JP2009109432A - 半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査装置 - Google Patents
半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009109432A JP2009109432A JP2007284296A JP2007284296A JP2009109432A JP 2009109432 A JP2009109432 A JP 2009109432A JP 2007284296 A JP2007284296 A JP 2007284296A JP 2007284296 A JP2007284296 A JP 2007284296A JP 2009109432 A JP2009109432 A JP 2009109432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- electrode
- infrared
- electrode surface
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
【解決手段】赤外線を用いて半導体装置10の欠陥部位を判別する半導体装置の検査方法において、半導体装置10の電極を形成していない非電極面10aに透明電極21bを当接する工程と、透明電極21bを介して半導体装置10の非電極面10aに電圧を印加すると共に、透明電極21bを介して半導体装置10の非電極面10aに赤外線のスポット光31を照射する工程と、赤外線のスポット光31で半導体装置10の非電極面10aを走査して、半導体装置10の電流変化ΔIを測定し、半導体装置10の欠陥部位を判別する工程と、を有する。
【選択図】図3
Description
前記半導体装置の電極を形成していない非電極面に透明電極を当接する工程と、
前記透明電極を介して前記半導体装置の前記非電極面に電圧を印加すると共に、前記透明電極を介して前記半導体装置の前記非電極面に赤外線のスポット光を照射する工程と、
前記赤外線の前記スポット光で前記半導体装置の前記非電極面を走査して、前記半導体装置の電流変化を測定し、前記半導体装置の欠陥部位を判別する工程と、
を有する。
前記半導体装置の電極を形成していない非電極面に透明電極を当接する工程と、
前記透明電極を介して前記半導体装置の前記非電極面に電圧を印加する工程と、
前記非電極面に電圧を印加した状態で、前記透明電極を介して前記半導体装置の前記非電極面の所定領域から放射される赤外線の光量を測定しつつ、前記所定領域を移動して、前記半導体装置の欠陥部位を判別する工程と、
を有する。
前記半導体装置の電極を形成していない非電極面に当接するための透明電極を有する。
10a 非電極面
20、40 半導体装置の検査装置
21 ガラスステージ
21a ガラス基板
21b 透明電極
23 電圧供給部
25、45 光学部
25a 赤外線レーザ発振部
27 電流変化検出部
29、49 画像作製表示部
29a、49a 画像作製部
29b、49b 画像表示部
45a 赤外線センサ部
Claims (3)
- 赤外線を用いて半導体装置の欠陥部位を判別する半導体装置の検査方法において、
前記半導体装置の電極を形成していない非電極面に透明電極を当接する工程と、
前記透明電極を介して前記半導体装置の前記非電極面に電圧を印加すると共に、前記透明電極を介して前記半導体装置の前記非電極面に赤外線のスポット光を照射する工程と、
前記赤外線の前記スポット光で前記半導体装置の前記非電極面を走査して、前記半導体装置の電流変化を測定し、前記半導体装置の欠陥部位を判別する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 赤外線を用いて半導体装置の欠陥部位を判別する半導体装置の検査方法において、
前記半導体装置の電極を形成していない非電極面に透明電極を当接する工程と、
前記透明電極を介して前記半導体装置の前記非電極面に電圧を印加する工程と、
前記非電極面に電圧を印加した状態で、前記透明電極を介して前記半導体装置の前記非電極面の所定領域から放射される赤外線の光量を測定しつつ、前記所定領域を移動して、前記半導体装置の欠陥部位を判別する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 前記請求項1又は2に記載の半導体装置の検査方法に用いる半導体装置の検査装置であって、
前記半導体装置の電極を形成していない非電極面に当接するための透明電極を有する半導体装置の検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007284296A JP4844535B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007284296A JP4844535B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009109432A true JP2009109432A (ja) | 2009-05-21 |
JP4844535B2 JP4844535B2 (ja) | 2011-12-28 |
Family
ID=40778051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007284296A Expired - Fee Related JP4844535B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4844535B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014041095A (ja) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | Npc Inc | 太陽電池の欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JP5635150B2 (ja) * | 2013-04-02 | 2014-12-03 | 株式会社エヌ・ピー・シー | 太陽電池の欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JPWO2016121952A1 (ja) * | 2015-01-29 | 2017-10-05 | アラム株式会社 | 液体センサ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101839592B1 (ko) * | 2016-11-23 | 2018-04-26 | 주식회사 아이에스시 | 전기적 검사용 조립체 및 검사용 소켓 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04312942A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | Obic電流検出方法 |
JP2004327773A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Renesas Technology Corp | 故障解析装置 |
JP2006073604A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Fujitsu Ltd | 半導体評価方法及び半導体評価装置 |
JP2006133100A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Hokkaido Univ | 半導体膜異方性測定装置 |
-
2007
- 2007-10-31 JP JP2007284296A patent/JP4844535B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04312942A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | Obic電流検出方法 |
JP2004327773A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Renesas Technology Corp | 故障解析装置 |
JP2006073604A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Fujitsu Ltd | 半導体評価方法及び半導体評価装置 |
JP2006133100A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Hokkaido Univ | 半導体膜異方性測定装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014041095A (ja) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | Npc Inc | 太陽電池の欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JP5635150B2 (ja) * | 2013-04-02 | 2014-12-03 | 株式会社エヌ・ピー・シー | 太陽電池の欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JPWO2016121952A1 (ja) * | 2015-01-29 | 2017-10-05 | アラム株式会社 | 液体センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4844535B2 (ja) | 2011-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5319593B2 (ja) | 太陽電池の検査方法および検査装置 | |
JP2008058270A (ja) | 多結晶シリコン基板の検査方法および太陽電池セルの検査方法、並びに赤外線検査装置 | |
JP4844535B2 (ja) | 半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査装置 | |
TW201315990A (zh) | 太陽能量測方法及裝置 | |
KR20080015363A (ko) | 웨이퍼 및 반도체 소자의 검사 방법 및 장치 | |
TW201003962A (en) | Photovoltaic devices inspection apparatus and method of determining defects in a photovoltaic devices | |
JP2005017186A (ja) | 半導体デバイスの検査方法および検査装置 | |
JP2011138969A (ja) | 薄膜太陽電池モジュールの検査方法及び薄膜太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP2007234720A (ja) | 太陽電池パネルの検査装置、膜研磨検査方法、及び太陽電池パネルの製造方法 | |
US9383321B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
TW201025621A (en) | Laser processing apparatus | |
JP2006343190A (ja) | 非破壊検査装置および非破壊検査方法 | |
JP2007225418A (ja) | 透明導電膜評価装置及び透明導電膜の評価方法 | |
TW201013963A (en) | Method and apparatus for manufacturing solar battery | |
JP2013250098A (ja) | 配線欠陥検出方法および配線欠陥検出装置、並びに配線基板の製造方法 | |
JP2013170864A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2004219119A (ja) | 欠陥検査方法および装置 | |
JP5193309B2 (ja) | 太陽電池の製造方法及び製造装置 | |
JP2001284425A (ja) | 故障解析方法及び故障解析装置 | |
JP3367977B2 (ja) | 光照射を用いた陽極接合法及び装置及び製造物 | |
TW201114535A (en) | Apparatus and method for laser cutting | |
TW201005977A (en) | Method and apparatus for manufacturing solar battery | |
CN108604618B (zh) | 用于监视在太阳能模块中形成隔离槽的激光划片过程的方法和系统 | |
JP2007096011A (ja) | 試料検査方法 | |
JP2009158844A (ja) | 太陽電池の検査装置および太陽電池の検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110824 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110913 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110926 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |