JP3052064B2 - オーバレーマーク - Google Patents
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- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/975—Substrate or mask aligning feature
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は整列（ａｌｉｇｎｍ
ｅｎｔ）技術に関し、より詳しくは、半導体素子のパタ
ーン形成のための整列工程時に適用されるオーバレーマ
ークに関する。
ｅｎｔ）技術に関し、より詳しくは、半導体素子のパタ
ーン形成のための整列工程時に適用されるオーバレーマ
ークに関する。
【０００２】
【従来の技術】マスク上のパターンを、パターン対象層
上に塗布された感光膜上に正確に転写（Ｔｒａｎｓｆｅ
ｒ）するためには、露光エネルギーと露光フォーカスの
２つの重要な工程変数の調節が必要である。露光された
感光膜から露光エネルギーを測定する従来の方法では、
ＣＤ−ＳＥＭ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ
−Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ）のような装備を利用して、感光膜パターンを
直接的に測定する方法が使用されており、フォーカスを
測定する方法では、フォーカスによるパターンの変化
を、ＣＤ−ＳＥＭや光学顕微鏡のような装備を利用して
パターンを観察する方法が用いられる。
上に塗布された感光膜上に正確に転写（Ｔｒａｎｓｆｅ
ｒ）するためには、露光エネルギーと露光フォーカスの
２つの重要な工程変数の調節が必要である。露光された
感光膜から露光エネルギーを測定する従来の方法では、
ＣＤ−ＳＥＭ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ
−Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ）のような装備を利用して、感光膜パターンを
直接的に測定する方法が使用されており、フォーカスを
測定する方法では、フォーカスによるパターンの変化
を、ＣＤ−ＳＥＭや光学顕微鏡のような装備を利用して
パターンを観察する方法が用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来で
は、正確な露光エネルギーと正確なフォーカスとを得る
ために対象パターンを直接探知するため、露光エネルギ
ーやフォーカスを測定するのに長時間を要し、ウェーハ
内またフィールド内で多数の場所を測定するのに困難が
伴う問題点を有する。
は、正確な露光エネルギーと正確なフォーカスとを得る
ために対象パターンを直接探知するため、露光エネルギ
ーやフォーカスを測定するのに長時間を要し、ウェーハ
内またフィールド内で多数の場所を測定するのに困難が
伴う問題点を有する。
【０００４】従って、本発明の目的は、短時間内にフォ
ーカスの変化と露光エネルギーとを測定することであ
る。
ーカスの変化と露光エネルギーとを測定することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
るオーバレーマークは、四角形帯の内部光遮断パター
ン、前記内部光遮断パターンと所定距離をおいて離隔
し、これを囲む四角形帯状の外部光遮断パターン、前記
内部光遮断パターンの左側の外部面及び前記内部光遮断
パターンの右側の内部面に配置され、前記外部光遮断パ
ターンの左側の内部面及び前記外部光遮断パターンの右
側の外部面に配置される半透過性パターン、左側，右側
及び上部での前記内部光遮断パターンと前記前記外部光
遮断パターン間、前記内部光遮断パターンと前記外部光
遮断パターンを対角線に４等分した状態での前記内部光
遮断パターン内側の底面部及び前記外部光遮断パターン
外側の下部面に位置する位相偏移領域、及び、前記内部
光遮断パターンと前記外部光遮断パターンを対角線に４
等分した状態での前記内部光遮断パターン内側の底面部
を除外した内部光遮断パターン内側及び下部での前記内
部光遮断パターンと前記外部光遮断パターン間に位置す
る光透過性領域を含むことを特徴とする。
るオーバレーマークは、四角形帯の内部光遮断パター
ン、前記内部光遮断パターンと所定距離をおいて離隔
し、これを囲む四角形帯状の外部光遮断パターン、前記
内部光遮断パターンの左側の外部面及び前記内部光遮断
パターンの右側の内部面に配置され、前記外部光遮断パ
ターンの左側の内部面及び前記外部光遮断パターンの右
側の外部面に配置される半透過性パターン、左側，右側
及び上部での前記内部光遮断パターンと前記前記外部光
遮断パターン間、前記内部光遮断パターンと前記外部光
遮断パターンを対角線に４等分した状態での前記内部光
遮断パターン内側の底面部及び前記外部光遮断パターン
外側の下部面に位置する位相偏移領域、及び、前記内部
光遮断パターンと前記外部光遮断パターンを対角線に４
等分した状態での前記内部光遮断パターン内側の底面部
を除外した内部光遮断パターン内側及び下部での前記内
部光遮断パターンと前記外部光遮断パターン間に位置す
る光透過性領域を含むことを特徴とする。
【０００６】請求項２記載の発明に係るオーバレーマー
クは、位相偏移領域の位相偏移が４５゜から１３５°の
範囲であることを特徴とする。
クは、位相偏移領域の位相偏移が４５゜から１３５°の
範囲であることを特徴とする。
【０００７】請求項３記載の発明に係るオーバレーマー
クは、位相偏移領域の位相偏移が９０°であることを特
徴とする。
クは、位相偏移領域の位相偏移が９０°であることを特
徴とする。
【０００８】請求項４記載の発明に係るオーバレーマー
クは、半透過領域の光透過率が３０％から５０％である
ことを特徴とする。
クは、半透過領域の光透過率が３０％から５０％である
ことを特徴とする。
【０００９】請求項５記載の発明に係るオーバレーマー
クは、半透過領域の光透過率が４０％であることを特徴
とする。
クは、半透過領域の光透過率が４０％であることを特徴
とする。
【００１０】請求項６記載の発明に係るオーバレーマー
クは、オーバレーマークが形成される感光膜がポジティ
ブ感光膜またはネガティブ感光膜であることを特徴とす
る。
クは、オーバレーマークが形成される感光膜がポジティ
ブ感光膜またはネガティブ感光膜であることを特徴とす
る。
【００１１】請求項７記載の発明に係るオーバレーマー
クは、オーバレーマークの形成のために照射される光
が、Ｇ−ライン、ｉ−ライン、及びＤＵＶ−ラインの波
長を有するビームから選択されることを特徴とする。
クは、オーバレーマークの形成のために照射される光
が、Ｇ−ライン、ｉ−ライン、及びＤＵＶ−ラインの波
長を有するビームから選択されることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形
態における露光エネルギーとフォーカスとを同時に測定
するためのオーバレーマークが備えられたマスクを示す
平面図である。図１を参照すると、オーバレーマーク
は、マスク上の所定領域に位置し、位置によって光遮断
パターン１、透過度が４０％程度の半透過性パターン
２、９０゜位相偏移（Ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔ）領域３
及び、光透過領域４とを含む。
明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形
態における露光エネルギーとフォーカスとを同時に測定
するためのオーバレーマークが備えられたマスクを示す
平面図である。図１を参照すると、オーバレーマーク
は、マスク上の所定領域に位置し、位置によって光遮断
パターン１、透過度が４０％程度の半透過性パターン
２、９０゜位相偏移（Ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔ）領域３
及び、光透過領域４とを含む。
【００１３】光遮断パターン１は一般的にクロームから
なり、９０゜位相偏移領域３及び光透過領域４は石英基
板からなる。内側に位置する光遮断パターンを内部ボッ
クスといい、外側に位置する光遮断パターンを外部ボッ
クスという。
なり、９０゜位相偏移領域３及び光透過領域４は石英基
板からなる。内側に位置する光遮断パターンを内部ボッ
クスといい、外側に位置する光遮断パターンを外部ボッ
クスという。
【００１４】露光エネルギーとフォーカスを同時に測定
するために、オーバレーマークの内部ボックスと外部ボ
ックスの左側部分と右側部分の半透過性パターンは非対
称構造に配列されるが、図１に示されたオーバレーマー
クで、外部ボックスの左側には、左側から右側方向に光
透過領域４、光遮断パターン１、半透過パターン２及
び、９０゜位相偏移領域３が位置し、外部ボックスの右
側は、左側から右側方向に９０゜位相偏移領域３、光遮
断パターン１及び、半透過パターン２が位置する。
するために、オーバレーマークの内部ボックスと外部ボ
ックスの左側部分と右側部分の半透過性パターンは非対
称構造に配列されるが、図１に示されたオーバレーマー
クで、外部ボックスの左側には、左側から右側方向に光
透過領域４、光遮断パターン１、半透過パターン２及
び、９０゜位相偏移領域３が位置し、外部ボックスの右
側は、左側から右側方向に９０゜位相偏移領域３、光遮
断パターン１及び、半透過パターン２が位置する。
【００１５】また、内部ボックスの左側には、左側から
右側方向に９０゜位相偏移領域３、半透過パターン２、
光遮断パターン１、光透過領域４が位置し、内部ボック
スの右側は、左側から右側方向に光透過領域４、半透過
パターン２、光遮断パターン１及び、半透過パターン２
が位置する。
右側方向に９０゜位相偏移領域３、半透過パターン２、
光遮断パターン１、光透過領域４が位置し、内部ボック
スの右側は、左側から右側方向に光透過領域４、半透過
パターン２、光遮断パターン１及び、半透過パターン２
が位置する。
【００１６】そして、前記マスクを外部ボックスと内部
ボックスとの対角線方向に切断する場合、内部ボックス
の内側の底部面に、位相偏移領域３が備えられ、内部ボ
ックスと外部ボックス間の下部面は、光透過領域４が備
えられ、外部ボックスの下部側には９０゜位相偏移領域
３が備えられる。即ち、Ｙ軸方向に位相偏移領域が非対
称構造で配列される。
ボックスとの対角線方向に切断する場合、内部ボックス
の内側の底部面に、位相偏移領域３が備えられ、内部ボ
ックスと外部ボックス間の下部面は、光透過領域４が備
えられ、外部ボックスの下部側には９０゜位相偏移領域
３が備えられる。即ち、Ｙ軸方向に位相偏移領域が非対
称構造で配列される。
【００１７】図２（Ａ）は、図１のＩ−Ｉ線に沿って切
断した断面図で、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のマスクを利
用してポジティブレジストに露光工程を実施するときの
マスクによって焦点面（ＦｏｃａｌＰｌａｎｅ）に生成
される光の強さの分布を示した、エアリアルイメージ
（Ａｅｒｉａｌ Ｉｍａｇｅ）を示す。
断した断面図で、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のマスクを利
用してポジティブレジストに露光工程を実施するときの
マスクによって焦点面（ＦｏｃａｌＰｌａｎｅ）に生成
される光の強さの分布を示した、エアリアルイメージ
（Ａｅｒｉａｌ Ｉｍａｇｅ）を示す。
【００１８】図２（Ａ）を参照すると、石英基板は、一
側が位相が変化しない部分で、他側の位相が９０゜程度
に変化する部分であって、クロームパターン１は、前記
部分の下面の縁部に形成される。
側が位相が変化しない部分で、他側の位相が９０゜程度
に変化する部分であって、クロームパターン１は、前記
部分の下面の縁部に形成される。
【００１９】前記マスクを利用して露光する場合におい
て、エアリアル（Ａｅｒｉａｌ）イメージは図２（Ｂ）
に示すように現れる。
て、エアリアル（Ａｅｒｉａｌ）イメージは図２（Ｂ）
に示すように現れる。
【００２０】図２（Ｂ）において実線は、Ｚｅｒｏディ
フォーカス（Ｄｅｆｏｃｕｓ）を示し、点線は（＋）デ
ィフォーカスと（−）ディフォーカスをそれぞれ示す。
Ｚｅｒｏディフォーカスは、プロジェックションレンズ
から感光膜に照射された光の焦点面（Ｆｏｃａｌ Ｐｌ
ａｎｅ） が、感光膜と同一面上にある場合に発生し、
（＋）ディフォーカスは、パターン形成のための感光膜
が、光の集中点より上部に位置する場合に、（−）ディ
フォーカスはパターン形成のための感光膜が光の集中点
より下部に位置する場合に発生するようになる。
フォーカス（Ｄｅｆｏｃｕｓ）を示し、点線は（＋）デ
ィフォーカスと（−）ディフォーカスをそれぞれ示す。
Ｚｅｒｏディフォーカスは、プロジェックションレンズ
から感光膜に照射された光の焦点面（Ｆｏｃａｌ Ｐｌ
ａｎｅ） が、感光膜と同一面上にある場合に発生し、
（＋）ディフォーカスは、パターン形成のための感光膜
が、光の集中点より上部に位置する場合に、（−）ディ
フォーカスはパターン形成のための感光膜が光の集中点
より下部に位置する場合に発生するようになる。
【００２１】Ｚｅｒｏディフォーカスの場合、光が１０
０％透過される光透過領域３、４の下部には光の強さが
高い反面、光遮断パターン１と、前記光遮断パターンに
隣接した９０゜位相偏移領域の所定部分には、光の強さ
がほぼ０として現れる。
０％透過される光透過領域３、４の下部には光の強さが
高い反面、光遮断パターン１と、前記光遮断パターンに
隣接した９０゜位相偏移領域の所定部分には、光の強さ
がほぼ０として現れる。
【００２２】（＋）ディフォーカスや（−）ディフォー
カスの場合、光の強さが０に現れる位置は、Ｚｅｒｏデ
ィフォーカスに比して、右側、または左側に偏移され
る。
カスの場合、光の強さが０に現れる位置は、Ｚｅｒｏデ
ィフォーカスに比して、右側、または左側に偏移され
る。
【００２３】図３（Ａ）は、図１のマスクをＩＩ−ＩＩ
線に沿って切断した断面図であり、図３（Ｂ）は図３
（Ａ）のパターンで現れるエアリアルイメージを図示し
たものである。
線に沿って切断した断面図であり、図３（Ｂ）は図３
（Ａ）のパターンで現れるエアリアルイメージを図示し
たものである。
【００２４】図３（Ａ）を参照すると、石英基板の下部
面に位置する狭い光遮断パターン１のすぐ隣には、透過
度が約４０％程度の半透過パターン２の狭い線が付いて
いる。リソグラフィ工程を使用して形成するパターンが
ラインまたはスペースパターンの場合、レジストの露光
エネルギーは分岐エネルギー（ＴｈｒｅｓｈｏｌｄＥｎ
ｅｒｇｙ Ｅｔｈ）に比して、約２−３倍程度とならな
ければならない。ここにおいて、分岐エネルギーはレジ
スト現像液によって完全に除去されるために要求され
る、最小限の光エネルギーである。
面に位置する狭い光遮断パターン１のすぐ隣には、透過
度が約４０％程度の半透過パターン２の狭い線が付いて
いる。リソグラフィ工程を使用して形成するパターンが
ラインまたはスペースパターンの場合、レジストの露光
エネルギーは分岐エネルギー（ＴｈｒｅｓｈｏｌｄＥｎ
ｅｒｇｙ Ｅｔｈ）に比して、約２−３倍程度とならな
ければならない。ここにおいて、分岐エネルギーはレジ
スト現像液によって完全に除去されるために要求され
る、最小限の光エネルギーである。
【００２５】これを勘案するとき、前記半透過パターン
２を透過した４０％程度の透過エネルギーはＥｔｈ近所
値で、このエネルギーだけでもレジストが現像工程で全
部除去される場合もあり、また全部除去されない場合も
ある。すなわち、この付近で露光エネルギーの小さな変
化が、レジストパターンの大きさにすぐ影響を及ぼすよ
うになるので、本実施の形態のオーバレーマークに備え
られた半透過パターンは、露光エネルギーの微細な変化
を感知することができる基板となる。
２を透過した４０％程度の透過エネルギーはＥｔｈ近所
値で、このエネルギーだけでもレジストが現像工程で全
部除去される場合もあり、また全部除去されない場合も
ある。すなわち、この付近で露光エネルギーの小さな変
化が、レジストパターンの大きさにすぐ影響を及ぼすよ
うになるので、本実施の形態のオーバレーマークに備え
られた半透過パターンは、露光エネルギーの微細な変化
を感知することができる基板となる。
【００２６】前記実施の形態で適用された位相偏移領域
は９０゜の場合を例としたが、位相偏移領域は４５゜乃
至１３５゜まで位相偏移されるようにすることができ
る。また、前記半透過パターンは、光透過率も３０％か
ら５０％であるものを使用することが出来る。併せて、
前記露光マスクを利用して露光するレジストとしては、
ポジティブまたはネガティブレジストを利用することが
出来、前記露光マスクを利用する露光装備は、Ｇ−ライ
ン、ｉ−ラインまたはＤＵＶ（Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ
ｖｉｏｌｅｔ）波長を利用することができる。
は９０゜の場合を例としたが、位相偏移領域は４５゜乃
至１３５゜まで位相偏移されるようにすることができ
る。また、前記半透過パターンは、光透過率も３０％か
ら５０％であるものを使用することが出来る。併せて、
前記露光マスクを利用して露光するレジストとしては、
ポジティブまたはネガティブレジストを利用することが
出来、前記露光マスクを利用する露光装備は、Ｇ−ライ
ン、ｉ−ラインまたはＤＵＶ（Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ
ｖｉｏｌｅｔ）波長を利用することができる。
【００２７】更に図１を参照すると、本実施の形態のオ
ーバレーマークは、ｘ軸に露光エネルギーの変化を測定
し、ｙ軸方向にフォーカス変化を測定するためのもので
ある。図１のオーバレーマークを有するマスクを通じて
感光膜が露光されると、前記感光部にはマスクのオーバ
レーマークが転写される。
ーバレーマークは、ｘ軸に露光エネルギーの変化を測定
し、ｙ軸方向にフォーカス変化を測定するためのもので
ある。図１のオーバレーマークを有するマスクを通じて
感光膜が露光されると、前記感光部にはマスクのオーバ
レーマークが転写される。
【００２８】前記感光膜に形成されたパターンは、Ｚｅ
ｒｏディフォーカスと適正エネルギーの条件でマスクの
オーバレーマークと同一に現れ、ディフォーカスや 光
エネルギーが適切でない条件では、マスクのオーバレー
マークと異なって現れる。ｘ軸方向から見ると、露光エ
ネルギーが増加する時、左側の外部ボックスと内部ボッ
クスによってパターンの間隔が増加する反面、右側のパ
ターン間隔は変わらないので、全体的にパターンの中心
が右側に移動した結果になる。このような位置偏移をオ
ーバレイー測定装備により検出し、その結果から露光エ
ネルギーの変化を類推できる。一方、Ｙ軸方向から見る
と、フォーカスが（＋）方向に移るに従って上側にある
外部ボックスと内部ボックスにより感光膜に形成された
パターンの間隔は減るようになり（外部ボックスと内部
ボックス間が９０゜位相偏移領域側に移動）、下側での
パターンの間隔はそのまま維持され、全体的にパターン
の中心が上側に移動した結果になる。同様にＹ軸の位置
偏移もオーバレイー測定装備により検出し、その結果か
ら露光エネルギーの変化を類推できる。
ｒｏディフォーカスと適正エネルギーの条件でマスクの
オーバレーマークと同一に現れ、ディフォーカスや 光
エネルギーが適切でない条件では、マスクのオーバレー
マークと異なって現れる。ｘ軸方向から見ると、露光エ
ネルギーが増加する時、左側の外部ボックスと内部ボッ
クスによってパターンの間隔が増加する反面、右側のパ
ターン間隔は変わらないので、全体的にパターンの中心
が右側に移動した結果になる。このような位置偏移をオ
ーバレイー測定装備により検出し、その結果から露光エ
ネルギーの変化を類推できる。一方、Ｙ軸方向から見る
と、フォーカスが（＋）方向に移るに従って上側にある
外部ボックスと内部ボックスにより感光膜に形成された
パターンの間隔は減るようになり（外部ボックスと内部
ボックス間が９０゜位相偏移領域側に移動）、下側での
パターンの間隔はそのまま維持され、全体的にパターン
の中心が上側に移動した結果になる。同様にＹ軸の位置
偏移もオーバレイー測定装備により検出し、その結果か
ら露光エネルギーの変化を類推できる。
【００２９】以上説明したように、図１のオーバレーオ
フセット（ＯｖｅｒｒａｙＯｆｆｓｅｔ）を測定して、
ｘ軸データから露光エネルギーの変化を、そしてｙ軸デ
ータからフォーカスの変化を測定できるようになる。
フセット（ＯｖｅｒｒａｙＯｆｆｓｅｔ）を測定して、
ｘ軸データから露光エネルギーの変化を、そしてｙ軸デ
ータからフォーカスの変化を測定できるようになる。
【００３０】他の実施の形態としては、特定なバンドル
（ｂｕｎｄｌｅ）で進行されたウェーハ等で、臨界寸法
（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｎｅｓｏｉｉｏｎ：ＣＤ）
と、前記のオーバレーマークによるオーバレーデータを
訂正させることによって、残余ウェーハに対するアウト
ゴーイングインスペックションを、単純なオーバレー測
定に代えることができる。また、前記オーバレーマーク
を、露光装備の照明均一度（Ｉｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ
ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）とホーカス均一度（Ｆｏｃａｓ
ｕｎｉｆｏｒｍｔｙ）とを測定するのに利用すること
ができる。
（ｂｕｎｄｌｅ）で進行されたウェーハ等で、臨界寸法
（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｎｅｓｏｉｉｏｎ：ＣＤ）
と、前記のオーバレーマークによるオーバレーデータを
訂正させることによって、残余ウェーハに対するアウト
ゴーイングインスペックションを、単純なオーバレー測
定に代えることができる。また、前記オーバレーマーク
を、露光装備の照明均一度（Ｉｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ
ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）とホーカス均一度（Ｆｏｃａｓ
ｕｎｉｆｏｒｍｔｙ）とを測定するのに利用すること
ができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
半導体リソグラフィ工程において、履行エネルギー及び
フォーカス等の工程変数等が、ウェーハ内またはフィー
ルド内で、そしてバンドル（ｂｕｎｄｌｅ）内で均一に
適用されたかを容易に測定することによって、工程進行
の信頼姓を向上させ、さらに生産性の向上も期待でき、
装備の管理側面へ応用する場合にも効果的である。
半導体リソグラフィ工程において、履行エネルギー及び
フォーカス等の工程変数等が、ウェーハ内またはフィー
ルド内で、そしてバンドル（ｂｕｎｄｌｅ）内で均一に
適用されたかを容易に測定することによって、工程進行
の信頼姓を向上させ、さらに生産性の向上も期待でき、
装備の管理側面へ応用する場合にも効果的である。
【図１】本発明の一実施の形態において、露光エネルギ
ーとフォーカスとを同時に測定するためのオーバレーマ
ークが備えられたマスクを示した平面図である。
ーとフォーカスとを同時に測定するためのオーバレーマ
ークが備えられたマスクを示した平面図である。
【図２】（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一実施の形態におい
て、フォーカスの変化がパターンの移動に現れるように
なる原理を示す説明図である。
て、フォーカスの変化がパターンの移動に現れるように
なる原理を示す説明図である。
【図３】（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一実施の形態におい
て、露光エネルギーの変化がオーバレーマークの位置偏
移で測定される原理を示す説明図である。
て、露光エネルギーの変化がオーバレーマークの位置偏
移で測定される原理を示す説明図である。
１ 遮光パターン ２ 半透過性パターン ３ 位相偏移領域 ４ 透過領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−13945（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−214860（ＪＰ，Ａ) 登録実用新案3012636（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/08 - 1/16 H01L 21/027
Claims (7)
- 【請求項１】 四角形帯状の内部光遮断パターン、 前記内部光遮断パターンと所定距離をおいて離隔し、こ
れを囲む四角形帯状の外部光遮断パターン、 前記内部光遮断パターンの左側の外部面及び前記内部光
遮断パターンの右側の内部面に配置され、前記外部光遮
断パターンの左側の内部面及び前記外部光遮断パターン
の右側の外部面に配置される半透過性パターン、 左側，右側及び上部での前記内部光遮断パターンと前記
外部光遮断パターン間、前記内部光遮断パターンと前記
外部光遮断パターンを対角線に４等分した状態での前記
内部光遮断パターン内側の底面部及び前記外部光遮断パ
ターン外側の下部面に位置する位相偏移領域、及び 、前記内部光遮断パターンと前記外部光遮断パターンを対
角線に４等分した状態での前記内部光遮断パターン内側
の底面部を除外した内部光遮断パターン内側及び下部で
の前記内部光遮断パターンと前記外部光遮断パターン間
に位置する光透過性領域を含む ことを特徴とするオーバ
レーマーク。 - 【請求項２】 前記位相偏移領域の位相偏移は、４５゜
から１３５゜の範囲であることを特徴とする請求項１記
載のオーバレーマーク。 - 【請求項３】 前記位相偏移領域の位相偏移は９０゜で
あることを特徴とする請求項２記載のオーバレーマー
ク。 - 【請求項４】 前記半透過領域の光透過率は、３０％か
ら５０％であることを特徴とする請求項１記載のオーバ
レーマーク。 - 【請求項５】 前記半透過領域の光透過率は、４０％で
あることを特徴とする請求項４記載のオーバレーマー
ク。 - 【請求項６】 前記オーバレーマークが形成される感光
膜は、ポジティブ感光膜またはネガティブ感光膜である
ことを特徴とする請求項１記載のオーバレーマーク。 - 【請求項７】 前記オーバレーマークの形成のために照
射される光は、Ｇ−ライン、ｉ−ライン、及びＤＵＶ−
ラインの波長を有するビームから選択されることを特徴
とする請求項１記載のオーバレーマーク。
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| KR1995P66052 | 1995-12-29 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09329889A JPH09329889A (ja) | 1997-12-22 |
| JP3052064B2 true JP3052064B2 (ja) | 2000-06-12 |
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|---|---|---|---|
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| KR (1) | KR0164078B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100307529B1 (ko) * | 1999-04-28 | 2001-10-29 | 김영환 | 노광장비의 촛점 측정용 패턴 및 이를 이용한 노광장비의 촛점 측정방법 |
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| US7175951B1 (en) | 2002-04-19 | 2007-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Two mask in-situ overlay checking method |
| US20040063007A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-04-01 | Satoshi Machida | Precision-of-register measuring mark and measuring method |
| KR100568729B1 (ko) * | 2004-12-02 | 2006-04-07 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 마크 형성 영역 보호용 구조물, 이 구조물을갖는 오버레이 마크 및 오버레이 마크의 형성 방법 |
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| KR102185757B1 (ko) * | 2015-12-21 | 2020-12-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치의 포커스 성능을 측정하는 장치들 및 패터닝 디바이스들 및 방법들, 디바이스 제조 방법 |
| CN109141237B (zh) * | 2018-08-20 | 2020-10-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种检测器件的误测判断的方法及装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR970010666B1 (ko) * | 1993-12-27 | 1997-06-30 | 현대전자산업 주식회사 | 반도체 소자의 패턴 중첩오차 측정방법 |
| US5633103A (en) * | 1994-10-28 | 1997-05-27 | Lucent Technologies Inc. | Self-aligned alignment marks for phase-shifting masks |
| US5538819A (en) * | 1995-04-10 | 1996-07-23 | At&T Corp. | Self-aligned alignment marks for phase-shifting masks |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066052A patent/KR0164078B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-12-27 JP JP35867796A patent/JP3052064B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-27 US US08/774,845 patent/US5770338A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8778572B2 (en) | 2012-03-16 | 2014-07-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photomask and pattern forming method |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5770338A (en) | 1998-06-23 |
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| KR0164078B1 (ko) | 1998-12-15 |
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