JP2009026855A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、n型MISトランジスタ及びp型MISトランジスタとを備えている。n型MISトランジスタは、第1の活性領域11Aの上に形成された第1のゲート電極14Aと、第1のゲート電極14Aの側面上に形成された第1のサイドウォール15Aとを有している。p型MISトランジスタは、第2の活性領域11Bの上に形成された第2のゲート電極14Bと、第2のゲート電極14Bの側面上に形成された第2のサイドウォール15Bと、第2の活性領域11Bに形成された歪み生成層21とを有している。第2のサイドウォール15Bは、第1のサイドウォール15Aよりも厚さが薄い。
【選択図】図1
Description
W. H. Lee et al., "IEDM 2005",p.61-64
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の断面の構成を示している。図1に示すように、本実施形態の半導体装置は、シリコン(Si)からなる半導体基板10の第1の領域10Aに形成された第1のトランジスタであるn型MISトランジスタと、第2の領域10Bに形成された第2のトランジスタであるp型MISトランジスタとを備えている。
以下に、本発明の第2の実施形態について図面を参照して説明する。図5〜図7は第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示している。第2の実施形態に係る半導体装置の構造は第1の実施形態の半導体装置と同一であるため説明を省略する。また、図5〜7において図2〜4と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
以下に、本発明の第3の実施形態について図面を参照して説明する。図8〜10は第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示している。図8〜10において図2〜4と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
10A 第1の領域
10B 第2の領域
10a リセス部
11A 第1の活性領域
11B 第2の活性領域
12 素子分離領域
13A 第1のゲート絶縁膜
13B 第2のゲート絶縁膜
14A 第1のゲート電極
14B 第2のゲート電極
15A 第1のサイドウォール
15B 第2のサイドウォール
15C 第3のサイドウォール
15D 第4のサイドウォール
17A n型エクステンション拡散層
17B p型エクステンション拡散層
18 第1の絶縁膜
19 第2の絶縁膜
21 生成層
22 n型ソースドレイン拡散層
31 ゲート絶縁膜形成膜
32 ポリシリコン膜
33 ハードマスク形成膜
33A 第1のハードマスク
33B 第2のハードマスク
35 サイドウォール形成膜
36 レジストマスク
37 レジストマスク
38 SiO2膜
39 SiN膜
Claims (14)
- 半導体基板における第1の活性領域に形成されたn型MISトランジスタと、前記半導体基板における第2の活性領域に形成されたp型MISトランジスタとを備え、
前記n型MISトランジスタは、
前記第1の活性領域の上に形成された第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極の側面上に形成された第1のサイドウォールとを有し、
前記p型MISトランジスタは、
前記第2の活性領域の上に形成された第2のゲート電極と、
前記第2のゲート電極の側面上に形成された第2のサイドウォールと、
前記第2の活性領域に形成され、前記p型MISトランジスタのチャネル領域に歪みを与える歪み生成層とを有し、
前記第2のサイドウォールは、ゲート長方向の厚さが、前記第1のサイドウォールよりも薄いことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1のサイドウォールを構成する層の数と、前記第2のサイドウォールを構成する層の数とは等しいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2の活性領域は、前記第2のゲート電極の両側方に形成された凹部を有し、
前記歪み生成層は、前記凹部を埋めるように形成されたシリコンゲルマニウム層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記第1のサイドウォール及び前記第2のサイドウォールは、それぞれ断面L字状の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜を覆うように形成された第2の絶縁膜とを有していることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記n型MISトランジスタは、
前記第1の活性領域における前記第1のゲート電極の両側方の領域に形成されたn型エクステンション拡散層と、
前記第1の活性領域における前記第1のサイドウォールの外側方に形成されたn型ソースドレイン領域とを有し、
前記p型MISトランジスタは、
前記第2の活性領域における前記第2のゲート電極の両側方の領域に形成されたp型エクステンション拡散層を有し、
前記歪み生成層は、チャネル領域から見て前記p型エクステンション拡散層の外側に、前記p型エクステンション拡散層の接合よりも深く形成されていることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか1項に記載の半導体装置。 - 半導体基板における第1の活性領域に形成されたn型MISトランジスタと、前記半導体基板における第2の活性領域に形成されたp型MISトランジスタとを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記第1の活性領域の上に第1のゲート電極を形成するとともに、前記第2の活性領域の上に第2のゲート電極を形成する工程(a)と、
前記半導体基板の上に、前記第1のゲート電極及び第2のゲート電極を覆うサイドウォール形成膜を形成する工程(b)と、
前記サイドウォール形成膜における前記第2の活性領域の上に形成された部分の膜厚を前記第1の活性領域の上に形成された部分よりも薄くする工程(c)と、
前記工程(c)よりも後に、前記サイドウォール形成膜をエッチングして、前記第2の活性領域の一部が露出し且つ前記1の活性領域が前記サイドウォール形成膜に覆われた状態とする工程(d)と、
前記工程(d)の後に、前記サイドウォール形成膜をマスクにして、前記第2の活性領域の露出部分をエッチングしてリセス部を形成し、形成したリセス部に歪み生成層を形成する工程(e)と、
前記工程(e)よりも後に、前記サイドウォール形成膜を前記第1の活性領域の一部が露出するまでエッチングすることにより、前記第1のゲート電極の側面上を覆う第1のサイドウォールと、前記第2のゲート電極の側面上を覆う第2のサイドウォールとを形成する工程(f)とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記工程(e)において、シリコンゲルマニウムを前記リセス部に結晶成長して前記歪み生成層を形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記サイドウォール形成膜は、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とを含み、
前記工程(f)において、断面L字状の前記第1の絶縁膜及び該第1の絶縁膜を覆う前記第2の絶縁膜を有する前記第1のサイドウォール及び第2のサイドウォールをそれぞれ形成することを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)は、
前記半導体基板の上にゲート絶縁膜形成膜と導電膜とハードマスク形成膜とを順次形成して積層膜を形成する工程(a1)と、
前記積層膜をパターニングして、前記第1の活性領域上に第1のゲート絶縁膜、前記第1のゲート電極及び第1のハードマスク膜を形成するとともに、前記第2の活性領域上に第2のゲート絶縁膜、前記第2のゲート電極及び第2のハードマスク膜を形成する工程(a2)とを含むことを特徴とする請求項6〜8のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(b)よりも前に、前記第1のハードマスク膜を除去する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(a)は、
前記半導体基板の上にゲート絶縁膜形成膜と導電膜とハードマスク形成膜とを順次形成して積層膜を形成する工程(a1)と、
前記ハードマスク形成膜のうち前記第1の活性領域の上に形成された部分を選択的に除去する工程(a2)と、
前記積層膜をパターニングして、前記第1の活性領域上に第1のゲート絶縁膜及び前記第1のゲート電極を形成するとともに、前記第2の活性領域上に第2のゲート絶縁膜、前記第2のゲート電極及び第2のハードマスク膜を形成する工程(a3)とを含むことを特徴とする請求項6〜8のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(f)よりも後に、前記第1の活性領域における前記第1のサイドウォールの外側方にn型ソースドレイン領域を形成する工程(g)をさらに備えていることを特徴とする請求項6〜11のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(g)よりも後に、前記第1のサイドウォール及び第2のサイドウォールを除去する工程(h)と、
前記工程(h)よりも後に、前記第1の活性領域における前記第1のゲート電極の側方にn型エクステンション拡散層を形成し、前記第2の活性領域における前記第2のゲート電極の側方にp型エクステンション拡散層を形成する工程(i)と、
前記工程(i)よりも後に、前記第1のゲート電極の側面上に第3のサイドウォールを形成するとともに、第2のゲート電極の側面上に第4のサイドウォールを形成する工程(j)をさらに備えていることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)よりも後で且つ前記工程(b)よりも前に、
前記第1の活性領域における前記第1のゲート電極の側方にn型エクステンション拡散層を形成し、前記第2の活性領域における前記第2のゲート電極の側方にp型エクステンション拡散層を形成する工程(k)をさらに備えていることを特徴とする請求項6〜12のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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