JP2009059921A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 第１導電型の第１半導体層と、
   第１半導体層の裏面側に配置され第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、
   第１半導体層に接触し且つ少なくとも一部が第１半導体層の受光面側に配置された第２導電型の第２半導体層と、
   第２半導体層の受光面側に第２半導体層に電気的に接続されるように設けられた受光面電極と、
   第１半導体層の裏面側に配置され第１半導体層と電気的に分離され且つ第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、
   第１半導体層を貫通し第１半導体層と電気的に分離され且つ前記受光面電極と第２電極とを電気的に接続する貫通接続部とを備える光電変換素子であって、
   第１電極と第２電極は、前記光電変換素子の中心を通る中心軸から等距離の位置に配置されることを特徴とする光電変換素子。
2. 第２電極は、前記貫通接続部の中心点に対して非対称な形状を有する請求項１に記載の素子。
3. 第１電極と前記貫通接続部は、前記中心軸からの距離が互いに異なる請求項１又は２に記載の素子。
4. 第２電極は、複数設けられ、複数の第２電極は、前記中心軸に平行な方向に沿って配置される請求項１〜３の何れか１つに記載の素子。
5. 第１電極は、複数設けられ、複数の第１電極は、前記中心軸に平行な方向に沿って配置される請求項１〜４の何れか１つに記載の素子。
6. 前記中心軸から等距離の位置に配置される第１電極と第２電極の対が複数設けられる請求項１〜５に記載の光電変換素子。
7. 第１及び第２光電変換素子を備え、
   第１及び第２光電変換素子は、
   第１導電型の第１半導体層と、
   第１半導体層の裏面側に配置され第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、
   第１半導体層に接触し且つ少なくとも一部が第１半導体層の受光面側に配置された第２導電型の第２半導体層と、
   第２半導体層の受光面側に第２半導体層に電気的に接続されるように設けられた受光面電極と、
   第１半導体層の裏面側に配置され第１半導体層と電気的に分離され且つ第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、
   第１半導体層を貫通し第１半導体層と電気的に分離され且つ前記受光面電極と第２電極とを電気的に接続する貫通接続部とを備える光電変換素子からなり、
   一方の光電変換素子の第１電極と他方の光電変換素子の第２電極が直線状の素子間配線部材で電気的に接続されている光電変換素子接続体。
8. 第１及び第２光電変換素子を備え、
   第１及び第２光電変換素子は、それぞれ、請求項１〜６の何れか１つに記載の光電変換素子からなり、
   第１及び第２光電変換素子は、それぞれの前記中心軸が同一直線上に位置し且つ一方の光電変換素子の第１電極と他方の光電変換素子の第２電極が前記中心軸に平行な直線上に位置するように配置され、
   一方の光電変換素子の第１電極と他方の光電変換素子の第２電極が直線状の素子間配線部材で電気的に接続されている光電変換素子接続体。
9. 第２電極は、前記貫通接続部の中心点に対して非対称な形状を有する請求項７又は８に記載の接続体。
10. 各光電変換素子において、第１電極と前記貫通接続部は、前記中心軸からの距離が互いに異なる請求項７〜９の何れか１つに記載の接続体。
11. 請求項７〜１０の何れか１つに記載の光電変換素子接続体を備える光電変換モジュール。