JP2009038049A - 半導体装置、放熱体、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面に複数の半導体素子が形成された半導体ウェハ1の裏面に、固液共存領域となる温度域を有する組成である多元系合金層10を形成する工程と、半導体ウェハ1及び多元系合金層10を複数の半導体チップ1aに分割する工程とを具備し、多元系合金層10を形成する工程の後に、多元系合金層10を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程を具備する。このようにすると、多元系合金層の表面には、凝固偏析に起因した凹凸が形成される。
【選択図】図1
Description
また、半導体チップの放熱体から空気への放熱効率を高くなると、放熱体を小型化できる。
半導体チップのいずれかの面に形成され、固液共存領域となる温度域を有する組成であり、表面に凝固偏析に起因した凹凸を有する多元系合金層とを具備する。
半導体チップのいずれかの面に取付けられた放熱体と、
前記放熱体のいずれかの面に形成され、固液共存領域となる温度域を有する組成であり、表面に凝固偏析に起因した凹凸を有する多元系合金層とを具備する。
前記半導体ウェハ及び前記多元系合金層を複数の半導体チップに分割する工程と、
を具備し、
前記多元系合金層を形成する工程の後に、前記多元系合金層を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程を具備する。
前記半導体ウェハの表面に、複数の半導体素子を形成する工程と、
前記半導体ウェハ及び前記多元系合金層を複数の半導体チップに分割する工程と、
を具備し、
前記多元系合金層を形成する工程の後に、前記多元系合金層を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程を具備する。
前記多元系合金層を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程と、
前記放熱体のうち前記多元系合金層が形成されていない面を、前記半導体チップに取付ける工程とを具備する。
また、半導体ウェハ1の表面に素子分離構造、複数の半導体素子、配線層及び層間絶縁膜、外部接続端子、並びにパッシベーション膜を形成した後に多元系合金層10を形成したが、素子分離構造を形成した後、半導体ウェハ1の裏面に多元系合金層10を形成し、その後に、複数の半導体素子、配線層及び層間絶縁膜、外部接続端子、並びにパッシベーション膜を形成しても良い。また、素子分離構造及び複数の半導体素子を形成した後、半導体ウェハ1の裏面に多元系合金層10を形成し、その後に、配線層及び層間絶縁膜、外部接続端子、並びにパッシベーション膜を形成しても良い。これらの場合、多元系合金層10を固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する処理は、多元系合金層10を形成した後のいずれのタイミングで行われても良い。ただし、この処理の後に、多元系合金層10が液相となる温度域まで加熱される熱処理工程が存在しないことが条件となる。
Claims (7)
- 半導体チップと、
半導体チップのいずれかの面に形成され、固液共存領域となる温度域を有する組成であり、表面に凝固偏析に起因した凹凸を有する多元系合金層と、
を具備する半導体装置。 - 半導体チップと、
半導体チップのいずれかの面に取付けられた放熱体と、
前記放熱体のいずれかの面に形成され、固液共存領域となる温度域を有する組成であり、表面に凝固偏析に起因した凹凸を有する多元系合金層と、
を具備する半導体装置。 - 前記多元軽合金層は、Sn−Bi合金層又はPb−Sn合金層である請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体チップのいずれかの面に取付けられる放熱体であって、
固液共存領域となる温度域を有する組成であり、表面に凝固偏析に起因した凹凸を有する多元系合金層を、半導体チップに接合する面以外の面に具備する放熱体。 - 表面に複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの裏面に、固液共存領域となる温度域を有する組成である多元系合金層を形成する工程と、
前記半導体ウェハ及び前記多元系合金層を複数の半導体チップに分割する工程と、
を具備し、
前記多元系合金層を形成する工程の後に、前記多元系合金層を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程を具備する半導体装置の製造方法。 - 半導体チップのいずれかの面に、固液共存領域となる温度域を有する組成である多元系合金層を形成する工程と、
前記半導体ウェハの表面に、複数の半導体素子を形成する工程と、
前記半導体ウェハ及び前記多元系合金層を複数の半導体チップに分割する工程と、
を具備し、
前記多元系合金層を形成する工程の後に、前記多元系合金層を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程を具備する半導体装置の製造方法。 - 放熱体のいずれかの面に、固液共存領域となる温度域を有する組成である多元系合金層を形成する工程と、
前記多元系合金層を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程と、
前記放熱体のうち前記多元系合金層が形成されていない面を、前記半導体チップに取付ける工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
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