JP2009059929A - 半導体発光素子のための駆動回路およびこれを用いた光源装置、照明装置、モニタ装置、画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体発光素子を駆動するための駆動回路の寄生インダクタンスを低減させる。
【解決手段】 半導体発光素子を駆動するための駆動回路は、基板と、基板の第１の層に形成され、半導体発光素子のアノードに電気的に接続される第１のパターンと、基板の第２の層に形成され、半導体発光素子のカソードに電気的に接続される第２のパターンと、を備える。第１のパターンと第２のパターンとは、基板の法線方向から見たときに第１のパターンと第２のパターンとが重なるように、形成されている。
【選択図】 図６

Description

この発明は、半導体発光素子を駆動するための駆動回路に関する。

光源装置は、例えば、半導体レーザと、半導体レーザを駆動する駆動回路と、を備えている。

特開平５−９５１４８号公報

ところで、光源装置の効率は、より具体的には、半導体レーザの効率は、高いことが好ましい。しかしながら、駆動回路には、通常、寄生インダクタンスが存在する。寄生インダクタンスの影響は、半導体レーザを流れる電流が大きく、かつ、半導体レーザを流れる電流の大きさが変動する場合に、大きくなる。このため、従来では、駆動回路の寄生インダクタンスに起因して、光源装置の効率を充分に高めることが困難であった。

なお、この問題は、光源装置が半導体レーザを備える場合に限らず、ＬＥＤなどの他の半導体発光素子を備える場合にも共通する。

この発明は、従来技術における上述の課題を解決するためになされたものであり、半導体発光素子を駆動するための駆動回路の寄生インダクタンスを低減させることを目的とする。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］ 半導体発光素子を駆動するための駆動回路であって、
基板と、
前記基板の第１の層に形成され、前記半導体発光素子のアノードに電気的に接続される第１のパターンと、
前記基板の第２の層に形成され、前記半導体発光素子のカソードに電気的に接続される第２のパターンと、
を備え、
前記第１のパターンと前記第２のパターンとは、前記基板の法線方向から見たときに前記第１のパターンと前記第２のパターンとが重なるように、形成されている、駆動回路。

この駆動回路では、基板の第１の層の第１のパターンと基板の第２の層の第２のパターンとは、基板の法線方向から見たときに２つのパターンが重なるように、形成されているため、駆動回路の寄生インダクタンスを低減させることができる。

［適用例２］ 適用例１記載の駆動回路であって、
前記第１のパターンの幅と前記第２のパターンの幅とは、ほぼ等しい、駆動回路。

こうすれば、第１のパターンの幅と第２のパターンの幅とが異なる場合と比較して、寄生インダクタンスを低減させることができる。

［適用例３］ 適用例１または２記載の駆動回路であって、
前記半導体発光素子を流れる電流が前記第１のパターンを流れる際の第１の向きと、前記電流が前記第２のパターンを流れる際の第２の向きとは、逆向きである、駆動回路。

［適用例４］ 適用例１ないし３のいずれかに記載の駆動回路であって、
前記基板は、リジッド基板である、駆動回路。

［適用例５］ 適用例４記載の駆動回路であって、
前記半導体発光素子は、前記リジッド基板の側方に配置されている、駆動回路。

こうすれば、半導体発光素子がリジッド基板の一方の面側に配置されている場合と比較して、寄生インダクタンスを低減させることができる。

［適用例６］ 適用例４記載の駆動回路であって、さらに、
フレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板の第３の層に形成された第３のパターンであって、前記第１のパターンと前記アノードとは前記第３のパターンを介して電気的に接続されている、前記第３のパターンと、
前記フレキシブル基板の第４の層に形成された第４のパターンであって、前記第２のパターンと前記カソードとは前記第４のパターンを介して電気的に接続されている、前記第４のパターンと、
を備え、
前記第３のパターンと前記第４のパターンとは、前記基板の法線方向から見たときに前記第３のパターンと前記第４のパターンとが重なるように、形成されている、駆動回路。

こうすれば、駆動回路の配置の自由度を高めることができる。

［適用例７］ 適用例６記載の駆動回路であって、
前記第３のパターンの幅と前記第４のパターンの幅とは、ほぼ等しい、駆動回路。

［適用例８］ 適用例６または７記載の駆動回路であって、
前記半導体発光素子を流れる電流が前記第３のパターンを流れる際の第３の向きと、前記電流が前記第４のパターンを流れる際の第４の向きとは、逆向きである、駆動回路。

［適用例９］ 適用例６ないし８のいずれかに記載の駆動回路であって、
前記半導体発光素子は、前記フレキシブル基板の側方に配置されている、駆動回路。

こうすれば、半導体発光素子がフレキシブル基板の一方の面側に配置されている場合と比較して、寄生インダクタンスを低減させることができる。

［適用例１０］ 適用例４ないし９のいずれかに記載の駆動回路であって、さらに、
前記半導体発光素子に接続されたスイッチング素子を備え、
前記スイッチング素子は、前記第２のパターンの形成領域の内側に設けられている、駆動回路。

［適用例１１］ 適用例１ないし３のいずれかに記載の駆動回路であって、
前記基板は、フレキシブル基板である、駆動回路。

こうすれば、駆動回路の配置の自由度を高めることができる。

［適用例１２］ 適用例１１記載の駆動回路であって、
前記半導体発光素子は、前記フレキシブル基板の側方に配置されている、駆動回路。

こうすれば、半導体発光素子がフレキシブル基板の一方の面側に配置されている場合と比較して、寄生インダクタンスを低減させることができる。

［適用例１３］ 適用例１１または１２記載の駆動回路であって、さらに、
前記半導体発光素子に接続されたスイッチング素子を備え、
前記スイッチング素子は、前記第２のパターンの形成領域の内側に設けられている、駆動回路。

［適用例１４］ 光源装置であって、
適用例１ないし１３のいずれかに記載の駆動回路と、
前記半導体発光素子と、
を備える、光源装置。

［適用例１５］ 照明装置であって、
適用例１４記載の光源装置を備える、照明装置。

［適用例１６］ モニタ装置であって、
適用例１４記載の光源装置と、
前記光源装置によって照射される被写体を撮像する撮像部と、
を備える、モニタ装置。

［適用例１７］ 画像表示装置であって、
適用例１４記載の光源装置と、
前記光源装置から射出された光を画像情報に応じて変調する光変調デバイスと、
を備える、画像表示装置。

なお、この発明は、駆動回路、該駆動回路を備える光源装置、照明装置，モニタ装置，画像表示装置，プロジェクタ等の種々の態様で実現することができる。

次に、本発明の実施の形態を実施例に基づいて以下の順序で説明する。
Ａ．第１実施例：
Ａ−１．光源装置の構成：
Ａ−２．寄生インダクタンスの影響：
Ａ−３．プリント基板の構成：
Ｂ．第２実施例：
Ｃ．第３実施例：
Ｃ−１．第３実施例の変形例：
Ｄ．光源装置の適用例：

Ａ．第１実施例：
Ａ−１．光源装置の構成：
図１は、光源装置１００の概略構成を示す説明図である。なお、図１には、光源装置１００に電力を供給するＡＣ／ＤＣコンバータ９０も示されている。図示するように、光源装置１００は、ＤＣ／ＤＣコンバータ１２０と、発光部１３０と、検出用ミラー１７２と、フォトダイオード（ＰＤ）１７４と、電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換回路１７６と、制御回路１９０と、を備えている。図２は、図１のＤＣ／ＤＣコンバータ１２０および発光部１３０の内部構成を示す説明図である。以下では、図１，図２を参照しつつ、光源装置１００について説明する。

ＤＣ／ＤＣコンバータ１２０は、ＡＣ／ＤＣコンバータ９０から第１の直流電圧を受け取り、該第１の直流電圧の電圧値を低減させて第２の直流電圧を出力する。

具体的には、図２に示すように、ＤＣ／ＤＣコンバータ１２０は、２つのトランジスタ１２２，１２４と、インダクタ１２６と、コンデンサ１２８と、を備えている。第１のトランジスタ１２２とインダクタ１２６とコンデンサ１２８とは、この順序で直列に接続されている。また、第２のトランジスタ１２４と、インダクタ１２６およびコンデンサ１２８とは、並列に接続されている。

第１のトランジスタ１２２のゲート端子には、第１の電圧制御信号Ｃｖ１が供給される。また、第２のトランジスタ１２４のゲート端子には、第２の電圧制御信号Ｃｖ２が供給される。２つのトランジスタ１２２，１２４は、２つの電圧制御信号Ｃｖ１，Ｃｖ２に従って、交互にオン状態に設定されると共に、交互にオフ状態に設定される。インダクタ１２６とコンデンサ１２８とは、２つのトランジスタ１２２，１２４間の電圧を平滑化する。この構成により、ＤＣ／ＤＣコンバータ１２０は、ＡＣ／ＤＣコンバータ９０から受け取った第１の直流電圧を低減させて、第２の直流電圧を出力することができる。

発光部１３０は、図２に示すように、発光デバイス１４０と、スイッチ回路１５０と、を備えている。発光デバイス１４０は、基本波（赤外光）を射出する半導体レーザ１４２と、第２高調波発生（ＳＨＧ）現象を利用して２次高調波を発生させる波長変換素子１４４と、外部共振器を構成するミラー１４６と、を備えており、可視光を射出する。また、スイッチ回路１５０は、半導体レーザ１４２を発光状態または非発光状態に設定するためのトランジスタ１５２を備えている。

検出用ミラー１７２は、発光デバイス１４０から射出された光の一部（モニタ光）をフォトダイオード１７４に導く。フォトダイオード１７４には、モニタ光の強度に応じた電流が流れる。電流−電圧変換回路１７６は、フォトダイオード１７４に流れる電流に応じた電圧を出力する。

制御回路１９０は、電流−電圧変換回路１７６の出力値（電圧値）に応じて、２つの電圧制御信号Ｃｖ１，Ｃｖ２をＤＣ／ＤＣコンバータ１２０に供給する。具体的には、制御回路１９０は、電流−電圧変換回路１７６の出力値に応じて、第１の電圧制御信号Ｃｖ１のデューティ比と第２の電圧制御信号Ｃｖ２のデューティ比とを変更する。例えば、電流−電圧変換回路１７６の出力値が目標値よりも小さい場合には、第１の電圧制御信号Ｃｖ１のデューティ比を増大させると共に、第２の電圧制御信号Ｃｖ２のデューティ比を低減させる。この結果、ＤＣ／ＤＣコンバータ１２０は、２つの電圧制御信号Ｃｖ１，Ｃｖ２に応じた値を有する第２の直流電圧を出力することができる。

また、制御回路１９０は、発光制御信号ＣＬを発光部１３０に供給する。発光制御信号ＣＬに応じてトランジスタ１５２がオン状態またはオフ状態に設定されると、半導体レーザ１４２が発光状態または非発光状態に設定される。半導体レーザ１４２は、第２の直流電圧に応じた強度を有する赤外光を射出し、この結果、発光デバイス１４０は、第２の直流電圧に応じた強度を有する可視光を射出する。

上記の説明から分かるように、本実施例の光源装置１００では、発光デバイス１４０から射出される可視光の強度がほぼ一定となるように、ＡＰＣ（Auto Power Control）制御が行われる。

なお、図１，図２に示す光源装置１００のうち、発光デバイス１４０を除く部分が、本発明における駆動回路に相当する。また、発光デバイス１４０に含まれる半導体レーザ１４２が、本発明における半導体発光素子に相当する。

図３は、図２の回路における電圧の変化を模式的に示す説明図である。図３（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、図２に示す３つの電圧Ｖａ〜Ｖｃの変化を示している。電圧Ｖａは、ＤＣ／ＤＣコンバータ１２０の入力電圧（すなわち、ＡＣ／ＤＣコンバータ９０の出力電圧）である。電圧Ｖｂは、ＤＣ／ＤＣコンバータ１２０の出力電圧である。電圧Ｖｃは、半導体レーザ１４２の端子間電圧、すなわち、アノード−カソード間の電圧である。

本実施例では、図３（Ａ）に示すように、ＤＣ／ＤＣコンバータ１２０は、約１２Ｖの直流電圧を受け取る。また、図３（Ｂ）に示すように、ＤＣ／ＤＣコンバータ１２０は、約３Ｖの直流電圧を出力する。そして、図３（Ｃ）に示すように、半導体レーザ１４２のアノード−カソード間には、周期的な発光制御信号ＣＬに応じて、周期的に電圧が印加される。なお、トランジスタ１５２がオン状態に設定される期間に、半導体レーザ１４２に電流が流れ、半導体レーザ１４２のアノード−カソード間に有意な電圧が印加される。

Ａ−２．寄生インダクタンスの影響：
ところで、図２には、破線でインダクタが示されている。このように、実際の駆動回路には、配線パターンに起因して、具体的には、図２に示す電流のループに起因して、寄生インダクタンスが存在する。

図４は、寄生インダクタンスに応じた電流の波形を示す説明図である。図中、横軸は、時間を示し、縦軸は、半導体レーザ１４２のアノード−カソード間を流れる電流を示す。曲線Ｃ１〜Ｃ４は、それぞれ、寄生インダクタンスが１０ｎＨ，１５ｎＨ，３２ｎＨ，６０ｎＨである場合の電流の波形を示している。

図４から分かるように、寄生インダクタンスが比較的小さい場合には、電流の波形は矩形に近づく。逆に、寄生インダクタンスが比較的大きい場合には、電流の波形は鈍る。これは、寄生インダクタンスは、半導体レーザ１４２にパルス状の電流が流れる際に、電流の変化を妨げるように作用するためである。

半導体レーザ１４２の発光量ＬＰは、半導体レーザに供給される電力（供給電力）ＩＰと、半導体レーザの光変換効率ηと、を用いて以下のように表される。
ＬＰ＝ＩＰ×η

また、供給電力ＩＰは、半導体レーザのアノード−カソード間に印加される電圧のピーク値（ピーク電圧）Ｖｐと、半導体レーザに流れる電流の積分値∫Ｉと、を用いて以下のように表される。
ＩＰ＝Ｖｐ×∫Ｉ

電流の波形が鈍る場合には、電流の積分値∫Ｉが小さくなるため、供給電力ＩＰが小さくなってしまう。

図５は、寄生インダクタンスと規格化効率との関係を示す説明図である。図中、横軸は、寄生インダクタンスを示し、縦軸は、規格化効率（％）を示す。ここで、規格化効率は、半導体レーザ１４２に供給される電力（供給電力）ＩＰと、ＤＣ／ＤＣコンバータ１２０から出力される電力（出力電力）ＯＰと、の比（ＩＰ／ＯＰ）を百分率で示したものである。例えば、寄生インダクタンスがゼロである場合には、供給電力ＩＰは出力電力ＯＰと等しく、規格化効率は１００％となる。

図５から分かるように、規格化効率は、寄生インダクタンスが増大する程、小さくなる。換言すれば、規格化効率を増大させるためには、寄生インダクタンスを低減させればよい。なお、寄生インダクタンスが低減すれば、前述の電流の積分値∫Ｉが増大するため、供給電力ＩＰが増大する。

寄生インダクタンスの低減は、駆動回路の配線パターンを工夫することによって実現可能である。

周知のように、ループ状のコイルのインダクタンスＬ（μＨ）は、式（１）で表される。なお、Ｒはコイル（すなわちループ）の半径を示し、ｄは導線の直径を示す。ａは定数である。

式（１）から分かるように、インダクタンスＬは、Ｒの値を小さくすれば、小さくなる。また、インダクタンスＬは、ｄの値を大きくすれば、小さくなる。

すなわち、配線パターンに起因する寄生インダクタンスは、電流のループの半径（距離）を小さくし、配線パターンの幅を大きくすれば、低減させることができる。

なお、規格化効率（図５）は、約８０％以上であることが好ましく、約９０％以上であることが好ましい。あるいは、寄生インダクタンスは、約５０ｎＨ以下であることが好ましく、約３０ｎＨ以下であることが好ましい。

Ａ−３．プリント基板の構成：
図６は、プリント基板の構成を示す説明図である。本実施例では、リジッドタイプのプリント基板（以下、「リジッド基板」と呼ぶ）が利用される。図６（Ａ）は、リジッド基板ＳＡの表面を示し、図６（Ｃ）は、リジッド基板ＳＡの裏面を示す。図６（Ｂ）は、リジッド基板ＳＡの概略断面を示す。なお、図６に示す構成により、図２の一点鎖線で囲まれた部分の回路が実現される。

図６（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、リジッド基板ＳＡは、絶縁板ＩＡと、絶縁板ＩＡの一方の側（表面側）に形成された２つのパターンＰＡ１，ＰＡ２と、絶縁板ＩＡの他方の側（裏面側）に形成された２つのパターンＰＡ３，ＰＡ４と、を備えている。なお、絶縁板ＩＡは、例えば、ガラスエポキシ基板である。また、リジッド基板ＳＡの両側には、図示しないソルダレジストが塗布されている。

リジッド基板ＳＡの表面には、複数のチップコンデンサで構成されたコンデンサ１２８が実装されている。コンデンサ１２８の一方の端子は、第１のパターンＰＡ１に接続されており、他方の端子は、第２のパターンＰＡ２に接続されている。第１のパターンＰＡ１には、図２に示すＤＣ／ＤＣコンバータ１２０の点Ｐａの電圧が印加され、第２のパターンＰＡ２には、点Ｐｂの電圧が印加される。

リジッド基板ＳＡの裏面には、トランジスタ１５２が実装されている。具体的には、トランジスタ１５２は、リジッド基板ＳＡの法線方向から見たときに第３のパターンＰＡ３の形成領域の内側に配置されている。トランジスタ１５２のドレイン端子は、第３のパターンＰＡ３に接続されており、ゲート端子は、第４のパターンＰＡ４に接続されている。トランジスタ１５２のゲート端子には、第４のパターンＰＡ４を介して、発光制御信号ＣＬが与えられる。

なお、トランジスタ１５２は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴであり、その筐体がドレイン端子である。このようなトランジスタは、例えば、インターナショナル・レクティファイアー社によって提供されている。

リジッド基板ＳＡの側方には、半導体レーザ１４２が配置されている。半導体レーザ１４２のアノード端子は、導電性シートＣＳを介して、表面の第１のパターンＰＡ１に接続されており、カソード端子は、導電性シートＣＳを介して、裏面の第３のパターンＰＡ３に接続されている。導電性シートＣＳとしては、例えば、インジウムシートを利用することができる。

また、図６（Ｂ）に示すように、リジッド基板ＳＡの内部には、ビアＨ１が設けられている。ビアＨ１の一方の端部は、表面に形成された第２のパターンＰＡ２に接続されており、他方の端部は、裏面に実装されたトランジスタ１５２のソース端子に接続されている。

半導体レーザ１４２を順方向に流れる電流（順方向電流）は、図６（Ａ）〜（Ｃ）に矢印で示すように、第１のパターンＰＡ１と第３のパターンＰＡ３とを、この順序で流れる。具体的には、順方向電流が第１のパターンＰＡ１を流れる際の方向と、順方向電流が第３のパターンＰＡ３を流れる際の方向とは、ほぼ平行であり、かつ、逆向きである。

本実施例では、第１のパターンＰＡ１と第３のパターンＰＡ３とは、リジッド基板ＳＡの法線方向から見たときに２つのパターンＰＡ１，ＰＡ３が重なるように、形成されている。換言すれば、第１のパターンＰＡ１の裏側に、第３のパターンＰＡ３が位置している。このため、ループの距離（式（１）のＲ）は、リジッド基板ＳＡの厚みとほぼ等しい。すなわち、本実施例では、ループの距離が小さく設定されているいため、寄生インダクタンスを小さくすることができる。

また、本実施例では、第１のパターンＰＡ１の幅と第３のパターンＰＡ３の幅とは、リジッド基板ＳＡの幅ＷＡとほぼ等しい。すなわち、本実施例では、第１のパターンＰＡ１の幅および第３のパターンＰＡ３の幅は大きく設定されているため、寄生インダクタンスを小さくすることができる。

なお、パターンの幅は、順方向電流が該パターンを流れる方向に直交する方向に沿った該パターンの寸法を意味する。

さらに、本実施例では、２つのパターンＰＡ１，ＰＡ３の幅は、ほぼ等しい。このため、２つのパターンＰＡ１，ＰＡ３の幅が異なる場合と比較して、ループの距離（式（１）のＲ）を小さくすることができる。より具体的には、第１のパターンＰＡ１の幅の端部と第３のパターンＰＡ３の幅の端部との間の距離を小さくすることができる。このため、寄生インダクタンスを小さくすることができる。

図７は、電流の波形の一例を示す説明図である。本実施例の構成（図６）を採用することによって、寄生インダクタンスを小さくすることができ、この結果、図７に示すように、電流波形を矩形に近づけることができる。

以上説明したように、本実施例では、半導体レーザ１４２のアノードとカソードとに電気的に接続される第１のパターンＰＡ１と第３のパターンＰＡ３とは、リジッド基板ＳＡの法線方向から見たときに２つのパターンＰＡ１，ＰＡ２が重なるように、形成されている。このため、駆動回路の寄生インダクタンスを低減させることができ、この結果、光源装置１００の効率を高めて、光源装置１００の消費電力を抑制することができる。

なお、本実施例における第１のパターンＰＡ１と第３のパターンＰＡ３とが、本発明におけるリジッド基板に形成された第１のパターンと第２のパターンとに相当する。

なお、寄生インダクタンスを約５０ｎＨ以下にする場合には、リジッド基板ＳＡの厚み（すなわちパターンＰＡ１，ＰＡ３の間隔）は、約１．２ｍｍ以下に設定されることが好ましい。

Ｂ．第２実施例：
図８は、第２実施例におけるプリント基板の構成を示す説明図であり、図６に対応する。図８のリジッド基板ＳＡは、図６と同じである。図８では、フレキシブルタイプのプリント基板（以下、「フレキシブル基板」と呼ぶ）ＳＢが追加されている。このように、フレキシブル基板ＳＢを利用すれば、駆動回路の配置の自由度を高めることができる。

図８（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、フレキシブル基板ＳＢは、絶縁層ＩＢと、絶縁層ＩＢの一方の側（表面側）に形成された１つのパターンＰＢ５と、絶縁層ＩＢの他方の側（裏面側）に形成された１つのパターンＰＢ６と、を備えている。なお、絶縁層ＩＢは、例えば、ポリイミドフィルムである。また、フレキシブル基板ＳＢの両側には、図示しないカバー層（例えばポリイミドフィルム）が設けられている。

フレキシブル基板ＳＢの表面の第５のパターンＰＢ５は、導電性シートＣＳを介して、リジッド基板ＳＡの表面の第１のパターンＰＡ１に接続されている。また、フレキシブル基板ＳＢの裏面の第６のパターンＰＢ６は、導電性シートＣＳを介して、リジッド基板ＳＡの裏面の第３のパターンＰＡ３に接続されている。

なお、本実施例では、２つのパターン（例えばＰＡ１，ＰＢ５）が導電性シートＣＳを介して接続されているが、これに代えて、挟持手段を介して接続されてもよい。例えば、２つの基板ＳＡ，ＳＢをクリップで機械的に挟むことによって、表面の２つのパターンＰＡ１，ＰＢ５が該クリップの第１の挟持面を介して電気的に接続されると共に、裏面の２つのパターンＰＡ３，ＰＢ６が該クリップの第２の挟持面を介して電気的に接続されればよい。

図８（Ｂ）に示すように、本実施例では、半導体レーザ１４２は、フレキシブル基板ＳＢの側方に配置されている。半導体レーザ１４２のアノード端子は、導電性シートＣＳを介して、フレキシブル基板ＳＢの表面の第５のパターンＰＢ５に接続されており、カソード端子は、導電性シートＣＳを介して、フレキシブル基板ＳＢの裏面の第６のパターンＰＢ６に接続されている。

半導体レーザ１４２を順方向に流れる電流（順方向電流）は、図８（Ａ）〜（Ｃ）に矢印で示すように、第１のパターンＰＡ１と第５のパターンＰＢ５と第６のパターンＰＢ６と第３のパターンＰＡ３とを、この順序で流れる。具体的には、順方向電流が第１および第５のパターンＰＡ１，ＰＢ５を流れる際の方向と、順方向電流が第６および第３のパターンＰＢ６，ＰＡ３を流れる際の方向とは、ほぼ平行であり、かつ、逆向きである。

本実施例では、第１実施例と同様に、第１のパターンＰＡ１と第３のパターンＰＡ３とは、リジッド基板ＳＡの法線方向から見たときに２つのパターンＰＡ１，ＰＡ３が重なるように、形成されている。また、本実施例では、第５のパターンＰＢ５と第６のパターンＰＢ６とは、フレキシブル基板ＳＢの法線方向から見たときに２つのパターンＰＢ５，ＰＢ６が重なるように、形成されている。このため、ループの距離（式（１）のＲ）は、２つの基板ＳＡ，ＳＢの厚みとほぼ等しい。すなわち、本実施例では、電流ループの距離が小さく設定されているため、寄生インダクタンスを小さくすることができる。

また、本実施例では、第１実施例と同様に、第１のパターンＰＡ１の幅と第３のパターンＰＡ３の幅とは、リジッド基板ＳＡの幅ＷＡとほぼ等しい。そして、本実施例では、第５のパターンＰＢ５の幅と第６のパターンＰＢ６の幅とは、フレキシブル基板ＳＢの幅ＷＢとほぼ等しい。すなわち、本実施例では、４つのパターンＰＡ１，ＰＡ３，ＰＢ５，ＰＢ６の幅は大きく設定されているため、寄生インダクタンスを小さくすることができる。

さらに、本実施例では、第１実施例と同様に、第１および第３のパターンＰＡ１，ＰＡ３の幅は、ほぼ等しい。そして、本実施例では、第５および第６のパターンＰＢ５，ＰＢ６の幅とは、ほぼ等しい。このため、対応する２つのパターン（例えばＰＢ５，ＰＢ６）の幅が異なる場合と比較して、寄生インダクタンスを小さくすることができる。

なお、本実施例では、フレキシブル基板ＳＢの厚みは、リジッド基板ＳＡの厚みとほぼ等しいが、異なっていてもよい。例えば、フレキシブル基板ＳＢの厚みは、リジッド基板ＳＡの厚みよりも小さく設定されていてもよい。また、本実施例では、フレキシブル基板ＳＢの幅ＷＢは、リジッド基板ＳＡの幅ＷＡとほぼ等しいが、異なっていてもよい。例えば、フレキシブル基板ＳＢの幅がリジッド基板ＳＡの幅よりも大きく設定されていてもよい。

以上説明したように、本実施例では、第１実施例と同様に、半導体レーザ１４２のアノードとカソードとに電気的に接続される第１のパターンＰＡ１と第３のパターンＰＡ３とは、リジッド基板ＳＡの法線方向から見たときに２つのパターンＰＡ１，ＰＡ３が重なるように、形成されている。また、本実施例では、半導体レーザ１４２のアノードとカソードとに電気的に接続される第５のパターンＰＢ５と第６のパターンＰＢ６とは、フレキシブル基板ＳＢの法線方向から見たときに２つのパターンＰＢ５，ＰＢ６が重なるように、形成されている。このため、駆動回路の寄生インダクタンスを低減させることができ、この結果、光源装置１００の効率を高めて、光源装置１００の消費電力を抑制することができる。

なお、本実施例における第１のパターンＰＡ１と第３のパターンＰＡ３とが、本発明におけるリジッド基板に形成された第１のパターンと第２のパターンとに相当する。また、本実施例における第５のパターンＰＢ５と第６のパターンＰＢ６とが、本発明におけるフレキシブル基板に形成された第３のパターンと第４のパターンとに相当する。

あるいは、本実施例における第５のパターンＰＢ５と第６のパターンＰＢ６とが、本発明におけるフレキシブル基板に形成された第１のパターンと第２のパターンとに相当する。

Ｃ．第３実施例：
図９は、第３実施例におけるプリント基板の構成を示す説明図であり、図８に対応する。図９ではトランジスタ１５２の配置の変更に伴って、リジッド基板ＳＣとフレキシブル基板ＳＤとが変更されている。なお、本実施例でも、第２実施例と同様に、フレキシブル基板ＳＤが利用されているため、駆動回路の配置の自由度を高めることができる。

リジッド基板ＳＣは、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、絶縁板ＩＣと、絶縁板ＩＣの一方の側（表面側）に形成された２つのパターンＰＣ１，ＰＣ２と、絶縁板ＩＣの他方の側（裏面側）に形成された１つのパターンＰＣ３と、を備えている。

リジッド基板ＳＣの表面は、図８と同様である。なお、リジッド基板ＳＣの裏面には、図８と異なり、トランジスタ１５２が実装されていない。また、図９（Ｂ）に示すように、リジッド基板ＳＣの内部には、ビアＨ２が設けられている。ビアＨ２の一方の端部は、表面に形成された第２のパターンＰＣ２に接続されており、他方の端部は、裏面に形成された第３のパターンＰＣ３に接続されている。

フレキシブル基板ＳＤは、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、絶縁層ＩＤと、絶縁層ＩＤの一方の側（表面側）に形成された１つのパターンＰＤ４と、絶縁層ＩＤの他方の側（裏面側）に形成された３つのパターンＰＤ５，ＰＤ６，ＰＤ７と、絶縁層ＩＤの内部に形成された１つのパターンＰＤ８と、を備えている。なお、図９（Ａ）〜（Ｃ）では描かれていないが、第８のパターンＰＤ８の幅は、フレキシブル基板ＳＤの幅ＷＤとほぼ等しく設定されている。

フレキシブル基板ＳＤの表面は、図８と同様である。フレキシブル基板ＳＤの裏面には、図８と異なり、トランジスタ１５２が実装されている。具体的には、トランジスタ１５２は、フレキシブル基板ＳＤの法線方向から見たときに第５のパターンＰＤ５の形成領域の内側に配置されている。トランジスタ１５２のドレイン端子は、第５のパターンＰＤ５に接続されており、ゲート端子は、第７のパターンＰＤ７に接続されている。

また、図９（Ｂ）に示すように、フレキシブル基板ＳＤの内部には、ビアＨ３，Ｈ４が設けられている。ビアＨ３の一方の端部は、絶縁層ＩＤの内部に形成された第８のパターンＰＤ８に接続されており、他方の端部は、裏面に実装されたトランジスタ１５２のソース端子に接続されている。また、ビアＨ４の一方の端部は、絶縁層ＩＤの内部に形成された第８のパターンＰＤ８に接続されており、他方の端部は、裏面に形成された第６のパターンＰＤ６に接続されている。

フレキシブル基板ＳＤの表面の第４のパターンＰＤ４は、導電性シートＣＳを介して、リジッド基板ＳＣの表面の第１のパターンＰＣ１に接続されている。また、フレキシブル基板ＳＤの裏面の第６のパターンＰＤ６は、導電性シートＣＳを介して、リジッド基板ＳＣの裏面の第３のパターンＰＣ３に接続されている。

なお、本実施例では、２つのパターン（例えばＰＣ１，ＰＤ４）が導電性シートＣＳを介して接続されているが、これに代えて、第２実施例で説明したように、挟持手段を介して接続されてもよい。

図９（Ｂ）に示すように、半導体レーザ１４２は、フレキシブル基板ＳＤの側方に配置されている。半導体レーザ１４２のアノード端子は、導電性シートＣＳを介して、フレキシブル基板ＳＤの表面の第４のパターンＰＤ４に接続されており、カソード端子は、導電性シートＣＳを介して、フレキシブル基板ＳＤの裏面の第５のパターンＰＤ５に接続されている。

半導体レーザ１４２を順方向に流れる電流（順方向電流）は、図９（Ａ）〜（Ｃ）に矢印で示すように、第１のパターンＰＣ１と第４のパターンＰＤ４と第５のパターンＰＤ５と第８のパターンＰＤ８と第６のパターンＰＤ６と第３のパターンＰＣ３とを、この順序で流れる。具体的には、順方向電流が第１および第４のパターンＰＣ１，ＰＤ４を流れる際の方向と、順方向電流が第５，第８，第６，第３のパターンＰＤ５，ＰＤ８，ＰＤ６，ＰＣ３を流れる際の方向とは、ほぼ平行であり、かつ、逆向きである。

本実施例では、第１のパターンＰＣ１と第３のパターンＰＣ３とは、リジッド基板ＳＣの法線方向から見たときに２つのパターンＰＣ１，ＰＣ３が重なるように、形成されている。また、本実施例では、第４のパターンＰＤ４と、第５，第６，第８のパターンＰＤ５，ＰＤ６，ＰＤ８とは、フレキシブル基板ＳＤの法線方向から見たときに、第４のパターンＰＤ４と第５，第６，第８のパターンＰＤ５，ＰＤ６，ＰＤ８とが重なるように、形成されている。このため、ループの距離（式（１）のＲ）は、２つの基板ＳＣ，ＳＤの厚みとほぼ等しい。すなわち、本実施例では、電流ループの距離が小さく設定されているため、寄生インダクタンスを小さくすることができる。

また、本実施例では、第１のパターンＰＣ１の幅と第３のパターンＰＣ３の幅とは、リジッド基板ＳＣの幅ＷＣとほぼ等しい。そして、本実施例では、第４のパターンＰＤ４の幅と、第５，第６，第８のパターンＰＤ５，ＰＤ６，ＰＤ８の幅とは、フレキシブル基板ＳＤの幅ＷＤとほぼ等しい。すなわち、本実施例では、６つのパターンＰＣ１，ＰＣ３，ＰＤ４，ＰＤ５，ＰＤ６，ＰＤ８の幅は大きく設定されているため、寄生インダクタンスを小さくすることができる。

さらに、本実施例では、第１および第３のパターンＰＣ１，ＰＣ３の幅は、ほぼ等しい。そして、本実施例では、第４，第５，第６，第８のパターンＰＤ４，ＰＤ５，ＰＤ６，ＰＤ８の幅は、ほぼ等しい。このため、対応する２つのパターン（例えば、ＰＤ４，ＰＤ５）の幅が異なる場合と比較して、寄生インダクタンスを小さくすることができる。

なお、本実施例では、フレキシブル基板ＳＤの厚みは、リジッド基板ＳＣの厚みとほぼ等しいが、異なっていてもよい。例えば、フレキシブル基板ＳＤの厚みは、リジッド基板ＳＣの厚みよりも小さく設定されてもよい。また、本実施例では、フレキシブル基板ＳＤの幅ＷＤは、リジッド基板ＳＣの幅ＷＣとほぼ等しいが、異なっていてもよい。例えば、フレキシブル基板ＳＤの幅がリジッド基板ＳＣの幅よりも大きく設定されていてもよい。

以上説明したように、本実施例では、半導体レーザ１４２のアノードとカソードとにそれぞれ接続された第４のパターンＰＤ４と第５のパターンＰＤ５とは、フレキシブル基板ＳＤの法線方向から見たときに２つのパターンＰＤ４，ＰＤ５が重なるように、形成されている。このため、駆動回路の寄生インダクタンスを低減させることができ、この結果、光源装置１００の効率を高めて、光源装置１００の消費電力を抑制することができる。

なお、本実施例における第４のパターンＰＤ４と第５のパターンＰＤ５とが、本発明におけるフレキシブル基板に形成された第１のパターンと第２のパターンとに相当する。

Ｃ−１．第３実施例の変形例：
図１０は、第３実施例の変形例におけるプリント基板の構成を示す説明図である。図１０は、図９とほぼ同じであるが、フレキシブル基板ＳＤ’が変更されている。

図１０に示すように、本例では、フレキシブル基板ＳＤ’の表面に設けられた第４のパターンＰＤ４’のサイズが変更されている。具体的には、第４のパターンＰＤ４’の長さが大きく設定されており、図中、第４のパターンＰＤ４’の右側の端部は、絶縁層ＩＤよりも右側に突出しており、第４のパターンＰＤ４’の左側の端部は、絶縁層ＩＤよりも左側に突出している。

第４のパターンＰＤ４’は、半田付けによって、リジッド基板ＳＣの表面の第１のパターンＰＣ１に接続されている。なお、第６のパターンＰＤ６は、第３実施例と同様に、導電性シートＣＳを介して、リジッド基板ＳＣの裏面の第３のパターンＰＣ３に接続されている。

また、本例では、半導体レーザ１４２’が変更されている。本例の半導体レーザ１４２’は、２つの立方体が組み合わされた外形形状を有している。そして、本例では、半導体レーザ１４２’のアノード端子およびカソード端子を構成する２つのパッドは、共に、一方の側を向く面（図中上側を向く面）に形成されている。そして、半導体レーザ１４２’のアノード端子は、半田付けによって、第４のパターンＰＤ４’に接続されており、カソード端子は、半田付けによって、第５のパターンＰＤ５に接続されている。

Ｄ．光源装置の適用例：
図１１は、光源装置１００の第１の適用例としての照明装置３００を示す説明図である。図示するように、照明装置３００は、前述の光源装置１００と、光源装置１００から射出されたレーザ光を拡散させる拡散板３０２と、を備えている。

この照明装置３００には前述の光源装置１００が備えられているため、照明装置３００の効率を高め、消費電力を低減することができる。

図１２は、光源装置１００の第２の適用例としてのモニタ装置４００を示す説明図である。図示するように、モニタ装置４００は、装置本体４１０と、光伝送部４２０と、を備えている。装置本体４１０は、前述の光源装置１００と、カメラ４１１と、を備えている。

光伝送部４２０は、２つのライトガイド４２１，４２２と、拡散板４２３と、レンズ４２４と、を備えている。各ライトガイド４２１，４２２は、多数本の光ファイバを束ねたものである。光源装置１００から射出されたレーザ光は、第１のライトガイド４２１に導かれて、拡散板４２３に入射する。拡散板４２３で拡散された光は、被写体を照射する。被写体で反射された光は、レンズ４２４を介して、第２のライトガイド４２２に入射する。第２のライトガイド４２２に入射した光は、カメラ４１１へ導かれる。これにより、カメラ４１１によって被写体が撮像される。

このモニタ装置４００には前述の光源装置１００が備えられているため、モニタ装置４００の効率を高め、消費電力を低減することができる。なお、図１２のカメラ４１１が本発明における撮像部に相当する。

図１３は、光源装置１００の第３の適用例としてのプロジェクタ５００の概略構成を示す説明図である。図示するように、プロジェクタ５００は、３つの光源装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂと、３つの均一化光学系５０２Ｒ，５０２Ｇ，５０２Ｂと、３つの液晶ライトバルブ５０４Ｒ，５０４Ｇ，５０４Ｂと、クロスダイクロイックプリズム５０６と、投写レンズ５０７と、を備えている。

３つの光源装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂは、前述の光源装置１００と同様の構成を有している。ただし、第１の光源装置１００Ｒは、赤色レーザ光を射出する。第２の光源装置１００Ｇは、緑色レーザ光を射出する。第３の光源装置１００Ｂは、青色レーザ光を射出する。なお、レーザ光の波長は、光源装置１００内部の半導体レーザ１４２および／または波長変換素子１４４を変更することによって、変更される。

各均一化光学系５０２Ｒ，５０２Ｇ，５０２Ｂは、対応する光源装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂから射出された光の照度分布を均一化する。例えば、均一化光学系５０２Ｒ，５０２Ｇ，５０２Ｂは、ホログラムやフィールドレンズによって構成される。各液晶ライトバルブ５０４Ｒ，５０４Ｇ，５０４Ｂは、対応する均一化光学系５０２Ｒ，５０２Ｇ，５０２Ｂから射出された光を、画像情報に応じて変調する。クロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）５０６は、３つの液晶ライトバルブ５０４Ｒ，５０４Ｇ，５０４Ｂから射出された３つの変調済みの光を合成する。投写レンズ５０７は、クロスダイクロイックプリズム５０６によって合成された光をスクリーン５１０上に投写する。この結果、スクリーン５１０上にカラー画像が表示される。

このプロジェクタ５００には前述の光源装置１００と同様の光源装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂが備えられているため、プロジェクタ５００の効率を高め、消費電力を低減することができる。なお、図１３の液晶ライトバルブが本発明における光変調デバイスに相当する。

図１３では、プロジェクタ５００は、光変調デバイスとしての液晶ライトバルブを備えているが、これに代えて、ＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス：ＴＩ社の商標）などのマイクロミラー型光変調デバイスを備えていてもよい。また、図１３では、光源装置１００の第３の適用例としてプロジェクタ５００が示されているが、一般には、光源装置は、画像表示装置に適用可能である。

なお、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

（１）第１実施例では、半導体レーザ１４２は、リジッド基板ＳＡの側方に設けられているが、これに代えて、リジッド基板の表面側または裏面側に実装されてもよい。同様に、第２および第３実施例では、半導体レーザ１４２は、フレキシブル基板ＳＢ，ＳＤの側方に設けられているが、これに代えて、フレキシブル基板の表面側または裏面側に実装されてもよい。ただし、上記実施例のように、半導体レーザ１４２が基板の側方に設けられている場合には、基板の表面側または裏面側に設けられている場合と比較して、半導体レーザ１４２の近傍における電流のループの半径を小さくすることができ、この結果、寄生インダクタンスを低減させることができるという利点がある。

（２）上記実施例では、半導体レーザ１４２のアノードに接続されるパターンは、基板ＳＡ，ＳＢ，ＳＤの表面側（表層）に形成されており、半導体レーザ１４２のカソードに接続されるパターンは、基板ＳＡ，ＳＢ，ＳＤの裏面側（裏層）に形成されている。しかしながら、基板が多層基板である場合には、アノードに接続されるパターンとカソードに接続されるパターンとの少なくとも一方は、基板の内部の層に形成されていてもよい。

一般には、半導体発光素子のアノードに電気的に接続される第１のパターンと、半導体発光素子のカソードに電気的に接続される第２のパターンとは、基板の異なる層に形成され、基板の法線方向から見たときに第１のパターンと第２のパターンとが重なっていればよい。

（３）上記実施例では、光源装置１００は、ＡＰＣ制御を実行しているが、ＡＰＣ制御を実行しなくてもよい。この場合には、検出用ミラー１７２とフォトダイオード１７４と電流−電圧変換回路１７６とを省略可能である。

（４）上記実施例では、光源装置１００は、赤外光を射出する半導体レーザ１４２と、波長変換素子１４４と、ミラー１４６と、を備えているが、これに代えて、所望の波長を有する光を射出する半導体レーザを備えるようにしてもよい。この場合には、波長変換素子１４４は、省略可能である。

（５）上記実施例では、光源装置１００は、半導体レーザ１４２を備えているが、これに代えて、発光ダイオード（ＬＥＤ）を備えていてもよい。一般には、駆動回路は、半導体発光素子を駆動すればよい。

（６）上記実施例において、ハードウェアによって実現されていた構成の一部をソフトウェアに置き換えるようにしてもよく、逆に、ソフトウェアによって実現されていた構成の一部をハードウェアに置き換えるようにしてもよい。

光源装置１００の概略構成を示す説明図である。 図１のＤＣ／ＤＣコンバータ１２０および発光部１３０の内部構成を示す説明図である。 図２の回路における電圧の変化を模式的に示す説明図である。 寄生インダクタンスに応じた電流の波形を示す説明図である。 寄生インダクタンスと規格化効率との関係を示す説明図である。 プリント基板の構成を示す説明図である。 電流の波形の一例を示す説明図である。 第２実施例におけるプリント基板の構成を示す説明図である。 第３実施例におけるプリント基板の構成を示す説明図である。 第３実施例の変形例におけるプリント基板の構成を示す説明図である。 光源装置１００の第１の適用例としての照明装置３００を示す説明図である。 光源装置１００の第２の適用例としてのモニタ装置４００を示す説明図である。 光源装置１００の第３の適用例としてのプロジェクタ５００の概略構成を示す説明図である。

符号の説明

９０…ＡＣ／ＤＣコンバータ
１００…光源装置
１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ…光源装置
１２０…ＤＣ／ＤＣコンバータ
１２２，１２４…トランジスタ
１２６…インダクタ
１２８…コンデンサ
１３０…発光部
１４０…発光デバイス
１４２…半導体レーザ
１４４…波長変換素子
１４６…ミラー
１５０…スイッチ回路
１５２…トランジスタ
１７２…検出用ミラー
１７４…フォトダイオード
１７６…電流−電圧変換回路
１９０…制御回路
３００…照明装置
３０２…拡散板
４００…モニタ装置
４１０…装置本体
４１１…カメラ
４２０…光伝送部
４２１，４２２…ライトガイド
４２３…拡散板
４２４…レンズ
５００…プロジェクタ
５０２Ｒ，５０２Ｇ，５０２Ｂ…均一化光学系
５０４Ｒ，５０４Ｇ，５０４Ｂ…液晶ライトバルブ
５０６…クロスダイクロイックプリズム
５０７…投写レンズ
５１０…スクリーン
ＳＡ…リジッド基板
ＳＢ…フレキシブル基板
ＳＣ…リジッド基板
ＳＤ…フレキシブル基板

Claims (17)

1. 半導体発光素子を駆動するための駆動回路であって、
   基板と、
   前記基板の第１の層に形成され、前記半導体発光素子のアノードに電気的に接続される第１のパターンと、
   前記基板の第２の層に形成され、前記半導体発光素子のカソードに電気的に接続される第２のパターンと、
   を備え、
   前記第１のパターンと前記第２のパターンとは、前記基板の法線方向から見たときに前記第１のパターンと前記第２のパターンとが重なるように、形成されている、駆動回路。
2. 請求項１記載の駆動回路であって、
   前記第１のパターンの幅と前記第２のパターンの幅とは、ほぼ等しい、駆動回路。
3. 請求項１または２記載の駆動回路であって、
   前記半導体発光素子を流れる電流が前記第１のパターンを流れる際の第１の向きと、前記電流が前記第２のパターンを流れる際の第２の向きとは、逆向きである、駆動回路。
4. 請求項１ないし３のいずれかに記載の駆動回路であって、
   前記基板は、リジッド基板である、駆動回路。
5. 請求項４記載の駆動回路であって、
   前記半導体発光素子は、前記リジッド基板の側方に配置されている、駆動回路。
6. 請求項４記載の駆動回路であって、さらに、
   フレキシブル基板と、
   前記フレキシブル基板の第３の層に形成された第３のパターンであって、前記第１のパターンと前記アノードとは前記第３のパターンを介して電気的に接続されている、前記第３のパターンと、
   前記フレキシブル基板の第４の層に形成された第４のパターンであって、前記第２のパターンと前記カソードとは前記第４のパターンを介して電気的に接続されている、前記第４のパターンと、
   を備え、
   前記第３のパターンと前記第４のパターンとは、前記基板の法線方向から見たときに前記第３のパターンと前記第４のパターンとが重なるように、形成されている、駆動回路。
7. 請求項６記載の駆動回路であって、
   前記第３のパターンの幅と前記第４のパターンの幅とは、ほぼ等しい、駆動回路。
8. 請求項６または７記載の駆動回路であって、
   前記半導体発光素子を流れる電流が前記第３のパターンを流れる際の第３の向きと、前記電流が前記第４のパターンを流れる際の第４の向きとは、逆向きである、駆動回路。
9. 請求項６ないし８のいずれかに記載の駆動回路であって、
   前記半導体発光素子は、前記フレキシブル基板の側方に配置されている、駆動回路。
10. 請求項４ないし９のいずれかに記載の駆動回路であって、さらに、
    前記半導体発光素子に接続されたスイッチング素子を備え、
    前記スイッチング素子は、前記第２のパターンの形成領域の内側に設けられている、駆動回路。
11. 請求項１ないし３のいずれかに記載の駆動回路であって、
    前記基板は、フレキシブル基板である、駆動回路。
12. 請求項１１記載の駆動回路であって、
    前記半導体発光素子は、前記フレキシブル基板の側方に配置されている、駆動回路。
13. 請求項１１または１２記載の駆動回路であって、さらに、
    前記半導体発光素子に接続されたスイッチング素子を備え、
    前記スイッチング素子は、前記第２のパターンの形成領域の内側に設けられている、駆動回路。
14. 光源装置であって、
    請求項１ないし１３のいずれかに記載の駆動回路と、
    前記半導体発光素子と、
    を備える、光源装置。
15. 照明装置であって、
    請求項１４記載の光源装置を備える、照明装置。
16. モニタ装置であって、
    請求項１４記載の光源装置と、
    前記光源装置によって照射される被写体を撮像する撮像部と、
    を備える、モニタ装置。
17. 画像表示装置であって、
    請求項１４記載の光源装置と、
    前記光源装置から射出された光を画像情報に応じて変調する光変調デバイスと、
    を備える、画像表示装置。

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