JP2009071160A - 測定システム及び測定回路 - Google Patents

測定システム及び測定回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2009071160A
JP2009071160A JP2007239603A JP2007239603A JP2009071160A JP 2009071160 A JP2009071160 A JP 2009071160A JP 2007239603 A JP2007239603 A JP 2007239603A JP 2007239603 A JP2007239603 A JP 2007239603A JP 2009071160 A JP2009071160 A JP 2009071160A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
supply voltage
signal
ring
measurement system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007239603A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanobu Hashimoto
昌宜 橋本
Yasuhiro Ogasawara
泰弘 小笠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osaka University NUC
Original Assignee
Osaka University NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osaka University NUC filed Critical Osaka University NUC
Priority to JP2007239603A priority Critical patent/JP2009071160A/ja
Publication of JP2009071160A publication Critical patent/JP2009071160A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】電源電圧の変動周期に制限されることなく、電源電圧の瞬時電圧値を測定する。
【解決手段】測定回路30は、7個のインバータI1〜I7がリング状にシリアル接続されたリング型発振器と、リング型発振器のリング上に配設され、各インバータの間に配設された7個のトランスミッションゲートS1〜S7を備えている。トランスミッションゲートS1〜S7は、イネーブル信号ENが入力され、ハイレベル期間においてオンし、リング型発振器を駆動させる。そして、リング型発振器から出力される出力信号を一定期間カウントすることで、ハイレベル期間における電源電圧の値を瞬時電圧値として算出する。
【選択図】図4

Description

本発明は、集積回路内部の電源電圧を測定する技術に関するものである。
近年、集積回路を駆動する電源電圧の低電圧化に伴い、電源電圧の変化が集積回路に与える影響が過大となっており、集積回路内での電源電圧の変化を測定することが要望されている。
電源電圧を測定する手法としてサンプルホールド回路を用いる手法が知られているが、サンプルホールド回路はアナログ回路であるため設計が困難であり、また、アナログ回路用電源やバイアス電圧を供給するための回路が別途必要となるため可搬性が低いという問題があった。
一方、デジタル回路を用いて集積回路内部の電源電圧を観測する手法として、例えば、非特許文献1では、電源電圧をリング型発振器の発振周期に変換して測定する手法が開示されている。また、非特許文献2には、リング型発振器の一部分を電源電圧の波形観測点に接続することにより電源電圧を測定する手法が開示されている。
Y. Kanno, Y. Kondoh, T. Irita, K. Hirose, R. Mori, Y. Yasu, S. Komatsu, and H. Mizuno, "In-situ measurement of supply-nose maps with millivolt accuracy and nanosecond-order time resolution," in Proc. IEEE Symp. on VLSI Circuits, pp. 63.64, June 2006. T. Sato, Y. Matsumoto, K. Hirakimoto, M. Komoda, and J. Mano, "A Time-Slicing Ring Oscillator for Capturing Instantaneous Delay Degradation and Power Supply Voltage Drop," IEEE 2006 Custom Integrated Circuits Conference (CICC).
しかしながら、非特許文献1の手法では、電源電圧の平均電圧値が測定されており、瞬時電圧値の測定がなされていないため、電源電圧の変化を測定することはできない。また、非特許文献2の手法では、電源電圧の変動周期がリング型発振器の発振周期と同一であるときのみしか、瞬時電圧値を測定することができず、電源電圧の変動周期を任意にすると、瞬時電圧値を測定することができなくなるという問題がある。
本発明の目的は、電源電圧の変動周期に制限されることなく、電源電圧の瞬時電圧値を測定することができる測定システム及び測定回路を提供することである。
本発明による測定システムは、集積回路内部の電源電圧を測定する測定システムであって、リング状に接続されたn(nは3以上の奇数)個のインバータを備え、前記集積回路を所定の条件で動作させることで周期的に変化する電源電圧に同期したクロック信号に、所定の位相差で同期し、かつ、パルス幅が前記電源電圧の1周期よりも短いタイミング信号を生成する信号生成手段と、前記リング型発振器のリング上に配設され、前記タイミング信号のハイレベルの期間にオンして、前記リング型発振器を発振させるトランスミッションゲートと、前記リング型発振器から出力される出力信号のパルス数をカウントすることで、前記タイミング信号がハイレベルの期間における電源電圧の値を瞬時電圧値として算出する演算手段とを備えることを特徴とする。
この構成によれば、周期的に変動する電源電圧の1周期よりも短いタイミング信号のハイレベル期間のみリング型発振器が駆動され、リング型発振器からの出力信号のパルス数がカウントされる。ここで、リング型発振器の発振周期は、電源電圧の大きさに応じて変化するため、リング型発振器からの出力信号のパルス数をカウントすることで、ハイレベル期間における電源電圧の電圧値、すなわち瞬時電圧値を測定することができる。また、タイミング信号は、クロック信号に同期し、クロック信号は、電源電圧に同期しているため、電源電圧の変動周期に制限されることなく、瞬時電圧値を測定することができる。また、リング型発振器は、インバータから構成され、トランスミッションゲートはリング型発振器のリング上に配設されており、インバータ及びトランスミッションゲートはデジタル回路であるため、リング型発振器及びトランスミッションゲートを測定回路として、集積化することが可能となり、この測定回路を測定対象となる集積回路内部に容易に実装することが可能となる。
また、前記信号生成手段は、前記クロック信号の1周期を複数のスロットに分割したときの1のスロットがハイレベルの期間となるように前記タイミング信号を生成することが好ましい。
この構成によれば、電源電圧の1周期を複数のスロットに分割したときの1のスロットにおいてのみ、リング型発振器を発振させることが可能となり、この1のスロットにおける出力信号のパルス数を繰り返しカウントすることで、この1のスロットにおける電源電圧、すなわち、瞬時電圧値を精度よく測定することができる。
また、前記信号生成手段は、前記電源電圧の1周期を構成する複数のスロットのうち、いずれか1のスロットがハイレベルの期間となるように前記タイミング信号の前記クロック信号に対する位相差と前記タイミング信号のパルス幅とを調節する調節手段を備えることが好ましい。
この構成によれば、タイミング信号の位相差とパルス幅とを調整してタイミング信号のハイレベル期間をずらすことが可能となり、電源電圧の1周期中の各スロットにおける瞬時電圧値を算出することが可能となり、電源電圧の波形を得ることができる。
また、前記トランスミッションゲートは、各インバータの間に配設されたn個のトランスミッションゲートであることが好ましい。この構成によれば、トランスミッションゲートは各インバータ間に配設されているため、リング型発振器の駆動停止時における各インバータの状態を保持させてリング型発振器の駆動を再開させることが可能となり、瞬時電圧値の測定精度を高めることができる。
また、少なくとも1つのトランスミッションゲート及びインバータは、クロックドインバータにより構成されていることが好ましい。この構成によれば、トランスミッションゲートとリング型発振器とを集積回路内部に容易に実装することが可能となる。
また、少なくとも1つのトランスミッションゲート及びインバータは、電源遮断インバータにより構成されていることが好ましい。この構成によれば、トランスミッションゲートとリング型発振器とを集積回路内部に容易に実装することが可能となる。
また、前記演算手段は、一定期間における前記出力信号のパルス数のカウント値と、前記カウント値に応じた瞬時電圧値との関係を示す電源電圧特性を予め記憶し、前記一定期間においてカウントしたカウント値に対する瞬時電圧値を、前記電源電圧特性を用いて算出することが好ましい。この構成によれば、電源電圧特性が予め記憶されているため、高速、かつ高精度に瞬時電圧値を測定することができる。
また、前記信号生成手段は、前記クロック信号をそれぞれ異なる遅延時間で遅延させる第1及び第2の遅延器と、前記第1及び第2の遅延器から出力される信号の排他的論理和をとるEX−ORゲートと、前記EX−ORゲートから出力される信号において、時間的に前後する2つパルスのうちいずれか一方のパルスを間引き、前記タイミング信号として出力する選択部とを備えることが好ましい。
この構成によれば、第1及び第2の遅延器から出力された信号の排他的論理和がとられているため、クロック信号に対して第1又は第2の遅延器による遅延時間に応じた位相差を有し、かつ、第1及び第2の遅延器による遅延時間の差をパルス幅とするタイミング信号を生成することができる。そのため、第1及び第2の遅延器の遅延時間を調整することで、タイミング信号のパルス幅及び位相差を所望する値に設定することができる。また、EX−ORゲートから出力された信号において、時間的に前後する2つパルスのうちいずれか一方のパルスが間引かれた信号がタイミング信号として出力されるため、クロック信号の1周期に1つのパルスを含む信号をパルス信号として出力することができる。
本発明による測定回路は、集積回路内部の電源電圧を測定するための測定回路であって、リング状に接続されたn(nは3以上の奇数)個のインバータを備え、前記電源電圧により駆動されて発振するリング型発振器と、前記リング型発振器のリング上に配設され、前記集積回路を所定の条件で動作させることで周期的に変化する電源電圧に同期したクロック信号に、所定の位相差で同期し、かつ、前記電源電圧の1周期よりもパルス幅の短いタイミング信号のハイレベルの期間にオンして、前記リング型発振器を駆動させるトランスミッションゲートとを備えることを特徴とする。
この構成によれば、電源電圧の変動周期に制限されることなく、電源電圧の瞬時電圧値を測定することが可能であり、かつ、測定対象となる集積回路内部に実装容易な測定回路を提供することができる。
本発明によれば、電源電圧の変動周期に制限されることなく、電源電圧の瞬時電圧値を測定することができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態による測定システムについて説明する。図1は、本発明の実施の形態による測定システムのブロック図を示している。測定システム1は、クロック生成部10、信号生成部20(信号生成手段の一例)、測定回路30、演算部40(演算手段の一例)、及び特性記憶部50(演算手段の一例)を備えている。クロック生成部10は、例えば、クロックジェネレータから構成され、周期的に変動する電源電圧と同じ周期を有するクロック信号を生成し、信号生成部20に出力する。ここで、クロック信号の周期は、集積回路100内部の観測点における電源電圧の周期を予め求めておき、この周期に基づいて予め設定されたものである。このようにして、クロック信号を生成することで、任意の周期の電源電圧の瞬時電圧値を測定することが可能となる。
信号生成部20は、集積回路100を所定の条件で動作させることで周期的に変化する電源電圧に同期したクロック信号に、所定の位相差で同期し、かつ、パルス幅が前記電源電圧の1周期よりも短いタイミング信号を生成する。
図2は、信号生成部20の回路図を示している。図2に示すように信号生成部20は、2個の遅延器21,22(調節手段の一例)、EX−ORゲート23、及び選択部24を備えている。遅延器21は、遅延時間が調節可能な可変遅延器から構成され、クロック信号CLKを遅延時間D1だけ遅延させ、EX−ORゲート23に出力する。遅延器22は、遅延時間が調節可能な可変遅延器から構成され、クロック信号CLKを遅延時間D1とは異なる遅延時間D2だけ遅延させ、EX−ORゲート23に出力する。EX−ORゲート23は、遅延器21,22から出力された信号の排他的論理和をとり、選択部24に出力する。ここで、遅延器21,22は、例えば信号生成部20に設けられた図略の操作部により受け付けられたユーザからの操作入力に従って、遅延時間D1,D2を調節する。
選択部24は、インバータ241、2個のANDゲート242,243、及び選択器244を備えている。ANDゲート242は、EX−ORゲート23から出力された信号とクロック信号CLKとの論理積をとる。ANDゲート243は、EX−ORゲート23から出力された信号と、インバータ241により論理が反転されたクロック信号との論理積をとる。選択器244は、セレクト信号SELに従って、ANDゲート242及び243のいずれか一方から出力された信号を選択し、イネーブル信号EN(タイミング信号)として測定回路30に出力する。
これにより、選択部24は、EX−ORゲート23から出力される信号において、時間的に前後する2つパルスのうちいずれか一方のパルスを間引き、イネーブル信号ENとして出力する。なお、セレクト信号SELは、例えば、信号生成部20に設けられた図略の操作部により受け付けられたユーザからの操作入力に従って、ハイレベル又はローレベルとなり、例えばハイレベルの場合は、ANDゲート242からの信号を選択し、ローレベルの場合は、ANDゲート243からの信号を選択する。
図3は、図2に示す信号生成部のタイミングチャートを示し、(a)はクロック信号CLKを示し、(b)はEX−ORゲート23から出力された信号ex−orを示し、(c)はイネーブル信号ENを示している。なお、図3において、D2>D1とされ、セレクト信号sel=ハイレベルとされている。
図3(b)に示すように、EX−ORゲート23により遅延器21,22の各々から出力された信号の排他的論理和がとられることで、クロック信号CLKの立ち上がり及び立ち下がり時刻から遅延時間D1だけ遅延し、かつ、パルス幅がD2−D1のパルスP1,P2を有する信号ex−orが出力されていることが分かる。
また、図3(c)に示すように、選択器244によりANDゲート242からの信号が選択され、クロック信号CLKとex−or信号との論理積がとられ、ex−or信号からパルスP2の間引かれた信号がイネーブル信号ENとして出力されていることが分かる。
以上のことから、クロック信号CLKに対して位相差が、位相差=min(D1,D2)、パルス幅が、パルス幅=max(D1,D2)−min(D1,D2)のイネーブル信号ENを生成することができ、D1,D2を調節することで、所望の位相差及びパルス幅を有するイネーブル信号ENを生成することができる。
また、D1,D2を調節することで、電源電圧の1周期を複数のスロットに分割したときの1のスロットがハイレベルの期間となるように、イネーブル信号ENを生成することが可能となり、更に、電源電圧の1周期を構成する複数のスロットのうち、いずれか1のスロットがハイレベルの期間となるように、イネーブル信号ENのクロック信号CLKに対する位相差とイネーブル信号ENのパルス幅とを調節することが可能となる。
図1に戻り、測定回路30は、集積回路100と共に集積化され、集積回路100内部の観測点からの電源電圧によって駆動される。図4は、測定回路30の回路図を示している。図4に示すように測定回路30は、7個のインバータI1〜I7がリング状にシリアル接続されたリング型発振器と、リング型発振器のリング上において、各インバータの間に配設された7個のトランスミッションゲートS1〜S7とを備えている。また、インバータI7の出力端子は、図1に示す演算部40に接続されている。
なお、図4において、インバータの数は7個に限定されず、リング型発振器を発振させることが可能な個数であればよく、3以上の奇数であればよい。また、トランスミッションゲートS1〜S7の個数も7個に限定されず、リング型発振器の発振を停止及び再開させることが可能な個数であればよく、リング上に少なくとも1個のトランスミッションゲートがあればよい。
インバータI1〜I7は、電源端子T1を備え、この電源端子T1に集積回路100内部の観測点における電源電圧が供給されて駆動される。なお、図4では図示を省略しているが、トランスミッションゲートS1〜S7も、インバータI1〜I7と同様、電源端子を備え、この電源端子に、集積回路100内部の所定の測定点における電源電圧が供給されて駆動されている。
リング型発振器の発振周波数は、電源電圧の大きさによって変化するが、基本的な発振周期は、インバータI1〜I7の遅延時間に依存するため、本実施の形態では、インバータI1〜I7のそれぞれの遅延時間は、イネーブル信号ENのパルス幅より短くなるように設定されている。
トランスミッションゲートS1〜S7は、CMOSトランジスタから構成され、2個の制御端子を備え、一方の制御端子には、イネーブル信号ENが入力され、他方の制御端子には、イネーブル信号ENの論理を反転させた信号が入力され、イネーブル信号ENのハイレベル期間にオンし、ハイレベル期間のみ、リング型発振器を発振させる。
図1に戻り、集積回路100は、CPU(中央演算処理装置)や画像処理回路等の種々の演算を行う集積回路から構成されている。ここで、集積回路100内部の電源電圧は、集積回路100が実行する処理に応じた種々のパターンで変動するが、本実施の形態では、集積回路100に同一処理を何回も繰り返し実行させることで電源電圧を一定周期で変化させている。なお、集積回路100の性能を評価するうえでは、電源電圧を周期的に変化させたときにおける電源電圧の測定値も有用な評価指標になる。電源電圧を一定周期で変化させるためには、例えば、5+5=10というような演算を集積回路100に何回も繰り返し実行させることで容易に実現することができ、また、この演算内容に基づいて、観測点における電源電圧の周期も容易に求めることができる。
演算部40及び特性記憶部50は、例えば、コンピュータから構成され、リング型発振器から出力される出力信号のパルス数をカウントすることで、イネーブル信号ENのハイレベル期間における電源電圧の値を瞬時電圧値として算出する。ここで、演算部40は、予め定められた一定期間においてリング型発振器から出力される出力信号のパルス数をカウントし、得られたカウント値に対して予め定められた瞬時電圧値を、特性記憶部50に記憶された電源電圧特性から特定することで、瞬時電圧値を算出する。
特性記憶部50は、予め実験的に得られたカウント値と電源電圧との関係を示す電源電圧特性を記憶する。ここで、電源電圧特性は、測定対象となる集積回路100とは異なる基準集積回路に測定回路30を接続することで、図1と同様な測定システムを構成し、基準集積回路の観測点に、別途用意した電源回路からの電源電圧を供給し、予め定められた一定期間毎に電源回路からの電源電圧を変化させながら、各電源電圧の一定期間におけるカウント値を演算部40にカウントさせることで得られる。
図5は、実際に測定された電源電圧特性を示すグラフであり、縦軸はカウント値を示し横軸は電源電圧の値(単位:mV)を示し、G1〜G2はそれぞれ、イネーブル信号ENのハイレベル期間をゲート数が15、10段分の遅延時間の長さにしたときの電源電圧特性を示している。G1〜G2に示すように、電源電圧特性は、カウント値が増大するにつれてほぼ一定の傾きで電源電圧の値が増大していることが分かる。また、電源電圧の値を一定とするとG1〜G2の順でカウント値が低くなっており、イネーブル信号ENのハイレベル期間が短くなるにつれて、測定回路30から出力される出力信号のパルス数が少なくなるため、演算部40によりカウントされるカウント値が低くなっていることが分かる。
次に、測定システム1の動作について説明する。図6は、測定システム1のタイミングチャートを示し、(a)はクロック信号CLKを示し、(b)は電源電圧Vddを示し、(c)はイネーブル信号ENを示し、(d)は測定回路30のインバータI7から出力される出力信号O1を示している。
図6(b)に示すように電源電圧Vddは、一定の周期Tで変化しており、また、図6(a)に示すようにクロック信号CLKも電源電圧Vddと同一の周期Tで変化している。図6においては、周期Tは6個のスロットに分けられ、各周期Tの2番目のスロットにイネーブル信号ENのハイレベル期間が割り当てられている。
このようなイネーブル信号ENは、図2に示す信号生成部20において、D1を図6に示す1スロットの長さに設定し、D2をD1×2に設定し、選択器244にANDゲート242からの信号を選択させることで容易に実現することができる。
そして、図6(c)に示すようなイネーブル信号ENを図4に示すトランスミッションゲートS1〜S7に印加することで、電源電圧Vddの各周期Tの2番目のスロットにおいてのみ、リング型発振器を駆動させることが可能となり、図6(d)に示すように、リン型発振器からは、各周期Tの2番目のスロットにおいてのみ発振する出力信号O1が出力されていることが分かる。
そして、演算部40は、2番目のスロットにおいて、リング型発振器から出力される出力信号O1のパルス数を、一定期間に相当する複数の周期Tに亘って繰り返しカウントすることが可能となり、得られたカウント値から電源電圧特性を参照することで、2番目のスロットにおける電源電圧Vddの値を瞬時電圧値として算出することが可能となる。
なお、図6(d)では、2番目のスロットにおいて、1〜2個程度のパルスしか出力されていないが、このパルスを複数の周期Tに亘って繰り返しカウントすると、得られたカウント値は電源電圧Vddの値に応じて顕著な差となって表れるため、瞬時電圧値を精度よく測定することが可能となる。そして、図6において、他のスロットも2番目のスロットと同様にして、瞬時電圧値を求めることで、電源電圧Vddの変化を測定することが可能となる。また、イネーブル信号ENのハイレベル期間を短くすることで、より高い時間分解能で瞬時電圧値を算出することができる。なお、測定時間となる一定期間としては、電源電圧Vddの値に応じてカウント値が顕著な差となって表れる期間を採用することが好ましい。
次に、トランスミッションゲートS1〜S7を各インバータI1〜I7の間に設ける理由について説明する。図7は、トランスミッションゲートの動作を説明する図である。なお、図7に示す添え字nはトランスミッションゲート及びインバータの配列番号を示している。
図7(a)に示すようにトランスミッションゲートSnがオンされると、リング型発振器が発振し、インバータIn−1の出力が時間と共に増大し、その出力がインバータInへと伝達される。そして、図7(b)に示すように、トランスミッションゲートSnがオフされると、オフ時におけるインバータIn−1の出力がインバータInの寄生容量によって保持される。そして、図7(c)に示すように、トランスミッションゲートSnが再びオンされると、寄生容量によって保持されていた出力を初期値としてインバータIn−1からの出力が変化する。そのため、トランスミッションゲートS1〜S7のそれぞれによりリング型発振器の駆動停止時における各インバータの状態を保持させてリング型発振器の駆動を再開させることが可能となり、瞬時電圧値の測定精度をより高めることができる。
次に、本発明による測定システム対して行った実験について説明する。図8は、実験に用いた測定システムの構成を示すブロック図である。この実験構成では、信号生成部20、測定回路30、演算部40、及びノイズ源60を備えている。ノイズ源60は、測定対象となる集積回路を模したものであり、図略の電源回路から供給された電源電圧と外部から供給されたクロック信号CLKとによって駆動し、測定回路30に電源電圧を供給する。
測定回路30は、ノイズ源60内部の所定の観測点に電源端子T1が接続され、観測点における電源電圧が供給されて駆動される。
図9は、図8に示すノイズ源60の回路構成を示す図である。図9に示すように、ノイズ源60は、DUT(Device Under Test)から構成され、ノイズを低減させるデカップリング容量CNと、ノイズを発生させるNANDユニットNDとを含む。なお、図9において、各升は1つのデカップリング容量CN及びNANDユニットNDを示し、ノイズ源60は、奇数列にシリアル接続された複数のデカップリング容量CNが配列され、偶数列にシリアル接続された複数のNANDユニットNDが配列され、列方向に隣接するデカップリング容量CN及びNANDユニットND同士が接続されることで、マトリックス状に配列されたデカップリング容量CN及びNANDユニットNDから構成されている。
図10は、図9に示す1個のNANDユニットNDの回路図を示している。図10に示すようにNANDユニットNDは、シリアル接続された12個のNANDゲートと、1段目及び2段目のNANDゲートの間に接続された選択器から構成され、1段目のNANDゲートに入力されるクロック信号と、1,3,5,8段目のNANDゲート入力される制御信号と、選択器に入力されるセレクト信号とによって、電源電圧にノイズを付与する。
なお、図9に示すノイズ源60は、図11に示すように構成してもよい。図11は、ノイズ源60の他の構成を示した図である。図11において、ノイズ源60は、マトリックス状に配列されたデカップリング容量CNからなるデカップリング容量群と、マトリックス状に配列されたNANDユニットNDからなるNANDユニット群と、デカップリング容量群及びNANDユニット群を接続する抵抗負荷とを備えている。負荷抵抗は、NANDユニット群とデカップリング容量群との空間的距離を模した抵抗であり、値が大きくなるにつれて、NANDユニット群とデカップリング容量群との空間的距離が大きくなる。
このように、図11に示すノイズ源60においては、デカップリング容量群とNANDユニット群とが空間的に離れて配置されることになり、デカップリング容量CNによるノイズ低減効果が期待できなくなる。一方、図9に示すノイズ源60においては、デカップリング容量CNとNANDユニットNDとが密に接続されているため、図11に比してより大きなノイズ低減効果が期待される。また、図9及び図11に示すノイズ源60においては、駆動するデカップリング容量CNとNANDユニットNDとの個数を調整することが可能となっている。
図12は、図8に示す測定システムによる実験結果を示したグラフであり、縦軸は、演算部40により算出された瞬時電圧値(mV)を示し、横軸は時間(ns)を示している。G11は、図9に示すノイズ源60において、デカップリング容量CNを駆動させたときの測定結果を示し、G12は、図9に示すノイズ源60において、デカップリング容量CNを駆動させなかったときの測定結果を示している。
G12に示すように、デカップリング容量CNを駆動させなかった場合、電源電圧のノイズが除去れないため、大きな電圧ドロップが表れていることが分かる。一方、G11に示すように、デカップリング容量CNを駆動させた場合、電源電圧のノイズが低下するため、G12に比べて電圧ドロップが小さくなっていることが分かる。電圧ドロップの大きさは、電源電圧の平均値にはあまり影響を与えないため、電源電圧の平均値を測定しても、デカップリング容量による効果を観測することはできない。一方、本測定システムによれば、電源電圧の瞬時電圧値を測定することが可能であるため、電圧ドロップが観測され、測定対象となる集積回路のデカップリング容量による効果を観測することが可能となる。
図13は、デカップリング容量の値を一定にして、チャネル長を変えた場合の電源電圧の測定結果を示すグラフであり、縦軸及び横軸は図12と同様である。図13において、G21〜G23は、それぞれ、デカップリング容量のチャネル長であるLを、L=0.1μm,1.0μm,5.98μmとしたときの測定結果を示している。
チャネル長を長くすると、デカップリング容量の容量成分が増大するためノイズ低減効果を期待できるが、抵抗成分も増大するため、抵抗成分が支配的になるとノイズ低減効果は低下する。G21及びG22を比較すると、電圧ドロップに大差はなく、デカップリング容量によるノイズ低減効果に大差がないことが分かる。一方、G21及びG23を比較すると、G23の方が電圧ドロップが約20mV大きくなっており、Lを6μm程度にすると、容量成分よりも抵抗成分が支配的になり、ノイズ低減効果が見込まれないことが分かる。
図14は、デカップリング容量の面積を一定にして、チャネル長を変えた場合の電源電圧の測定結果を示すグラフであり、縦軸及び横軸は図12と同様である。図14において、G31〜G33は、それぞれ、デカップリング容量のチャネル長であるLを、L=0.1μm,1.0μm,5.98μmとしたときの測定結果を示している。なお、G31〜G33におけるデカップリング容量の総容量比は、総容量比=2:6:9である。
G31及びG33を比較すると、G33の方が電圧ドロップが約20mV小さくなっており、チャネル長を長くしたことにより、容量成分の影響が大きくなってノイズ低減効果が表れていることが分かる。一方、G32及びG33を比較すると、電圧ドロップに大差はなく、チャネル長をある程度以上長くしても、容量成分と抵抗成分とのトレードオフによりノイズ低減効果が期待できないことが分かる。
図15は、図11に示す抵抗負荷の大きさを変えた場合の電源電圧の測定結果を示すグラフであり、縦軸及び横軸は図12と同様である。図15において、G41,G42は、抵抗負荷の値を小さくした場合、大きくした場合をそれぞれ示している。G41及びG42を比較すると抵抗負荷を小さくした方が電圧ドロップが小さくなり、デカップリング容量群とNANDユニット群との空間的距離を小さくした方が、ノイズ低減効果が大きくなっていることが分かる。
図12〜図15の実験結果に示すように、本電源システムでは、電源電圧の瞬時電圧値を測定することができるため、従来測定が困難とされていた、デカップリング容量によるノイズ低減効果を観測することが可能となり、集積回路の設計に役立てることが可能となる。
なお、図1においては、測定回路30は集積回路100に集積化していたが、これに限定されず、測定回路30を集積回路100とは別体で構成してもよい。この場合、クロック生成部10〜特性記憶部50をユニット化としてもよい。また、図1において、クロック生成部10及び信号生成部20を一体構成してもよい。
また、図4に示す測定回路30において、1個のインバータと1個のトランスミッションゲートとを図16に示すクロックドインバータ又は図17に示す電源遮断インバータにより構成してもよい。この場合、7つのインバータとトランスミッションゲートとをクロックドインバータ又は電源遮断インバータにより構成してもよいし、少なくとも1つのインバータとトランスミッションゲートとをクロックドインバータ又は電源遮断インバータにより構成してもよい。
図16は、クロックドインバータの回路図を示している。図16に示すようにクロックドインバータは、ソースドレイン間が接続された2個のPMOSトランジスタと、ソースドレイン間が接続された2個のNMOSトランジスタとを備え、2段目のPMOSトランジスタと3段目のNMOSトランジスタとはソースドレイン間が接続されている。この場合、1段目のPMOSトランジスタのドレインに電源電圧が入力され、1段目のPMOSトランジスタと、4段目のNMOSトランジスタとのそれぞれのゲートにイネーブル信号ENが入力され、2段目のPMOSトランジスタと、3段目のNMOSトランジスタとのそれぞれのゲートに論理が反転されたイネーブル信号ENが入力される。
図17は、電源遮断インバータの回路図を示している。図17に示すように電源遮断インバータは、クロックドインバータとほぼ同一構成であるが、1段目のPMOSトランジスタと、4段目のNMOSトランジスタとのそれぞれのゲートに論理が反転されたイネーブル信号ENが入力され、2段目のPMOSトランジスタと、3段目のNMOSトランジスタとのそれぞれのゲートにイネーブル信号ENが入力される。
また、図4に示すインバータのうちいずれか1個のインバータである例えばインバータI5を図18に示すようにNANDゲートN5により構成してもよい。この場合、NANDゲートN5の一方の入力端子にコントロール信号ctrl1を入力し、コントロール信号ctrl1をハイレベルとすることで、NANDゲートN5をインバータとして機能させ、コントロール信号ctrl1をローレベルとすることで、リング型発振器の発振を停止させることが可能となる。
なお、上記実施の形態では、遅延時間D1,D2は手動調節されていたが、これに限定されず、例えば、演算部40の制御の下、自動調節されるように構成してもよい。この場合、演算部40は、クロック信号CLKの1周期を複数のスロットに分け、1番目のスロットにハイレベル期間がくるようなイネーブル信号ENを信号生成部20に生成させ、1番目のスロットにおける瞬時電圧値が求まると、次に、2番目のスロットにハイレベル期間がくるようなイネーブル信号ENを信号生成部20に生成させるというような処理を、1周期の最終スロットまで繰り返し実行すればよい。これにより、電源電圧の波形を自動的に算出することが可能となる。
本発明の実施の形態による測定システムのブロック図を示している。 図1に示す信号生成部の回路図を示している。 図2に示す信号生成部のタイミングチャートを示している。 図1に示す測定回路の回路図を示している。 実際に測定された電源電圧特性を示すグラフである。 図1に示す測定システムのタイミングチャートを示している。 トランスミッションゲートの動作を説明する図である。 実験に用いた測定システムの構成を示すブロック図である。 図8に示すノイズ源の回路構成を示す図である。 図9に示す1個のNANDユニットの回路図を示している。 図8に示すノイズ源の他の構成を示した図である。 図8に示す測定システムによる実験結果を示したグラフである。 デカップリング容量の値を一定にして、チャネル長を変えた場合の電源電圧の測定結果を示すグラフである。 デカップリング容量の面積を一定にして、チャネル長を変えた場合の電源電圧の測定結果を示すグラフである。 図11に示す抵抗負荷の大きさを変えた場合の電源電圧の測定結果を示すグラフである。 クロックドインバータの回路図を示している。 電源遮断インバータの回路図を示している。 図4に示す測定回路の変形例を示した図である。
符号の説明
1 測定システム
10 クロック生成部
20 信号生成部
21,22 遅延器
23 EX−ORゲート
24 選択部
30 測定回路
40 演算部
50 特性記憶部
60 ノイズ源
100 集積回路
CLK クロック信号
D1,D2 遅延時間
EN イネーブル信号
I1〜I7 インバータ
O1 出力信号
S1〜S7 トランスミッションゲート
SEL セレクト信号

Claims (9)

  1. 集積回路内部の電源電圧を測定する測定システムであって、
    リング状に接続されたn(nは3以上の奇数)個のインバータを備え、前記電源電圧により駆動されて発振するリング型発振器と、
    前記集積回路を所定の条件で動作させることで周期的に変化する電源電圧に同期したクロック信号に、所定の位相差で同期し、かつ、パルス幅が前記電源電圧の1周期よりも短いタイミング信号を生成する信号生成手段と、
    前記リング型発振器のリング上に配設され、前記タイミング信号のハイレベルの期間にオンして、前記リング型発振器を発振させるトランスミッションゲートと、
    前記リング型発振器から出力される出力信号のパルス数をカウントすることで、前記タイミング信号がハイレベルの期間における電源電圧の値を瞬時電圧値として算出する演算手段とを備えることを特徴とする測定システム。
  2. 前記信号生成手段は、前記クロック信号の1周期を複数のスロットに分割したときの1のスロットがハイレベルの期間となるように前記タイミング信号を生成することを特徴とする請求項1記載の測定システム。
  3. 前記信号生成手段は、前記電源電圧の1周期を構成する複数のスロットのうち、いずれか1のスロットがハイレベルの期間となるように前記タイミング信号の前記クロック信号に対する位相差と前記タイミング信号のパルス幅とを調節する調節手段を備えることを特徴とする請求項2記載の測定システム。
  4. 前記トランスミッションゲートは、各インバータの間に配設されたn個のトランスミッションゲートであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の測定システム。
  5. 少なくとも1つのトランスミッションゲート及びインバータは、クロックドインバータにより構成されていることを特徴とする請求項4記載の測定システム。
  6. 少なくとも1つのトランスミッションゲート及びインバータは、電源遮断インバータにより構成されていることを特徴とする請求項4記載の測定システム。
  7. 前記演算手段は、一定期間における前記出力信号のパルス数のカウント値と、前記カウント値に応じた瞬時電圧値との関係を示す電源電圧特性を予め記憶し、前記一定期間においてカウントしたカウント値に対する瞬時電圧値を、前記電源電圧特性を用いて算出することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の測定システム。
  8. 前記信号生成手段は、
    前記クロック信号をそれぞれ異なる遅延時間で遅延させる第1及び第2の遅延器と、
    前記第1及び第2の遅延器から出力される信号の排他的論理和をとるEX−ORゲートと、
    前記EX−ORゲートから出力される信号において、時間的に前後する2つパルスのうちいずれか一方のパルスを間引き、前記タイミング信号として出力する選択部とを備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の測定システム。
  9. 集積回路内部の電源電圧を測定するための測定回路であって、
    リング状に接続されたn(nは3以上の奇数)個のインバータを備え、前記電源電圧により駆動されて発振するリング型発振器と、
    前記リング型発振器のリング上に配設され、前記集積回路を所定の条件で動作させることで周期的に変化する電源電圧に同期したクロック信号に、所定の位相差で同期し、かつ、前記電源電圧の1周期よりもパルス幅の短いタイミング信号のハイレベルの期間にオンして、前記リング型発振器を駆動させるトランスミッションゲートとを備えることを特徴とする測定回路。
JP2007239603A 2007-09-14 2007-09-14 測定システム及び測定回路 Pending JP2009071160A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007239603A JP2009071160A (ja) 2007-09-14 2007-09-14 測定システム及び測定回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007239603A JP2009071160A (ja) 2007-09-14 2007-09-14 測定システム及び測定回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009071160A true JP2009071160A (ja) 2009-04-02

Family

ID=40607082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007239603A Pending JP2009071160A (ja) 2007-09-14 2007-09-14 測定システム及び測定回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009071160A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101860364A (zh) * 2009-04-03 2010-10-13 台湾积体电路制造股份有限公司 环状振荡器电路、测量临界电压变异的集成电路及方法
US10574240B2 (en) 2017-02-28 2020-02-25 International Business Machines Corporation Ring oscillator structures to determine local voltage value

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101860364A (zh) * 2009-04-03 2010-10-13 台湾积体电路制造股份有限公司 环状振荡器电路、测量临界电压变异的集成电路及方法
US10574240B2 (en) 2017-02-28 2020-02-25 International Business Machines Corporation Ring oscillator structures to determine local voltage value

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007017158A (ja) テスト回路、遅延回路、クロック発生回路、及び、イメージセンサ
US6771202B2 (en) Analog-to-digital conversion method and device
US8531322B2 (en) Time-to-digital converter
JPWO2006038468A1 (ja) 位相差測定回路
US7653170B2 (en) Electrical circuit for measuring times and method for measuring times
TW200907364A (en) Device for jitter measurement and method thereof
US20180175840A1 (en) Delay circuit, count value generation circuit, and physical quantity sensor
JP2011159873A (ja) 半導体集積回路及びそれを備えた電圧制御装置
JP2016010004A (ja) リングオシレータ及びこれを備える半導体装置
JP2002116231A (ja) ゲート遷移をカウントする回路
TW201243364A (en) Device measurement circuit and method thereof
JP2009071160A (ja) 測定システム及び測定回路
JP5088134B2 (ja) 信号測定装置
US10037011B2 (en) Time measuring circuit and temperature sensor circuit
JP2004343395A (ja) パルス幅変調回路
JP4921329B2 (ja) A/d変換回路
US11379072B2 (en) Semiconductor device and semiconductor system having the same
JP5656760B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP5303757B2 (ja) タイミング発生回路
CN109981085B (zh) 时钟监控电路
JP2011196855A (ja) 半導体集積回路
US20090195073A1 (en) System and apparatus for generating ideal rise and fall time
KR102505721B1 (ko) 반도체 장치 및 이를 위한 특성 측정 회로
JP2010283054A (ja) プロセスモニタ回路およびプロセス特性の判定方法
JP3864583B2 (ja) 可変遅延回路