CN113169513A - 半导体激光装置 - Google Patents

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Abstract

半导体激光装置(A1)具备半导体激光元件(4)、具有栅极电极(52)、源极电极(53)及漏极电极(54)的开关元件(5)、以及具有构成通向开关元件(5)及半导体激光元件(4)的导通路径的导电部(3)且支撑半导体激光元件(4)及开关元件(5)的支撑部件(1)。导电部(3)具有从半导体激光元件(4)分离的主面第一部(311)。半导体激光装置(A1)具备连接于开关元件(5)的源极电极(53)和半导体激光元件(4)的一个以上的第一引线(71)以及连接于开关元件(5)的源极电极(53)和导电部(3)的主面第一部(311)的一个以上的第二引线(72)。通过这样的结构，能够实现半导体激光装置(A1)的电感成分的降低。

Description

半导体激光装置
技术领域
本公开涉及半导体激光装置。
背景技术
对于汽车等使用的三维距离计测，提出了使用LiDAR(Light Detection andRanging、Laser Imaging Detection and Ranging，激光成像探测与测距技术)的系统(例如，专利文献1)。用作LiDAR的光源的半导体激光装置射出脉冲宽度为数十nS以下的脉冲激光光束。因此，电流的时间变化率提高，半导体激光装置内的电感成分引起的损失增大。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018－128432号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本公开因上述的情况而想出，课题在于提供能够实现电感成分的降低的半导体激光装置。
用于解决课题的方案
根据本公开提供的半导体激光装置具备：半导体激光元件；具有栅极电极、源极电极以及漏极电极的开关元件；以及具有构成通向上述开关元件及上述半导体激光元件的导通路径的导电部，且支撑上述半导体激光元件及上述开关元件的支撑部件，上述半导体激光装置中，上述导电部具有从上述半导体激光元件分离的第一部，上述半导体激光装置具备：连接于上述开关元件的上述源极电极和上述半导体激光元件的一个以上的第一引线；以及连接于上述开关元件的上述源极电极和上述导电部的上述第一部的一个以上的第二引线。
发明的效果
根据本公开半导体激光装置，能够实现电感成分的降低。
本公开的其它特征及优点通过参照附图在以下进行的详细的说明，将更明了。
附图说明
图1是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。
图2是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的仰视图。
图3是沿着图1的III－III线的剖视图。
图4是沿着图1的IV－IV线的剖视图。
图5是沿着图1的V－V线的剖视图。
图6是沿着图1的VI－VI线的剖视图。
图7是沿着图1的VII－VII线的剖视图。
图8是表示含有本公开的第一实施方式的半导体激光装置的激光系统的电路图。
图9是表示含有本公开的第一实施方式的半导体激光装置的激光系统的第一变形例的电路图。
图10是表示含有本公开的第一实施方式的半导体激光装置的激光系统的第二变形例的电路图。
图11是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分俯视图。
图12是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的第一变形例的仰视图。
图13是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的第二变形例的主要部分俯视图。
图14是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的第二变形例的仰视图。
图15是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的第三变形例的主要部分俯视图。
图16是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的第三变形例的仰视图。
图17是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的第四变形例的主要部分俯视图。
图18是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的第四变形例的仰视图。
图19是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的第五变形例的主要部分俯视图。
图20是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的第五变形例的仰视图。
图21是表示本公开的第二实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。
图22是表示本公开的第二实施方式的半导体激光装置的仰视图。
图23是表示本公开的第二实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分俯视图。
图24是表示本公开的第二实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分仰视图。
图25是沿图23的XXV－XXV线的剖视图。
图26是表示本公开的第二实施方式的半导体激光装置的第二变形例的主要部分俯视图。
图27是表示本公开的第二实施方式的半导体激光装置的第二变形例的主要部分仰视图。
图28是表示本公开的第二实施方式的半导体激光装置的第三变形例的主要部分俯视图。
图29是表示本公开的第二实施方式的半导体激光装置的第三变形例的主要部分仰视图。
图30是表示本公开的第三实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。
图31是表示本公开的第三实施方式的半导体激光装置的仰视图。
图32是表示本公开的第三实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分俯视图。
图33是表示本公开的第三实施方式的半导体激光装置的第一变形例的仰视图。
图34是表示本公开的第四实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。
图35是表示本公开的第四实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。
图36是表示本公开的第四实施方式的半导体激光装置的仰视图。
图37是沿着图34的XXXVII－XXXVII线的剖视图。
图38是表示本公开的第四实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分俯视图。
图39是表示本公开的第四实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分俯视图。
图40是表示本公开的第四实施方式的半导体激光装置的第一变形例的仰视图。
图41是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。
图42是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的仰视图。
图43是表示沿图41的XLIII－XLIII线的剖视图。
图44是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分俯视图。
图45是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的第一变形例的仰视图。
图46是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的第二变形例的主要部分俯视图。
图47是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的第二变形例的仰视图。
图48是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的第三变形例的主要部分俯视图。
图49是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的第三变形例的仰视图。
图50是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的第四变形例的主要部分俯视图。
图51是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的第四变形例的仰视图。
图52是表示本公开的第六实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。
图53是表示本公开的第六实施方式的半导体激光装置的仰视图。
图54是表示本公开的第六实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分俯视图。
图55是表示本公开的第六实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分仰视图。
图56是表示本公开的第七实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。
图57是表示本公开的第七实施方式的半导体激光装置的仰视图。
图58是表示本公开的第七实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分俯视图。
图59是表示本公开的第七实施方式的半导体激光装置的第一变形例的仰视图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本公开的优选的实施方式具体地进行说明。
本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等用语简单地用作标签，不意图必须按照顺序标注于这些对象物。
＜第一实施方式＞
图1～图8表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置。本实施方式的半导体激光装置A1具备支撑部件1、半导体激光元件4、开关元件5、电容器6、第一引线71、第二引线72、第三引线73以及透光树脂8。半导体激光装置A1构成例如图8所示的激光系统B1，用作作为二维距离计测的一例的LiDAR的脉冲激光光束源。但是，本公开的半导体激光装置的用途不限于此。
图1是表示半导体激光装置A1的主要部分俯视图。图2是表示半导体激光装置A1的半导体激光装置的仰视图。图3是沿着图1的III－III线的剖视图。图4是沿着图1的IV－IV线的剖视图。图5是表示沿着图1的V－V线的剖视图。图6是沿着图1的VI－VI线的剖视图。图7是沿着图1的VII－VII线的剖视图。图8是表示含有半导体激光装置A1的激光系统B1的电路图。在这些图中，z方向相当于本公开的第一方向。另外，在图1中，为了便于说明，省略了透光树脂8。
支撑部件1构成通向半导体激光元件4及开关元件5的导通路径，并且支撑半导体激光元件4及开关元件5。支撑部件1的具体的结构没有特别限定，在本实施方式中，支撑部件1具有基材2及导电部3。
基材2由绝缘材料构成。基材2的材质没有特别限定，例如，可以列举环氧树脂、陶瓷。在以下的说明中，以基材2由玻璃环氧树脂构成的情况为例进行说明。本实施方式中，基材2具有主面21、背面22、第一面23、第二面24、第三面25以及第四面26，在z方向视角下，为例如矩形。
主面21是朝向z方向一侧的面，在图示的例中为平面。背面22是朝向与主面21相反侧的z方向另一侧的面，在图示的例中为平面。第一面23是朝向x方向一侧的面，在图示的例中为平面。第二面24是朝向与第一面23相反侧的x方向另一侧的面，在图示的例中为平面。第三面25是朝向y方向一侧的面，在图示的例中为平面。第四面26是朝向与第三面25相反侧的x方向另一侧的面，在图示的例中为平面。
导电部3是构成通向半导体激光元件4及开关元件5等的导通路径的部位。导电部3的材质没有特别限定，可以列举Cu、Ni、Ti、Au等金属。另外，导电部3的形成方法没有特别限定，在图示的例中，通过例如镀敷形成。
本实施方式的导电部3包括主面部31、背面部32以及联络部33。
主面部31配置于基材2的主面21上。在图示的例中，主面部31包括主面第一部311、主面第二部312、主面第三部313以及主面第四部314。
如图1、图3、图4以及图7所示，主面第一部311配置于基材2的主面21的x方向上的第二面24侧且y方向上的第三面25侧。主面第一部311的形状没有特别限定，在图示的例中，为x方向为长边方向的长矩形。主面第一部311是本公开的“第一部”的一例。本实施方式的主面第一部311从第二面24及第三面25分离。
如图1、图3、图4以及图6所示，主面第二部312配置于比主面第一部311在y方向上靠第四面26。主面第二部312的x方向尺寸比主面第一部311的x方向尺寸大。主面第二部312在y方向视角下与主面第一部311重叠。主面第二部312的形状没有特别限定，在图示的例中为矩形。主面第二部312的面积比主面第一部311、主面第三部313以及主面第四部314大。本实施方式的主面第二部312从第一面23及第二面24分离。
如图1、图3、图4以及图5所示，主面第三部313配置于比主面第二部312在y方向上靠第四面26。主面第三部313的形状没有特别限定，在图示的例中是x方向为长边方向的长矩形。另外，在图示的例中，主面第三部313的x方向尺寸与主面第二部312的x方向尺寸大致相同。主面第三部313在y方向视角下与主面第一部311及主面第二部312重叠。本实施方式的主面第三部313从第一面23、第二面24以及第四面26分离。
如图1及图7所示，主面第四部314相对于主面第一部311在x方向上位于偏靠第一面23，相对于主面第二部312在y方向上位于偏靠第三面25。主面第四部314的形状没有特别限定，在图示的例中为矩形。在图示的例中，主面第四部314的y方向尺寸与主面第一部311的y方向尺寸大致相同。另外，主面第四部314的x方向尺寸比主面第一部311的x方向尺寸小。主面第四部314的面积比主面第一部311的面积小。主面第四部314在x方向视角下与主面第一部311重叠。另外，主面第四部314在y方向视角下与主面第二部312及主面第三部313重叠。本实施方式的主面第四部314从第一面23及第三面25分离。
背面部32配置于基材2的背面22上。在图示的例中，背面部32包括背面第一部321、背面第二部322、背面第三部323以及背面第四部324。在本实施方式中，背面部32用作将半导体激光装置A1安装于电路基板(图示略)等时的安装端子。
如图1、图3、图4以及图7所示，背面第一部321配置于基材2的背面22的x方向上的第二面24侧且y方向上的第三面25侧。背面第一部321的形状没有特别限定，在图示的例中，是x方向为长边方向的长矩形。本实施方式的背面第一部321从第二面24及第三面25分离。
如图2、图3、图4以及图6所示，背面第二部322配置于比背面第一部321在y方向靠第四面26。背面第二部322的x方向尺寸比背面第一部321的x方向尺寸大。背面第二部322在y方向视角下与背面第一部321重叠。背面第二部322的形状没有特别限定，在图示的例中为矩形。背面第二部322的面积比背面第一部321、背面第三部323以及背面第四部324大。本实施方式的背面第二部322从第一面23及第二面24分离。
如图2、图3、图4以及图5所示，背面第三部323配置于比背面第二部322在y方向上靠第四面26。背面第三部323的形状没有特别限定，在图示的例中，是x方向为长边方向的长矩形。另外，在图示的例中，背面第三部323的x方向尺寸与背面第二部322的x方向尺寸大致相同。背面第三部323在y方向视角下与背面第一部321及背面第二部322重叠。本实施方式的背面第三部323从第一面23、第二面24以及第四面26分离。
如图2及图7所示，背面第四部324相对于背面第一部321在x方向位于偏靠第一面23，相对于背面第二部322在y方向上位于偏靠第三面25。背面第四部324的形状没有特别限定，在图示的例中为矩形。在图示的例中，背面第四部324的y方向尺寸与背面第一部321的y方向尺寸大致相同。另外，背面第四部324的x方向尺寸比背面第一部321的x方向尺寸小。背面第四部324的面积比背面第一部321的面积小。背面第四部324在x方向视角下与背面第一部321重叠。另外，背面第四部324在y方向视角下与背面第二部322及背面第三部323重叠。本实施方式的背面第四部324从第一面23及第三面25分离。
联络部33使主面部31的各部和背面部32的各部导通。联络部33的具体的结构没有特别限定，在图示的例中，如图1及图2所示，包括多个第一联络部331、多个第二联络部332、多个第三联络部333以及第四联络部334。此外，第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334的根数没有任何限定。
第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334的具体的结构没有特别限定，在本实施方式中，如图1～图7所示，在z方向视角下的基材2的内方区域(从第一面23、第二面24、第三面25以及第四面26分离的区域)中，将基材2沿厚度方向贯通。这样的第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334通过在形成于基材2的贯通孔的内面形成由金属构成的镀敷层而设置，且到达主面21及背面22。此外，在图示的例中，第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334的内部为填充有树脂的结构，但也可以例如为填充有金属的结构。
如图1、图2、图3、图4以及图7所示，多个第一联络部331与主面第一部311和背面第一部321相连，且连结主面第一部311和背面第一部321。本实施方式中，多个第一联络部331沿x方向排列。
如图1、图2以及图6所示，多个第二联络部332与背面第一部321和背面第二部322相连，且连结主面第二部312和背面第二部322。本实施方式中，多个第二联络部332在x方向上偏靠第一面23配置。在图示的例中，多个第二联络部332配置成沿x方向及y方向的矩阵状。
如图1、图2、图3以及图5所示，多个第三联络部333与主面第三部313和背面第三部323相连，且连结主面第三部313和背面第三部323。在本实施方式中，多个第三联络部333沿x方向排列。另外，多个第三联络部333在x方向上偏靠第一面23配置。
如图1、图2以及图7所示，第四联络部334与主面第四部314和背面第四部324相连，且连结主面第四部314和背面第四部324。也可以与图示的例不同，构成为具有多个第四联络部334。
半导体激光元件4是半导体激光装置A1的光源，包括由半导体层构成的活性层等。本实施方式中，如图3所示，半导体激光元件4具有第一激光电极41及第二激光电极42。第一激光电极41在z方向上设于主面21朝向的一侧。第二激光电极42在z方向上设于背面22朝向的一侧。在图1中省略了第一激光电极41。本实施方式中，第一激光电极41为正极，第二激光电极42为负极。
如图1及图3所示，在本实施方式中，半导体激光元件4配置于主面第三部313上。更具体而言，半导体激光元件4的第二激光电极42通过导电性接合材49导通接合于主面第三部313。导电性接合材49例如为焊料、银膏。在图示的例中，半导体激光元件4在z方向视角下内包于主面第三部313。半导体激光元件4在y方向上向第四面26朝向的一侧射出激光光束L。另外，在图示的例中，半导体激光元件4在z方向视角下与多个第三联络部333中的在x方向上位于最靠第二面24侧的第三联络部重叠。
开关元件5是用于将通向半导体激光元件4的电流ON(接通)/OFF(断开)的元件。开关元件5例如是由Si、SiC、或者GaN等构成的FET等晶体管。开关元件5由SiC构成的情况下，适于实现开关的高速化。如图1、图3以及图6所示，本实施方式的开关元件5具有元件主体51、栅极电极52、源极电极53以及漏极电极54。元件主体51由Si、SiC等半导体材料构成，且具有元件主面511及元件背面512。元件主面511是在z方向上朝向与主面21相同的一侧的面。元件背面512是在z方向中朝向与背面22相同的一侧的面。
栅极电极52配置于元件主面511上。在图示的例中，栅极电极52在x方向上偏靠第一面23配置，在y方向上偏靠第三面25配置。栅极电极52的形状没有特别限定，在图示的例中，在z方向视角下为矩形。
源极电极53配置于元件主面511上。在图示的例中，源极电极53在z方向视角下为L字状，相对于栅极电极52配置于x方向上的第二面24侧的区域以及y方向上的偏靠第四面26的区域。
漏极电极54配置于元件背面512上，在图示的例中，覆盖元件背面512的大致整个面。
开关元件5通过漏极电极54利用导电性接合材59导通接合于主面第二部312而配置于主面第二部312上。导电性接合材59例如为焊料、银膏。在本实施方式中，开关元件5在主面第二部312上在x方向上偏靠第一面23配置。另外，开关元件5在z方向视角下与多个第二联络部332全部重叠。开关元件5在y方向视角下与半导体激光元件4重叠。
电容器6用于临时蓄存应成为对半导体激光元件4通电的电流的电荷。如图1及图4所示，在图示的例中，电容器6具有电极61及电极62。电极61通过导电性接合材69导通接合于主面第三部313。电极62通过导电性接合材69导通接合于主面第二部312。导电性接合材69例如为焊料。此外，在图1中，为了便于说明，省略了导电性接合材69。另外，在本实施方式中，半导体激光装置A1具备两个电容器6。两个电容器6互相并联。另外，本实施方式中，电容器6相对于半导体激光元件4及开关元件5在x方向上偏靠第二面24配置。
如图1及图3所示，多个第一引线71连接于开关元件5的源极电极53和半导体激光元件4的第一激光电极41。第一引线71例如由Au、Cu、Al等金属构成。多个第一引线71的根数没有特别限定，在图示的例中为三个。多个第一引线71连接于源极电极53的y方向上靠第四面26的部分。多个第一引线71以在y方向上并排的方式连接于半导体激光元件4的第一激光电极41。
如图1及图3所示，多个第二引线72连接于开关元件5的源极电极53和导电部3的主面部31的主面第一部311。第二引线72例如由Au、Cu、Al等金属构成，本实施方式中，由与第一引线71相同的材质的Au构成。多个第二引线72的根数没有特别限定，在图示的例中为两个，比多个第一引线71的根数少。因此，多个第一引线71的电阻值比多个第二引线72的电阻值小。多个第二引线72连接于源极电极53的y方向上的靠第三面25的部分。多个第二引线72以在x方向上并排的方式连接于主面第一部311。
如图1所示，第三引线73连接于开关元件5的栅极电极52和导电部3的主面部31的主面第四部314。第三引线73例如由Au、Cu、Al等金属构成，在本实施方式中，由Au构成。第三引线73的根数没有特别限定，在图示的例中为一个。
透光树脂8配置于主面21上，且覆盖半导体激光元件4、开关元件5、多个电容器6、多个第一引线71、多个第二引线72以及第三引线73。透光树脂8由使来自半导体激光元件4的激光光束L透过的材质构成，例如由透明的环氧树脂、硅树脂构成。
透光树脂8的形状没有特别限定，在本实施方式中，如图3～图7所示，透光树脂8具有主面81、树脂第一面83、树脂第二面84、树脂第三面85以及树脂第四面86。
主面81是在z方向上朝向与主面21相同的一侧的面，在图示的例中为平面。树脂第一面83是在x方向上朝向与第一面23相同的一侧的面。图示的例中，树脂第一面83为平面，与第一面23齐平。树脂第二面84是在x方向上朝向与第二面24相同的一侧的面。在图示的例中，树脂第二面84为平面，与第二面24齐平。树脂第三面85是在y方向上朝向与第三面25相同的一侧的面。在图示的例中，树脂第三面85为平面，与第三面25齐平。树脂第四面86是在y方向上朝向与第四面26相同的一侧的面。图示的例中，树脂第四面86为平面，与树脂第四面86齐平。在本实施方式中，来自半导体激光元件4的激光光束L从透光树脂8的树脂第四面86射出。此外，通过将树脂第四面86设为平坦且平滑的面，能够抑制激光光束L的散射，提高射出效率。
如图8所示，半导体激光装置A1能够用于激光系统B1。激光系统B1具备半导体激光装置A1和栅极驱动器91、直流电源92、电阻93以及二极管94。
栅极驱动器91经由背面第四部324、第四联络部334、主面第四部314以及第三引线73连接于开关元件5的栅极电极52。栅极驱动器91控制施加于栅极电极52的驱动电压。
直流电源92是用于使半导体激光元件4发光的电源。直流电源92的正极经由电阻93连接于背面第二部322。
二极管94设于背面第一部321与背面第三部323之间，使从背面第三部323向背面第一部321的电流通过。二极管94用于防止向半导体激光元件4施加过大的逆电压，并且实现对电容器6的充电。
在这样的结构的激光系统B1中，在开关元件5为OFF的状态的情况下，从直流电源92沿电阻93、背面第二部322、电容器6、背面第三部323、二极管94、背面第一部321的路径流通电流IC，对电容器6充电。而且，在开关元件5为ON的状态的情况下，充入电容器6的电荷沿开关元件5、第一引线71、半导体激光元件4的路径成为电流IL而流通，使半导体激光元件4发光。
接下来，对半导体激光装置A1的作用进行说明。
根据本实施方式，如图1及图8所示，通过从栅极驱动器91向开关元件5的栅极电极52施加电压而流通的电流IG主要从源极电极53通过第二引线72流向背面第一部321。另一方面，使半导体激光元件4发光的电流IL主要从源极电极53通过第一引线71流向半导体激光元件4。因此，电流IL和电流IG主要在互不相同的路径流通。因此，可抑制例如电流IL通过用于对栅极电极52施加栅极电压的电流路径。另外，源极电极53和半导体激光元件4通过第一引线71互相直接连接。从而，可降低电流IL的路径的电感成分。由此，能够进行更高速的开关，并且能够进一步提高电流IL的峰值电流值。这有利于将脉冲宽度更小的激光光束L以更高输出的状态射出，作为LiDAR的光源设备是优选的。
作为半导体激光元件4、开关元件5以及电容器6的安装、第一引线71、第二引线72以及第三引线73的连接的对象的主面部31配置于主面21上，且配置成与用作与外部的连接端子的背面部32在z方向视角下互相重叠。这适于半导体激光装置A1的z方向视角下的小型化。另外，主面部31和背面部32通过联络部33连结。联络部33包括贯通基材2的第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334。第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334均未沿着z方向的形状，不弯曲。因此，对于在半导体激光装置A1中流通的电流的路径中的电感成分的降低是优选的。
如图1所示，开关元件5和电容器6在x方向并排。半导体激光元件4搭载于相对于开关元件5及电容器6在y方向上位于偏靠主面21的主面第三部313。因此，从开关元件5的源极电极53经由第一引线71、半导体激光元件4、主面第三部313以及电容器6到主面第二部312的路径的路径长度设定得较短。这适于降低图8中的电流IL的路径的电感成分。
多个第一引线71的根数比多个第二引线72的根数多，多个第一引线71的电阻值比多个第二引线72的电阻值小。在多个第一引线71流通使半导体激光元件4发光的电流IL。电流IL比电流IG显著大。从而，通过降低多个第一引线71的电阻值，能够抑制电气损失。
多个第二引线72的根数比第三引线73的根数多个。由此，能够抑制与电流IG相关的电气损失。
图9～图59示出了本公开的变形例及其它实施方式。此外，在这些图中，对与上述实施方式相同或类似的要素标注与上述实施方式相同的符号。
＜激光系统B1第一变形例＞
图9示出了激光系统B1的第一变形例。本变形例的激光系统B11具备电阻95。电阻95在背面第三部323与背面第一部321之间与二极管94串联。通过具备电阻95，能够抑制开关元件5从ON状态切换到OFF状态时产生的电流值的振动。
＜激光系统B1第二变形例＞
图10示出了激光系统B1的第二变形例。本变形例的激光系统B12不具备上述的二极管94。在背面第一部321与背面第三部323之间设有电阻95。本变形例中，为可以从背面第一部321向背面第三部323始终流通电流的状态，通过调整动作条件，能够使激光系统B12动作。
＜第一实施方式第一变形例＞
图11是表示半导体激光装置A1的第一变形例的主要部分俯视图。图12是表示半导体激光装置A1的第一变形例的仰视图。本变形例的半导体激光装置A11中，在基材2的主面21上，主面第一部311偏靠x方向上的第一面23配置，主面第四部314偏靠x方向上的第二面24寄配置。主面第二部312相对于主面第一部311及主面第四部314偏靠y方向上的第四面26配置。主面第三部313相对于主面第二部312偏靠y方向上的第四面26配置。主面第二部312与主面第三部313的x方向尺寸大致相同。
背面第一部321在基材2的背面22上偏靠x方向上的第一面23配置，背面第四部324偏靠x方向上的第二面24配置。背面第二部322相对于背面第一部321及背面第四部324偏靠y方向上的第四面26的配置。背面第三部323相对于背面第二部322偏靠y方向上的第四面26配置。背面第二部322与背面第三部323的x方向尺寸大致相同。
在本例中，主面第二部312具有凸部3122。凸部3122从x方向上的偏靠第二面24的部分向y方向上的第四面26侧突出。主面第三部313具有凸部3133。凸部3133从x方向上的偏靠第一面23的部分向y方向上的第三面25侧突出。凸部3122和凸部3133在x方向上并排，在x方向视角下重叠。
开关元件5配置成x方向中央和主面第二部312大致一致。栅极电极52在x方向上靠第二面24配置，源极电极53相对于栅极电极52配置于x方向上的偏靠第一面23的区域以及y方向上的偏靠第四面26的区域。
半导体激光元件4在y方向视角下配置于与凸部3133重叠的位置。电容器6的电极62与主面第二部312的凸部3122导通接合。半导体激光元件4和电容器6在x方向上并排，且在x方向视角下互相重叠。另外，电容器6在y方向视角下与开关元件5重叠。
根据本变形例，也能够降低电感成分。另外，通过构成为开关元件5和电容器6在y方向上重叠，能够缩小半导体激光装置A11的x方向尺寸。另外，通过构成为凸部3122和凸部3133在x方向视角下重叠，能够缩小半导体激光装置A11的y方向尺寸。
＜第一实施方式第二变形例＞
图13是表示半导体激光装置A1的第二变形例的主要部分俯视图。图14是表示半导体激光装置A1的第二变形例的仰视图。本变形例的半导体激光装置A12在具备两个半导体激光元件4的方面与上述的半导体激光装置A11不同。
两个半导体激光元件4在x方向上并排配置。两个半导体激光元件4分别沿y方向射出激光光束L。
多个第一引线71分别连接于源极电极53、一方的半导体激光元件4的第一激光电极41以及另一方的半导体激光元件4的第一激光电极41，且为弯曲的形状。
根据本变形例，也能够降低电感成分。另外，通过具备两个半导体激光元件4，能够实现高亮度化。
＜第一实施方式第三变形例＞
图15是表示半导体激光装置A1的第三变形例的主要部分俯视图。图16是表示半导体激光装置A1的第三变形例的仰视图。本变形例的半导体激光装置A13在两个半导体激光元件4沿x方向射出激光光束L的方面与上述的半导体激光装置A12不同。
两个半导体激光元件4沿y方向排列配置。一方的半导体激光元件4配置于凸部3133。两个半导体激光元件4分别沿x方向射出激光光束L。
根据本变形例，也能够降低电感成分。另外，通过具备两个半导体激光元件4，能够实现高亮度化。如根据本变形例理解那样地，射出激光光束L的方向可以进行各种设定。
＜第一实施方式第四变形例＞
图17是表示半导体激光装置A1的第四变形例的主要部分俯视图。图18是表示半导体激光装置A1的第四变形例的仰视图。本变形例的半导体激光装置A14的半导体激光元件4的根数与上述的体激光装置A13不同。
本变形例中，导体激光元件4的根数为一个。半导体激光元件4配置于凸部3133上。
根据本变形例，也能够降低电感成分。如根据半导体激光装置A13及本变形例理解那样地，半导体激光元件4的根数可以进行各种设定。
＜第一实施方式第五变形例＞
图19是表示半导体激光装置A1的第五变形例的主要部分俯视图。图20是表示半导体激光装置A1的第五变形例的仰视图。本变形例的半导体激光装置A15具备二极管94。
二极管94串联设置于主面第一部311与主面第三部313之间，允许从主面第三部313向主面第一部311的电流。图示的例中，二极管94搭载于主面第一部311。
在图示的例中，半导体激光元件4为沿x方向射出激光光束L的结构，但不限于此，例如，也可以是沿y方向射出激光光束L的结构。主面第一部311、主面第二部312、主面第三部313、主面第五部315、背面第一部321、背面第二部322以及中间第二部342的配置等只要是可以构成图示的例构成的电路的配置等，就没有任何限制。
根据本变形例，也可以降低电感成分。通过将二极管94内置于半导体激光装置A15内，特别有利于降低在二极管94流通的上述的电流IC的导通路径的电感成分。
＜第二实施方式＞
图21是表示本公开的第二实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。图22是表示本公开的第二实施方式的半导体激光装置的仰视图。
本实施方式的半导体激光装置A2中，主面第二部312具有凹部3121。凹部3121是主面第二部312的y方向上的第四面26侧的部分在y方向上向第三面25侧凹陷的部位。凹部3121位于主面第二部312的x方向中央。
本实施方式的主面第三部313具有凸部3132。凸部3132是主面第三部313的y方向上的第三面25侧的部分在y方向上向第三面25侧突出的部分。凸部3132位于主面第三部313的x方向中央。另外，凸部3132在y方向视角下与凹部3121重叠。
半导体激光元件4在y方向视角下配置于与凸部3132重叠的位置，在z方向视角下与凸部3132的至少一部分重叠。两个电容器6夹着半导体激光元件4配置于x方向两侧。两个电容器6在y方向视角下与凹部3121及凸部3132不重叠。
根据本实施方式，也能够降低电感成分。另外，半导体激光元件4靠支撑部件1的x方向中央配置，由此能够从半导体激光装置A2的更靠近x方向中心的位置射出激光光束L。
在主面第二部312形成有凹部3121，在主面第三部313形成有凸部3132。凹部3121和凸部3132在y方向视角下重叠，半导体激光元件4在y方向视角下与凹部3121及凸部3132重叠。根据这样的结构，能够缩小半导体激光装置A2的y方向尺寸。
＜第二实施方式第一变形例＞
图23是表示半导体激光装置A2的第一变形例的主要部分俯视图。图24是表示半导体激光装置A2的第一变形例的主要部分仰视图。图25是沿着图23的XXV－XXV线的剖视图。
本变形例的半导体激光装置A21中，基材2具有凹部261。凹部261是从第四面26向y方向上的第三面25侧凹陷的部位。凹部261偏靠基材2的x方向中央配置。主面第三部313具有凹部3131及凸部3132。凹部3131是主面第三部313的y方向上的第四面26侧部分在y方向上向第三面25侧凹陷的部位。凸部3132是主面第三部313的y方向上的第三面25侧的部分在y方向上向第三面25侧突出的部分。凹部261、凹部3131以及凸部3132在y方向视角下互相重叠。另外，凹部261及凹部3131和半导体激光元件4互相重叠。
如图25所示，凹部261相对于透光树脂8的树脂第四面86向y方向上的第三面25侧凹陷。即，凹部261从树脂第四面86分离，在凹部261填充有透光树脂8。
根据本变形例，也能够降低电感成分。另外，通过具有凹部261，凹部261的端缘和半导体激光元件4的y方向端缘(激光光束L的射出部分)更接近。由此，能够抑制激光光束L与基材2干涉。另外，树脂第四面86为平面，由此半导体激光装置A21全体为单纯的长方体形状，具有容易进行搬运、安装等作业的优点。
＜第二实施方式第二变形例＞
图26是表示半导体激光装置A2的第二变形例的主要部分俯视图。图27是表示半导体激光装置A2的第二变形例的主要部分仰视图。
本变形例的半导体激光装置A22具备两个半导体激光元件4，其它结构与上述的半导体激光装置A2相同或相似。两个半导体激光元件4搭载于主面第三部313，配置于两个电容器6之间。两个半导体激光元件4沿x方向并排，分别沿y方向射出激光光束L。两个半导体激光元件4的每一个和开关元件5的源极电极53通过多个第一引线71连接。
根据本变形例，也能够降低电感成分。另外，通过具备两个半导体激光元件4，有利于高亮度化。另外，通过靠半导体激光装置A22的x方向中央集中配置两个半导体激光元件4，对于使来自半导体激光装置A22的光折射或反射等的光学部件的小型化是优选。
＜第二实施方式第三变形例＞
图28是表示半导体激光装置A2的第三变形例的主要部分俯视图。图29是表示半导体激光装置A2的第三变形例的主要部分仰视图。
本变形例的半导体激光装置A23具备二极管94，其它结构与上述的半导体激光装置A2相同或类似。
主面第一部311相对于主面第二部312在x方向上配置于第二面24侧。主面第四部314相对于主面第二部312在x方向配置于第二面24侧。主面第四部314相对于主面第一部311在y方向配置于第三面25侧。
二极管94在主面第一部311与主面第三部313之间串联设置，允许从主面第三部313朝向主面第一部311的电流。在图示的例中，二极管94搭载于主面第一部311。二极管94在x方向视角下与开关元件5重叠。另外，二极管94在x方向视角下与两个电容器6重叠。二极管94在x方向视角下与半导体激光元件4不重叠。
在图示的例中，半导体激光元件4为沿x方向射出激光光束L的结构，但不限于此，例如，也可以为沿y方向射出激光光束L的结构。主面第一部311、主面第二部312、主面第三部313、主面第五部315、背面第一部321、背面第二部322、背面第三部323以及中间第二部342的配置等只要是可以构成图示的例构成的电路的配置等，就没有任何限定。
根据本变形例，也能够降低电感成分。通过将二极管94内置于半导体激光装置A15内，特别有利于降低在二极管94流动的上述的电流IC的导通路径的电感成分。此外，使用了半导体激光装置A23的激光系统的构筑也可以不使用背面第三部323，但通过设置背面第三部323，能够实现半导体激光装置A23的安装强度、散热性的提高。
＜第三实施方式＞
图30是表示本公开的第三实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。图31是表示本公开的第三实施方式的半导体激光装置的仰视图。本实施方式的半导体激光装置A3中，主面部31、背面部32以及联络部33的结构与上述的实施方式不同。
本实施方式的主面部31具有主面第一部311、主面第二部312、主面第三部313、主面第四部314以及主面第五部315。主面第一部311、主面第二部312、主面第三部313以及主面第四部314的配置例如与半导体激光装置A11的配置类似。但是，在本实施方式中，主面第二部312不具有凸部3122，且在z方向视角下为矩形。另外，主面第三部313不具有凸部3133，且在z方向视角下为矩形。
主面第五部315相对于主面第三部313偏靠y方向上的第四面26配置。主面第五部315的形状没有特别限定，在图示的例中，是x方向为长边方向的矩形。
半导体激光元件4的第二激光电极42导通接合于主面第三部313，且配置于主面第三部313上。电容器6的电极62导通接合于主面第三部313。电容器6的电极61导通接合于主面第五部315。
如图31所示，背面第一部321配置于在y方向上靠第三面25且在x方向上靠第一面23。背面第四部324相对于背面第一部321偏靠x方向上的第二面24配置。
背面第二部322相对于背面第一部321及背面第四部324偏靠y方向上的第四面26配置。背面第二部322具有凹部3221。凹部3221是背面第二部322的x方向上的第一面23侧的部分在x方向上向第二面24侧凹陷的部位。
背面第三部323在x方向视角及y方向视角下均配置成与凹部3221重叠。背面第三部323的形状没有特别限定，在图示的例中为矩形。
本实施方式的联络部33包括第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333、第四联络部334以及联络部335。第一联络部331连结主面第一部311和背面第一部321。第四联络部334连结主面第四部314和背面第四部324。第三联络部333连结主面第三部313和背面第三部323。第四联络部334连结主面第四部314和背面第四部324。联络部335连结主面第五部315和背面部325。
如图1所示，多个第二联络部332连结于主面第二部312的y方向上的第四面26侧的部分。
根据本实施方式，也能够降低电感成分。另外，在本实施方式中，电流IL在由第一引线71、半导体激光元件4、主面第三部313、电容器6、主面第五部315、联络部335以及背面第二部322构成的路径流动。该路径在x方向视角下形成环状。因此，与电流IL的导通路径的大部分在同一平面上构成的情况相比，能够进一步缩短导通路径。
另外，第二联络部332在y方向偏靠第四面26配置，由此能够缩短第二联络部332与联络部335的y方向上的距离。由此，有利于缩短电流IL的导通路径。
＜第三实施方式第一变形例＞
图32是表示半导体激光装置A3的第一变形例的主要部分俯视图。图33是表示半导体激光装置A3的第一变形例的仰视图。本变形例的半导体激光装置A31在具备两个半导体激光元件4的方面与上述的半导体激光装置A3不同。
根据本变形例，也能够降低电感成分。另外，通过具备两个半导体激光元件4，能够实现高亮度化。
＜第四实施方式＞
图34是表示本公开的第四实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。图35是表示本公开的第四实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。图36是表示本公开的第四实施方式的半导体激光装置的仰视图。图37是沿着图34的XXXVII－XXXVII线的剖视图。本实施方式的半导体激光装置A4的导电部3具有主面部31、背面部32、联络部33以及中间部34。此外，在图35中，省略了半导体激光元件4、开关元件5、主面部31以及后述的第一层2A。
主面部31的主面第一部311、主面第二部312、主面第三部313以及主面第四部314的配置结构与上述的半导体激光装置A3相同。背面第一部321、背面第二部322、背面第三部323以及背面第四部324的配置结构与上述的半导体激光装置A2相同。
本实施方式的基材2由第一层2A及第二层2B构成。第一层2A和第二层2B在z方向上互相层叠。第一层2A构成主面21。第二层2B构成背面22。
中间部34配置于第二层2B的主面21B上，被第一层2A和第二层2B夹着。中间部34包括中间第一部341、中间第二部342、中间第三部343以及中间第四部344。中间第一部341、中间第二部342、中间第三部343以及中间第四部344的配置结构与背面第一部321、背面第二部322、背面第三部323以及背面第四部324的配置结构相同。
在本实施方式中，第一联络部331将主面第一部311、背面第一部321以及中间第一部341互相连结。第二联络部332将主面第二部312、背面第二部322以及中间第二部342互相连结。第三联络部333将主面第三部313、背面第三部323以及中间第三部343互相连结。第四联络部334将主面第四部314、背面第四部324以及中间第四部344互相连结。
如图35及图37所示，电容器6的电极61导通接合于中间第三部343，电极62导通接合于中间第二部342。另外，在第一层2A形成有容纳部25A。容纳部25A是可容纳两个电容器6的部位。在图示的例中，在容纳部25A与电容器6之间填充有密封树脂29。
根据本实施方式，也可以降低电感成分。另外，通过在中间部34搭载电容器6，例如可以构成为在z方向视角下开关元件5和电容器6重叠。由此，能够缩小半导体激光装置A4的x方向及y方向上的尺寸。
电流IL的路径中，背面第二部322和中间第二部342构成并联的路径，背面第三部323和中间第三部343形成并联的路径。由此，能够实现电流IL的路径的低电阻化及低电感化。
＜第四实施方式第一变形例＞
图38是表示半导体激光装置A4的第一变形例的主要部分俯视图。图39是表示半导体激光装置A4的第一变形例的主要部分俯视图。图40是表示半导体激光装置A4的第一变形例的仰视图。本变形例的半导体激光装置A41的主面部31及背面部32的配置结构与上述的半导体激光装置A3相似。半导体激光元件4、开关元件5以及电容器6配置于主面部31上。
本实施方式的中间部34具有中间第一部341、中间第二部342、中间第三部343以及中间第四部344。中间第一部341、中间第二部342、中间第三部343以及中间第四部344的配置结构与背面部32的背面第一部321、背面第二部322、背面第三部323以及背面第四部324的配置结构相同。在本实施方式中，第二联络部332连结于主面第二部312的y方向上的第四面26侧的部分。
根据本实施方式，也能够降低电感成分。另外，通过具有与背面部32的配置结构相同的中间部34，能够实现电流IL的路径的低电阻化及低电感化，并且实现半导体激光装置A41的小型化。
＜第五实施方式＞
图41是表示第五实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。图42是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的仰视图。图43是沿着图41的XLIII－XLIII线的剖视图。本实施方式的半导体激光装置A5主要联络部33的结构与上述的实施方式不同。此外，上述的半导体激光装置A1～A41可以将联络部33的结构适当变更成形成本实施方式的联络部33的方案的结构。
本实施方式的主面部31、背面部32、半导体激光元件4、开关元件5、电容器6、第一引线71、第二引线72以及第三引线73的配置结构与上述的半导体激光装置A1相似。
如图41所示，本实施方式中，主面第一部311到达第二面24及第三面25。主面第二部312到达第一面23及第二面24。主面第三部313到达第一面23、第二面24以及第四面26。主面第四部314到达第一面23及第三面25。
如图42所示，在本实施方式中，背面第一部321到达第二面24及第三面25。背面第二部322到达第一面23及第二面24。背面第三部323到达第一面23、第二面24以及第四面26。背面第四部324到达第一面23及第三面25。
本实施方式的联络部33如图43所示的第一联络部331及联络部335代表那样地，通过在设于基材2的沿z方向的槽的内表面形成金属镀敷层而设置。因此，本实施方式的联络部33与第一面23、第二面24、第三面25以及第四面26的任一个均相接。
多个第一联络部331连结主面第一部311和背面第一部321。多个第一联络部331沿第三面25在x方向上并排配置。
多个第二联络部332连结主面第二部312和背面第二部322。多个第二联络部332分开配置于x方向两侧。一部分第二联络部332沿第一面23在y方向上并排配置。另一部分第二联络部332沿第二面24在y方向上并排配置。
多个第三联络部333连结主面第三部313和背面第三部323。多个第三联络部333沿第四面26在x方向上排列配置。
第四联络部334连结主面第四部314和背面第四部324。第四联络部334与第三面25相接。
根据这样的实施方式，也可以降低电感成分，起到与上述的半导体激光装置A1相同的效果。
＜第五实施方式第一变形例＞
图44是表示半导体激光装置A5的第一变形例的主要部分俯视图。图45是表示半导体激光装置A5的第一变形例的仰视图。
本变形例的半导体激光装置A51的主面部31、背面部32、半导体激光元件4、开关元件5、电容器6、第一引线71、第二引线72以及第三引线73的配置结构与上述的半导体激光装置A11相似。联络部33的第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334的结构与半导体激光装置A5相同。
根据本变形例，也能够降低电感成分，起到与上述的半导体激光装置A11同样的效果。
＜第五实施方式第二变形例＞
图46是表示半导体激光装置A5的第二变形例的主要部分俯视图。图47是表示半导体激光装置A5的第二变形例的仰视图。
本变形例的半导体激光装置A52的主面部31、背面部32、半导体激光元件4、开关元件5、电容器6、第一引线71、第二引线72以及第三引线73的配置结构与上述的半导体激光装置A12相似。联络部33的第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334的结构与半导体激光装置A5及半导体激光装置A51相同。
本变形例中，多个第三联络部333在y方向视角下与两个半导体激光元件4不重叠，设置于从两个半导体激光元件4退避开的位置。另外，第三联络部333与电容器6在y方向视角下重叠。
根据本变形例，也可以降低电感成分，起到与上述的半导体激光装置A12同样的效果。
＜第五实施方式第三变形例＞
图48是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的第三变形例的主要部分俯视图。图49是表示本公开的第五实施方式的半导体激光装置的第三变形例的仰视图。
本变形例的半导体激光装置A53的主面部31、背面部32、半导体激光元件4、开关元件5、电容器6、第一引线71、第二引线72以及第三引线73的配置结构与上述的半导体激光装置A14类似。联络部33的第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334的结构与半导体激光装置A5、A51、A52相同。
本变形例中，多个第三联络部333之一在y方向视角下与半导体激光元件4重叠。另外，另外两个第三联络部333与电容器6在y方向视角下重叠。
根据本变形例，也可以降低电感成分，起到与上述的半导体激光装置A14同样的效果。
＜第五实施方式第四变形例＞
图50是表示半导体激光装置A5的第四变形例的主要部分俯视图。图51是表示半导体激光装置A5的第四变形例的仰视图。
本变形例的半导体激光装置A54的主面部31、背面部32、半导体激光元件4、开关元件5、电容器6、第一引线71、第二引线72以及第三引线73的配置结构与上述的半导体激光装置A13相似。联络部33的第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334的结构与半导体激光装置A5、A51、A52、A53相同。
本变形例中，多个第三联络部333之一在y方向视角下与两个半导体激光元件4重叠。另外，另外两个第三联络部333与电容器6在y方向视角下重叠。
根据本变形例，也可以降低电感成分，起到与上述的半导体激光装置A13同样的效果。
＜第六实施方式＞
图52是表示本公开的第六实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。图53是表示本公开的第六实施方式的半导体激光装置的仰视图。
本实施方式的半导体激光装置A6的主面部31、背面部32、半导体激光元件4、开关元件5、电容器6、第一引线71、第二引线72以及第三引线73的配置结构与上述的半导体激光装置A2相似。联络部33的第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334的结构与半导体激光装置A5等相同。
在本实施方式中，两个第三联络部333在x方向上分离配置。两个第三联络部333在y方向视角下与两个电容器6重叠，与半导体激光元件4不重叠。换言之，半导体激光元件4在x方向上位于两个第三联络部333之间。
根据本变形例，也可以降低电感成分，起到与上述的半导体激光装置A12同样的效果。
＜第六实施方式第一变形例＞
图54是表示半导体激光装置A6的第一变形例的主要部分俯视图。图55是表示半导体激光装置A6的第一变形例的主要部分仰视图。
本变形例的半导体激光装置A61的主面部31、背面部32、半导体激光元件4、开关元件5、电容器6、第一引线71、第二引线72以及第三引线73的配置结构与上述的半导体激光装置A21相似。联络部33的第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334的结构与半导体激光装置A6相同。
本变形例中，两个第三联络部333在x方向上分离配置。两个第三联络部333在y方向视角下与两个电容器6重叠，与半导体激光元件4及凹部261不重叠。换言之，半导体激光元件4及凹部261在x方向上位于两个第三联络部333之间。
根据本变形例，也可以降低电感成分，起到与上述的半导体激光装置A21同样的效果。
＜第七实施方式＞
图56是表示本公开的第七实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。图57是表示本公开的第七实施方式的半导体激光装置的仰视图。
本实施方式的半导体激光装置A7的主面部31、背面部32、半导体激光元件4、开关元件5、电容器6、第一引线71、第二引线72以及第三引线73的配置结构与上述的半导体激光装置A3相似。联络部33的第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333以及第四联络部334的结构与半导体激光装置A6、A61等相同。
本实施方式中，联络部33还包括联络部335。联络部335连结主面第五部315和背面第二部322。两个联络部335在y方向视角下与两个电容器6重叠。另外一个联络部335在y方向视角下与电容器6不重叠。第三联络部333在x方向上仅设于与半导体激光元件4相反侧。
根据本变形例，也可以降低电感成分，起到与上述的半导体激光装置A3同样的效果。另外，第三联络部333在x方向上仅设于与半导体激光元件4相反侧，由此可以使半导体激光元件4更接近第一面23，能够抑制来自半导体激光元件4的激光光束L与支撑部件1干涉。
＜第七实施方式第一变形例＞
图58是表示半导体激光装置A7的第一变形例的主要部分俯视图。图59是表示半导体激光装置A7的第一变形例的仰视图。
本变形例的半导体激光装置A71的主面部31、背面部32、半导体激光元件4、开关元件5、电容器6、第一引线71、第二引线72以及第三引线73的配置结构与上述的半导体激光装置A31相似。联络部33的第一联络部331、第二联络部332、第三联络部333、第四联络部334以及联络部335的结构与半导体激光装置A7相同。
两个联络部335在y方向视角下与两个电容器6重叠。另外一个联络部335在y方向视角下与电容器6不重叠。
本变形例中，两个第三联络部333在x方向上仅设于与两个半导体激光元件4相反侧。两个第三联络部333沿y方向并排。
根据本变形例，也可以降低电感成分，起到与上述的半导体激光装置A31同样的效果。另外，第三联络部333在x方向上仅设于与半导体激光元件4相反侧，由此可以使半导体激光元件4更接近第一面23，能够抑制来自半导体激光元件4的激光光束L与支撑部件1干涉。
本公开的半导体激光装置不限于上述的实施方式。本公开的半导体激光装置的各部的具体的结构可以自如地进行各种设计变更。
本公开包括以下的附记涉及的结构。
〔附记1〕
一种半导体激光装置，其特征在于，具备：
半导体激光元件；
具有栅极电极、源极电极以及漏极电极的开关元件；以及
具有构成通向上述开关元件及上述半导体激光元件的导通路径的导电部，且支撑上述半导体激光元件及上述开关元件的支撑部件，
上述导电部具有从上述半导体激光元件分离的第一部，
上述半导体激光装置具备：
连接于上述开关元件的上述源极电极和上述半导体激光元件的一个以上的第一引线；以及
连接于上述开关元件的上述源极电极和上述导电部的上述第一部的一个以上的第二引线。
〔附记2〕
根据附记1所述的半导体激光装置，其特征在于，
一个以上的上述第一引线的电阻值比一个以上的上述第二引线的电阻值小。
〔附记3〕
根据附记2所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述第一引线和上述第二引线由相同材质构成，
具备多个上述第一引线，并且多个上述第一引线的根数比一个以上的上述第二引线的根数多。
〔附记4〕
根据附记1～3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述开关元件具有由半导体材料构成的元件主体，
上述元件主体具有在作为厚度方向的第一方向上互相朝向相反侧的元件主面及元件背面，
上述栅极电极及上述源极电极配置于上述元件主面上，
上述漏极电极配置于上述元件背面上。
〔附记5〕
根据附记4所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述半导体激光元件具有在上述第一方向上配置于上述元件主面朝向的一侧的第一激光电极和配置于上述元件背面朝向的一侧的第二激光电极，
在上述第一激光电极连接有上述第一引线。
〔附记6〕
根据附记5所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述支撑部件具有基材，该基材具有在上述第一方向上互相朝向相反侧的主面及背面。
〔附记7〕
根据附记6所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述导电部具有配置于上述主面上的主面部和配置于上述背面上的背面部。
〔附记8〕
根据附记7所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述导电部包括使上述主面部和上述背面部导通的多个联络部。
〔附记9〕
根据附记8所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述主面部包括作为上述第一部的主面第一部。
〔附记10〕
根据附记9所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述主面部包括导通接合有上述开关元件的上述漏极电极的主面第二部。
〔附记11〕
根据附记10所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述主面部包括导通接合有上述半导体激光元件的上述第二激光电极的主面第三部。
〔附记12〕
根据附记11所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述主面部包括主面第四部，
具备连接于上述栅极电极和上述主面第四部的第三引线。
〔附记13〕
根据附记12所述的半导体激光装置，其特征在于，
具备电气地介于上述主面第二部与上述主面第三部之间的电容器。
〔附记14〕
根据附记13所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述电容器导通接合于上述主面第二部和上述主面第三部。
〔附记15〕
根据附记14所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述背面部包括导通于上述主面第一部的背面第一部、导通于上述主面第二部的背面第二部、导通于上述主面第三部的背面第三部以及导通于上述主面第四部的背面第四部。
〔附记16〕
根据附记13所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述主面部包括主面第五部，
上述电容器导通接合于上述主面第三部和上述主面第五部。
〔附记17〕
根据附记16所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述背面部包括导通于上述主面第一部的背面第一部、导通于上述主面第二部及上述主面第五部的背面第二部、导通于上述主面第三部的背面第三部以及导通于上述主面第四部的背面第四部。
〔附记18〕
根据附记11所述的半导体激光装置，其特征在于，
具备二极管，该二极管电串联地设于上述主面第一部与上述主面第三部之间，且允许从上述主面第三部朝向上述主面第一部的通电。
〔附记19〕
根据附记18所述的半导体激光装置，其特征在于，上述二极管搭载于上述主面第一部。

Claims (19)

1.一种半导体激光装置，其特征在于，具备：
半导体激光元件；
具有栅极电极、源极电极以及漏极电极的开关元件；以及
具有构成通向上述开关元件及上述半导体激光元件的导通路径的导电部，且支撑上述半导体激光元件及上述开关元件的支撑部件，
上述导电部具有从上述半导体激光元件分离的第一部，
上述半导体激光装置具备：
连接于上述开关元件的上述源极电极和上述半导体激光元件的一个以上的第一引线；以及
连接于上述开关元件的上述源极电极和上述导电部的上述第一部的一个以上的第二引线。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
一个以上的上述第一引线的电阻值比一个以上的上述第二引线的电阻值小。
3.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述第一引线和上述第二引线由相同材质构成，
具备多个上述第一引线，并且多个上述第一引线的根数比一个以上的上述第二引线的根数多。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述开关元件具有由半导体材料构成的元件主体，
上述元件主体具有在作为厚度方向的第一方向上互相朝向相反侧的元件主面及元件背面，
上述栅极电极及上述源极电极配置于上述元件主面上，
上述漏极电极配置于上述元件背面上。
5.根据权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述半导体激光元件具有在上述第一方向上配置于上述元件主面朝向的一侧的第一激光电极和配置于上述元件背面朝向的一侧的第二激光电极，
在上述第一激光电极连接有上述第一引线。
6.根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述支撑部件具有基材，该基材具有在上述第一方向上互相朝向相反侧的主面及背面。
7.根据权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述导电部具有配置于上述主面上的主面部和配置于上述背面上的背面部。
8.根据权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述导电部包括使上述主面部和上述背面部导通的多个联络部。
9.根据权利要求8所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述主面部包括作为上述第一部的主面第一部。
10.根据权利要求9所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述主面部包括导通接合有上述开关元件的上述漏极电极的主面第二部。
11.根据权利要求10所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述主面部包括导通接合有上述半导体激光元件的上述第二激光电极的主面第三部。
12.根据权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述主面部包括主面第四部，
具备连接于上述栅极电极和上述主面第四部的第三引线。
13.根据权利要求12所述的半导体激光装置，其特征在于，
具备电气地介于上述主面第二部与上述主面第三部之间的电容器。
14.根据权利要求13所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述电容器导通接合于上述主面第二部和上述主面第三部。
15.根据权利要求14所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述背面部包括导通于上述主面第一部的背面第一部、导通于上述主面第二部的背面第二部、导通于上述主面第三部的背面第三部以及导通于上述主面第四部的背面第四部。
16.根据权利要求13所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述主面部包括主面第五部，
上述电容器导通接合于上述主面第三部和上述主面第五部。
17.根据权利要求16所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述背面部包括导通于上述主面第一部的背面第一部、导通于上述主面第二部及上述主面第五部的背面第二部、导通于上述主面第三部的背面第三部以及导通于上述主面第四部的背面第四部。
18.根据权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于，
具备二极管，该二极管电串联地设于上述主面第一部与上述主面第三部之间，且允许从上述主面第三部朝向上述主面第一部的通电。
19.根据权利要求18所述的半导体激光装置，其特征在于，
上述二极管搭载于上述主面第一部。
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