JP2009026789A - 光モジュール、ホストボード、およびホストボードの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】製造工数を削減した光モジュール、ホストボード、およびホストボードの製造方法を提供する。
【解決手段】光モジュールに記憶手段を実装することにより、光モジュールが搭載されたホストボードで発光素子および受光素子の特性データに対応した制御を自動的に実現できるので、従来型のホストボードのような光トランシーバモジュールという形態をとる必要がなくなる。この結果、製造工数を削減した光モジュール、ホストボード、およびホストボードの製造方法の提供を実現することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、光モジュール、ホストボード、およびホストボードの製造方法に関する。

従来のホストボードの構成を図６に示す。
一般的に光トランシーバモジュール１０は、レーザーダイオード（ＬＤ）２およびアバランシェダイオード（ＡＰＤ）３を内蔵した光モジュール１、制御回路５、ＬＤ駆動回路（Ｌａｓｅｒ Ｄｒｉｖｅｒ）６、ＡＰＤ駆動回路（昇圧回路）７、増幅回路（ＡＭＰ）などで構成されている。
光トランシーバモジュール１０は、ＬＤ２およびＡＰＤ３の温度特性を補償するための回路(第１の制御手段)５を内蔵しており、事前にこれらの温度特性を取得し、所望の特性が獲られるように調整されている。

使用者は光トランシーバモジュール１０をＨＯＳＴ ＢＯＡＲＤ（以下、ホストボード）８上に実装し、ホストボード上の制御・駆動回路（第２の制御手段）９から電気信号を入力するだけで電気−光変換できることから、非常に容易にＬＤ２やＡＰＤ３のような光部品を扱うことができるという利点がある。また、温度による特性変動が著しいＬＤ２およびＡＰＤ３は光トランシーバモジュール１０に内蔵されている制御回路５によって制御されるため、ＬＤ２およびＡＰＤ３の温度特性をまったく気にする必要がないことも利点の一つである。そのため、従来は光モジュール１を使用するにあたり、一旦、光モジュール１を光トランシーバモジュール１０に実装する構成をとることが一般的であった。

ここで、光モジュールを有する装置として温度変化等による半導体発光素子の光出力特性の変動を高い精度で制御できる低コストの光送信器（例えば、特許文献１参照。）、光受信モジュールとＡＰＤバイアス電圧制御部との汎用的な組合せが可能で、ＡＰＤバイアス電圧制御部の外付けによる光受信モジュールの小型化、更にはＰＩＮ素子光受信モジュールの構造の共通化が可能となるＡＰＤバイアス電圧制御回路（例えば、特許文献２参照。）、及び効率よく製造できる光送信モジュール（例えば、特許文献３参照。）が挙げられる。
再特ＷＯ２００２／０６９４６４号公報 特開２００２−８４２３５号公報 特開２００６−１５６８０８号公報

しかしながら、上述した従来型の光トランシーバモジュールは機能をパッケージ化する利点がある一方で、以下の理由により製造コストの削減が難しいという欠点がある。
１つめの理由は部品点数の削減が難しいことである。
２つめの理由は、光トランシーバモジュール１０の調整および試験に必要な設備の削減が難しいことである。
３つめの理由は、光トランシーバモジュール１０の調整および試験にかかる工数を削減することが難しいことである。

そこで、本発明の目的は、製造工数を削減した光モジュール、ホストボード、およびホストボードの製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明の請求項１記載の発明は、発光素子と、受光素子と、前記発光素子及び前記受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段とを有する光モジュールであることを特徴とする。

請求項２記載の発明は、発光素子、受光素子、及び前記発光素子及び前記受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段を有する光モジュールと、前記光モジュールが搭載されると前記データに基づいて前記発光素子及び前記受光素子を制御する第１の制御手段とを備えたホストボードであることを特徴とする。

請求項３記載の発明は、発光素子、受光素子、及び前記発光素子及び前記受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段を有する光モジュールと、前記光モジュールが搭載されると前記データに基づいて前記発光素子及び前記受光素子を制御する第１の制御手段と、前記受光素子の出力に基づいて前記発光素子の出力を制御する第２の制御手段とを備えたホストボードであることを特徴とする。

請求項４記載の発明は、請求項２記載の発明において、前記第１の制御手段は、リアルタイムに前記発光素子及び前記受光素子を制御するパラメータを計算することを特徴とする。

請求項５記載の発明は、請求項２または３記載の発明において、前記第１の制御手段は、変換効率Ｓをパラメータとすることを特徴とする。

請求項６記載の発明は、発光素子、受光素子、及び前記発光素子及び前記受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段を有する光モジュールを準備する工程と、前記光モジュールが搭載されると前記データに基づいて前記発光素子及び前記受光素子を制御する第１の制御手段と、前記受光素子の出力に基づいて前記発光素子の出力を制御する第２の制御手段とを有するホストボード用の基板を準備する工程と、前記基板に前記光モジュールを搭載する工程とを備えたホストボードの製造方法であることを特徴とする。

本発明によれば、光モジュールに記憶手段を実装することにより、光モジュールをホストボードに搭載するとホストボードで発光素子および受光素子の特性データに対応した制御を自動的に実現できるので、従来型のホストボードのような光トランシーバモジュールという形態をとる必要がなくなる。この結果、製造工数を削減した光モジュール、ホストボード、およびホストボードの製造方法の提供を実現することができる。

本発明は、光モジュール１に記憶領域４を実装することにより、ホストボード８上でＬＤ２およびＡＰＤ３の特性データに対応した制御を自動的に実現できるので、従来型の光トランシーバモジュール１０という形態をとる必要がなくなることを特徴とする。

本発明に係る光モジュールの一実施の形態は、発光素子と、受光素子と、発光素子及び受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段とを有することを特徴とする。
発光素子としては、例えばレーザーダイオード、フォトダイオードが挙げられる。
受光素子としては、例えばアバランシェダイオード、フォトダイオード、フォトトランジスタが挙げられる。
記憶手段としては、例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ、フラッシュメモリ等が挙げられる。

上記構成によれば、光モジュールが発光素子と、受光素子と、発光素子及び受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段とを有することにより、ホストボードで発光素子および受光素子の特性データに対応した制御を自動的に実現できるので、従来型のホストボードのような光トランシーバモジュールという形態をとる必要がなくなる。この結果、この光モジュールを用いることにより、製造工数を削減したホストボード、およびホストボードの製造方法の提供を実現することができる。

本発明に係るホストボードの一実施の形態は、発光素子、受光素子、及び発光素子及び受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段を有する光モジュールと、光モジュールが搭載されるとデータに基づいて発光素子及び受光素子を制御する第１の制御手段とを備えたことを特徴とする。
制御手段としては、例えば、マイクロプロセッサが挙げられる。

上記構成によれば、発光素子、受光素子、及び発光素子及び受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段を有する光モジュールと、光モジュールが搭載されるとデータに基づいて発光素子及び受光素子を制御する第１の制御手段とを備えたことにより、ホストボードで発光素子および受光素子の特性データに対応した制御を自動的に実現できるので、事前調整が不要となり、従来型のホストボードのような光トランシーバモジュールという形態をとる必要がなくなる。この結果、製造工数を削減したホストボード、およびホストボードの製造方法の提供を実現することができる。

本発明に係るホストボードの他の実施の形態は、発光素子、受光素子、及び発光素子及び受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段を有する光モジュールと、光モジュールが搭載されるとデータに基づいて発光素子及び受光素子を制御する第１の制御手段と、受光素子の出力に基づいて発光素子の出力を制御する第２の制御手段とを備えたことを特徴とする。

上記構成によれば、発光素子、受光素子、及び発光素子及び受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段を有する光モジュールと、光モジュールが搭載されるとデータに基づいて発光素子及び受光素子を制御する第１の制御手段と、受光素子の出力に基づいて発光素子の出力を制御する第２の制御手段とを備えたことにより、ホストボードで発光素子および受光素子の特性データに対応した制御を自動的に実現できるので、従来型のホストボードのような光トランシーバモジュールという形態をとる必要がなくなる。この結果、事前調整が不要となり、製造工数を削減したホストボード、およびホストボードの製造方法の提供を実現することができる。

本発明に係るホストボードの他の実施の形態は、上記構成に加え、第１の制御手段は、リアルタイムに発光素子及び受光素子を制御するパラメータを計算することを特徴とする。

上記構成によれば、第１の制御手段は、リアルタイムに発光素子及び受光素子を制御するパラメータを計算することにより、事前調整が不要となり、効率的にホストボードを製造することができる。

本発明に係るホストボードの他の実施の形態は、上記構成に加え、第１の制御手段は、変換効率Ｓをパラメータとすることを特徴とする。

上記構成によれば、第１の制御手段は、変換効率Ｓをパラメータとすることにより、事前調整が不要となり、効率的にホストボードを製造することができる。

本発明に係るホストボードの製造方法の一実施の形態は、発光素子、受光素子、及び発光素子及び受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段を有する光モジュールを準備する工程と、光モジュールが搭載されるとデータに基づいて発光素子及び受光素子を制御する第１の制御手段と、受光素子の出力に基づいて発光素子の出力を制御する第２の制御手段とを有するホストボード用の基板を準備する工程と、基板に光モジュールを搭載する工程とを備えたことを特徴とする。

上記構成によれば、発光素子、受光素子、及び発光素子及び受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段を有する光モジュールを準備する工程と、光モジュールが搭載されるとデータに基づいて発光素子及び受光素子を制御する第１の制御手段と、受光素子の出力に基づいて発光素子の出力を制御する第２の制御手段とを有するホストボード用の基板を準備する工程と、基板に前記光モジュールを搭載する工程とを備えたことにより、光モジュールが搭載されたホストボードで発光素子および受光素子の特性データに対応した制御を自動的に実現できるので、従来型のホストボードのような光トランシーバモジュールという形態をとる必要がなくなる。この結果、事前調整が不要となり、製造工数を削減したホストボード、およびホストボードの製造方法の提供を実現することができる。

なお、上述した実施の形態は、本発明の好適な実施の形態の一例を示すものであり、本発明はそれに限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変形実施が可能である。

本発明に係る光モジュール、ホストボード、及びホストボードの製造方法は、事前調整を不要とするものであって、ＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）またはＡＰＤ（Ａｖａｌａｎｃｈｅ Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ）またはその両方を内蔵する光モジュールにおいて、それらを温度制御するための回路を事前に調整することなしにホストボード８上で自動的に温度制御することを特徴とする。

図１は本発明に係るホストボードの製造方法を適用した光モジュール及びホストボードの一実施例を示す概念図である。
図１に示すように、光モジュール１はＬＤ２およびＡＰＤ３および記憶手段４を内蔵している。記憶手段４にはあらかじめＬＤ２およびＡＰＤ３の特性に関するデータが記録されている。
ホストボード８上に設置された制御回路５は、光モジュール１の記憶手段４の記憶領域からＬＤ２およびＡＰＤ３の特性に関する情報を読み出し、目標とする光出力パワーおよび受光感度が得られるようにレーザードライバ６および駆動回路（例えば、昇圧回路）７を自動制御する。

すなわち、記憶手段４の記憶領域に記録されたＬＤ２およびＡＰＤ３に関する特性データを用いてホストボード８上の制御回路５がレーザードライバ６および昇圧回路７を自動制御するため、従来実施されてきた事前のＬＤ２およびＡＰＤ３の温度調整が不要となることを特徴とする。

本発明に係る光モジュールの制御方式を図１を参照して説明する。
光モジュール１はＬＤ２およびＡＰＤ３および記憶手段４を内蔵している。記憶手段４の記憶領域にはあらかじめＬＤ２およびＡＰＤ３の特性に関するデータが記録されている。ＬＤ２に関するデータは、電流−光変換効率（η）、発光しきい値（Ｉｔｈ）およびこれらの温度変動特性がある。ＡＰＤ３に関するデータは、光−電流変換効率（Ｓ）、ブレイクダウン電圧（Ｖｂｒ）およびこれらの温度変動特性がある。レーザードライバ６はＬＤ２を駆動するための回路である。
レーザードライバ６は変調電流（Ｉｍｏｄ）およびバイアス電流（Ｉｂｉａｓ）をＬＤ２に流すことによりＬＤ２を目的の光出力パワーおよび消光比で駆動する。

第１の制御手段としての制御回路５は、記憶手段４の記憶領域から読み出したＬＤ２に関する特性データ（η、Ｉｔｈ）に応じてＩｍｏｄおよびＩｂｉａｓを決める。
昇圧回路７は、ＡＰＤ３の逆バイアス電圧（Ｖｂｉａｓ）を発生する回路である。ＡＰＤ３はＶｂｉａｓにより受光効率が決められ、受光感度特性を決定する。最適なＶｂｉａｓはＡＰＤ３の特性に依存する。制御回路５は記憶手段４の記憶領域から読み出したＡＰＤ３に関する特性データ（Ｓ、Ｖｂｒ）に応じてＶｂｉａｓを決める。

〔実施例の動作の説明〕
次に、本発明に係るホストボードの動作を説明する。
図１の記憶手段４の記憶領域には、あらかじめＬＤ２およびＡＰＤ３の特性に関するデータが記録されている。
図２は、一般的なレーザーダイオード（ＬＤ）の特性を示したグラフである。横軸がＬＤに流す電流、縦軸が発光パワーを示す。この図で示されているように発光パワーおよび消光比は以下の関係式（１）〜（４）で表される。

Ｐ１＝η×（Ｉｍｏｄ＋Ｉｂｉａｓ−Ｉｔｈ） …（１）
（ただし、ここではＩｔｈによる発光は充分小さいとして無視する）
Ｐ０＝η×（Ｉｂｉａｓ−Ｉｔｈ） …（２）
（ただし、ここではＩｔｈによる発光は充分小さいとして無視する）
Ｐａｖｅ＝（Ｐ１＋Ｐ０）／２ …（３）
ＥＲ＝Ｐ１／Ｐ０＝Ｉｍｏｄ／（Ｉｂｉａｓ−Ｉｔｈ） …（４）
（ただし、ここではＩｔｈによる発光は充分小さいとして無視する）

ここで、Ｐａｖｅは平均光出力パワー、ＥＲは消光比、ＩｍｏｄはＬＤに流す変調電流、ＩｂｉａｓはＬＤに流すバイアス電流、ＩｔｈはＬＤの発光しきい値、ηはＬＤの電流−光変換効率を示す。
また、一般的にＬＤを実装した光モジュールはＬＤの発光パワーをモニタするフォトダイオード（モニタＰＤ）を実装している。発光パワーとモニタＰＤに流れる電流とは比例関係にあるため、モニタ電流を測定することでＰａｖｅを決めることができる。

ここで、規定発光パワーＰａのときにモニタＰＤに流れる電流をＩｍｏｎと仮定すると、Ｐａｖｅの発光パワーを得るのに必要な駆動電流（＝Ｉｍｏｄ＋Ｉｂｉａｓ）は以下の式（５）で表される。
Ｉｍｏｄ／２＋Ｉｂｉａｓ＝Ｐａｖｅ／Ｐａ×Ｉｍｏｎ＋Ｉｔｈ …（５）
つまり、ＬＤを実装した光モジュールの特性データであるηおよびＩｔｈ、Ｉｍｏｎが分かれば、目標とする発光パワーＰａｖｅおよび消光比ＥＲに設定するために必要な電流条件ＩｍｏｄおよびＩｂｉａｓを決定することができる。

ただし、これらηおよびＩｔｈ，Ｉｍｏｎは温度により変動するため、温度に対応した特性データを事前に取得する必要がある。これらの情報を図１の記憶手段４の記憶領域に記憶することにより、記憶手段４から呼び出した特性データから温度に対応した最適なＩｍｏｄおよびＩｂｉａｓをホストボード８上で制御回路が自動的に決定することができる。
実際には、ホストボード８の温度環境と記憶領域に格納された特性データの温度条件が一致しないため、温度Ｔをパラメータとした計算式を個別に導出する。そのパラメータは以下の式（６）、（７）で規定される。

ここで、ｆ（），ｇ（）は関数を示す。
Ｉｍｏｄ＝ｆ（η，Ｉｔｈ，Ｉｍｏｎ，Ｐａ，Ｐａｖｅ，ＥＲ，Ｔ） …（６）
Ｉｂｉａｓ＝ｇ（η，Ｉｔｈ，Ｉｍｏｎ，Ｐａ，Ｐａｖｅ，ＥＲ，Ｔ） …（７）

図３は、一般的なアバランシェダイオード（Ａｖａｌａｎｃｈｅ Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ：ＡＰＤ）の特性を示したグラフである。
図３において、横軸がＡＰＤに印加する逆バイアス電圧Ｖｂｉａｓ、縦軸がＡＰＤに流れる電流Ｉａｐｄである。
ＡＰＤを実装した光モジュールの特性パラメータのうち、変換効率Ｓとブレイクダウン電圧Ｖｂｒが光モジュールの特性を決める主要なパラメータとなる。変換効率ＳはＡＰＤの増倍率Ｍが１のときの光−電流変換効率である。ＡＰＤ電流Ｉａｐｄは下式（８）によって決まる。
Ｉａｐｄ＝Ｍ×Ｓ×Ｐｉｎ …（８）
ここで、Ｐｉｎは受光パワーを示す。増倍率Ｍは印加電圧Ｖｂｒによって決めることができる。

つまり、ＳおよびＶｂｒが分かれば、目標とする受光電流Ｉａｐｄに設定するために必要なＶｂｉａｓを決定することができる。
ただし、ＭとＶｐａｄの関係は温度により変動するため、温度に対応した特性データを事前に取得する必要がある。これらの情報を図１の記憶手段４の記憶領域に記憶することにより、記憶手段４から呼び出した特性データから温度に対応した最適なＶｂｉａｓをホストボード８上で制御回路が自動的に決定することができる。

実際には、ホストボード８の温度環境と記憶領域に格納された特性データの温度条件が一致しないため、温度Ｔをパラメータとした計算式を個別に導出する。そのパラメータは以下の式（９）で規定される。ここで、ｈ（）は関数を示す。
Ｖｂｉａｓ＝ｈ（Ｓ，Ｖｂｒ，Ｔ） …（９）

図４は図１の記憶手段４の記憶領域に記憶する特性データの一例を示している。
ここでは温度特性をいくつかの代表的な温度条件を取得した結果を記憶している。ホストボード８はこれらのデータを読み出し、各データの間の温度は補間式を導出することによって算出することができる。特性データの温度特性を記憶手段４の記憶領域に記憶することで、図１の制御回路５でＬＤ２およびＡＰＤ３を制御するために必要なパラメータを抽出し、自動的に制御することができる。

〔効果の説明〕
本発明の第１の効果は、ＬＤおよびＡＰＤの事前調整および試験が不要なことである。

本発明の第２の効果は、ＬＤおよびＡＰＤを内蔵した光モジュールを光トランシーバモジュールという機能モジュールにパッケージ化することなしに、ＬＤおよびＡＰＤの温度制御ができることである。

本発明の第３の効果は、事前にＬＤおよびＡＰＤの調整を実施しないため、ホストボード上で任意のＬＤおよびＡＰＤの調整をすることができることである。

図５は図１に示した記憶手段の記憶領域に記憶するデータの図４の他の実施例を示す説明図である。それぞれのパラメータη、Ｉｔｈ、Ｉｍｏｎ、Ｓ、Ｖｂｒを温度特性の関数で記憶する。
このようにデータを構成しても実施例１と同様の効果が得られる。
尚、本実施例では、ＬＤおよびＡＰＤの両方を内蔵した光モジュールを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されずＬＤのみを内蔵した光モジュールもしくはＡＰＤのみを内蔵した光モジュールでも同様の効果が得られる。

表１は従来の光モジュール構成と本発明による構成の部品点数を比較した表である。
本発明による構成では記憶領域４の部品点数が増えるが、光トランシーバモジュール１０を構成する機構部品およびプリント基板が不要になる。一般に光トランシーバモジュール１０を構成する機構部品およびプリント基板に対して、記憶領域４の価格は非常に安価であるため、本発明により部材価格の低減を図ることができる。

図７に従来型の光トランシーバモジュールに必要な試験と設備の構成とを示す。
同図において、光モジュール１の組立（ステップＳ１）には光モジュール組立設備を必要とする。
光モジュール１の試験（ステップＳ２）にはパワーメータ、恒温槽もしくはヒータなどの温度制御槽、電流計、電圧計を必要とする。
光トランシーバモジュール１０の組立（ステップＳ３）には光トランシーバモジュール組立設備を必要とする。
光トランシーバモジュール１０の調整・試験（ステップＳ４）にはパワーメータ、光オシロスコープ、パルスパターンジェネレータ、エラーデティクタ、スペクトラムアラナイザ、光減衰器、恒温槽もしくはヒータなどの温度制御槽、電流計、電圧計を必要とする。
ホストボード８への実装（ステップＳ５）を経てホストボード８の試験（ステップＳ６）にはホストボード試験設備を必要とする。

次に図８に本発明の光モジュールによる構成に必要な試験設備の構成を示す。
同図において、光モジュール１の組立（ステップＳ１１）には光モジュール組立設備を必要とする。
光モジュール１の試験（ステップＳ１２）にはパワーメータ、恒温槽もしくはヒータなどの温度制御槽、電流計、電圧計を必要とする。
光モジュール１の記憶手段４の記憶領域へのデータ書き込み（ステップＳ１３）には汎用のコンピュータを必要とする。
ホストボード８への実装（ステップＳ１４）を経て、ホストボード８の試験（ステップＳ１５）にはホストボード試験設備を必要とする。

図７及び図８より、本発明による構成では、従来の構成に比べて、光トランシーバモジュールの試験に必要な設備が不要となることが分かる。本発明による構成では記憶手段４の記憶領域へのデータ書き込み作業が増えているが、これに必要な設備は汎用のコンピュータであり、本発明により設備の削減を図ることができる。

図９に従来型の光トランシーバモジュールに必要な工数を示す。
同図において、光モジュール１の組立（ステップＳ１）には光モジュールの組み立て：Ａを必要とする。
光モジュール１の試験（ステップＳ２）には光モジュール１の試験：Ｂを必要とする。
光トランシーバモジュール１０の組立（ステップＳ３）には光トランシーバモジュールの組み立て：Ｃを必要とする。
光トランシーバモジュール１０の調整・試験（ステップＳ４）には光トランシーバモジュール１０の調整：Ｄ及び光トランシーバモジュール１０の試験：Ｅを必要とする。
ホストボード８への実装（ステップＳ５）にはホストボード８への実装：Ｆを必要とする。
ホストボード８の試験（ステップＳ６）にはホストボード試験：Ｇを必要とする。

図１０に本発明による構成に必要な工数を示す。
同図において、光モジュール１の組立（ステップＳ１１）には光モジュールの組み立て：Ａを必要とする。
光モジュール１の試験（ステップＳ１２）には光モジュール１の試験：Ｂを必要とする。
光モジュール１の記憶手段４の記憶領域へのデータ書き込み（ステップＳ１３）にはデータ書き込み：Ｚを必要とする。
ホストボード８への実装（ステップＳ１４）にはホストボード８への実装：Ｆを必要とする。
ホストボード８の試験（ステップＳ１５）にはホストボード８の試験：Ｇ＋Ｈを必要とする。

図９より従来型の光トランシーバモジュールでは、Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ＋Ｆ＋Ｇの工数がかかることが分かる。図１０より本発明による構成では、Ａ＋Ｂ＋Ｆ＋Ｇ＋Ｈ＋Ｚの工数がかかる。その差はＣ＋Ｄ＋Ｅ−Ｈ−Ｚとなる。

ここで、一般的にはＣ＋Ｄ＋Ｅ＞Ｈ＋Ｚであるので、本発明により工数の削減を図ることができることが分かる。

本発明は、光通信ネットワークの局舎装置、加入者側装置（モデム）に利用することができる。

本発明に係るホストボードの製造方法を適用した光モジュール及びホストボードの一実施例を示す概念図である。 一般的なレーザーダイオード（ＬＤ）の特性を示したグラフである。 一般的なアバランシェダイオード（Ａｖａｌａｎｃｈｅ Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ：ＡＰＤ）の特性を示したグラフである。 図１の記憶手段４の記憶領域に記憶する特性データの一例を示している。 図１に示した記憶手段の記憶領域に記憶するデータの図４の他の実施例を示す説明図である。 従来のホストボードの構成を示す図である。 従来型の光トランシーバモジュールに必要な試験と設備の構成とを示す説明図である。 本発明の光モジュールによる構成に必要な試験設備の構成を示す説明図である。 従来型の光トランシーバモジュールに必要な工数を示す説明図である。 本発明による構成に必要な工数を示す説明図である。

符号の説明

１ 光モジュール
２ レーザーダイオード（ＬＤ）
３ アバランシェダイオード（ＡＰＤ）
４ 記憶手段
５ 制御回路（第１の制御手段）
６ レーザードライバ
７ ＡＰＤ駆動回路（昇圧回路）
８ ホストボード（ＨＯＳＴ ＢＯＡＲＤ）
９ 制御・駆動回路

Claims (6)

1. 発光素子と、受光素子と、前記発光素子及び前記受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段とを有することを特徴とする光モジュール。
2. 発光素子、受光素子、及び前記発光素子及び前記受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段を有する光モジュールと、
   前記光モジュールが搭載されると前記データに基づいて前記発光素子及び前記受光素子を制御する第１の制御手段とを備えたことを特徴とするホストボード。
3. 発光素子、受光素子、及び前記発光素子及び前記受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段を有する光モジュールと、
   前記光モジュールが搭載されると前記データに基づいて前記発光素子及び前記受光素子を制御する第１の制御手段と、前記受光素子の出力に基づいて前記発光素子の出力を制御する第２の制御手段とを備えたことを特徴とするホストボード。
4. 前記第１の制御手段は、リアルタイムに前記発光素子及び前記受光素子を制御するパラメータを計算することを特徴とする請求項２記載のホストボード。
5. 前記第１の制御手段は、変換効率Ｓをパラメータとすることを特徴とする請求項２または３記載のホストボード。
6. 発光素子、受光素子、及び前記発光素子及び前記受光素子の特性に関するデータを記録した記憶手段を有する光モジュールを準備する工程と、
   前記光モジュールが搭載されると前記データに基づいて前記発光素子及び前記受光素子を制御する第１の制御手段と、前記受光素子の出力に基づいて前記発光素子の出力を制御する第２の制御手段とを有するホストボード用の基板を準備する工程と、
   前記基板に前記光モジュールを搭載する工程とを備えたことを特徴とするホストボードの製造方法。

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