JP2009059921A - 光電変換素子、光電変換素子接続体および光電変換モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の光電変換素子は、第1導電型の第1半導体層と、第1半導体層の裏面側に配置され且つ第1半導体層に電気的に接続された第1電極と、第1半導体層に接触し且つ少なくとも一部が第1半導体層の受光面側に配置された第2導電型の第2半導体層と、第2半導体層の受光面側に第2半導体層に電気的に接続されるように設けられた受光面電極と、第1半導体層の裏面側に配置され第1半導体層と電気的に分離され且つ第2半導体層に電気的に接続された第2電極と、第1半導体層を貫通し第1半導体層と電気的に分離され且つ前記受光面電極と第2電極とを電気的に接続する貫通接続部とを備える光電変換素子であって、第1電極と第2電極は、前記光電変換素子の中心を通る中心軸から等距離の位置に配置されることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
Filip Granek、他、"A SYSTEMATIC APPROACH TO REDUCE PROCESS-INDUCED SHUNTS IN BACK-CONTACTED MC-SI SOLAR CELLS"、IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion、(アメリカ)、2006年、p.1319-1322 P.C. de Jong、他、"SINGLE-STEP LAMINATED FULL-SIZE PV MODULES MADE WITH BACK-CONTACTED MC-SI CELLS AND CONDUCTIVE ADHESIVES"、19th European Photovoltaic Solar Energy Conference、(フランス)、2004年、p.2145-2148
第2電極は、前記貫通接続部の中心点に対して非対称な形状を有してもよい。
第1電極と前記貫通接続部は、前記中心軸からの距離が互いに異なってもよい。
第2電極は、複数設けられ、複数の第2電極は、前記中心軸に平行な方向に沿って配置されてもよい。
第1電極は、複数設けられ、複数の第1電極は、前記中心軸に平行な方向に沿って配置されてもよい。
前記中心軸から等距離の位置に配置される第1電極と第2電極の対が複数設けられてもよい。
第2電極は、前記貫通接続部の中心点に対して非対称な形状を有してもよい。
各光電変換素子において、第1電極と前記貫通接続部は、前記中心軸からの距離が互いに異なってもよい。
本発明は、上記記載の光電変換素子接続体を備える光電変換モジュールも提供する。
ここで示した内容は、互いに組み合わせることができる。
1−1.光電変換素子の構造
まず、図1(a)、(b)及び図2を用いて、本発明の第1実施形態の光電変換素子の構造を説明する。図1(a)、(b)は、それぞれ、本実施形態の光電変換素子の構造を示す平面図(受光面図)及び裏面図であり、図2は、図1(b)中のI−I断面図である。
第1電極2と第2電極7は、光電変換素子10の中心を通る中心軸11から等距離の位置に配置されている。中心軸11は、光電変換素子10の主面に平行である。中心軸11は、平面図において光電変換素子10を同形状に二分にする。光電変換素子10の平面形状が正方形又は長方形である場合、中心軸11は、正方形又は長方形の中心を通り正方形の一辺又は長方形の短辺若しくは長辺に平行な直線である。中心軸11は、複数の光電変換素子10が直列接続のために並べられる方向に平行である。
p型層1の裏面側には、アルミニウム電極13が配置されている。アルミニウム電極13の直下には、p型不純物が高濃度にドープされた高濃度p型層15が形成されている。第1電極2と第2電極7は、それぞれ別々の素子間配線部材17への接続に用いられる(図5を参照)。第2電極7とアルミニウム電極13の間には環状に分離帯19が設けられている。これによって、第2電極7とアルミニウム電極13が絶縁される。分離帯19には、環状に接合分離部21が設けられている。これによって、p型層1とn型層3が確実に絶縁される。n型層3の受光面側には反射防止膜23が設けられている。
次に、図3(a)〜(d)及び図4(e)〜(g)を用いて光電変換素子10の製造方法の一例について説明する。
まず、図3(a)に示すように、p型半導体基板25に貫通孔9aを形成する。
基板25の種類は、特に限定されないが、例えば、結晶シリコン基板である。貫通孔9aの形成方法は、特に限定されない。貫通孔9aは、例えばレーザー加工によって形成することができる。貫通孔9aの形状や寸法は、特に限定されない。貫通孔9aの形状は、一例では、四角形(例:正方形、長方形)や円形である。
次に、図3(b)に示すように、基板25にn型不純物を導入することによってn型層3を形成し、図3(b)に示す構造を得る。
n型不純物の導入は、例えば、n型不純物を含む材料(例えばPOCl3)を含む高温気体中に基板25を置くことによって行うことができる。この工程によって、基板25の表面側、貫通孔9aの側壁、及び基板25の裏面側にn型層3が形成される。基板25のうちn型層3になっていない残りの部分がp型層1になる。
次に、図3(c)に示すように、n型層3の受光面側に反射防止膜23を形成する。
反射防止膜23は、n型層3の受光面側に、受光面電極5を形成する領域に開口を有するように形成することができる。反射防止膜23は、n型層3の受光面全体に形成してもよい。この場合、受光面電極5は、反射防止膜23上に形成し、ファイアスルーによって受光面電極5とn型層3とを導通させることができる。特に、反射防止膜23は、表面反射を抑制する機能を有するものであればその材料、厚さ及び製法等は特に限定されない。反射防止膜23は、例えば、厚さ70nmのSiN膜からなる。反射防止膜23は、例えば、プラズマCVD法によって形成することができる。
次に、図3(d)に示すように、p型層1の裏面側にアルミニウム電極13を形成する。アルミニウム電極13は、アルミニウムを含むペースト材料を印刷し、焼成することによって形成することができる。この際、アルミニウム電極13の直下にアルミニウムが拡散して高濃度p型層15が形成される(図4(e)を参照)。アルミニウム電極13は、貫通孔9aの周囲の領域(後工程で第2電極7と分離帯19が形成される領域)を避けて形成する。
次に、図4(e)に示すように、p型層1の裏面側に第1電極2及び第2電極7を形成し、貫通孔9a内に貫通接続部9を形成する。第2電極7は、アルミニウム電極13との間に分離帯19が設けられるように形成する。
第1電極2、第2電極7及び貫通接続部9の材料、厚さ及び製法等は特に限定されない。これらの材料は、同じものであってもよく、互いに異なるものであってもよい。第1電極2、第2電極7及び貫通接続部9は、はんだ付けに適した金属、例えば、銀で形成することが好ましい。
第1電極2、第2電極7及び貫通接続部9は、蒸着法、ペースト電極の印刷焼成法、めっき法等によって形成することができる。第2電極7及び貫通接続部9は、例えば、裏面側から導電性ペーストを印刷し、焼成する等の方法によって同時に形成することができる。第2電極7及び貫通接続部9は、蒸着法やめっき法でも同時に形成することができる。
次に、図4(f)に示すように、n型層3の受光面側に受光面電極5を形成する。受光面電極5は、n型層3に電気的に接続されていて、n型層3からの光電変換素子10で発生した電力を回収することができるものであれば、その形状や材料は、特に限定されない。受光面電極5は、例えば、銀、アルミニウム、銅、ニッケル、パラジウム等の金属材料で形成することができ、銀で形成することが好ましい。受光面電極5は、例えば、蒸着法、ペースト電極の印刷焼成法、めっき法等によって形成することができる。
なお、上記工程(4)(5)(6)は、順序がかわっても問題はない。
次に、図4(g)に示すように、分離帯19に環状に接合分離部21を形成し、光電変換素子10の製造を完了する。接合分離部21は、例えばレーザー加工によって形成することができる。
図5を用いて、本発明の第1実施形態の光電変換素子接続体について説明する。図5は、本実施形態の光電変換素子接続体の構造を示す図1(b)に対応した裏面図である。
図5では、第1光電変換素子10aの第2電極7と、第2光電変換素子10bの第1電極2が素子間配線部材17で電気的に接続されている。第1光電変換素子10aの第1電極2は、第2光電変換素子10bの反対側(図5では、第1光電変換素子10aの上側)に配置された第3光電変換素子の第2電極7に電気的に接続される。また、第2光電変換素子10bの第2電極7は、第1光電変換素子10aの反対側(図5では、第2光電変換素子10bの下側)に配置された第4光電変換素子の第1電極2に電気的に接続される。このように、3つ以上の光電変換素子が直列に電気的に接続された光電変換素子接続体が得られる。
4つ以上の光電変換素子を縦横に並べて光電変換素子接続体を形成する場合、素子間配線部材の長手方向と垂直な方向に、素子間配線部材同士を横つなぎするバスバーを用いて全ての光電変換素子を直列接続しても良い。
本発明の光電変換モジュールは、たとえば以下の構成を有する。
光電変換素子接続体の受光面側には、白板ガラス等のフロントカバーと、EVA(エチレン・酢酸ビニール共重合体)等の透明樹脂からなる充填材とが配置され、光電変換素子接続体の裏面側には、EVA等の裏面側充填材と、たとえば絶縁物/金属箔/絶縁物のサンドイッチ構造を有する耐候性フィルムとが配置される。光電変換素子接続体の直列接続の両端の配線部材には、バスバーを介して、外部へ電流を取り出すための正負のリード線が接続されている。リード線は裏面側充填材および耐候性フィルムに設けられた貫通孔を通じて耐候性フィルムの裏面側へ取り出される。
本発明の光電変換モジュールは、たとえば以下のようにして製造することができる。
フロントカバーの上に充填材を配置し、その上に受光面を下にして光電変換素子接続体を配置する。光電変換素子接続体の直列接続の両端の配線部材をそれぞれ横つなぎするバスバーに、正負のリード線を接続する。裏面側充填材に設けられた貫通孔にリード線を通し、裏面側充填材を光電変換素子接続体の上に配置する。耐候性フィルムに設けられた貫通孔にリード線を通し、耐候性フィルムを裏面側充填材の上に配置する。この積層体を真空ラミネート装置を用いて加圧・加熱することで、充填材を溶融固化し、光電変換モジュールを得る。
2−1.光電変換素子
図6(a)、(b)を用いて、本発明の第2実施形態の光電変換素子の構造を説明する。図6(a)、(b)は、それぞれ、本実施形態の光電変換素子の構造を示す平面図(受光面図)及び裏面図である。
図7を用いて、本発明の第2実施形態の光電変換素子接続体について説明する。図7は、本実施形態の光電変換素子接続体の構造を示す図6(b)に対応した裏面図である。
第1実施形態では、図5に示すように、素子間配線部材17が貫通接続部9に重なっているので、素子間配線部材17からのストレスが貫通接続部9に印加されていたが、本実施形態では、中心軸11からの距離が第1電極2と貫通接続部9とで互いに異なっているので、第1電極2と貫通接続部9が中心軸11と平行な直線上に配置されず、素子間配線部材17は、貫通接続部9に重ならない第2電極7の一部で直線状に配線することが可能となる。従って、素子間配線部材17からのストレスが貫通接続部9に印加されない。
Claims (10)
- 第1導電型の第1半導体層と、
第1半導体層の裏面側に配置され第1半導体層に電気的に接続された第1電極と、
第1半導体層に接触し且つ少なくとも一部が第1半導体層の受光面側に配置された第2導電型の第2半導体層と、
第2半導体層の受光面側に第2半導体層に電気的に接続されるように設けられた受光面電極と、
第1半導体層の裏面側に配置され第1半導体層と電気的に分離され且つ第2半導体層に電気的に接続された第2電極と、
第1半導体層を貫通し第1半導体層と電気的に分離され且つ前記受光面電極と第2電極とを電気的に接続する貫通接続部とを備える光電変換素子であって、
第1電極と第2電極は、前記光電変換素子の中心を通る中心軸から等距離の位置に配置されることを特徴とする光電変換素子。 - 第2電極は、前記貫通接続部の中心点に対して非対称な形状を有する請求項1に記載の素子。
- 第1電極と前記貫通接続部は、前記中心軸からの距離が互いに異なる請求項1又は2に記載の素子。
- 第2電極は、複数設けられ、複数の第2電極は、前記中心軸に平行な方向に沿って配置される請求項1〜3の何れか1つに記載の素子。
- 第1電極は、複数設けられ、複数の第1電極は、前記中心軸に平行な方向に沿って配置される請求項1〜4の何れか1つに記載の素子。
- 前記中心軸から等距離の位置に配置される第1電極と第2電極の対が複数設けられる請求項1〜5の何れか1つに記載の素子。
- 第1及び第2光電変換素子を備え、
第1及び第2光電変換素子は、それぞれ、請求項1〜6の何れか1つに記載の光電変換素子からなり、
第1及び第2光電変換素子は、それぞれの前記中心軸が同一直線上に位置し且つ一方の光電変換素子の第1電極と他方の光電変換素子の第2電極が前記中心軸に平行な直線上に位置するように配置され、
一方の光電変換素子の第1電極と他方の光電変換素子の第2電極が直線状の素子間配線部材で電気的に接続されている光電変換素子接続体。 - 第2電極は、前記貫通接続部の中心点に対して非対称な形状を有する請求項7に記載の接続体。
- 各光電変換素子において、第1電極と前記貫通接続部は、前記中心軸からの距離が互いに異なる請求項7又は8に記載の接続体。
- 請求項7〜9の何れか1つに記載の光電変換素子接続体を備える光電変換モジュール。
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