパターン形成禁止領域１９、及びその周囲に設けられている。パターン形成禁止領域１９は、ダイシング領域１３の外縁から露光装置においてブラインドの内側を通過した光が当たる領域の外縁までの領域である。パターン形成禁止領域１９の周囲の部分はグローバルフレアを抑制するために設けられている。パターン形成禁止領域１９の幅は、従来の遮光パターン１１５と同様に、１．５ｍｍ〜２ｍｍ程度である。１．５ｍｍ未満の場合、多重露光の抑制が不十分になることがある。一方、２ｍｍを超える場合、後述の位置精度測定用パターン１６とメインパターン領域１２との距離が大きくなりすぎることがある。また、遮光パターン１５の幅は、露光装置にも依存するが、１６ｍｍ以上であることが好ましい。グローバルフレアを確実に抑制するためである。

更に、遮光帯領域１４内のパターン形成禁止領域１９の周囲に、開口部からなる複数の位置精度測定用パターン１６が形成されている。つまり、位置精度測定用パターン１６が遮光パターン１５の一部に形成されている。位置精度測定用パターン１６の形状は、十字型であり、各線部の幅及び長さは、夫々２μｍ、４０μｍである。位置精度測定用パターン１６は回路パターン１２ａと同時に形成され、回路パターン１２ａの位置精度を測定する際に用いられる。

また、遮光帯領域１４から離間してフィディシャルパターン１７が形成されている。フィディシャルパターン１７はフォトマスク１と露光装置との位置合わせに用いられる。また、遮光帯領域１４等を内包するペリクル１８が設けられている。フィディシャルパターン１７はペリクル１８の外側に位置する。なお、図１Ａでは、ペリクル１８の膜を省略し、ペリクル１８の枠のみを図示してある。

このように構成されたフォトマスク１では、位置精度測定用パターン１６の位置は遮光パターン１５の幅の影響を受けない。従って、位置精度測定用パターン１６をパターン形成禁止領域１９の直近に設けることが可能である。このため、回路パターン１２ａの位置精度の妥当性及び信頼性を高く維持することができる。つまり、遮光パターン１５及び遮光帯領域１４の面積を大きくしてグローバルフレアの影響を低減しながら、精度の妥当性及び信頼性を確保することができる。この結果、フォトレジスト膜に転写されるパターンの精度を向上させることができる。

なお、位置精度測定用パターン１６の開口量はわずかでも十分である。従って、位置精度測定用パターン１６が開口パターンとして形成されても、位置精度測定用パターン１６に伴うフレアのフォトレジスト膜に転写されるパターンの精度への影響は無視し得る程度である。

次に、上述のようなフォトマスク１が用いられる露光装置について説明する。図２は、露光装置の概要を示す模式図である。

露光装置には、露光光を発する光源２１、光源２１から発せられた光を集めるコンデンサレンズ２２、及びコンデンサレンズ２２を透過した光の一部を遮るブラインド２３が設けられている。フォトマスク１は、ブラインド２３よりも被加工材側に配置される。露光装置には、更に、フォトマスク１を透過した光を被加工材に投影する投影レンズ２４が設けられている。なお、被加工材であるフォトレジスト膜２８が形成された半導体基板２８は、ステージ２５上のチャック２６に固定される。

このような露光装置を用いて露光を行うと、遮光パターン１５のうちでパターン形成禁止領域１９内の部分によって、露光光の回り込みに伴う多重露光が防止される。また、遮光パターン１５のうちでパターン形成禁止領域１９の周囲に位置する部分（位置精度測定用パターン１６を含む部分）によって、グローバルフレアが抑制される。従って、メインパターン領域１２内の回路パターン１２ａ及びダイシング領域１３内のアライメントマーク（図示せず）が、高い精度でフォトレジスト膜２９に転写される。なお、ブラインド２３の内側を通過した光が位置精度測定用パターン１６に直接当たることはない。

次に、フォトマスク１を製造する方法について説明する。図３Ａ〜図３Ｅは、フォトマスク１の製造方法を工程順に示す断面図である。

先ず、図３Ａに示すように、透明基板１１上に遮光膜３１及びネガ型の電子線レジスト膜３２をこの順で形成する。遮光膜３１としては、例えばクロム膜及びクロム酸化物膜からなる積層体を形成する。

次いで、図３Ｂに示すように、電子線レジスト膜３２に対する描画及び現像を行うことにより、レジストパターン３２ａ、十字型の開口部３２ｃを含むレジストパターン３２ｂ及びレジストパターン３２ｄを形成する。レジストパターン３２ａは、回路パターン１２ａを形成する予定の領域に形成される。レジストパターン３２ｂは、遮光パターン１５を形成する予定の領域に形成される。開口部３２ｃは、位置精度測定用パターン１６を形成する予定の領域に形成される。レジストパターン３２ｄは、フィディシャルパターン１７を形成する予定の領域に形成される。

その後、図３Ｃに示すように、レジストパターン３２ａ、３２ｂ及び３２ｄをマスクとして遮光膜３１をエッチングすることにより、回路パターン１２ａ、位置精度測定用パターン１６を含む遮光パターン１５、及びフィディシャルパターン１７を残しパターンとして形成する。このとき、位置精度測定用パターン１６は開口パターンとして形成される。

続いて、図３Ｄに示すように、レジストパターン３２ａ、３２ｂ及び３２ｄを除去する。そして、位置精度測定用パターン１６の位置精度を測定する。この測定の結果、位置精度が所定値以上であれば、回路パターン１２ａの位置精度も所定のものとなっているとみなす。一方、位置精度測定用パターン１６の位置精度が所定値に達していなければ、回路パターン１２ａの位置精度も所定のものになっていないとみなす。

次いで、欠陥検査及び必要に応じた欠陥修正を行い、図３Ｅに示すように、ペリクル１８を貼り付ける。このようにしてフォトマスク１を完成させる。

この製造方法では、回路パターン１２ａの位置精度の測定を、メインパターン領域１２に近い位置精度測定用パターン１６の位置精度の測定で代用しているため、その信頼性及び妥当性が高い。

なお、位置精度測定用パターン１６の形状は十字型である必要はない。但し、互いに直交する２方向に延びる直線部を備えていることが好ましい。また、直線部の長さは数μｍ以上であることが好ましい。例えば、Ｌ字型又は長方形であってもよい。また、これらの複数種類の形状が組み合わされていてもよい。また、回路パターン１２ａの一部に類似した形状であってもよい。

また、位置精度測定用パターン１６の数も特に限定されない。但し、矩形のメインパターン領域１２に対しては、その４隅に対応して少なくとも４個が設けられていることが好ましい。

また、フォトマスクはバイナリ型のものに限定されない。例えば、レベンソン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクに本発明を適用することもできる。レベンソン型位相シフトマスクでは、位置精度測定用パターンの他に、位相精度測定用パターンが必要とされるが、これをパターン形成禁止領域の外側に開口パターンとして形成することができる。また、ハーフトーン型位相シフトマスクでは、位置精度測定用パターンの他に、位相・透過率精度測定用パターンが必要とされるが、これをパターン形成禁止領域の外側に開口パターンとして形成することができる。位相シフトマスクでは、回路パターンの位置精度だけでなく、位相シフターの精度も転写されるパターンの精度に大きく影響を及ぼす。従って、位相シフターの位相精度の測定に用いるパターンもメインパターン領域に近く位置していることが好ましい。本発明では、遮光帯領域の拡大に伴うこれらのパターンの位置変更は必要とされないため、位相精度の測定結果の妥当性及び信頼性を確保することができる。

図４Ａ及び図４Ｂに、レベンソン型位相シフトマスクにおける位相精度測定用パターンの例を示す。なお、図４Ｂは、図４Ａ（平面図）中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。例えば、透明基板４１上に、複数の開口部４４が形成された遮光膜４２形成されている。例えば、開口部４４の形状は長方形であり、その幅は５μｍであり、開口部４４は同一の方向に延びており、それらの間隔も５μｍである。つまり、ラインアンドスペースパターンが遮光膜４２に形成されている。また、透明基板４１の表面には、位相シフターとして凹部４３が開口部４４の一つおきに形成されている。凹部４３の深さは露光光の波長に応じて決定され、ＡｒＦレーザが光源として用いられる場合、約１７０ｎｍである。

図５に、ハーフトーン型位相シフトマスクにおける位相・透過率精度測定用パターンの例を示す。例えば、透明基板５１上に「田」の字型の開口部５４が形成されたハーフトーン膜５２が形成されている。例えば、中央の十字型の部分の幅は６μｍであり、「口」の字型の部分の長さは１５０μｍである。

なお、特許文献１には、位相シフトマスクの製造に当たって、メインパターンと同時にアライメントマークを描画し、その後、アライメントマークを基準として２度目の描画を行うことが記載されている。このアライメントマークは開口パターンとして形成されているが、位置精度測定用パターンとして用いることはできない。これは、その用途から特許文献１の表１〜表３に記載されているように、メインパターンから遠く離間した位置に形成されるからであり、むしろフィディシャルパターン（露光装置用アライメントパターン）に類似している。

以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。

（付記１）
透明基板上に形成された回路パターンを含むメインパターン領域と、
前記メインパターン領域を囲むように形成された遮光帯領域と、
前記遮光帯領域内に配置された開口部よりなる前記回路パターンの位置精度の測定用パターンと、
を有することを特徴とするフォトマスク。

（付記２）
さらに、前記遮光帯領域の外側に残しパターンで形成された露光装置用アライメントパターンを有することを特徴とする付記１に記載のフォトマスク。

（付記３）
前記メインパターン領域の外側にダイシング領域を有し、
前記遮光帯領域は、前記ダイシング領域の外側であって、前記露光装置用アライメントパターンの内側に形成されていることを特徴とする付記２に記載のフォトマスク。

（付記４）
前記遮光帯領域は、前記メインパターン領域の外側に位置するパターン形成禁止領域を含み、
前記位置精度の測定用パターンは、前記パターン形成禁止領域の外側に形成されていることを特徴とする付記１に記載のフォトマスク。

（付記５）
前記遮光帯領域は、少なくともクロムを含む膜を有することを特徴とする付記１に記載のフォトマスク。

（付記６）
さらに、前記遮光帯領域内に配置された開口部よりなる前記回路パターンの位相精度の測定用パターンを有することを特徴とする付記１に記載のフォトマスク。

（付記７）
さらに、前記遮光帯領域内に配置された開口部よりなる前記回路パターンの透過率精度の測定用パターンを有することを特徴とする付記１に記載のフォトマスク。

（付記８）
前記遮光帯領域の幅は１６ｍｍ以上であることを特徴とする付記１に記載のフォトマスク。

（付記９）
前記パターン形成禁止領域の幅は１．５ｍｍ乃至２ｍｍであることを特徴とする付記４に記載のフォトマスク。

（付記１０）
透明基板上にクロムを含む膜を成膜する工程と、
前記クロムを含む膜上にネガレジストを塗布する工程と、
前記ネガレジストを露光及び現像し、ネガレジストパターンを形成する工程と、
前記ネガレジストパターンをマスクとして、前記クロムを含む膜をエッチングし、回路パターンを含むメインパターン領域と、前記メインパターン領域の周囲に位置する遮光帯領域と、前記遮光帯領域内に位置する開口部からなる前記回路パターンの位置精度の測定用パターンとを形成する工程と、
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。

（付記１１）
前記クロムを含む膜のエッチングにより、さらに、前記遮光帯領域の外側に残しパターンからなる露光装置用アライメントパターンを形成することを特徴とする付記１０に記載のフォトマスクの製造方法。

（付記１２）
前記メインパターン領域の外側にダイシング領域を設け、
前記遮光帯領域を、前記ダイシング領域の外側であって、前記露光装置用アライメントパターンの内側に位置させることを特徴とする付記１１に記載のフォトマスクの製造方法。

（付記１３）
前記遮光帯領域内に、前記メインパターン領域の外側に位置するパターン形成禁止領域を含ませ、
前記位置精度の測定用パターンを、前記パターン形成禁止領域の外側に位置させることを特徴とする付記１０に記載のフォトマスクの製造方法。

（付記１４）
前記クロムを含む膜のエッチングにより、さらに、開口部よりなる前記回路パターンの位相精度の測定用パターンを前記遮光帯領域内に形成することを特徴とする付記１０に記載のフォトマスクの製造方法。

（付記１５）
前記クロムを含む膜のエッチングにより、さらに、開口部よりなる前記回路パターンの透過率精度の測定用パターンを前記遮光帯領域内に形成することを特徴とする付記１０に記載のフォトマスクの製造方法。

本発明の実施形態に係るフォトマスクの構造を示す平面図である。 図１Ａ中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。 露光装置の概要を示す模式図である。 フォトマスク１の製造方法を示す断面図である。 図３Ａに引き続き、フォトマスク１の製造方法を示す断面図である。 図３Ｂに引き続き、フォトマスク１の製造方法を示す断面図である。 図３Ｃに引き続き、フォトマスク１の製造方法を示す断面図である。 図３Ｄに引き続き、フォトマスク１の製造方法を示す断面図である。 レベンソン型位相シフトマスクにおける位相精度測定用パターンを示す平面図である。 図４Ａ中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。 ハーフトーン型位相シフトマスクにおける位相・透過率精度測定用パターンを示す平面図である。 従来のブライトフィールドタイプのフォトマスクの構造を示す平面図である。 図６Ａ中のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 従来のフォトマスクの製造方法を示す断面図である。 図７Ａに引き続き、フォトマスクの製造方法を示す断面図である。 図７Ｂに引き続き、フォトマスクの製造方法を示す断面図である。 図７Ｃに引き続き、フォトマスクの製造方法を示す断面図である。 広い遮光帯領域を備えたフォトマスクの例を示す模式図である。

符号の説明

１：フォトマスク
１１：透明基板
１２：メインパターン領域
１２ａ：回路パターン
１３：ダイシング領域
１４：遮光帯領域
１５：遮光パターン
１６：位置精度測定用パターン
１７：露光装置用アライメントパターン
１８：ペリクル
１９：パターン形成禁止領域
４１：透明基板
４２：遮光膜
４３：凹部
４４：開口部
５１：透明基板
５２：ハーフトーン膜
５４：開口部

Claims (10)

1. 透明基板上に形成された回路パターンを含むメインパターン領域と、
   前記メインパターン領域を囲むように形成された遮光帯領域と、
   前記遮光帯領域内に配置された開口部よりなる前記回路パターンの位置精度の測定用パターンと、
   を有することを特徴とするフォトマスク。
2. さらに、前記遮光帯領域の外側に残しパターンで形成された露光装置用アライメントパターンを有することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
3. 前記メインパターン領域の外側にダイシング領域を有し、
   前記遮光帯領域は、前記ダイシング領域の外側であって、前記露光装置用アライメントパターンの内側に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のフォトマスク。
4. 前記遮光帯領域は、前記メインパターン領域の外側に位置するパターン形成禁止領域を含み、
   前記位置精度の測定用パターンは、前記パターン形成禁止領域の外側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
5. 前記遮光帯領域は、少なくともクロムを含む膜を有することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
6. さらに、前記遮光帯領域内に配置された開口部よりなる前記回路パターンの位相精度の測定用パターンを有することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
7. さらに、前記遮光帯領域内に配置された開口部よりなる前記回路パターンの透過率精度の測定用パターンを有することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
8. 透明基板上にクロムを含む膜を成膜する工程と、
   前記クロムを含む膜上にネガレジストを塗布する工程と、
   前記ネガレジストを露光及び現像し、ネガレジストパターンを形成する工程と、
   前記ネガレジストパターンをマスクとして、前記クロムを含む膜をエッチングし、回路パターンを含むメインパターン領域と、前記メインパターン領域の周囲に位置する遮光帯領域と、前記遮光帯領域内に位置する開口部からなる前記回路パターンの位置精度の測定用パターンとを形成する工程と、
   を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
9. 前記クロムを含む膜のエッチングにより、さらに、前記遮光帯領域の外側に残しパターンからなる露光装置用アライメントパターンを形成することを特徴とする請求項８に記載のフォトマスクの製造方法。
10. 前記遮光帯領域内に、前記メインパターン領域の外側に位置するパターン形成禁止領域を含ませ、
    前記位置精度の測定用パターンを、前記パターン形成禁止領域の外側に位置させることを特徴とする請求項８に記載のフォトマスクの製造方法。

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