JP2009117711A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009117711A5 JP2009117711A5 JP2007291064A JP2007291064A JP2009117711A5 JP 2009117711 A5 JP2009117711 A5 JP 2009117711A5 JP 2007291064 A JP2007291064 A JP 2007291064A JP 2007291064 A JP2007291064 A JP 2007291064A JP 2009117711 A5 JP2009117711 A5 JP 2009117711A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processing
- grooves
- shower plate
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 5
- 230000000149 penetrating Effects 0.000 claims 1
Claims (8)
- 基板処理装置の処理室に配されて該処理室内の処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給部が有するシャワープレートであって、
前記処理ガス供給部内に形成され且つ前記処理ガスが導入される処理ガス導入空間及び前記処理空間の間に介在し、
前記処理ガス導入空間及び前記処理空間を連通させる処理ガス供給経路を有し、
前記処理ガス供給経路は、前記処理ガス導入空間側に形成された複数のガス穴と、前記処理空間側に形成された複数のガス溝とを有し、前記複数のガス穴及び前記複数のガス溝は、前記複数のガス穴が、前記複数のガス溝の底部において該ガス溝の長さ方向に沿って均等に開口するようにして互いに連通し、
前記全てのガス溝の流路断面積の合計値は、前記全てのガス穴の流路断面積の合計値よりも大きいことを特徴とするシャワープレート。 - 前記断面における前記全てのガス溝の流路断面積の合計値は、前記全てのガス穴の流路断面積の合計値の1.75倍以上であることを特徴とする請求項1記載のシャワープレート。
- 前記ガス溝の深さは5mmより大きいことを特徴とする請求項1又は2記載のシャワープレート。
- 前記複数のガス溝は、前記処理空間側の表面において直線状且つ互いに平行に形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシャワープレート。
- 厚さ方向に関して2分割された第1の部材及び第2の部材からなり、
前記第1の部材は前記ガス導入空間側に配され、且つ前記第2の部材は前記処理空間側に配され、
前記複数のガス穴は前記第1の部材に形成されるとともに、前記複数のガス溝は前記第2の部材に形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のシャワープレート。 - 基板を収容して処理を施す処理室と、該処理室に配されて該処理室内の処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給部とを備える基板処理装置であって、
前記処理ガス供給部は、該処理ガス供給部内に形成され且つ前記処理ガスが導入される処理ガス導入空間及び前記処理空間の間に介在するシャワープレートを有し、
該シャワープレートは前記処理ガス導入空間及び前記処理空間を連通させる処理ガス供給経路を有し、
前記処理ガス供給経路は、前記シャワープレートの前記処理ガス導入空間側に形成された複数のガス穴と、前記シャワープレートの前記処理空間側に形成された複数のガス溝とを有し、前記複数のガス穴及び前記複数のガス溝は、前記複数のガス穴が、前記複数のガス溝の底部において該ガス溝の長さ方向に沿って均等に開口するようにして互いに連通し、
前記全てのガス溝の流路断面積の合計値は、前記全てのガス穴の流路断面積の合計値よりも大きいことを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理ガス供給部は、前記処理ガス導入空間及び前記シャワープレートの間に介在し、且つ該シャワープレートを冷却するクーリングプレートを有し、
該クーリングプレートは、前記処理ガス導入空間及び前記処理ガス供給経路を連通させる複数の貫通穴を有することを特徴とする請求項6記載の基板処理装置。 - 基板を収容して処理を施す処理室と、該処理室に配されて該処理室内の処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給部とを備える基板処理装置であって、
前記処理ガス供給部は、該処理ガス供給部内に形成され且つ前記処理ガスが導入される処理ガス導入空間及び前記処理空間の間に介在するシャワープレートと、前記処理ガス導入空間及び前記シャワープレートの間に介在し、且つ該シャワープレートを冷却するクーリングプレートとを有し、
前記シャワープレートは、厚さ方向に貫通し且つ前記処理空間に連通する複数のガス溝を有し、
前記クーリングプレートは、前記処理ガス導入空間及び前記複数のガス溝を連通させる複数のガス穴であって、前記複数のガス溝の底部において該ガス溝の長さ方向に沿って均等に開口するガス穴を有し、
前記全てのガス溝の流路断面積の合計値は前記全てのガス穴の流路断面積の合計値よりも大きいことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007291064A JP5150217B2 (ja) | 2007-11-08 | 2007-11-08 | シャワープレート及び基板処理装置 |
KR20080110065A KR101037812B1 (ko) | 2007-11-08 | 2008-11-06 | 샤워 플레이트 및 기판 처리 장치 |
US12/266,800 US9136097B2 (en) | 2007-11-08 | 2008-11-07 | Shower plate and substrate processing apparatus |
CN2008101755982A CN101431009B (zh) | 2007-11-08 | 2008-11-07 | 喷淋板和基板处理装置 |
TW97143167A TWI465292B (zh) | 2007-11-08 | 2008-11-07 | Shower board and substrate processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007291064A JP5150217B2 (ja) | 2007-11-08 | 2007-11-08 | シャワープレート及び基板処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009117711A JP2009117711A (ja) | 2009-05-28 |
JP2009117711A5 true JP2009117711A5 (ja) | 2010-12-24 |
JP5150217B2 JP5150217B2 (ja) | 2013-02-20 |
Family
ID=40622601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007291064A Expired - Fee Related JP5150217B2 (ja) | 2007-11-08 | 2007-11-08 | シャワープレート及び基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9136097B2 (ja) |
JP (1) | JP5150217B2 (ja) |
KR (1) | KR101037812B1 (ja) |
CN (1) | CN101431009B (ja) |
TW (1) | TWI465292B (ja) |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5165968B2 (ja) * | 2007-08-27 | 2013-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ粒子シミュレーション方法、記憶媒体、プラズマ粒子シミュレータ、及びプラズマ処理装置 |
KR101045598B1 (ko) * | 2009-05-18 | 2011-07-01 | 한국과학기술원 | 유체 분배 장치 및 유체 분배 방법 |
JP5455462B2 (ja) | 2009-06-23 | 2014-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5697389B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2015-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング用の電極板及びプラズマエッチング処理装置 |
CN102528855B (zh) * | 2012-01-16 | 2014-09-24 | 中国林业科学研究院木材工业研究所 | 一种木竹材多锯片锯切冷却系统 |
CN103367510A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-10-23 | 生阳新材料科技有限公司 | 冷却板 |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
CN104651838B (zh) * | 2013-11-22 | 2017-07-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种进气装置及反应腔室 |
CN103736616B (zh) * | 2013-12-31 | 2016-09-28 | 天津市德中技术发展有限公司 | 集液体的容纳与液体的喷射功能于一体的装置的制作方法 |
JP6349396B2 (ja) * | 2014-07-15 | 2018-06-27 | 株式会社Fuji | 検査方法 |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
CN106663625B (zh) * | 2014-12-26 | 2019-10-25 | A·Sat株式会社 | 测量方法、电极、再生方法、等离子体蚀刻装置和显示方法 |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US20170076917A1 (en) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma Module With Slotted Ground Plate |
JP2017183392A (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
CN107159839A (zh) * | 2017-03-27 | 2017-09-15 | 海安海太铸造有限公司 | 一种铸造加工用混砂机的混合剂添加机构 |
CN107414019B (zh) * | 2017-03-27 | 2019-11-15 | 海安海太铸造有限公司 | 一种铸造加工用混砂机 |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
JP7176860B6 (ja) * | 2017-05-17 | 2022-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
CN108012400A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-08 | 电子科技大学 | 一种常压高频冷等离子体处理装置 |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US10984987B2 (en) * | 2018-10-10 | 2021-04-20 | Lam Research Corporation | Showerhead faceplate having flow apertures configured for hollow cathode discharge suppression |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
KR20210041354A (ko) | 2019-10-07 | 2021-04-15 | 삼성전자주식회사 | 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
CN115775715A (zh) | 2021-09-08 | 2023-03-10 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
WO2023234150A1 (ja) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | 京セラ株式会社 | 流路構造体、半導体製造装置および流路構造体の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4590042A (en) * | 1984-12-24 | 1986-05-20 | Tegal Corporation | Plasma reactor having slotted manifold |
US5589002A (en) * | 1994-03-24 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate for semiconductor wafer processing apparatus with means for inhibiting arcing |
JP3195535B2 (ja) * | 1996-04-12 | 2001-08-06 | 株式会社東京カソード研究所 | プラズマエッチング用電極及びプラズマエッチング装置 |
JP2001237227A (ja) | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2002025984A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-01-25 | Kyocera Corp | シャワープレート |
US6793733B2 (en) * | 2002-01-25 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Gas distribution showerhead |
JP3837539B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2006-10-25 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | プラズマcvd装置 |
US6942753B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
JP4502639B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2010-07-14 | 財団法人国際科学振興財団 | シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法 |
KR101172334B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2012-08-14 | 고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단 | 샤워 플레이트, 플라즈마 처리 장치, 및 제품의 제조방법 |
JP4451221B2 (ja) * | 2004-06-04 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置および成膜装置 |
JP4572127B2 (ja) | 2005-03-02 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給部材及びプラズマ処理装置 |
US7416635B2 (en) * | 2005-03-02 | 2008-08-26 | Tokyo Electron Limited | Gas supply member and plasma processing apparatus |
JPWO2006112392A1 (ja) * | 2005-04-18 | 2008-12-11 | 北陸成型工業株式会社 | シャワープレート及びその製造方法 |
US20060288934A1 (en) | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Limited | Electrode assembly and plasma processing apparatus |
JP4615464B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2011-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置 |
-
2007
- 2007-11-08 JP JP2007291064A patent/JP5150217B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-06 KR KR20080110065A patent/KR101037812B1/ko active IP Right Grant
- 2008-11-07 TW TW97143167A patent/TWI465292B/zh active
- 2008-11-07 CN CN2008101755982A patent/CN101431009B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-07 US US12/266,800 patent/US9136097B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009117711A5 (ja) | ||
WO2007006590A3 (en) | Micro-structured cooler and use thereof | |
EP1595974A3 (en) | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design | |
JP2010153680A5 (ja) | ||
TR200502671T2 (tr) | Merdane rulosu. | |
WO2005082043A3 (en) | Thermal cycling device | |
WO2009022440A1 (ja) | アッシング装置 | |
TW200721316A (en) | Substrate processing apparatus, cooling gas feed nozzle and method for manufacturing semiconductor device | |
JP2011023714A5 (ja) | プラズマ成膜装置 | |
WO2012160699A1 (ja) | ホットプレス装置 | |
JP2006505687A5 (ja) | ||
TW200733160A (en) | Capacitor to be incorporated in wiring substarate, method for manufacturing the capacitor, and wiring substrate | |
JPWO2013001630A1 (ja) | ホットプレス装置 | |
WO2009023338A3 (en) | Channel cell system | |
PL1820571T3 (pl) | Struktury 3D na bazie podłoży 2D | |
JP2011071497A5 (ja) | プラズマcvd装置 | |
ATE545746T1 (de) | Wärmedämmziegel | |
ATE453810T1 (de) | Gasdrucklager und verfahren zu seiner herstellung | |
PL1982828T3 (pl) | Obrabialny blok z drewna do utworzenia oprzyrządowania, sposób jego wytwarzania i otrzymane oprzyrządowanie | |
ATE489263T1 (de) | Strukturbauteil, insbesondere hitzeschild | |
JP2011140968A5 (ja) | ||
AR070305A1 (es) | Unidad de intercambio de calor para reactores quimicos isotermicos | |
RU2006142973A (ru) | Устройство для непрерывного литья, прокатки и прессования профилей | |
JP4982723B2 (ja) | ダイクエンチプレス装置 | |
WO2009017192A1 (ja) | インクジェットヘッドおよびその製造方法 |