JP2009026992A - 積層ウエーハの分割方法 - Google Patents

積層ウエーハの分割方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009026992A
JP2009026992A JP2007189260A JP2007189260A JP2009026992A JP 2009026992 A JP2009026992 A JP 2009026992A JP 2007189260 A JP2007189260 A JP 2007189260A JP 2007189260 A JP2007189260 A JP 2007189260A JP 2009026992 A JP2009026992 A JP 2009026992A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cutting
blade
wafer
laminated wafer
laminated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007189260A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiichi Kajiyama
啓一 梶山
Takatoshi Masuda
隆俊 増田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2007189260A priority Critical patent/JP2009026992A/ja
Publication of JP2009026992A publication Critical patent/JP2009026992A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】複数枚積層した積層ウエーハを欠け(チッピング)の発生を抑制して切断することができるウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】表面に格子状に形成されたストリート201によって複数の領域が区画され、この区画された領域にデバイス202が形成されているウエーハ200を複数枚積層し、この積層ウエーハ20をストリート201に沿って分割する積層ウエーハ20の分割方法であって、チャックテーブル3に保持された積層ウエーハ20を切削する切削ブレード43を径方向に超音波振動せしめる超音波振動付与手段を備えた切削手段を用い、超音波振動付与手段によって切削ブレード43に径方向の超音波振動を付与しつつチャックテーブル3に保持された積層ウエーハ20をストリート201に沿って切断する。
【選択図】図8

Description

本発明は、表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスが形成されたウエーハが積層された積層ウエーハの分割方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等の回路を形成する。このように形成された半導体ウエーハはストリートに沿って切断することにより個々の半導体チップに分割され、電気機器に広く利用されている。
一方近年、電気機器の小型化を図るため、半導体チップを複数個積層して構成した積層型半導体装置が実用化されている。このような積層型半導体装置を製造するには、半導体ウエーハを複数枚積層し、切削装置によりストリートに沿って切断することにより、複数の半導体チップが積層された積層型半導体装置を製造している。(例えば、特許文献1参照。)
特開2003−282488号公報
また、半導体ウエーハを効率よく分割するために、半導体ウエーハを複数枚積層し、切削装置によりストリートに沿って切断するウエーハの分割方法も実用化されている。
而して、上述したようにウエーハを複数枚積層し、切削装置によりストリートに沿って切断すると、ウエーハが薄いために切断面に多くの欠け(チッピング)が発生してデバイスの品質を低下させるという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、複数枚積層した積層ウエーハを欠け(チッピング)の発生を抑制して切断することができるウエーハの分割方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域にデバイスが形成されているウエーハを複数枚積層し、この積層ウエーハをストリーに沿って分割する積層ウエーハの分割方法であって、
チャックテーブルに保持された積層ウエーハを切削する切削ブレードを径方向に超音波振動せしめる超音波振動付与手段を備えた切削手段を用い、該超音波振動付与手段によって該切削ブレードに径方向の超音波振動を付与しつつチャックテーブルに保持された積層ウエーハをストリートに沿って切断する、
ことを特徴とする積層ウエーハの分割方法が提供される。
本発明によれば、切削ブレードに径方向の超音波振動を付与しつつチャックテーブルに保持された積層ウエーハをストリートに沿って切断するので、切削ブレードが径方向に超音波振動することにより切削ブレードによる切削抵抗が減少するため、積層されたウエーハに与える負荷が減少して欠け(チッピング)の発生を抑制することができる。
以下、本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図1には、本発明によるウエーハの分割方法を実施するための切削装置の斜視図が示されている。図示の実施形態における切削装置1は、略直方体状の装置ハウジング2を具備している。この装置ハウジング2内には、被加工物を保持するチャックテーブル3が切削送り方向である矢印Xで示す方向に移動可能に配設されている。チャックテーブル3は、吸着チャック支持台31と、該吸着チャック支持台31上に配設された吸着チャック32を具備しており、該吸着チャック32の上面である保持面上に被加工物を図示しない吸引手段を作動することによって吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル3は、図示しない回転機構によって回転可能に構成されている。なお、チャックテーブル3には、被加工物として後述するウエーハを保護テープを介して支持する支持フレームを固定するためのクランプ33が配設されている。このように構成されたチャックテーブル3は、図示しない切削送り手段によって、矢印Xで示す切削送り方向に移動せしめられるようになっている。
図示の実施形態における切削装置1は、切削手段としてのスピンドルユニット4を具備している。このスピンドルユニット4は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向である矢印Yで示す方向および切り込み方向である矢印Zで示す方向に移動調整されるスピンドルハウジング41と、該スピンドルハウジング41に回転自在に支持された回転スピンドル42と、該回転スピンドル42の先端部に装着された切削ブレード43とを具備している。
この切削ブレード43およびその取付け構造について、図2乃至図5を参照して説明する。切削ブレード43は、ダイヤモンド等からなる砥粒を結合剤で結合して円環状に形成した砥石ブレードからなっている。この切削ブレードとしては、砥粒をレジンボンド材に混錬し環状に成型して焼成したレジノイドブレードや、砥粒を金属ボンド材に混錬し環状に成型して焼成したメタルブレードや、アルミニウム等によって形成された基台の側面に砥粒をニッケル等の金属メッキで結合した電鋳ブレード等が用いられる。なお、円環状に形成された切削ブレード43の嵌合穴431の直径は、後述するブレードマウント5の装着部52に嵌合する寸法に形成されている。
上述したように構成された切削ブレード43は、図3に示すように切削手段としてのスピンドルユニット4のスピンドルハウジング41に回転自在に支持された回転スピンドル42に装着されるブレードマウント5と、該ブレードマウント5と対向して配設されるブレード挟持フランジ6とによって挟持され固定される。ブレードマウント5は、図2および図3に示すように円環状のフランジ部51と、該フランジ部51の中心部から側方に突出して形成された円筒状の装着部52とからなっている。フランジ部51における装着部52側の側面には、外周部に上記切削ブレード43を挟持する環状の挟持面511が形成されているとともに、該挟持面511の内周側に超音波振動付与手段を構成する後述する第1の超音波振動子8aを収容する超音波振動子収容部512aを備えた環状の凹部512が形成されている。なお、挟持面511には、合成樹脂等からなる密着部材50が装着されている。この密着部材50は、硬度がショアD40以上であることが望ましい。このように形成されたフランジ部51における超音波振動子収容部512aと装着部52との間に複数の貫通穴513が形成されていることが重要である。この複数の貫通穴513は、図示の実施形態においては図2に示すように4個の円弧状の穴からなっている。上記装着部52には、軸方向に貫通する嵌合穴521が形成されており、先端部の外周面に雄ネジ522が形成されている。なお、嵌合穴521の内周面は、回転スピンドル42の先端部に形成されたテーパー面421と対応するテーパー面に形成されている。
上記ブレード挟持フランジ6は、嵌合穴61を有する円環状に形成されている。この嵌合穴61の直径は、上記ブレードマウント5の装着部52に嵌合する寸法に形成されている。また、ブレード挟持フランジ6の上記ブレードマウント5のフランジ部51と対向する側面には、外周部に上記切削ブレード43を挟持する環状の挟持面62が形成されているとともに、該挟持面62の内周側に超音波振動付与手段を構成する後述する第2の超音波振動子8bを収容する超音波振動子収容部63aを備えた凹部63が形成されている。なお、挟持面62には、合成樹脂等からなる密着部材60が装着されている。この密着部材60は、硬度がショアD40以上であることが望ましい。このように形成されたブレード挟持フランジ6における超音波振動子収容部63aと嵌合穴61との間に複数の貫通穴64が形成されていることが重要である。この複数の貫通穴64は、図示の実施形態においては図2に示すように4個の円弧状の穴からなっている。
上述したブレードマウント5とブレード挟持フランジ6とによって切削ブレード43を固定するには、図3に示すようにブレードマウント5の装着部52に形成された嵌合穴521を回転スピンドル42の先端部に形成されたテーパー面421に嵌合する。そして、回転スピンドル42の先端部に形成された雄ネジ422に第1の締め付けナット71を螺合することにより、ブレードマウント5を回転スピンドル42に装着する。次に、切削ブレード43の嵌合穴431をブレードマウント5の装着部52に嵌合する。そして、ブレード挟持フランジ6の嵌合穴61をブレードマウント5の装着部52に嵌合する。このようにして、ブレードマウント5の装着部52に切削ブレード43とブレード挟持フランジ6を嵌合したならば、ブレードマウント5の装着部52に形成された雄ネジ522に第2の締め付けナット72を螺合することにより、ブレードマウント5の環状の挟持面511に装着された密着部材50とブレード挟持フランジ6の環状の挟持面62に装着された密着部材60との間に切削ブレード43を挟持して固定する。
図示の実施形態における切削手段としてのスピンドルユニット4は、図3に示すようにブレードマウント5のフランジ部51に形成された環状の凹部512の超音波振動子収容部512aに配設された超音波振動付与手段を構成する第1の超音波振動子8aと、ブレード挟持フランジ6に形成された凹部63の超音波振動子収容部63aに配設された超音波振動付与手段を構成する第2の超音波振動子8bを具備している。第1の超音波振動子8aは、回転スピンドル42の軸方向に分極された円環状の圧電体81aと、該圧電体81aの両側分極面に装着された円環状の2枚の電極板82a、83aと、圧電体81aおよび電極板82a、83aを覆う絶縁体84aとからなっている。圧電体81aは、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、リチウムタンタレート等の圧電セラミックスによって形成されている。一方の電極板82aは図3および図4に示すように一部が絶縁体84bの内周面に沿って折曲げられた電極端子821aを備えている。また、他方の電極板83aは、一方の電極板82aに設けられた電極端子821aと180度の位相を持って設けられ絶縁体84aの内周面に沿って折曲げられた電極端子831aを備えている。このように構成された第1の超音波振動子8aは、ブレードマウント5のフランジ部51に形成された環状の凹部512の超音波振動子収容部63aに適宜の接着剤によって装着される。
第2の超音波振動子8bは、回転スピンドル42の軸方向に分極された円環状の圧電体81bと、該圧電体81bの両側分極面に装着された円環状の2枚の電極板82b、83bと、圧電体81bおよび電極板82b、83bを覆う絶縁体84bとからなっている。圧電体81bは、上記圧電体81aと同様にチタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、リチウムタンタレート等の圧電セラミックスによって形成されている。一方の電極板82bは、図3および図5に示すように一部が絶縁体84bの内周面に沿って折曲げられた電極端子821bを備えている。また、他方の電極板83bも、一方の電極板82bに設けられた電極端子821bと180度の位相を持って設けられ絶縁体84bの内周面に沿って折曲げられた電極端子831bを備えている。このように構成された第2の超音波振動子8bは、ブレード挟持フランジ6に形成された凹部63の超音波振動子収容部63aに適宜の接着剤によって装着される。
図3を参照して説明を続けると、図示の実施形態における切削手段としてのスピンドルユニット4は、ブレードマウント5の装着部52の外周面に露出して上記第1の超音波振動子8aと対向して配設された電極端子101および102と、ブレードマウント5の装着部52の外周面に露出して上記ブレード挟持フランジ6の内周面と対向して配設された電極端子111および112を具備している。電極端子101と102は、互いに180度の位相をもって配設され、一方の電極端子101が上記第1の超音波振動子8aを構成する一方の電極板82aの電極端子821aにリード線103によって接続され、他方の電極端子102が第1の超音波振動子8aを構成する他方の電極板83aの電極端子831aにリード線104によって接続されている。また、電極端子111と112は、互いに180度の位相をもって配設され、一方の電極端子111が上記ブレード挟持フランジ6の内周面に配設された電極114に接触し、他方の電極板112が上記ブレード挟持フランジ6の内周面に上記電極114と180度の位相をもって配設された電極115に接触するようになっている。なお、電極114は上記第2の超音波振動子8bを構成する一方の電極板82bの電極端子821bにリード線116によって接続され、電極板115は第2の超音波振動子8bを構成する他方の電極板83bの電極端子831bにリード線117によって接続されている。
図示の実施形態における切削手段としてのスピンドルユニット4は、超音波振動付与手段を構成する上記第1の超音波振動子8aおよび第2の超音波振動子8bに交流電圧を印加する電圧印加手段9を具備している。電圧印加手段9は、ブレードマウント5に配設された受電手段91と、該受電手段91と対向して配設されスピンドルハウジング41の先端面に装着された給電手段92を具備している。受電手段91は、ブレードマウント5における上記環状の凹部512が形成されている面と反対側の面、即ちスピンドルハウジング41と対向する面に形成された嵌合凹部514に嵌合され環状の溝911aを備えたローター側コア911と、該ローター側コア911の環状の溝911a内に配設された受電コイル912とからなっている。このように構成された受電手段91の受電コイル912の一端912aは、ブレードマウント5に配設された導線913を介して上記電極端子101、111に接続されている。また、受電コイル912の他端912bは、ブレードマウント5に配設された導線914を介して上記電極端子102、112に接続されている。なお、上記導線913、914および電極端子101、102、111、112、114、115は図示しない絶縁部材を介してブレードマウント5およびブレード挟持フランジ6に配設されている。
上記給電手段92は、受電手段91と対向する面に環状の溝921aを備えたステータ側コア921と、該ステータ側コア921の環状の溝921a内に配設された給電コイル922とからなっている。なお、ステータ側コア921は、スピンドルハウジング41の先端面に取付けボルト923によって装着される。このように構成された給電手段92の給電コイル922は、電気配線924、925を介して交流電源93に接続されている。なお、図示の実施形態における電圧印加手段9は、交流電源の周波数を変換する周波数変換器94を備えている。以上のように構成された、受電手段91と給電手段92は、ロータリートランスを構成する。
図2乃至図5に示す電圧印加手段9は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。交流電源93から周波数変換器94によって所定の周波数に変換された交流電圧が給電手段92の給電コイル922に印加されると、回転する受電手段91の受電コイル912、導線913、電極端子101、リード線103および導線914、電極端子102、リード線104を介して第1の超音波振動子8aの電極板82bと電極板83a間に所定周波数の交流電圧が印加されるとともに、導線913、電極端子111、電極端子114、リード線116および導線914、電極端子112、電極端子115、リード線117を介して第2の超音波振動子8bの電極板82bと電極板83b間に所定周波数の交流電圧が印加される。この結果、第1の超音波振動子8aおよび第2の超音波振動子8bは、径方向に繰り返し変位して超音波振動する。従って、第1の超音波振動子8aおよび第2の超音波振動子8bを装着したブレードマウント5およびブレード挟持フランジ6も径方向に超音波振動し、ブレードマウント5およびブレード挟持フランジ6に挟持された切削ブレード43が径方向に超音波振動する。なお、図示の実施形態においては、ブレードマウント5のフランジ部51に複数の貫通穴513が形成されているとともに、ブレード挟持フランジ6に複数の貫通穴64が形成されているので、ブレードマウント5およびブレード挟持フランジ6における径方向の剛性が減少するため、上記超音波振動による振幅が大きくなる。従って、ブレードマウント5とブレード挟持フランジ6によって挟持された切削ブレード43には、径方向に大きな振幅をもった超音波振動が作用せしめられる。また、図示の実施形態においては、ブレードマウント5の環状の挟持面511に密着部材50が装着されているとともにとブレード挟持フランジ6の環状の挟持面62に密着部材60が装着されているので、切削ブレード43との間に生ずる滑りが減少するため、ブレードマウント5およびブレード挟持フランジ6に作用する超音波振動が切削ブレード43に効果的に伝達される。
以上のように構成された切削手段としてのスピンドルユニット4は、図示しない割り出し送り手段によって図1において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない切り込み送り手段によって図1において矢印Zで示す切り込み送り方向に移動せしめられるようになっている。
図1に戻って説明を続けると、図示の実施形態における切削装置1は、上記チャックテーブル3上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切削ブレード43によって切削すべき領域を検出するための撮像手段12を具備している。この撮像手段12は、顕微鏡やCCDカメラ等の光学手段からなっている。また、切削装置は、撮像手段22によって撮像された画像を表示する表示手段13を具備している。
上記装置ハウジング2におけるカセット載置領域14aには、被加工物を収容するカセットを載置するカセット載置テーブル14が配設されている。このカセット載置テーブル14は、図示しない昇降手段によって上下方向に移動可能に構成されている。カセット載置テーブル14上には、本発明によるウエーハの分割方法によって個々のデバイスに分割される積層ウエーハ20を収容するカセット15が載置される。ここで、積層ウエーハ20について図6を参照して説明する。図6に示す積層ウエーハ20は、図示の実施形態においては5枚の半導体ウエーハ200が積層して構成されている。半導体ウエーハ200は、例えば厚みが100μmのシリコンウエーハからなり、表面200aに格子状に配列された複数のストリート201によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス202が形成されている。このように形成された半導体ウエーハ200をストリート201に沿って効率よく切断し個々のデバイスに分割するために積層する。なお、積層された半導体ウエーハ200は、図示の実施形態においては例えば蝋材210によって結合されている。
上記のように構成された積層ウエーハ20は、図7に示すように環状のフレームFに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープTに最下層の半導体ウエーハ200の裏面を貼着する。従って、積層ウエーハ20は、最上層の半導体ウエーハ200の表面200aが上側となる。このように、環状の支持フレームFに装着された保護テープTの表面に貼着された積層ウエーハ20は、カセット15に収容される。
図1に戻って説明を続けると、図示の実施形態における切削装置1は、カセット載置テーブル14上に載置されたカセット15に収容されている積層ウエーハ20(環状のフレームFに保護テープTを介して支持されている状態)を仮置きテーブル16に搬出する搬出手段17と、仮置きテーブル16に搬出された積層ウエーハ20を上記チャックテーブル3上に搬送する第1の搬送手段18と、チャックテーブル3上で切削加工された積層ウエーハ20を洗浄する洗浄手段19と、チャックテーブル3上で切削加工された積層ウエーハ20を洗浄手段19へ搬送する第2の搬送手段21を具備している。
以上のように構成された切削装置1を用いて、上述した積層ウエーハ20をストリート22に沿って切断し、個々のデバイス23に分割する方法について説明する。
カセット載置テーブル14上に載置されたカセット15の所定位置に収容されている積層ウエーハ20は、図示しない昇降手段によってカセット載置テーブル14が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、搬出手段17が進退作動して搬出位置に位置付けられた積層ウエーハ20を仮置きテーブル16上に搬出する。仮置きテーブル16に搬出された積層ウエーハ20は、第1の搬送手段18の旋回動作によって上記チャックテーブル3上に搬送される。チャックテーブル3上に積層ウエーハ20が載置されたならば、図示しない吸引手段が作動して積層ウエーハ20をチャックテーブル3上に吸引保持する。また、積層ウエーハ20を保護テープTを介して支持する支持フレームFは、上記クランプ33によって固定される。このようにして積層ウエーハ20を保持したチャックテーブル3は、撮像手段12の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル3が撮像手段12の直下に位置付けられると、撮像手段12によって積層ウエーハ20を構成する最上層の半導体ウエーハ200の表面200aに形成されているストリート201が検出され、スピンドルユニット4を割り出し方向である矢印Y方向に移動調節してストリート201と切削ブレード43との精密位置合わせ作業が行われる。
以上のようにしてチャックテーブル3上に保持されている積層ウエーハ20を構成する最上層の半導体ウエーハ200の表面200aに形成されているストリート201を検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、積層ウエーハ20を保持したチャックテーブル3を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図8の(a)で示すように積層ウエーハ20は切削すべきストリート201の一端(図8の(a)において左端)が切削ブレード43の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。このようにしてチャックテーブル3即ち積層ウエーハ20が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード43を図8の(a)において2点鎖線で示す待機位置から下方に切り込み送りし、図8の(a)において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、切削ブレード43の下端が積層ウエーハ20を構成する最下層の半導体ウエーハ200の裏面に貼着された保護テープTに達する位置に設定されている。
次に、切削ブレード43を図8の(a)において矢印43aで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル3即ち積層ウエーハ20を図8の(a)において矢印X1で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル3即ち積層ウエーハ20が図8の(b)で示すようにストリート201の他端(図8の(b)において右端)が切削ブレード43の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル3即ち積層ウエーハ20の移動を停止する。このようにチャックテーブル3即ち積層ウエーハ20を切削送りすることにより、図8の(c)で示すように積層ウエーハ20はストリート201に沿ってに裏面に達する切削溝220が形成され、5枚の半導体ウエーハ200はストリート201に沿って切断される(切断工程)。次に、切削ブレード43を図8の(b)において2点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル43即ち積層ウエーハ20を図8の(b)において矢印X2で示す方向に移動して、図8の(a)に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル3即ち積層ウエーハ20を紙面に垂直な方向(割り出し送り方向)にストリート23の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべきストリート201を切削ブレード43と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべきストリート201を切削ブレード43と対応する位置に位置付けたならば、上述した切断工程を実施する。
なお、上記切削工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレード :外径52mm、厚さ40μm
切削ブレードの回転速度 :17000rpm
切削送り速度 :30mm/秒
電圧印加手段9による印加電圧 :70V
第1の超音波振動子8aおよび第2の超音波振動子8bに付与する超音波振動の周波数
:55kHz
切削ブレードの振幅 :5μm
そして、積層ウエーハ20の所定方向に延在するストリートの全てに沿って切断工程を実施したならば、チャックテーブル3を90度回転させて、積層ウエーハ20の所定方向と直交する方向に延在するストリートに沿って上記切削工程を実行することにより、5枚の半導体ウエーハ200が積層された積層ウエーハ20は格子状に形成された全てのストリート201が切断されて個々のデバイスに分割される。なお、分割されたデバイスは、保護テープTの作用によってバラバラにはならず、環状のフレームFに支持されたウエーハの状態が維持されている。
上述した切断工程においては、電圧印加手段9が附勢され上述したように第1の超音波振動子8aおよび第2の超音波振動子8bが径方向に超音波振動せしめられる。この結果、ブレードマウント5およびブレード挟持フランジ6を介して、上述したように切削ブレード43が径方向に超音波振動するので、切削ブレードによる切削抵抗が減少するため、積層された各半導体ウエーハに与える負荷が減少して欠け(チッピング)の発生を抑制することができる。なお、第1の超音波振動子8aおよび第2の超音波振動子8bに付与する超音波振動が25kHz以上が望ましく、切削ブレード43に付与する径方向の振幅は1〜10μmが望ましい。また、切削送り速度は50mm/秒以下が望ましい。
上述したように積層ウエーハ20に形成された全てのストリート201に沿って切断工程を実施することにより、積層ウエーハ20を個々のデバイスに分割したならば、積層ウエーハ20を保持したチャックテーブル3は最初に積層ウエーハ20を吸引保持した位置に戻される。そして、積層ウエーハ20の吸引保持を解除する。次に、積層ウエーハ20は第2の搬送手段21によって洗浄手段19に搬送される。第2の搬送手段21に搬送された積層ウエーハ20は、ここで洗浄および乾燥される。このようにして洗浄および乾燥された積層ウエーハ20は、第1の搬送手段18によって仮置きテーブル14に搬出される。そして、積層ウエーハ20は、搬出手段17によってカセット15の所定位置に収納される。従って、搬出手段17は、加工後の積層ウエーハ20をカセット15に搬入する搬入手段としての機能も備えている。
上述した実施形態においては、半導体ウエーをストリートに沿って効率よく切断し個々のデバイスに分割するために複数枚積層し、同時に複数枚の半導体ウエーハを同時に切断する例を示したが、本発明は積層型半導体装置を製造するために半導体ウエーハを複数枚積層して結合した積層ウエーハに実施することもできる。
また、上述した実施形態においては、切削ブレードを径方向に超音波振動せしめる超音波振動付与手段として切削ブレードを挟持するブレードマウントとブレード挟持フランジに超音波振動子を配設した切削手段を用いてウエーハを切断する例を示したが、切削ブレードを装着する回転スピンドルに超音波振動子を配設する形態の超音波振動付与手段を備えた切削手段を用いてもよい。
本発明による積層ウエーハの分割方法を実施するための切削装置の斜視図。 図1に示す切削装置に装備されるスピンドルユニットの一実施形態を示す分解斜視図。 図1に示す切削装置に装備されるスピンドルユニットの一実施形態の要部断面図。 図3に示すスピンドルユニットに装着される第1の超音波振動子の正面図。 図3に示すスピンドルユニットに装着される第2の超音波振動子の正面図。 本発明による積層ウエーハの分割方法によって個々のデバイスに分割される積層ウエーハの斜視図。 図6に示す積層ウエーハを環状のフレームに装着された保護テープに貼着した状態を示す斜視図。 図1に示す切削装置に図6に示す積層ウエーハを切削する切断工程の説明図。
符号の説明
1:切削装置
2:装置ハウジング
3:チャックテーブ
4:スピンドルユニット
41:スピンドルハウジング
42:回転スピンドル
43:切削ブレード
5:ブレードマウント
51:フランジ部
52:装着部
6:ブレード挟持フランジ
8a:第1の超音波振動子
81a:圧電体
82a、83a:電極板
84a:絶縁体
8b:第1の超音波振動子
81b:圧電体
82b、83b:電極板
84b:絶縁体
9:電圧印加手段
91:受電手段
912:受電コイル
92:給電手段
922:給電コイル
93:交流電源
94:周波数変換器
90:電圧印加手段
97:発電コイル
99:永久磁石
12:アライメント手段
13:表示手段
14:カセット載置テーブル
15:カセット
16:仮置きテーブル
17:搬出手段
18:第1の搬送手段
19:洗浄手段
20:積層ウエーハ
200:半導体ウエーハ
201:ストリート
202:デバイス
F:環状のフレーム
T:保護テープ

Claims (1)

  1. 表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域にデバイスが形成されているウエーハを複数枚積層し、この積層ウエーハをストリーに沿って分割する積層ウエーハの分割方法であって、
    チャックテーブルに保持された積層ウエーハを切削する切削ブレードを径方向に超音波振動せしめる超音波振動付与手段を備えた切削手段を用い、該超音波振動付与手段によって該切削ブレードに径方向の超音波振動を付与しつつチャックテーブルに保持された積層ウエーハをストリートに沿って切断する、
    ことを特徴とする積層ウエーハの分割方法。
JP2007189260A 2007-07-20 2007-07-20 積層ウエーハの分割方法 Pending JP2009026992A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007189260A JP2009026992A (ja) 2007-07-20 2007-07-20 積層ウエーハの分割方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007189260A JP2009026992A (ja) 2007-07-20 2007-07-20 積層ウエーハの分割方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009026992A true JP2009026992A (ja) 2009-02-05

Family

ID=40398519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007189260A Pending JP2009026992A (ja) 2007-07-20 2007-07-20 積層ウエーハの分割方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009026992A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8461020B2 (en) 2011-05-12 2013-06-11 Disco Corporation Device processing method
US8524576B2 (en) 2011-05-12 2013-09-03 Disco Corporation Wafer processing method
KR20170020242A (ko) 2015-08-14 2017-02-22 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법 및 전자 디바이스
JP2017143095A (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 株式会社ディスコ 積層ウェーハの分割方法
CN112658818A (zh) * 2020-12-19 2021-04-16 华中科技大学 一种用于晶圆超精密加工的超声振动辅助磨削装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006228810A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP2007030114A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006228810A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP2007030114A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8461020B2 (en) 2011-05-12 2013-06-11 Disco Corporation Device processing method
US8524576B2 (en) 2011-05-12 2013-09-03 Disco Corporation Wafer processing method
KR20170020242A (ko) 2015-08-14 2017-02-22 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법 및 전자 디바이스
US9786490B2 (en) 2015-08-14 2017-10-10 Disco Corporation Wafer processing method and electronic device
JP2017143095A (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 株式会社ディスコ 積層ウェーハの分割方法
CN112658818A (zh) * 2020-12-19 2021-04-16 华中科技大学 一种用于晶圆超精密加工的超声振动辅助磨削装置
CN112658818B (zh) * 2020-12-19 2022-04-08 华中科技大学 一种用于晶圆超精密加工的超声振动辅助磨削装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5139720B2 (ja) 切削装置
JP4658730B2 (ja) 切削装置
JP4763389B2 (ja) 切削工具
JP4908143B2 (ja) 切削ブレードの振幅計測装置
JP2009032726A (ja) ウエーハの分割方法
WO2006126298A1 (ja) 円盤状の切断ブレードを備えた切断装置
JP2009026992A (ja) 積層ウエーハの分割方法
US20220055242A1 (en) Cutting method
JP2008302471A (ja) 切削ブレード
JP4847189B2 (ja) 切削装置
JP5730127B2 (ja) 研削方法
JP4847093B2 (ja) 切削工具
JP4731247B2 (ja) 切削装置
JP4847069B2 (ja) 切削装置
JP2007283418A (ja) 切削工具
JP4917399B2 (ja) 切削ブレードに付与する超音波振動の周波数設定方法および切削装置
JP2007290046A (ja) 切削工具
JP2007030102A (ja) 切削装置
JP2011152605A (ja) 研削装置
JP4885680B2 (ja) 超音波振動切削装置
JP4648119B2 (ja) 切削装置
JP2010171067A (ja) 切削装置
JP4977428B2 (ja) 切削装置
JP2008307613A (ja) 加工装置および加工工具
JP5341564B2 (ja) 工具取り付けマウントの修正冶具

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100622

A977 Report on retrieval

Effective date: 20120517

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120522

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120719

A02 Decision of refusal

Effective date: 20120904

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02