JP2009028889A - 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法及び炭化ケイ素単結晶基板製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 炭化ケイ素単結晶基板の反り量を効率よく低減する。
【解決手段】 研削・研磨加工装置２ａは、研削・研磨加工部１０と、曲面台座３１とを備える。研削・研磨加工部１０は、基板１の表面に研削・研磨加工を施す。曲面台座３１は、曲面部３１ａを有する。曲面部３１ａは、基板１の反りの形状に沿う曲面形状を有する。曲面部３１ａは、凹面形状である。曲面部３１ａは、二次曲面である。基板１は、曲面部３１ａ上に第１面１ａを表側にして載置される。
【選択図】図３

Description

本発明は、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法及びその製造装置に関する。

半導体デバイスに使用される単結晶基板は、ワイヤーソー又は内周刃により単結晶のインゴットからスライスされる。スライスされた円板状の単結晶基板の表面は、研削・研磨加工によって任意の面粗度に加工される。このような単結晶基板の製造方法では、基板材料の微小な結晶歪みがもたらす応力が一因となって、単結晶基板に反りが生じる。

基板において許容される反り量は、半導体デバイスの種類やその製造方法によって異なる。しかし、基板において許容される反り量は、小さい方が好ましい。このような背景から、スライスされた円板状の単結晶基板の両面に対して、加工圧力を抑えた研磨加工を施す方法が知られている。この方法により、基板材料の微小な結晶歪みがもたらす応力に起因する単結晶基板の反り量を低減することができる。
特開平８−９０４０６号公報

加工圧力を抑えた研磨加工により単結晶基板の反り量を低減する場合、加工速度が遅くなり、加工に多くの時間を要する。特に、炭化ケイ素のビッカース硬度は、２２００〜２４００程度であり、高硬度である。そのため、基板材料として炭化ケイ素を用いる場合、研磨加工の速度が極めて遅くなる。そこで、炭化ケイ素を基板材料とする単結晶基板の反り量を、工業的観点からより効率的に低減できる製造方法が期待されている。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、より効率的に反り量を低減可能な炭化ケイ素単結晶基板の製造方法及びその製造装置を提供することにある。

上述した問題を解決するため、本発明は、次のような特徴を有している。まず、本発明の第１の特徴は、炭化ケイ素単結晶のバルク体（インゴット１００）を所定の厚さにスライスすることにより、反りが生じた板状成形体（基板１）を作成する工程と、前記板状成形体の反りを維持した状態において、前記板状成形体の第１面（第１面１ａ）を表側にして前記板状成形体を固定する工程と、前記板状成形体の第１面に研削・研磨加工を施す工程と、前記板状成形体の第２面（第２面１ｂ）が表側になるように前記板状成形体を裏返して固定する工程と、前記板状成形体の第２面に研削・研磨加工を施す工程とを有することを要旨とする。

このような炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、炭化ケイ素単結晶のバルク体からスライスされた板状成形体（基板１）は、反りを維持した状態で、一方の面（第１面）に研削・研磨加工が施された後、他方の面（第２面）に研削・研磨加工が施される。

従来、炭化ケイ素単結晶の結晶歪みがもたらす応力に起因する基板の反り量を低減するための研磨加工では、基板の形状を変えないことが好ましいため、加工圧力を抑えた研磨加工が行われていた。

これに対して、このような炭化ケイ素単結晶基板の製造方法によれば、板状成形体の反りを維持した状態で固定し、研磨加工を行うので、加工圧力を抑えた研磨加工を行う必要がない。つまり、加圧加工を行うことができる。

従って、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法における基板の研磨加工の効率が向上する。すなわち、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法によれば、より効率的に炭化ケイ素単結晶基板の反り量を低減できる。

本発明の第２の特徴は、本発明の第１の特徴に係り、曲面形状（曲面部３１ａ，３２ａ）を有する台座（曲面台座３１，３２）の曲面部分に前記板状成形体を接着剤（接着剤４）を用いて接着することにより、前記板状成形体の反りを維持した状態で前記板状成形体を固定することを要旨とする。

本発明の第３の特徴は、本発明の第２の特徴に係り、台座の曲面部分の形状は、前記板状成形体の反りの形状に沿うことを要旨とする。

本発明の第４の特徴は、本発明の第３の特徴に係り、板状成形体の反りの程度を示す反り値を１００とした場合、前記台座の曲面部分の反り値は、８８乃至１１２であることを要旨とする。

本発明の第５の特徴は、本発明の第２乃至第４の何れか１つの特徴に係り、板状成形体の中心（中心Ｃ１）は、前記台座の曲面部分の中心（中心Ｃ２，Ｃ２’）から２．５ミリメートル以内の範囲に位置するように固定されることを要旨とする。

本発明の第６の特徴は、本発明の第２乃至第５の何れか１つの特徴に係り、台座の曲面部分は、二次曲面の形状を有することを要旨とする。

本発明の第７の特徴は、本発明の第１の特徴に係り、曲面形状を有する真空チャック装置（曲面真空チャック５１，５２）の曲面部分（曲面部５１ａ，５２ａ）に前記板状成形体を吸着させることにより、前記板状成形体の反りを維持した状態で前記板状成形体を固定することを要旨とする。

本発明の第８の特徴は、本発明の第７の特徴に係り、前記真空チャック装置の曲面部分の形状は、前記板状成形体の反りの形状に沿うことを要旨とする。

本発明の第９の特徴は、本発明の第８の特徴に係り、前記板状成形体の反りの程度を示す反り値を１００とした場合、前記真空チャック装置の曲面部分の反り値は、８８乃至１１２であることを要旨とする。

本発明の第１０の特徴は、本発明の第７乃至第９の何れか１つの特徴に係り、板状成形体の中心は、前記真空チャック装置の曲面部分の中心（中心Ｃ３，Ｃ３’）から２．５ミリメートル以内の範囲に位置するように固定されることを要旨とする。

本発明の第１１の特徴は、本発明の第７乃至第１０の何れか１つの特徴に係り、真空チャック装置の曲面部分は、二次曲面の形状を有することを要旨とする。

本発明の第１２の特徴は、本発明の第１の特徴に係り、平面形状の台座（平面台座７）上に前記板状成形体（基板１）を低粘性接着剤（低粘性接着剤８）を用いて接着することにより、前記板状成形体の反りを維持した状態で前記板状成形体を固定することを要旨とする。

本発明の第１３の特徴は、炭化ケイ素単結晶のバルク体（インゴット１００）を所定の厚さにスライスすることにより反りが生じた板状成形体（基板１）を、前記反りを維持した状態で固定する固定手段（曲面台座３１，３２、曲面真空チャック５１，５２）と、前記固定手段により固定された前記板状成形体の表面に研削・研磨加工を施す研削・研磨加工手段（研削・研磨加工部１０）とを備えることを要旨とする。

本発明の特徴によれば、より効率的に反り量を低減可能な炭化ケイ素単結晶基板の製造方法及びその製造装置を提供することができる。

次に、本発明に係る炭化ケイ素単結晶基板の製造方法の実施形態について、図面を参照しながら説明する。具体的には、（１）製造方法の概略、（２）製造方法の別の実施形態、（３）基板の構造、（４）基板の固定方法、（５）基板の反り量の評価、（６）作用・効果、及び（７）その他の実施形態について説明する。

なお、以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一または類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。

したがって、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

（１）製造方法の概略
まず、本実施形態に係る炭化ケイ素単結晶基板の製造方法の全体概略について説明する。図１は、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法の概略を説明する模式図である。

図１に示すように、炭化ケイ素の単結晶基板の製造方法は、基板１を作成する工程Ｓ１と、基板１を固定する工程Ｓ２と、第１研削・研磨工程Ｓ３と、基板１を裏返して固定する工程Ｓ４と、第２研削・研磨工程Ｓ５とを有する。本実施形態において、基板１は、板状成形体を構成する。

工程Ｓ１では、炭化ケイ素単結晶のインゴット１００を所定の厚さにスライスすることにより、反りが生じた基板１が作成される。

工程Ｓ２では、基板１の反りを維持した状態において、基板１は、基板１の第１面１ａを表側にした状態で研削・研磨加工装置２に固定される。第１面１ａは、凹面を有する。

工程Ｓ３では、基板１の露出面、すなわち第１面１ａに対して研削・研磨加工が施される。

工程Ｓ４では、基板１は、裏返されて、基板１の第２面１ｂを表側にした状態で固定される。

工程Ｓ５では、基板１の第２面１ｂに研削・研磨加工が施される。

工程Ｓ５の後、必要に応じて、基板１の第１面１ａ，第２面１ｂの表面に、化学的機械研磨（ＣＭＰ）加工を施して、一連の製造工程を完了する。

（２）炭化ケイ素単結晶基板の製造方法の別の実施形態
図２は、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法の別の実施形態の概略を説明する模式図である。

図２に示す炭化ケイ素の単結晶基板の製造方法は、図１を用いて説明した製造方法と同様に、基板１を作成する工程Ｓ１と、基板１を固定する工程Ｓ２と、第１研削・研磨工程Ｓ３と、基板１を裏返して固定する工程Ｓ４と、第２研削・研磨工程Ｓ５とを有する。

但し、図１に示す炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、工程Ｓ２、Ｓ３において、基板１の第１面１ａ（凹面）側を先に研削・研磨するとして説明した。しかし、図２に示す製造方法では、第２面１ｂ（凸面）側を先に研削・研磨する。

図２に示す製造方法では、工程Ｓ２において、基板１は、基板１の第２面１ｂを表側にした状態で研削・研磨加工装置２に固定される。第２面１ｂは、凸面を有する。工程Ｓ３では、基板１の露出面、すなわち第２面１ｂに対して研削・研磨加工が施される。

（３）基板１の構造
基板１は、略円形を有する板状形成体である。基板１の直径の中心を基板の中心点Ｃ１という。基板１は、一の径方向と他の径方向とで異なる反り値を有する。すなわち、反りに異方性を有する。ここで、反り値とは、ＡＳＴＭ規格Ｆ１４５１−９２に準拠する。

（４）基板の固定方法
（４−１）曲面台座に基板を固定する場合
（４−１−１）第１実施形態
次に、図面を用いて、研削・研磨加工装置２の構成及び基板の固定方法について説明する。図３（ａ）は、曲面台座を有する研削・研磨加工装置２の構成を説明する模式図である。

研削・研磨加工装置２ａは、研削・研磨加工部１０と、曲面台座３１とを備える。

研削・研磨加工部１０は、基板１の表面に研削・研磨加工を施す。

曲面台座３１は、曲面部３１ａを有する。曲面部３１ａは、基板１の反りの形状に沿う曲面形状を有する。図３（ａ）に示す例では、曲面部３１ａは、凹面形状である。曲面部３１ａは、二次曲面である。

ここで、二次曲面とは、図３（ａ）に示すように、台座の曲面部分の中心Ｃ２を（０，０）とする座標（ｒ，ｚ）を想定したとき、式（１）で表される曲面である。

ｚ＝ｋｒ^２ 但し、ｋ：任意の定数 ・・・（１）

曲面部３１ａの反り値は、基板１の反りの程度を示す反り値を１００としたとき、８８乃至１１２である。本実施形態において、曲面台座３１は、固定手段を構成する。

基板１は、曲面部３１ａ上に第１面１ａを表側にして載置される。基板１の第２面１ｂと曲面部３１ａとの間には、接着剤４が介在する。すなわち、基板１は、第１面１ａを表側にして曲面部３１ａ上に接着される。

接着剤４としては、加工後に基板１を台座から剥がすことを考慮すると、熱可塑性樹脂接着剤（ホットメルト型接着剤）を用いることが好ましい。熱可塑性樹脂接着剤は、接着時の温度において、粘度が０．１ｋｇ／（ｍ・ｓ）以下であることが好ましく、０．０５ｋｇ／（ｍ・ｓ）以下であると更に好ましい。なお、接着時の温度は、接着剤の種類によって異なるが、８０〜２００℃程度である。

基板１の中心Ｃ１は、曲面台座３１の中心Ｃ２から２．５ミリメートル以内の範囲に位置され、固定される。

（４−１−２）第２実施形態
図３（ｂ）は、第２実施形態として示す研削・研磨加工装置の構成及び基板の固定方法を説明する模式図である。

第２実施形態である研削・研磨加工装置２ｂは、研削・研磨加工部１０と、曲面台座３２とを備える。

曲面台座３２は、曲面部３２ａを有する。曲面部３２ａは、基板１の反りの形状に沿う曲面形状を有する。図３（ｂ）に示す例では、曲面部３２ａは、凸面形状である。曲面部３２ａは、二次曲面である。

曲面部３２ａの反り値は、基板１の反りの程度を示す反り値を１００としたとき、８８乃至１１２である。本実施形態において、曲面台座３２は、固定手段を構成する。

基板１は、曲面部３２ａ上に第２面１ｂを表側にして載置される。基板１の第１面１ａと曲面部３２ａとの間には、接着剤４が介在する。すなわち、基板１は、第２面１ｂを表側にして曲面部３２ａ上に接着される。

基板１の中心Ｃ１は、曲面台座３２の中心Ｃ２’から２．５ミリメートル以内の範囲に位置され、固定される。

（４−２）曲面形状を有する真空チャックに基板を固定する場合
（４−２−１）第３実施形態
図４（ａ）は、曲面形状を有する真空チャックを有する研削・研磨加工装置２ｃの構成及び基板の固定方法を説明する模式図である。

第３実施形態である研削・研磨加工装置２ｃは、研削・研磨加工部１０と、曲面真空チャック５１とを備える。

曲面真空チャック５１は、曲面部５１ａを有する。曲面部５１ａは、基板１の反りの形状に沿う曲面形状を有する。図４（ａ）に示す例では、曲面部５１ａは、凹面形状である。曲面部５１ａは、二次曲面である。

曲面部５１ａの反り値は、基板１の反りの程度を示す反り値を１００としたとき、８８乃至１１２である。本実施形態において、曲面真空チャック５１は、固定手段を構成する。

基板１は、曲面部５１ａ上に第１面１ａを表側にして載置される。曲面真空チャック５１上に配置される基板１の周囲は、封止材６で封止される。

曲面真空チャック５１は、曲面部５１ａに形成された吸気孔（図示せず）から吸気することにより、曲面真空チャック５１の曲面部５１ａに基板１を吸着する。

基板１の中心Ｃ１は、曲面真空チャック５１の中心Ｃ３から２．５ミリメートル以内の範囲に位置され、固定される。

（４−２−２）第４実施形態
図４（ｂ）は、第４実施形態として示す研削・研磨加工装置の構成及び基板の固定方法を説明する模式図である。

研削・研磨加工装置２ｄは、研削・研磨加工部１０と、曲面真空チャック５２とを備える。

曲面真空チャック５２は、曲面部５２ａを有する。曲面部５２ａは、基板１の反りの形状に沿う曲面形状を有する。図４（ｂ）に示す例では、曲面部５２ａは、凸面形状である。曲面部５２ａは、二次曲面である。

曲面部５２ａの反り値は、基板１の反りの程度を示す反り値を１００としたとき、８８乃至１１２である。本実施形態において、曲面真空チャック５１は、固定手段を構成する。

基板１は、曲面部５２ａ上に第２面１ｂを表側にして載置される。曲面真空チャック５２上に配置される基板１の周囲は、封止材６で封止される。

曲面真空チャック５２は、曲面部５２ａに形成された吸気孔（図示せず）から吸気することにより、曲面真空チャック５２の曲面部５２ａに基板１を吸着する。

基板１の中心Ｃ１は、曲面真空チャック５２の中心Ｃ３’から２．５ミリメートル以内の範囲に位置され、固定される。

（４−３）平面台座に低粘性接着剤により基板を固定する場合
（４−３−１）第５実施形態
図５（ａ）は、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法で使用する研削・研磨加工装置２ｅの構成及び基板の固定方法を説明する模式図である。

第５実施形態である研削・研磨加工装置２ｅは、研削・研磨加工部１０と、平面台座７とを備える。平面台座７の表面には、低粘性接着剤８が配設される。低粘性接着剤８は、基板１の反りの形状に沿う曲面形状に変形する。

図５（ａ）に示す例では、基板１は、平面台座７の上に第１面１ａを表側にして載置される。本実施形態において、平面台座７及び低粘性接着剤８は、固定手段を構成する。

低粘性接着剤８は、熱可塑性樹脂接着剤（ホットメルト型接着剤）を用いることが好ましい。熱可塑性樹脂接着剤は、接着時の温度において、粘度が０．１ｋｇ／（ｍ・ｓ）以下であることが好ましく、０．０５ｋｇ／（ｍ・ｓ）以下であると更に好ましい。

（４−３−２）第６実施形態
図５（ｂ）は、第６実施形態として示す研削・研磨加工装置の構成及び基板の固定方法を説明する模式図である。

研削・研磨加工装置２ｅでは、基板１は、まず、平面台座７の上に第２面１ｂを表側にして載置される。低粘性接着剤８は、基板１の反りの形状に沿う曲面形状に変形する。

低粘性接着剤８は、熱可塑性樹脂接着剤（ホットメルト型接着剤）を用いることが好ましい。熱可塑性樹脂接着剤は、接着時の温度において、粘度が０．１ｋｇ／（ｍ・ｓ）以下であることが好ましく、０．０５ｋｇ／（ｍ・ｓ）以下であると更に好ましい。

（５）基板の反り量の評価
直径５０．８ｍｍの炭化ケイ素単結晶基板について、基板の反り形状を維持したまま研削・研磨加工を行った場合（本願発明の第１実施形態〜第６実施形態に基づく実施例１〜６）と、接着圧力を加えて基板の反り形状を維持せずに平面台座に載置・固定してから研削・研磨加工を行った場合（従来例）について、最終的な基板の反り量を評価した結果を以下の表１に示す。

なお、ここで、基板の反り値（μｍ）とは、ＡＳＴＭ規格Ｆ１４５１−９２に準拠する。基板の厚み（μｍ）とは、基板の中心点Ｃ１における基板１の厚みである。

表１から明らかなように、従来方式と比較して、基板の反り形状を維持したまま研削・研磨加工を行った場合の方が、研削・研磨加工後の基板の反り量が小さい。

このことから、インゴットからスライスされた基板の反り形状を維持したまま研削・研磨加工を施すことにより、効率的に基板の反り量を低減できることが知見された。

（６）作用・効果
上述した炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、炭化ケイ素単結晶のインゴット１００からスライスされた基板１は、反りを維持した状態で、第１面１ａに研削・研磨加工が施された後、第２面１ｂに研削・研磨加工が施される。

上述した炭化ケイ素単結晶基板の製造方法によれば、基板１の反りを維持した状態で固定し、研磨加工を行うので、加工圧力を抑えた研磨加工を行う必要がない。つまり、加圧加工を行うことができる。

従って、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法における基板の研磨加工の効率が向上する。すなわち、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法によれば、より効率的に炭化ケイ素単結晶基板の反り量を低減できる。

上述した炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、曲面台座３１，３２の曲面部３１ａ，３２ａの形状は、基板１の反りの形状に沿う。また、曲面台座３１，３２の曲面部３１ａ，３２ａは、二次曲面の形状を有する。

従って、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法によれば、反り維持した状態で基板１を研削・研磨加工装置２ａ，２ｂに配置することができ、研削・研磨加工時に加圧しても、基板１の変形・破損等を防ぐことができる。

また、上述した炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、曲面台座３１，３２の曲面部３１ａ，３２ａに基板１を接着剤４を用いて接着する。

従って、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法によれば、基板１の反りを維持した状態で台座に確実に固定することができる。

上述した炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、基板１の反りの程度を示す反り値を１００とした場合、曲面台座３１，３２の曲面部３１ａ，３２ａの反り値は、８８乃至１１２とする。また、上述した炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、基板１の中心Ｃ１は、曲面台座３１，３２の曲面部３１ａ，３２ａの中心Ｃ２，Ｃ２’から２．５ミリメートル以内の範囲に位置するように固定する。

これにより、スライス後の基板１の反り量に微差があったとしても、微差の影響を受けることなく、反りを維持した状態で基板１を台座に確実に固定することができる。

上述した炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、曲面部５１ａ，５２ａを有する曲面真空チャック５１，５２により基板１を固定する。曲面部５１ａ，５２ａは、基板１の反りの形状に沿う。また、曲面真空チャック５１，５２の曲面部５１ａ，５２ａは、二次曲面の形状を有する。

従って、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法によれば、反り維持した状態で基板１を研削・研磨加工装置２ｃ，２ｄに配置することができ、研削・研磨加工時に加圧しても、基板１の変形・破損等を防ぐことができる。

上述した炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、基板１の反りの程度を示す反り値を１００とした場合、曲面真空チャック５１，５２の曲面部５１ａ，５２ａの反り値は、８８乃至１１２とする。また、上述した炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、基板１の中心Ｃ１は、曲面真空チャック５１，５２の曲面部５１ａ，５２ａの中心Ｃ３，Ｃ３’から２．５ミリメートル以内の範囲に位置するように固定する。

これにより、スライス後の基板１の反り量に微差があったとしても、微差の影響を受けることなく、反りを維持した状態で基板１を台座に確実に固定することができる。

上述した炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、平面台座７に低粘性接着剤８を用いて基板１を固定する。低粘性接着剤８は、基板１の反りに沿う形状に変形するため、基板１の反りを維持した状態で基板１を平面台座７に固定することができる。

（７）その他の実施形態
上述したように、本発明の一実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態が明らかとなろう。

上述した実施形態では、炭化ケイ素単結晶のバルク体からスライスした基板の反りを低減する製造方法について説明した。しかし、この製造方法は、異方性材料の微小な結晶歪みがもたらす応力に起因した反りが生じる基板に適用可能である。例えば、ガリウム砒素基板、窒化ガリウム基板等、の異方性材料から基板を製造する製造方法に適用可能である。

このように、本発明は、ここでは記載していない様々な実施の形態などを含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は、上述の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。

本発明の実施形態となる炭化ケイ素単結晶基板の製造方法の流れを示す図である。 本実施形態の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法の別の実施形態の流れを示す図である。 （ａ）は、第１実施形態である研削・研磨加工装置を示す模式図である。（ｂ）は、第２実施形態である研削・研磨加工装置を示す模式図である。 （ａ）は、第３実施形態である研削・研磨加工装置を示す模式図である。（ｂ）は、第４実施形態である研削・研磨加工装置を示す模式図である。 （ａ）は、第５実施形態である研削・研磨加工装置を示す模式図である。（ｂ）は、第６実施形態である研削・研磨加工装置を示す模式図である。

符号の説明

１…基板、１ａ…第１面、１ｂ…第２面、２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ…研削・研磨加工装置、３１，３２…曲面台座、３１ａ，３２ａ…曲面部、４…接着剤、５１，５２…曲面真空チャック、５１ａ，５２ａ…曲面、４…接着剤、７…平面台座、８…低粘性接着剤、Ｃ１…基板の中心、Ｃ２，Ｃ２’…曲面台座の中心、Ｃ３，Ｃ３’…曲面真空チャックの中心

Claims (13)

1. 炭化ケイ素単結晶のバルク体を所定の厚さにスライスすることにより、反りが生じた板状成形体を作成する工程と、
   前記板状成形体の反りを維持した状態において、前記板状成形体の第１面を表側にして前記板状成形体を固定する工程と、
   前記板状成形体の第１面に研削・研磨加工を施す工程と、
   前記板状成形体の第２面が表側になるように前記板状成形体を裏返して固定する工程と、
   前記板状成形体の第２面に研削・研磨加工を施す工程と
   を有することを特徴とする炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
2. 曲面形状を有する台座の曲面部分に前記板状成形体を接着剤を用いて接着することにより、前記板状成形体の反りを維持した状態で前記板状成形体を固定することを特徴とする請求項１に記載の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
3. 前記台座の曲面部分の形状は、前記板状成形体の反りの形状に沿うことを特徴とする請求項２に記載の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
4. 前記板状成形体の反りの程度を示す反り値を１００とした場合、前記台座の曲面部分の反り値は、８８乃至１１２であることを特徴とする請求項３に記載の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
5. 前記板状成形体の中心は、前記台座の曲面部分の中心から２．５ミリメートル以内の範囲に位置するように固定されることを特徴とする請求項２乃至４の何れか一項に記載の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
6. 前記台座の曲面部分は、二次曲面の形状を有することを特徴とする請求項２乃至５の何れか一項に記載の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
7. 曲面形状を有する真空チャック装置の曲面部分に前記板状成形体を吸着させることにより、前記板状成形体の反りを維持した状態で前記板状成形体を固定することを特徴とする請求項１に記載の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
8. 前記真空チャック装置の曲面部分の形状は、前記板状成形体の反りの形状に沿うことを特徴とする請求項７に記載の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
9. 前記板状成形体の反りの程度を示す反り値を１００とした場合、前記真空チャック装置の曲面部分の反り値は、８８乃至１１２であることを特徴とする請求項８に記載の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
10. 前記板状成形体の中心は、前記真空チャック装置の曲面部分の中心から２．５ミリメートル以内の範囲に位置するように固定されることを特徴とする請求項７乃至９の何れか一項に記載の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
11. 前記真空チャック装置の曲面部分は、二次曲面の形状を有することを特徴とする請求項７乃至１０の何れか一項に記載の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
12. 平面形状の台座上に前記板状成形体を低粘性接着剤を用いて接着することにより、前記板状成形体の反りを維持した状態で前記板状成形体を固定することを特徴とする請求項１に記載の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
13. 炭化ケイ素単結晶のバルク体を所定の厚さにスライスすることにより反りが生じた板状成形体を、前記反りを維持した状態で固定する固定手段と、
    前記固定手段により固定された前記板状成形体の表面に研削・研磨加工を施す研削・研磨加工手段と
    を備えることを特徴とする炭化ケイ素単結晶基板製造装置。

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