CN111052351B - 电子部件 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供通过贴片机安装于主基板时,盖与基板的接合部难以破损的电子部件。本发明的电子部件具备:金属制的盖,包括:具有第一主面的平板状的第一主面部、以及从与上述第一主面垂直的方向观察时包围上述第一主面的环状的环状部,通过上述第一主面部以及上述环状部构成凹部;平板状的基板,具有第二主面,通过上述第二主面密闭上述凹部;粘合部件,接合上述盖与上述基板;以及元件,收纳于上述凹部。上述环状部的外周面具有带状区域,该带状区域位于与上述第一主面垂直的方向上的上述第一主面与上述第二主面之间的区域。在上述带状区域设置有沿着上述环状部的周向的槽。

Description

电子部件
技术领域
本发明涉及具备金属制的盖的电子部件。
背景技术
作为具备金属制的盖的电子部件,例如,已知有专利文献1所记载的晶体谐振器。图9是专利文献1所记载的晶体谐振器150的剖面结构图。晶体谐振器150具备基板151、晶体振动元件152、以及盖153。盖153具有其顶部平坦的圆顶状结构。盖153与基板151接合,以在其内部收纳晶体振动元件152。盖153具有包围晶体振动元件152的侧壁部153a、位于晶体振动元件152的上方的顶棚部153b、以及连接侧壁部153a和顶棚部153b的连接部153c。连接部153c的厚度比侧壁部153a的厚度以及顶棚部153b的厚度薄。
在盖153和基板151中,热膨胀系数不同。因此,若晶体谐振器150的温度发生变化,则在盖153和基板151双方产生应力。该应力残留于盖153以及基板151。残留于基板151的应力施加到安装于基板151上的晶体振动元件152。而且,若残留于基板151的应力发生变化,则对晶体振动元件152施加的应力的大小也发生变化。因此,有晶体振动元件152的频率精度变低的情况。
在专利文献1的晶体谐振器150中,由于连接部153c比侧壁部153a以及顶棚部153b薄,所以在应力施加于盖153时盖153容易变形。因此,残留于基板151以及盖153的应力因盖153的变形而变小。若残留于基板151的应力变小,则从基板151施加至晶体振动元件152的应力变小。其结果,能够实现晶体振动元件152的较高的频率精度。
作为其他的发明,已知有专利文献2所记载的晶体谐振器。
专利文献1:日本专利第5862770号公报
专利文献2:日本特开平7-321591号公报
然而,在将专利文献1所记载的晶体谐振器150安装于主基板时,通过贴片机的喷嘴N,来保持晶体谐振器150。更为详细而言,喷嘴N具有平坦的下表面,在该下表面开口有吸引孔Nh。通过经由吸引孔Nh进行减压吸引,将盖153的顶棚部153b吸附于喷嘴N的下表面。之后,将晶体谐振器150,通过喷嘴N按压于主基板。此时,有在晶体谐振器150中较大的应力施加于盖153与基板151的接合部的情况。这样的应力会成为接合部的破损的原因。
近年来,晶体谐振器的小型化不断推进。由此,通常,喷嘴N的下表面(与盖153的对置面)的宽度Wn比盖153的宽度Wc大。因此,在将晶体谐振器150安装于主基板时,通过喷嘴N按压顶棚部153b的整体。由此,连接部153c难以变形。其结果,从喷嘴N经由盖153给予给基板151与盖153的接合部的应力不会被充分缓和。因此,有接合部破损的可能性。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供在通过贴片机安装于主基板时,盖与基板的接合部难以破损的电子部件。
本发明的一个方式的电子部件具备:
金属制的盖,包括:第一主面部,具有第一主面的平板状;以及环状的环状部,从与所述第一主面垂直的方向观察时包围所述第一主面,所述盖通过所述第一主面部以及所述环状部构成凹部;
平板状的基板,具有第二主面,通过所述第二主面密闭所述凹部;
粘合部件,接合所述盖与所述基板;以及
元件,收纳于所述凹部,
所述环状部的外周面具有带状区域,所述带状区域是位于与所述第一主面垂直的方向上的所述第一主面与所述第二主面之间的区域,
在所述带状区域设置有沿着所述环状部的周向的槽。
本发明的电子部件在通过贴片机安装于主基板时,盖与基板的接合部难以破损。
附图说明
图1是晶体谐振器10的外观立体图。
图2是晶体谐振器10的分解立体图。
图3是图1的A-A上的剖面结构图。
图4是放大表示环状部14b附近的剖面结构图。
图5是盖14的俯视图。
图6是晶体谐振器10A的外观立体图。
图7是晶体谐振器10B的外观立体图。
图8是晶体谐振器10C的剖面结构图。
图9是以往的晶体谐振器150的剖面结构图。
具体实施方式
(晶体谐振器的结构)
以下,参照附图对作为本发明的一个实施方式的电子部件的晶体谐振器进行说明。图1是晶体谐振器10的外观立体图。图2是晶体谐振器10的分解立体图。图3是图1的A-A上的剖面结构图。
以下,将相对于晶体谐振器10的主面的法线方向定义为上下方向,并将在从上侧观察时,晶体谐振器10的长边所延伸的方向定义为前后方向,将晶体谐振器10的短边所延伸的方向定义为左右方向。
如图1~图3所示,晶体谐振器10具备保持器11以及晶体振动元件16,其是压电谐振器的一个例子。保持器11是包括基板12、盖14、以及钎料(粘合部件的一个例子)30,并具有立方体结构的密封容器。保持器11在其内部具有与外部隔离的空间Sp(内部空间)。保持器11具有气密结构以及液密结构。即,空间Sp被气密并且液密密封。因此,气体(例如,水蒸气)以及液体(例如,水)无法在保持器11外与空间Sp之间移动。
基板12包括基板主体21、外部电极22、26、40、42、44、46以及导通孔导体32、34。
基板主体21具有板状结构,在从上侧观察时,具有长方形结构。因此,基板主体21具有长方形的上表面以及下表面。长方形意味着也包括正方形。所谓的长方形意味着除了长方形以外也包括从长方形稍微变形的形状。基板主体21例如由氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、氮化铝质烧结体、碳化硅质烧结体、玻璃陶瓷烧结体等陶瓷类绝缘性材料、石英、玻璃、硅等制成。在本实施方式中,基板主体21由氧化铝质烧结体制成。
外部电极22是设置于基板主体21的上表面的左后方的角附近的长方形的导体层。外部电极26是设置于基板主体21的上表面的右后方的角附近的长方形的导体层。外部电极22和外部电极26在左右方向上排列。
外部电极40是设置于基板主体21的下表面的右后方的角附近的正方形的导体层。外部电极42是设置于基板主体21的下表面的左后方的角附近的正方形的导体层。外部电极44是设置于基板主体21的下表面的右前方的角附近的正方形的导体层。外部电极46是设置于基板主体21的下表面的左前方的角附近的正方形的导体层。
外部电极22、26、40、42、44、46分别具有3层结构,具体而言,通过从下层侧向上层侧层叠钼层、镍层以及金层而构成。
导通孔导体32、34在其厚度方向(上下方向)上贯通基板主体21。导通孔导体32连接外部电极22和外部电极42。导通孔导体34连接外部电极26和外部电极40。导通孔导体32、34由钼等导体制成。
盖14是下侧开口的长方体状的金属制壳体。盖14包括主面部14a(第一主面部的一个例子)、环状部14b、以及凸缘14c。主面部14a、环状部14b以及凸缘14c构成为一体的部件。具体而言,如后述那样,主面部14a、环状部14b以及凸缘14c通过利用拉伸将一个金属板弯曲而形成。
盖14具备基材、以及设置于基材的表面的镀层。基材例如由铁镍合金(例如,镍含有率为42质量%的材料)或者铁镍钴合金(可伐合金)构成。镀层具有作为基底的镍层、和设置在镍层上的金层这样的双层结构。在本实施方式中,盖14通过对铁镍合金的基材的表面实施镀镍以及镀金而制成。
主面部14a为平板状。对于主面部14a,所谓的平板状意味着除了平板以外还包括从平板稍微变形的形状,例如,主面稍微弯曲的形状。环状部14b具有与主面部14a大致垂直地延伸的4个板状部。通过主面部14a以及环状部14b,在盖14上构成凹部15(参照图3)。盖14具有长方形的开口。主面部14a的下表面15A(第一主面的一个例子)是凹部15的底面。凸缘14c从环状部14b的开口边缘部(外缘),向沿着主面部14a的下表面15A的方向(与主面部14a大致平行的方向),并且凹部15的外侧突出。
图4是放大表示图3的环状部14b附近的剖面结构图。参照图4,对盖14中的环状部14b与凸缘14c的边界进行说明。该剖面与主面部14a、环状部14b以及凸缘14c各自的厚度方向平行。
以下,将在盖14的下端,与下表面15A平行的区域称为平行区域。平行区域朝向下方。在平行区域中,将盖14中的最内侧(在图4中为后侧)的点设为P1。在平行区域内,将距离P1向外侧(在图4中为前侧)与环状部14b的厚度d相同的距离的点设为P2。将在盖14的下部的外表面上向下方移动的路径上,外表面开始弯曲的点设为P3。在图4的剖面上,在盖14中,将比连结点P2和点P3的线段靠外侧的部分定义为凸缘14c。在盖14中与凸缘14c邻接的部分是环状部14b的一部分。
接下来,对盖14中的环状部14b与主面部14a的边界进行说明。参照图4,将在盖14的内表面上,在从下表面15A中的内侧的区域移动到外侧的区域的路径上,盖14的内面开始弯曲的点设为P4。在盖14中,将通过点P4并比垂直于下表面15A的直线L靠内侧的部分定义为主面部14a。在盖14中与主面部14a邻接的部分是环状部14b的一部分。
以下,将在盖14的外表面上,直线L与盖14的外表面相交的点与点P3之间的区域称为环状部14b的外周面。凸缘14c的表面,例如,凸缘14c的上表面以及端面未包括于环状部14b的外周面。将直线L与盖14的外表面相交的点称为环状部14b的上端侧边缘部14U,将点P3称为环状部14b的下端侧边缘部14L。将在环状部14b的外周面上,与主面部14a的下表面15A垂直的方向(上下方向)上的下表面15A和基板12的上表面(第二主面的一个例子)12A之间的区域称为带状区域B(参照图3)。
图5是从与主面部14a的下表面15A垂直的方向(下方)观察盖14的俯视图。在图5的俯视图中,环状部14b具有包围下表面15A的环状结构。凸缘14c具有包围下表面15A以及环状部14b的长方形的环状结构。
在该俯视图中,下端侧边缘部14L位于比上端侧边缘部14U靠外侧。上端侧边缘部14U以及下端侧边缘部14L均为包括1对长边和1对短边的长方形。因此,环状部14b是包括1对长边部Ls1、Ls2以及1对短边部Ss1、Ss2的长方形。长边部Ls1是在从下方观察时上端侧边缘部14U的2根长边内的位于右侧的长边、与下端侧边缘部14L的2根长边内的位于右侧的长边之间的线状的区域。长边部Ls2是在从下方观察时,上端侧边缘部14U的2根长边内的位于左侧的长边、与下端侧边缘部14L的2根长边内的位于左侧的长边之间的线状的区域。在从下方观察时,短边部Ss1是上端侧边缘部14U的2根短边内的位于前侧的短边、与下端侧边缘部14L的2根短边内的位于前侧的短边之间的线状的区域。在从下方观察时,短边部Ss2是上端侧边缘部14U的2根短边内的位于后侧的短边与下端侧边缘部14L的2根短边内的位于后侧的短边之间的线状的区域。
如图3所示,在带状区域B,设置有沿着环状部14b的周向的槽13。所谓的槽13沿着环状部14b的周向是指处于环状部14b的外周面内,并且,水平面(与前后方向以及左右方向平行的面;包括下表面15A的平面)与槽13的延伸方向所成的角度处于±60°的范围内。此外,水平面与槽13的延伸方向所成的角度优选处于±30°的范围内,更为优选处于±15°的范围内,最优选水平面与槽13的延伸方向大致平行。
在本实施方式中,如图1以及图2所示,槽13设置于环状部14b的除了角部附近以外的区域。从上下方向观察盖14,槽13设置于包括长边部Ls1的中间部M1、长边部Ls2的中间部M2、短边部Ss1的中间部M3、以及短边部Ss2的中间部M4的区域(参照图5)。在从上下方向观察时,中间部M1是连结上端侧边缘部14U的2根长边内的位于右侧的长边的中点、和下端侧边缘部14L的2根长边内的位于右侧的长边的中点的线段。在从上下方向观察时,中间部M2是连结上端侧边缘部14U的2根长边内的位于左侧的长边的中点、和下端侧边缘部14L的2根长边内的位于左侧的长边的中点的线段。在从上下方向观察时,中间部M3是连结上端侧边缘部14U的2根短边内的位于前侧的短边的中点、和下端侧边缘部14L的2根短边内的位于前侧的短边的中点的线段。从上下方向观察时,中间部M4是连结上端侧边缘部14U的2根短边内的位于后侧的短边的中点、和下端侧边缘部14L的2根短边内的位于后侧的短边的中点的线段。所谓的槽13设置于包括中间部M1~M4的区域是指槽13穿过中间部M1~M4(线段)。
优选槽13是所谓的V槽,即在与槽13的延伸方向垂直的剖面上,在槽13的底部,2个内壁面所形成的角度为锐角。但是,也可以在与槽13的延伸方向垂直的剖面上,槽13的底部的形状带有圆形。
钎料30具有长方形的环状结构,在从上侧观察时,包围晶体振动元件16以及外部电极22、26。钎料30例如是金锡合金、或者锡铅合金。钎料30起到接合基板12和盖14的作用。在盖14的开口边缘部经由钎料30重叠在基板12的边缘部上的状态下,使钎料30熔融以及固化。由此,盖14在开口边缘部的整周上与基板12的上表面12A接合。像这样,凹部15通过基板12的上表面12A密闭。其结果,通过基板主体21的上表面12A以及盖14,形成空间Sp。
根据晶体谐振器10所需要的特性,也可以代替钎料30,使用由其他材料构成的粘合部件。例如,在晶体谐振器10需要气密结构且不需要液密结构的情况下,作为钎料30,也可以使用以有机物为主体的粘结剂。
晶体振动元件16可激发地收纳于保持器11内。晶体振动元件16包含晶体片17、外部电极97、98、激发电极100、101以及引出导体102、103,且是压电振动元件的一个例子。晶体片17具有板状结构,该板状结构具有上表面以及下表面,在从上侧观察时,具有长方形结构。也可以代替晶体振动元件16,使用压电陶瓷元件作为压电振动元件。在该情况下,能够代替晶体片17,使用压电陶瓷片作为压电片。
晶体片17是具有规定的结晶方位的晶体,例如是以规定的角度从晶体的原石等切出的AT切割型的晶体片。晶体片17的尺寸例如是收纳于前后方向的长度为2.0mm、左右方向的宽度为1.6mm的范围的尺寸。考虑到保持器11的壁厚、密封材料的渗出、元件的安装精度等,将晶体片17设计为晶体片17的前后方向的长度为1.500mm以下、晶体片17的左右方向的宽度为1.00mm以下。
外部电极97是设置于晶体片17的左后方的角及其附近的导体层。外部电极97横跨上表面、下表面、后面以及左面而形成。外部电极98是设置于晶体片17的右后方的角及其附近的导体层。外部电极98横跨上表面、下表面、后面以及右面而形成。由此,外部电极97、98在左右方向上,即,沿着晶体片17的短边排列。
激发电极100设置于晶体片17的上表面的中央,在从上侧观察时具有长方形结构。激发电极101设置于晶体片17的下表面的中央,在从上侧观察时具有长方形结构。在从上侧观察时,激发电极100与激发电极101重叠,以使它们的外缘一致。
引出导体102设置于晶体片17的上表面,连接外部电极97和激发电极100。引出导体103设置于晶体片17的下表面,连接外部电极98和激发电极101。外部电极97、98、激发电极100、101以及引出导体102、103分别具有双层结构,包括铬层以及金层。铬层设置在晶体片17的表面上。金层是设置在铬层上的表面金属层。金层对晶体片17的紧贴性较低。因此,铬层通过设置于金层与晶体片17之间,作为外部电极97、98、激发电极100、101以及引出导体102、103对晶体片17的表面的紧贴层发挥作用。此外,作为紧贴层也可以代替铬层使用钛层等其他金属层。
晶体振动元件16安装于基板12的上表面12A。具体而言,外部电极22和外部电极97以通过导电性粘合部件210电连接的状态被固定,外部电极26和外部电极98以通过导电性粘合部件212电连接的状态被固定。由此,晶体振动元件16通过导电性粘合部件210、212支承于基板12。导电性粘合部件210、212的材料例如是环氧类树脂基材中含有Ag填料等导电性材料填料的材料。
(晶体谐振器的制造方法)
以下,参照附图对晶体谐振器10的制造方法进行说明。
首先,制成盖14。准备平板状的金属板。通过冲压加工将该金属板拉伸成形,加工成具有主面部14a、环状部14b(除去槽13。)以及凸缘14c的形状。对于该加工,由于是一般的工序所以省略说明。之后,在带状区域B形成槽13。槽13例如能够通过将刀片形压模按压于带状区域B而形成。由此,盖14完成。
接下来,制成基板12。准备将多个基板主体21排列成矩阵状的源基板。源基板由与基板主体21相同的材料,例如,氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、氮化铝质烧结体、碳化硅质烧结体、玻璃陶瓷烧结体等陶瓷系绝缘性材料、晶体、玻璃、硅等制成。
接下来,在源基板上,对配置导通孔导体32、34的位置照射光束,来形成圆形的贯通孔(通孔)。而且,将导通孔导体32、34埋入该贯通孔内。
接下来,在源基板的下表面形成外部电极40、42、44、46的基底电极。具体而言,在源基板的下表面上印刷钼层,并使其干燥。之后,对钼层进行烧结。由此,形成外部电极40、42、44、46的基底电极。
接下来,在源基板的上表面形成外部电极22、26的基底电极。具体而言,在源基板的上表面上印刷钼层,并使其干燥。之后,对钼层进行烧结。由此,形成外部电极22、26的基底电极。
接下来,依次对外部电极40、42、44、46、22、26的基底电极实施镀镍以及镀金。由此,形成外部电极40、42、44、46、22、26。
接下来,通过切割机,将源基板分割为多个基板主体21。此外,也可以在照射激光束并在源基板上形成分割槽之后,将源基板分割为多个基板主体21。由此,基板12完成。
接下来,制成晶体振动元件16。通过AT切割切出晶体的原石,而获得长方形的板状的晶体片17。进一步,根据需要,使用滚筒加工装置对晶体片17实施斜面加工。由此,晶体片17的棱线附近被切掉。
接下来,在晶体片17的表面形成外部电极97、98、引出导体102、103以及激发电极100、101。此外,由于外部电极97、98、激发电极100、101以及引出导体102、103的形成是一般的工序,所以省略说明。由此,晶体振动元件16完成。
接下来,在基板12的上表面12A安装晶体振动元件16。具体而言,如图2以及图3所示,通过导电性粘合部件210粘合外部电极22和外部电极97,并且通过导电性粘合部件212粘合外部电极26和外部电极98。
接下来,密封保持器11。将钎料30夹在凸缘14c的下表面与基板12的上表面12A的边缘部之间。在该状态下,通过与盖14以及基板12一起对钎料30进行加热,使钎料30熔融。之后,通过与盖14以及基板12一起对钎料30进行冷却,使钎料30固化。由此,保持器11被密封。经由以上的工序,晶体谐振器10完成。
(效果)
本实施方式的晶体谐振器10如以下说明的那样,在通过贴片机安装于主基板时,盖14与基板12的接合部难以破损。
在将晶体谐振器10安装于主基板时,通过贴片机的喷嘴N(参照图9),保持晶体谐振器10。喷嘴N的下表面(与盖14的对置面)的宽度Wn比晶体谐振器10的盖14的宽度(与下表面15A平行的方向的长度)大。在该情况下,主面部14a的上表面几乎遍及整个面,与喷嘴N的下表面接触。在该状态下,将晶体谐振器10通过喷嘴N按压于主基板。此时,盖14从喷嘴N接受力。
此外,喷嘴N的下表面的宽度Wn也可以为晶体谐振器10的盖14的宽度以下。另外,喷嘴N并不限定于图9所示的设置有细孔的块体,例如,也可以是管状(横剖面为环状)的喷嘴。无论在哪一个情况下,都能获得以下叙述的效果。
从喷嘴N给予盖14的力被传递至环状部14b。这样的力会成为盖14与基板12的接合部的破损的原因。因此,在环状部14b的带状区域B,设置有沿着环状部14b的周向的槽13。由此,从喷嘴N给予盖14的力在从主面部14a传递到盖14与基板12的接合部期间跨过槽13来传递。在环状部14b的带状区域B,在槽13以外的部分表面形状连续地变化。另一方面,在环状部14b的带状区域B,在槽13中表面形状急剧地不连续地变化。由此,在带状区域B产生的应力在槽13附近,比槽13附近以外的区域显著增大。即,应力集中在槽13附近产生。伴随于此,在盖14(凸缘14c)与基板12的接合部产生的应力变小。因此,接合部难以破损。
若槽13为V槽,则槽13底部的表面形状的变化变得非常大。由此,由于槽13的底部的应力的集中变得显著,所以容易获得上述的效果。
在槽13附近产生应力集中的结果,环状部14b可以变形,以使槽13闭合。在该情况下,能够通过喷嘴N吸收晶体谐振器10按压于主基板时的冲击。由此,接合部难以破损。此外,在该情况下,在环状部14b变形后盖14不干扰晶体振动元件16。
若从上下方向观察盖14,槽13设置于包括长边部Ls1的中间部M1、以及长边部Ls2的中间部M2的至少一方(优选为双方)的区域(参照图5),则容易获得通过变形来吸收冲击的效果。这根据从上下方向观察盖14,环状部14b的角部附近的刚性较高而难以变形,相对于此,中间部M1、M2附近距离角部最远而容易变形。
在槽13处于环状部14b的外周面中带状区域B以外的区域,即,在上下方向上比主面部14a的下表面15A靠上的情况下,在环状部14b中槽13附近的部分难以变形。在该情况下,几乎得不到吸收上述的冲击的效果。
由于槽13设置于环状部14b的外周面,所以通过目视观察确认槽13的存在很容易。
(变形例)
在以下的图中,对于图1~图5所示的部件、与部分共用的部件、部分,标注相同的附图标记,并省略重复的说明。
图6是第一变形例的晶体谐振器10A的外观立体图。在晶体谐振器10A中,在带状区域B,遍及环状部14b的周方向的整周连续地设置有槽13A。因此,对于晶体谐振器10A的槽13A以外的结构省略说明。
图7是第二变形例的晶体谐振器10B的外观立体图。在晶体谐振器10B中,在带状区域B,在分别包括长边部Ls1、Ls2的面、以及分别包括短边部Ss1、Ss2的面的至少任一个面,设置有多根(在本实施方式中,在包括长边部Ls1的面上为3根,在包括短边部Ss1的面上为2根)槽13B。在该情况下,设置于相同的面的多个槽13B可以在图7所示前后方向或者左右方向上相互偏移,另外,也可以不偏移。因此,对于晶体谐振器10B的槽13B以外的结构省略说明。
图8是第三变形例的晶体谐振器10C的剖面结构图,放大地示有环状部14b附近。在晶体谐振器10C中,环状部14b倾斜,使得越靠下方越位于外侧。像这样,环状部14b也可以不相对于主面部14a垂直。在该情况下,环状部14b与凸缘14c的边界、环状部14b与主面部14a的边界、环状部14b的外周面、以及环状部14b的外周面的上端侧边缘部14U以及下端侧边缘部14L等与图4所示的实施方式相同地定义。
(其它实施方式)
本发明的电子部件并不局限于上述晶体谐振器10、10A、10B、10C,能够在其主旨的范围内变更。例如,槽13、13A、13B设置于分别包括长边部Ls1、Ls2的面、以及分别包括短边部Ss1、Ss2的面中的至少一个面即可,无需设置于这些全部的面。
盖14也可以不具备凸缘14c。在该情况下,环状部14b的外周面的下端侧边缘部14L是盖14的外表面的下端(与钎料30的相邻部)。带状区域B为上下方向上的主面部14a的下表面15A与环状部14b的下端(与钎料30的相邻部)之间的较宽的区域,在该区域的任意的位置能够形成槽13、13A、13B。
此外,收纳于凹部的元件也可以是控制IC、热敏电阻或者电容器等。
上述实施方式的结构也可以任意地组合。
产业上的可利用性
如以上那样,本发明对于具备金属制的盖的电子部件有用,特别是,在通过贴片机安装于主基板时,盖与基板的接合部难以破损的点优异。
附图标记说明
10、10A、10B、10C…晶体谐振器;11…保持器;12…基板;12A…上表面;13、13A、13B…槽;14…盖;14a…主面部;14b…环状部;14c…凸缘;15…凹部;15A…下表面;16…晶体振动元件;17…晶体片;21…基板主体;30…钎料;100、101…激发电极;210、212…导电性粘合部件;B…带状区域;Ls1、Ls2…长边部;M1、M2、M3、M4…中间部;Sp…空间;Ss1、Ss2…短边部。

Claims (3)

1.一种电子部件,具备:
金属制的盖,包括:第一主面部,具有第一主面的平板状;以及环状的环状部,从与所述第一主面垂直的方向观察时包围所述第一主面,所述盖通过所述第一主面部以及所述环状部构成凹部;
平板状的基板,具有第二主面,通过所述第二主面密闭所述凹部;
粘合部件,接合所述盖与所述基板;以及
元件,收纳于所述凹部,
所述环状部的外周面具有带状区域,所述带状区域是位于与所述第一主面垂直的方向上的所述第一主面与所述第二主面之间的区域,
在所述带状区域设置有沿着所述环状部的周向的槽,
设置有所述槽的部分的所述环状部的厚度比未设置所述槽的部分的所述环状部的厚度小。
2.根据权利要求1所述的电子部件,其中,
所述盖还包括凸缘,所述凸缘从所述环状部的开口边缘部朝沿着所述第二主面的方向且向所述凹部的外方突出。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件,其中,
从垂直于所述第一主面的方向观察时,所述环状部为具有长边部和短边部的长方形,
从垂直于所述第一主面的方向观察时,所述槽设置于至少包括所述长边部的中间部的区域。
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