JP2009088309A - 光半導体装置及びその製造方法と金属キャップ - Google Patents

Abstract

【課題】不具合が発生することなく金属キャップをステムに安定して抵抗溶接できる光半導体素子装置を提供する。
【解決手段】光半導体素子４０が実装されたステム１０と、天板部の開口部２３にガラス窓２６が封着されたキャップ主要部２２ａとその外周底部から外部に屈曲して突き出たリング状のフランジ部２２ｂとから構成され、かつステム１０の上にフランジ部２２ｂが抵抗溶接されて光半導体素子４０を気密封止する金属キャップ２０とを含み、キャップ主要部２２ａとフランジ部２２ｂとを繋ぐフランジ屈曲部２１の外面側に、周方向に一周する凹部ＣＰが設けられている。
【選択図】図４

Description

本発明は光半導体装置及びその製造方法と金属キャップに係り、さらに詳しくは、光通信装置や光ディスク装置などに適用される半導体レーザ素子などが実装された光半導体装置及びその製造方法とそれに使用される金属キャップに関する。

従来、半導体レーザ素子などが気密封止された状態でパッケージに実装されて構成される光半導体装置がある。図１に示すように、従来の光半導体装置の製造方法の一例では、まず、アイレット１００とその上に立設された素子実装部１１０とにより構成されるステム２００を用意する。アイレット１００には所要のリード１２０ａ，１２０ｂが装着されている。そして、ステム２００の素子実装部１１０の実装側面に半導体レーザ素子２５０が実装され、半導体レーザ素子２５０はワイヤ２２０によってリード１２０ａに接続される。

さらに、同じく図１に示すように、天板部の中央に開口部３２０ａが設けられたキャップ本体部３２０と、その開口部３２０ａの下側に低融点ガラス３４０によって封着されたガラス窓３６０とにより構成される金属キャップ３００を用意する。

次いで、図２に示すように、凹部４００ａを備えた第１溶接電極４００を用意し、第１溶接電極４００の凹部４００ａの中に図１の金属キャップ３００を上下反転させた状態で当接させて配置する。

さらに、中央に開口部５００ａを備えた第２溶接電極５００を用意する。第２溶接電極５００の上（図２では下）に、図１のステム２００の下面を当接させて配置する。ステム２００に装着された第１、第２リード１２０ａ、１２０ｂは、第２溶接電極５００の開口部５００ａに挿入される。

次いで、第１溶接電極４００及び第２溶接電極５００によって金属キャップ３００及びステム２００を挟むことによってそれらを鍛圧した状態で、第１溶接電極４００と第２溶接電極５００を通して金属キャップ３００及びステム２００の間に電圧を印加する。

これにより、金属キャップ３００のフランジ部３２０ｂの先端部がアイレット１２に食い込むようにして抵抗溶接される。このようにして、素子実装部１１０に実装された半導体レーザ素子２５０が金属キャップ３００の内部に気密封止される。

特許文献１には、頂部に低融点ガラスによって窓ガラスが接着されたキャップの上面の外周端にリング状の突起部を設けることにより、キャップをステムの上に抵抗溶接する際に、窓ガラスや低融点ガラスにクラックが発生することを防止することが記載されている。

特許文献２には、ステムの表面部分に小突起を設け、その上に電子部品を搭載することにより、ステムの上にキャップを抵抗溶接する際に、電子部品にクラックが発生することを防止することが記載されている。

特許文献３には、ステムの上に抵抗溶接されるキャップのフランジ部の溶接面に周方向に一周する突起を設け、突起の外側の溶接面と突起の先端部との離間間隔が、突起の内側の溶接面と突起の先端部の離間間隔よりも広く設けることにより、ステム上にキャップを確実に抵抗溶接することが記載されている。

また、特許文献４には、ヒートシンク及びステムの少なくとも一方にこれらの接合面からのはんだの流出を防止するための流出防止手段を形成し、両接合面間をはんだで接合することにより、ヒートシンクに曲げモーメントが加わらないように接合することが記載されている。
特開平９−２８３８５２号公報 特開平６−８９９４３号公報 特開２００７−７３８７４号公報 特開昭６２−２１４６４３号公報

上記し従来技術において、図３（図２のＡ部の拡大図）に示すように、アイレット１００に金属キャップ３００を抵抗溶接する際には、金属キャップ３００の溶接位置精度を十分に確保し、かつ溶接を安定して行うために、金属キャップ３００と第１溶接電極４００の凹部４００ａとの間のクリアランス（隙間）は小さく設計されている。

さらには、同じく図３に示すように、第１溶接電極４００の鍛圧面４００ｃと凹部４００ａの側面とが交差する角部４００ｂは略直角に研磨されている。そして、金属キャップ３００のフランジ部３２０ｂの屈曲部外側の半円状の湾曲面（Ｒ面）３２０ｃに第１溶接電極４００の角部４００ｂを当接させて鍛圧することにより、第１溶接電極４００と金属キャップ３００とを安定して導通させている。

このため、抵抗溶接を繰り返し行うと、第１溶接電極４００の角部４００ｂが多数の金属キャップ３００のフランジ部３２０ｂの湾曲面３２０ｃに当接して押圧されることから、その角部４００ｂに磨耗が発生する。第１溶接電極４００の角部４００ｂが磨耗してくると、金属キャップ３００のフランジ部３２０ｂの湾曲面３２０ｃに第１溶接電極４００の角部４００ｂが安定して接触しなくなるため、導通不良となって抵抗溶接が上手く行えなくなる。

従って、第１溶接電極４００の角部４００ｂが磨耗した際には、即座に、直角になるように角部４００ｂを研磨する必要があり、メンテナンスの頻度が多く生産効率が悪い問題がある。

さらには、第１溶接電極４００の角部４００ｂが金属キャップ３００のフランジ部３２０ｂの湾曲面３２０ｃを鍛圧するので、湾曲面３２０ｃの変形に伴って金属キャップ３００のキャップ本体部３２０に応力がかかり、ガラス窓３６０を封着する低融点ガラス３４０に歪が生じてクラックが発生することがある。

本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、不具合が発生することなく金属キャップをステムに安定して抵抗溶接できる光半導体素子装置及びその製造方法と金属キャップを提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は光半導体装置に係り、光半導体素子が実装されたステムと、天板部の開口部にガラス窓が封着されたキャップ主要部と、該キャップ主要部の外周底部から外部に屈曲して突き出たリング状のフランジ部とから構成される金属キャップであって、前記ステムの上に前記フランジ部が抵抗溶接されて前記光半導体素子を気密封止する前記金属キャップとを有し、前記キャップ主要部と前記フランジ部とを繋ぐフランジ屈曲部の外面側に、周方向に一周する凹部が設けられていることを特徴とする。

本発明の光半導体装置では、光半導体素子が実装されたステムの上に金属キャップが抵抗溶接されて光半導体素子が気密封止されている。金属キャップは、天板部に設けられた開口部にガラス窓が封着されたキャップ主要部と、その外周底部から外部に屈曲して突き出たリング状のフランジ部とから構成される。そして、キャップ主要部とフランジ部とを繋ぐフランジ屈曲部の外面側に周方向に一周する凹部が設けられている。

本発明の一つの好適な態様では、凹部は、フランジ部の付け根部分からその先端側に設けられ、凹部のキャップ主要部側の側面はキャップ主要部の側面と同一面を構成しており、凹部の外側に凹部の底面から上側に突出して周方向に一周する突出縁部が設けられている。

あるいは、凹部は、キャップ主要部の下部側面に設けられており、凹部の下側側面がフランジ部の外面と同一面を構成するようにしてもよい。

金属キャップをステムの上に抵抗溶接する際には、ステム及び金属キャップを溶接電極で挟んで鍛圧し、それらの間に電圧を印加して行われる。このとき、金属キャップのフランジ部の外面に溶接電極の鍛圧面が当接して鍛圧（押圧）する。

本発明では、金属キャップのフランジ屈曲部の外面側に周方向に一周する凹部を設けることにより、フランジ屈曲部の外面側に半円状の湾曲面（Ｒ面）が存在しないようにしている。

このため、従来技術と違って、溶接電極で金属キャップのフランジ部の外面を鍛圧する際に、溶接電極の金属キャップ側の角部は金属キャップのフランジ屈曲部の外面に食い込むことなくフリーな状態となる。従って、溶接電極の角部が磨耗することが防止されるので、溶接電極を研磨するメンテナンス工数が格段に削減され、溶接電極の高寿命化を図ることができる。

しかも、溶接電極の鍛圧面は金属キャップのフランジ部の平坦な外面を鍛圧するだけであり、フランジ屈曲部の外面には湾曲面がないので、溶接電極の角部がフランジ屈曲部の外面に食い込むこともない。従って、キャップ主要部側に応力がほとんど伝導されないので、ガラス窓を封着する低融点ガラスにクラックが発生することが防止される。

以上説明したように、本発明の光半導体装置は、ステムに金属キャップを抵抗溶接する際に、溶接電極の磨耗が防止される共に、低融点ガラスのクラックの発生が防止され、高歩留りで信頼性よく製造される。

以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。

（第１の実施の形態）
図４〜図６は本発明の第１実施形態の光半導体装置の製造方法を示す断面図である。

本実施形態の光半導体装置の製造方法では、図４に示すように、まず、円板状の金属板からなるアイレット１２とその上に立設する素子実装部１４とにより構成されるステム１０を用意する。アイレット１２にはその厚み方向に貫通する貫通孔１２ａが設けられており、その貫通孔１２ａの中に第１リード１６ａがガラス１３によって封着された状態で挿通して固定されている。また、アイレット１２の下面には第２リード１６ｂが溶接されている。

ステム１０のアイレット１２上には後述する金属キャップが抵抗溶接されるので、ステム１０は抵抗溶接が容易な鉄（Ｆｅ）系の金属から形成される。例えば、ステム１０がその全体にわたって鉄（Ｆｅ）から形成されるか、もしくはアイレット１２が鉄（Ｆｅ）／銅（Ｃｕ）／鉄（Ｆｅ）からなるクラッド材から形成される。

素子実装部１４の実装側面Ｓには半導体レーザ素子４０（光半導体素子）が実装されており、半導体レーザ素子４０はワイヤ４２によって第１リード１６ａに接続されている。

さらに、同じく図４に示すような帽子状の金属キャップ２０を用意する。金属キャップ２０は、天板部の中央に開口部２３が設けられた円筒形に類似したキャップ部２２と、その開口部２３の下側に低融点ガラス２４によって封着されたガラス窓２６とにより構成される。キャップ部２２は、半導体レーザ素子４０が収容される収容部Ｈを構成するキャップ主要部２２ａとその外周底部から外側に屈曲して突き出たリング状のフランジ部２２ｂとによって構成される。

金属キャップ２０のキャップ部２２は抵抗溶接が容易な鉄（Ｆｅ）系の金属から形成され、例えば、４２アロイ（鉄（Ｆｅ）／ニッケル（Ｎｉ）合金）やコバール（鉄（Ｆｅ）／ニッケル（Ｎｉ）／コバルト（Ｃｏ）合金）が好適に使用される。

本実施形態の金属キャップ２０の特徴の一つは、キャップ主要部２２ａとフランジ部２２ｂとを繋ぐフランジ屈曲部の外面側に凹部を設けることにより、フランジ屈曲部の外面側に湾曲面（Ｒ面）が存在しないようにして、溶接電極の角部がフランジ屈曲部の外面に食い込まないようにすることにある。

図４にはその好適な形態が示されており、金属キャップ２０のフランジ屈曲部２１の外面側において、フランジ部２２ｂのキャップ主要部２２ａとの付け根部分からその先端側に凹部ＣＰが設けられ、その最外周側に凹部ＣＰの底面から上側に突出する突出縁部２２ｘが設けられている。そして、凹部ＣＰのキャップ主要部２２ａ側の側面はキャップ主要部２２ａの外面と同一面を構成している。凹部ＣＰ及び突出縁部２２ｘは金属キャップ２０の周方向を一周するようにして形成されている。

また、フランジ部２２ｂの突出縁部２２ｘの外面（上面）は水平面ＨＳとなっている。水平面ＨＳは、金属キャップ２０がステム１０に抵抗溶接されるときに、アイレット１２やガラス窓２６の基板面と平行面であることを意味する。

本実施形態に係る金属キャップ２０のキャップ部２２は、金型を使用する一連のプレス加工によって金属板を加工することにより形成される。フランジ部２２ｂの凹部ＣＰは、キャップ主要部２２ａの外周底部から屈曲するフランジ部２２ｂを形成した後に、ポンチでフランジ部２２ｂを加工することによって得られる。あるいは、キャップ主要部２２ａとフランジ部２２ｂとの間の領域に予め凹部ＣＰを形成しておき、その後にフランジ部２２ｂを屈曲させてもよい。

次いで、図５に示すように、凹部３２ａを備えた第１溶接電極３２を用意し、第１溶接電極３２の凹部３２ａの中に図４の金属キャップ２０を上下反転させた状態で当接させて配置する。

さらに、中央に開口部３４ａを備えた第２溶接電極３４を用意する。第２溶接電極３４の上（図５では下）に、図４のステム１０の下面を当接させて配置する。ステム１０に装着された第１、第２リード１６ａ、１６ｂは、第２溶接電極３４の開口部３４ａに挿入される。

このとき、図６（図５のＢ部の拡大図）を加えて参照すると、第１溶接電極３２のフラットな鍛圧面３２ｂがフランジ部２２ｂの突出縁部２２ｘの水平面ＨＳに当接すると共に、第１溶接電極３２の角部３２ｃがフランジ部２２ｂの凹部ＣＰの上（図６では下）に配置される。

そして、第１溶接電極３２及び第２溶接電極３４によって金属キャップ２０及びステム１０を挟むことによってそれらを鍛圧した状態で、第１溶接電極３２と第２溶接電極３４を通して金属キャップ２０及びステム１０の間に電圧を印加する。

これにより、金属キャップ２０のフランジ部２２ｂの先端部（アイレット１２との当接部）で抵抗発熱が生じ、フランジ部２２ｂの先端部がアイレット１２に食い込むようにして合金層を作ってアイレット１２に溶融接合する。抵抗溶接の条件としては、例えば、鍛圧が３０〜７０ｋｇで、電圧が５０〜１００Ｖの条件が採用される。その後に、第１、第２溶接電極３２，３４が金属キャップ２０及びステム１０から取り外される。

このようにして、図７に示すように、ステム１０のアイレット１２の上に金属キャップ２０のフランジ部２２ｂが抵抗溶接される。これによって、ステム１０と金属キャップ２０とによって構成される収容部Ｈに半導体レーザ素子４０が気密封止されて、本実施形態の光半導体装置１が得られる。

本実施形態では、図４〜図６に示したように、金属キャップ２０のフランジ部２２ｂでは、キャップ主要部２２ａとの付け根部分に凹部ＣＰが設けられており、凹部ＣＰの外側にその底部から上側に突出する突出縁部２２ｘが設けられている。つまり、金属キャップ２０のフランジ屈曲部２１の外面側には半円状の湾曲面（Ｒ面）が存在しない。

このため、第１溶接電極３２で金属キャップ２０のフランジ部２２ｂを鍛圧する際に、第１溶接電極３２の角部３２ｃはフランジ屈曲部２１の外面に食い込むことなく、フランジ部２２ｂの凹部ＣＰの上（図５及び図６では下）に配置されてフランジ屈曲部２１に対してフリーな状態となる。

従って、本実施形態では、従来技術と違って、第１溶接電極３２の角部３２ｃが金属キャップ２０のフランジ屈曲部２１の外面に当接して磨耗するおそれがない。さらには、第１溶接電極３２の鍛圧面３２ｂがフランジ部２２ｂの突出縁部２２ｘの水平面ＨＳに当接して金属キャップ２０を鍛圧するので、第１溶接電極３２と金属キャップ２０のフランジ部２２ｂとの間で安定して導通をとることができる。

このように、本実施形態では、第１溶接電極３２の角部３２ｃの磨耗が防止されるので、第１溶接電極３２を研磨するメンテナンス工数が格段に削減され、第１溶接電極３２の高寿命化を図ることができる。

しかも、第１溶接電極３２の角部３２ｃは金属キャップ２０のフランジ屈曲部２１に対してフリーな状態となり、第１溶接電極３２の鍛圧面３２ｂが突出縁部２２ｘの水平面ＨＳを鍛圧するだけなので、金属キャップ２０のキャップ主要部２２ａ側に応力がほとんどかからない。このため、ガラス窓２６を封着する低融点ガラス２４にクラックが発生することが防止される。

図７に示すように、前述した製造方法で製造される光半導体装置１では、アイレット１２とその上に立設する素子実装部１４によってステム１０が構成される。また、アイレット１２には貫通孔１２ａが設けられており、その貫通孔１２ａの中に第１リード１６ａがガラス１３によって封着された状態で挿通して固定されている。さらに、アイレット１２の下面には第２リード１６ｂが溶接されている。第１リード１６ａはガラス１３によってステム１０と電気的に絶縁されており、第２リードはステム１０に電気的に接続されている。

ステム１０の素子実装部１４の実装側面Ｓにはサブマウント（不図示）を介して半導体レーザ素子４０が実装されており、半導体レーザ素子４０がワイヤ４２によって第１リード１６ａに接続されている。また、半導体レーザ素子４０はワイヤなどによってステム１０を介してグランドリードである第２リード１６ｂに接続されている。なお、素子実装部１４は半導体レーザ素子４０から発する熱を放熱する放熱部としても機能する。

半導体レーザ素子４０の他に、素子実装部１４の実装側面Ｓの前方のアイレット１２の部分にへこみ部を設け、そこに受光素子を実装してもよい。受光素子は半導体レーザ素子４０の下部からの出射されるモニタ光を受光して半導体レーザ素子４０の出力を制御する。受光素子を実装する場合は、第１リード１６ａと同様な受光素子用のリードがさらに設けられ、受光素子がワイヤによってそのリードに接続される。

また、金属キャップ２０のフランジ部２２ｂがステム１０のアイレット１２の上に抵抗溶接によって接合されている。これにより、ステム１０と金属キャップ２０とで構成される収容部Ｈに半導体レーザ素子４０が気密封止されて実装されている。半導体レーザ素子４０はその上部の光出射部から光が放出され、その光がガラス窓２６を通って外部に放出される。

金属キャップ２０は、天板部の中央に開口部２３が設けられたキャップ部２２と、その開口部２３の下側に低融点ガラス２４によって封着されたガラス窓２６とから構成される。また、キャップ部２２は、キャップ主要部２２ａとその外周底部から外側に屈曲して突き出たフランジ部２２ｂとにより構成される。

金属キャップ２０のフランジ部２２ｂの外面側では、その付け根部分に周方向に一周する凹部ＣＰが設けられ、その最外周側に凹部ＣＰの底面から上側に突出する突出縁部２２ｘが設けられている。突出縁部２２ｘの外面（上面）はアイレット１２の基板方向と平行な水平面ＨＳとなっている。

本実施形態の光半導体装置１は、そのような構造の金属キャップ２０を使用するので、前述した理由によって生産効率よく高い歩留りで製造される。

図８には第１実施形態の変形例の光半導体装置の製造方法が示されている。前述した図４の金属キャップのフランジ部２２ｂでは、凹部ＣＰの幅が突出縁部２２ｘの幅より狭く設定されており、最外周側に比較的広い幅の突出縁部２２ｘが設けられている。

これに対して、変形例では、図８に示すように、フランジ部２２ｂの凹部ＣＰの幅が突出縁部２２ｘの幅より広く設定されており、最外周側に比較的狭い幅の突出縁部２２ｘが設けられている。

そして、前述した図５で示した抵抗溶接の方法と同様な方向により、金属キャップ２０及びステム１０を第１、第２溶接電極３２，３４で挟んで鍛圧し、両者に電圧を印加する。このとき、図９に示すように、変形例においても、第１溶接電極３２の角部３２ｃはフランジ部２２ｂの凹部ＣＰの上（図９では下）に配置されてフランジ屈曲部２１に対してフリーな状態となり、第１溶接電極３２の鍛圧面３２ｂがフランジ部２２ｂの突出縁部２２ｘの水平面ＨＳに当接して導通がとられる。

従って、前述した金属キャップ２０（図４）を使用する場合と同様に、第１溶接電極３２の角部３２ｃの磨耗が防止されて高寿命化が図れると共に、キャップ主要部２２ａ側に応力がかかりにくくなって低融点ガラス２４のクラックの発生が防止される。

（第２の実施の形態）
図１０及び図１１は本発明の第２実施形態の光半導体装置の製造方法を示す断面図である。図１０及び図１１においては、第１実施形態と同一要素については同一符号を付してその詳しい説明を省略する。

図１０に示すように、第２実施形態に係る金属キャップ２０では、フランジ部２２ｂの外面（上面）は全体にわたって水平面ＨＳとなっており、キャップ主要部２２ａの下部側面（フランジ屈曲部２１の外面の最上部）に内部に食い込む凹部ＣＰが設けられている。そして、凹部ＣＰの下側側面はフランジ部２２ｂの外面（水平面ＨＳ）と同一面を構成している。

第２実施形態では、キャップ主要部２２ａの下部側面に内部に食い込む凹部ＣＰを設けることにより、フランジ屈曲部２１の外面側に半円状の湾曲面（Ｒ面）が存在しないようにしている。

そして、第１実施形態の図５と同様に、金属キャップ２０及びステム１０を第１、第２溶接電極３２，３４で挟んで鍛圧し、両者の間に電圧を印加する。このとき、図１１に示すように、第１溶接電極３２の鍛圧面３２ｂがフランジ部２２ｂの水平面ＨＳに当接して導通がとられる。

金属キャップ２０のフランジ屈曲部２１の外面側には湾曲面（Ｒ面）が存在しないので、第１溶接電極３２の角部３２ｃは鍛圧面３２ｂと共にフランジ部２２ｂの水平面ＨＳに当接して鍛圧するだけである。このため、第１溶接電極３２の角部３２ｃの磨耗が防止されると共に、キャップ主要部２２ａに鍛圧による応力が伝導しにくい。

従って、第１実施形態の図４の金属キャップ２０を使用する場合と同様に、第１溶接電極３２の高寿命化が図れると共に、キャップ主要部２２ａの天板部のガラス窓を封着する低融点ガラス２４にクラックが発生することが防止される。

以上、第１及び第２実施形態で本発明の好適な実施形態を説明したが、第１溶接電極３２の角部３２ｃが金属キャップ２０のフランジ屈曲部２１の外面に食い込まないように、フランジ屈曲部２１の外面側に周方向に一周する凹部ＣＰが設けられていればよい。従って、図４、図８及び図１０の例の他に、フランジ屈曲部２１の外面側の中央部に斜め方向に凹部が設けられていてもよく、また凹部の形状は各種のものを採用することができる。

図１は従来技術の光半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。 図２は従来技術の光半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。 図３は図２のＡ部を拡大した部分拡大断面図である。 図４は本発明の第１実施形態の光半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。 図５は本発明の第１実施形態の光半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。 図６は図５のＢ部を拡大した部分拡大断面図である。 図７は本発明の第１実施形態の光半導体装置を示す断面図である。 図８は本発明の第１実施形態の変形例の光半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。 図９は本発明の第１実施形態の変形例の光半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。 図１０は本発明の第２実施形態の光半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。 図１１は本発明の第２実施形態の光半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。

符号の説明

１…光半導体装置、１０…ステム、１２…アイレット、１２ａ…貫通孔、１３…ガラス、１４…素子実装部、１６ａ…第１リード、１６ｂ…第２リード、２０…金属キャップ、２１…フランジ屈曲部、２２…キャップ部、２２ａ…キャップ主要部、２２ｂ…フランジ部、２２ｘ…突出縁部、２３，３４ａ…開口部、２４…低融点ガラス、２６…ガラス窓、３２…第１溶接電極、３２ａ，ＣＰ…凹部、３２ｂ…鍛圧面、３２ｃ…角部、３４…第２溶接電極、４０…半導体レーザ素子（光半導体素子）、４２…ワイヤ、Ｓ…実装側面、ＨＳ…水平面。

Claims (9)

1. 光半導体素子が実装されたステムと、
   天板部の開口部にガラス窓が封着されたキャップ主要部と、該キャップ主要部の外周底部から外部に屈曲して突き出たリング状のフランジ部とから構成される金属キャップであって、前記ステムの上に前記フランジ部が抵抗溶接されて前記光半導体素子を気密封止する前記金属キャップとを有し、
   前記キャップ主要部と前記フランジ部とを繋ぐフランジ屈曲部の外面側に、周方向に一周する凹部が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
2. 前記凹部は、前記フランジ部の付け根部分からその先端側に設けられ、前記凹部の前記キャップ主要部側の側面は前記キャップ主要部の側面と同一面を構成しており、前記凹部の外側に前記凹部の底面から上側に突出して周方向に一周する突出縁部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
3. 前記凹部は、前記キャップ主要部の下部側面に設けられており、前記凹部の下側側面が前記フランジ部の外面と同一面を構成していることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
4. 光半導体素子が実装されたステムと、
   天板部に設けられた開口部にガラス窓が封着されたキャップ主要部と、該キャップ主要部の外周底部から外部に屈曲して突き出たリング状のフランジ部とから構成される金属キャップであって、前記キャップ主要部と前記前記フランジ部とを繋ぐフランジ屈曲部の外面側に周方向に一周する凹部が設けられた前記金属キャップとを用意する工程と、
   前記ステム及び前記金属キャップを溶接電極によって挟んで鍛圧した状態で電圧を印加することにより、前記金属キャップの前記フランジ部を前記ステムに抵抗溶接して前記光半導体素子を気密封止する工程とを有し、
   前記金属キャップの前記フランジ部の外面に前記溶接電極の鍛圧面が当接することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
5. 前記凹部は、前記フランジ部の付け根部分からその先端側に設けられ、前記凹部の前記キャップ主要部側の側面は前記キャップ主要部の側面と同一面を構成しており、前記凹部の外側に前記凹部の底面から上側に突出して周方向に一周する突出縁部が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の光半導体装置の製造方法。
6. 前記凹部は、前記キャップ主要部の下部側面に設けられており、前記凹部の下側側面が前記フランジ部の外面と同一面を構成していることを特徴とする請求項４に記載の光半導体装置の製造方法。
7. 光半導体素子が実装されたステムの上に抵抗溶接されて前記光半導体素子を気密封止するための金属キャップであって、
   天板部に設けられた開口部にガラス窓が封着されたキャップ主要部と、該キャップ主要部の外周底部から外部に屈曲して突き出たリング状のフランジ部とから構成され、
   前記キャップ主要部と前記前記フランジ部とを繋ぐフランジ屈曲部の外面側に、周方向に一周する凹部が設けられていることを特徴とする金属キャップ。
8. 前記凹部は、前記フランジ部の付け根部分からその先端側に設けられ、前記凹部の前記キャップ主要部側の側面は前記キャップ主要部の側面と同一面を構成しており、前記凹部の外側に前記凹部の底面から上側に突出して周方向に一周する突出縁部が設けられていることを特徴とする請求項７記載の金属キャップ。
9. 前記凹部は、前記キャップ主要部の下部側面に設けられており、前記凹部の下側側面が前記フランジ部の外面と同一面を構成していることを特徴とする請求項７に記載の金属キャップ。

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