JPH09162811A - 半導体装置搭載モジュール、光トランスミッタ、レーザダイオードの特性情報作成方法及び光伝送装置 - Google Patents
半導体装置搭載モジュール、光トランスミッタ、レーザダイオードの特性情報作成方法及び光伝送装置Info
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- JPH09162811A JPH09162811A JP7344880A JP34488095A JPH09162811A JP H09162811 A JPH09162811 A JP H09162811A JP 7344880 A JP7344880 A JP 7344880A JP 34488095 A JP34488095 A JP 34488095A JP H09162811 A JPH09162811 A JP H09162811A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザダイオードの温度特性とそれを駆動制
御する回路の温度特性の相違による消光不良や発光遅延
を解消する。 【解決手段】 レーザダイオード（２００）の駆動電流
を温度と目標とする光出力とに応じて決定するための特
性情報を保持する不揮発性記憶手段（４３）を備え、制
御手段（４１）が温度と目標とする光出力とに応じた特
性情報を前記不揮発性記憶手段から選択し、それに基づ
いてドライバ回路（２１）が供給する駆動電流を制御す
る。これにより、消光誤差や発光遅延無くレーザダイオ
ードを発光駆動することができる。
御する回路の温度特性の相違による消光不良や発光遅延
を解消する。 【解決手段】 レーザダイオード（２００）の駆動電流
を温度と目標とする光出力とに応じて決定するための特
性情報を保持する不揮発性記憶手段（４３）を備え、制
御手段（４１）が温度と目標とする光出力とに応じた特
性情報を前記不揮発性記憶手段から選択し、それに基づ
いてドライバ回路（２１）が供給する駆動電流を制御す
る。これにより、消光誤差や発光遅延無くレーザダイオ
ードを発光駆動することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度特性等の特性
が相違される複数の半導体装置を搭載したモジュール、
例えばレーザダイオードを備えた光トランスミッタに係
り、特に、レーザダイオードの温度特性とそれを駆動制
御する回路の温度特性の相違による不都合を解消する技
術に関し、例えば、光伝送装置に適用して有効な技術に
関するものである。
が相違される複数の半導体装置を搭載したモジュール、
例えばレーザダイオードを備えた光トランスミッタに係
り、特に、レーザダイオードの温度特性とそれを駆動制
御する回路の温度特性の相違による不都合を解消する技
術に関し、例えば、光伝送装置に適用して有効な技術に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ダブルヘテロ接合などを有するレーザダ
イオード（以下単にＬＤとも称する）は、それに順方向
電流を流すと、それがある電流値以上になるとレーザ発
振を開始して、レーザ光を放出する。このレーザ発振開
始の電流をしきい値電流Ｉｔｈと言う。レーザダイオー
ドに流すべき順方向電流Ｉｄの大きさは、必要な光出力
に応じて決定される。この順方向電流Ｉｄは、概略的
に、Ｉｔｈ＋Ｉｍｏｄと表すことができる。Ｉｍｏｄを
変調電流と称し、必要な順方向電流のうち、変調電流を
ＬＤに流したりカットオフしたりすること（変調電流の
オン／オフ制御と称する）によって、ＬＤの光出力をオ
ン／オフせることができる。ＬＤを用いた光通信ではそ
の光出力のオン／オフによって情報伝達を行う。光出力
のオン／オフの高速応答性を実現するためには、順方向
電流Ｉｄのうち、変調電流Ｉｍｏｄをパルス状にオン／
オフすることが最も望ましい。
イオード（以下単にＬＤとも称する）は、それに順方向
電流を流すと、それがある電流値以上になるとレーザ発
振を開始して、レーザ光を放出する。このレーザ発振開
始の電流をしきい値電流Ｉｔｈと言う。レーザダイオー
ドに流すべき順方向電流Ｉｄの大きさは、必要な光出力
に応じて決定される。この順方向電流Ｉｄは、概略的
に、Ｉｔｈ＋Ｉｍｏｄと表すことができる。Ｉｍｏｄを
変調電流と称し、必要な順方向電流のうち、変調電流を
ＬＤに流したりカットオフしたりすること（変調電流の
オン／オフ制御と称する）によって、ＬＤの光出力をオ
ン／オフせることができる。ＬＤを用いた光通信ではそ
の光出力のオン／オフによって情報伝達を行う。光出力
のオン／オフの高速応答性を実現するためには、順方向
電流Ｉｄのうち、変調電流Ｉｍｏｄをパルス状にオン／
オフすることが最も望ましい。
【０００３】前記ＬＤは、順方向電流に対する光出力に
温度依存性を有する。そこで、例えば図９に示されるよ
うに、ＬＤの駆動電流経路に配置した電流源としてのト
ランジスタＴｒ５０のベース電圧を温度に応じて補正す
るために、当該電流源トランジスタＴｒ５０のバイアス
回路に、トランジスタＴｒ５１やダイオードＤＯのバン
ドギャップの温度依存性を利用したベースバイアス回路
を採用することができる。トランジスタＴｒ５２，Ｔｒ
５３を相補的にスイッチ制御することによって、ＬＤの
光出力をオン／オフ制御することができる。
温度依存性を有する。そこで、例えば図９に示されるよ
うに、ＬＤの駆動電流経路に配置した電流源としてのト
ランジスタＴｒ５０のベース電圧を温度に応じて補正す
るために、当該電流源トランジスタＴｒ５０のバイアス
回路に、トランジスタＴｒ５１やダイオードＤＯのバン
ドギャップの温度依存性を利用したベースバイアス回路
を採用することができる。トランジスタＴｒ５２，Ｔｒ
５３を相補的にスイッチ制御することによって、ＬＤの
光出力をオン／オフ制御することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬＤに
おける前記温度特性は、図１０に例示されるように温度
によって大きく相違される。しかも、しきい値電流と変
調電流の特性も温度に応じてそれぞれ相違される。すな
わち、所定の光出力を得る場合に必要なＬＤの順方向電
流は温度によって相違され、このとき、前記順方向電流
に含まれるしきい値電流も温度に応じて独自に相違され
る。したがって、前記順方向電流としきい値電流との差
分である変調電流も温度に応じてそれぞれ変化される。
図１０において所定の光出力Ｐｍを得るために必要なし
きい値電流Ｉｔｈ（ｉ），Ｉｔｈ（ｊ），Ｉｔｈ（ｋ）
と変調電流Ｉｍｏｄ（ｉ），Ｉｍｏｄ（ｊ），Ｉｍｏｄ
（ｋ）とは、例示された温度Ｔ（ｉ），Ｔ（ｊ），Ｔ
（ｋ）の夫々において大きく相違されている。したがっ
て、ある一定の光出力を得る場合に必要な順方向電流Ｉ
ｄは、図１１に例示されるように、温度に対して非線形
的に変化される。同じく、しきい値電流と変調電流も非
線形的に夫々変化される。これに対して、トランジスタ
やダイオードのバンドギャップの温度依存性を利用した
回路の温度に対する電流特性は、線形的に変化されるに
過ぎない。この相違により、トランジスタやダイオード
のバンドギャップの温度依存性を利用したベースバイア
ス回路では、温度変化に対するＬＤの駆動電流を高精度
に補償することができない。
おける前記温度特性は、図１０に例示されるように温度
によって大きく相違される。しかも、しきい値電流と変
調電流の特性も温度に応じてそれぞれ相違される。すな
わち、所定の光出力を得る場合に必要なＬＤの順方向電
流は温度によって相違され、このとき、前記順方向電流
に含まれるしきい値電流も温度に応じて独自に相違され
る。したがって、前記順方向電流としきい値電流との差
分である変調電流も温度に応じてそれぞれ変化される。
図１０において所定の光出力Ｐｍを得るために必要なし
きい値電流Ｉｔｈ（ｉ），Ｉｔｈ（ｊ），Ｉｔｈ（ｋ）
と変調電流Ｉｍｏｄ（ｉ），Ｉｍｏｄ（ｊ），Ｉｍｏｄ
（ｋ）とは、例示された温度Ｔ（ｉ），Ｔ（ｊ），Ｔ
（ｋ）の夫々において大きく相違されている。したがっ
て、ある一定の光出力を得る場合に必要な順方向電流Ｉ
ｄは、図１１に例示されるように、温度に対して非線形
的に変化される。同じく、しきい値電流と変調電流も非
線形的に夫々変化される。これに対して、トランジスタ
やダイオードのバンドギャップの温度依存性を利用した
回路の温度に対する電流特性は、線形的に変化されるに
過ぎない。この相違により、トランジスタやダイオード
のバンドギャップの温度依存性を利用したベースバイア
ス回路では、温度変化に対するＬＤの駆動電流を高精度
に補償することができない。
【０００５】このとき、光通信等においてはＬＤから少
なくとも所要の発光出力を得なければらない。そこで、
ＬＤに流す順方向電流をＬＤの温度特性に追従させるた
め、図９に例示されるように、ＬＤの実際の発光出力を
フォトダイオード（ＰＤ）でモニタし、モニタされた発
光出力に応ずる電流が所要の発光出力に応ずる参照電位
Ｖｒｅｆよりも小さいか大きいかをコンパレータ（ＣＭ
Ｐ）で判定し、小さい場合にはトランジスタＴｒ５４を
介してＬＤに流すバイアス電流を増す。しかしながら、
そのようなフィードバック制御によってバイアス電流を
増やし、ＬＤに流れる全体的な順方向電流の合計をＬＤ
の温度特性に合わせるようなオートパワーコントロール
を行っても、光出力のオン／オフ制御のためにトランジ
スタＴｒ５３によってオン／オフ制御される電流は、Ｌ
Ｄのそのときの温度特性に適合していない。例えば、図
１１において、温度Ｔ（ｊ）でＬＤに所要の発光出力を
得るために必要な順方向電流をＩｄ（ｊ）、このときＬ
Ｄの駆動回路によって供給可能にされる駆動電流をＩＣ
（ｊ）とすると、その差分の電流は前記オートパワーコ
ントロールによってＬＤのバイアス電流に加えられる。
この差分の電流は変調電流としてオン／オフ制御の対象
にされない。これにより、変調電流をオフ状態（トラン
ジスタＴｒ５３をオフ）にしたときの電流値がしきい値
電流よりも大きくなって消光不良を生じたり、変調電流
をオフ状態にしたときの電流値がしきい値電流よりも小
さくなって発光遅延を生じたりする不都合が生ずる。
なくとも所要の発光出力を得なければらない。そこで、
ＬＤに流す順方向電流をＬＤの温度特性に追従させるた
め、図９に例示されるように、ＬＤの実際の発光出力を
フォトダイオード（ＰＤ）でモニタし、モニタされた発
光出力に応ずる電流が所要の発光出力に応ずる参照電位
Ｖｒｅｆよりも小さいか大きいかをコンパレータ（ＣＭ
Ｐ）で判定し、小さい場合にはトランジスタＴｒ５４を
介してＬＤに流すバイアス電流を増す。しかしながら、
そのようなフィードバック制御によってバイアス電流を
増やし、ＬＤに流れる全体的な順方向電流の合計をＬＤ
の温度特性に合わせるようなオートパワーコントロール
を行っても、光出力のオン／オフ制御のためにトランジ
スタＴｒ５３によってオン／オフ制御される電流は、Ｌ
Ｄのそのときの温度特性に適合していない。例えば、図
１１において、温度Ｔ（ｊ）でＬＤに所要の発光出力を
得るために必要な順方向電流をＩｄ（ｊ）、このときＬ
Ｄの駆動回路によって供給可能にされる駆動電流をＩＣ
（ｊ）とすると、その差分の電流は前記オートパワーコ
ントロールによってＬＤのバイアス電流に加えられる。
この差分の電流は変調電流としてオン／オフ制御の対象
にされない。これにより、変調電流をオフ状態（トラン
ジスタＴｒ５３をオフ）にしたときの電流値がしきい値
電流よりも大きくなって消光不良を生じたり、変調電流
をオフ状態にしたときの電流値がしきい値電流よりも小
さくなって発光遅延を生じたりする不都合が生ずる。
【０００６】例えば図１０において、温度Ｔ（ｋ）の雰
囲気中において、図９のトランジスタＴｒ５０に流せる
ところの変調電流が、トランジスタＴｒ５０等の温度特
性によってＩ１（Ｉ１＜Ｉｍｏｄ（ｋ））であるとする
と、発光出力Ｐｍを得るために、図９のトランジスタＴ
ｒ５４にはバイアス電流Ｉ２（Ｉ２＞Ｉｔｈ（ｋ））が
流される。そうすると、ＬＤをオフ状態にするために変
調電流Ｉ１がゼロにされたとき、ＬＤに流れるバイアス
電流は、そのときの温度Ｔ（ｋ）におけるＬＤのしきい
値電流Ｉｔｈ（ｋ）を越え、これによってＬＤは完全に
消光されない。また、図１０において、温度Ｔ（ｉ）の
雰囲気中において、図９のトランジスタＴｒ５０に流せ
るところの変調電流が、トランジスタＴｒ５０等の温度
特性によってＩ３（Ｉ３＞Ｉｔｈ（ｉ））であるとする
と、発光出力Ｐｍを得るために図９のトランジスタＴｒ
５４にはバイアス電流Ｉ４（Ｉ４＜Ｉｔｈ（ｉ））が流
される。この状態でＬＤをオフにするために変調電流Ｉ
３がゼロにされると、ＬＤに流れるバイアス電流は、そ
のときの温度Ｔ（ｉ）におけるＬＤのしきい値電流Ｉｔ
ｈ（ｉ）よりも小さくされ、これによって、次にＬＤを
点灯するときは、ＬＤに流れようとする変調電流がその
しきい値電圧Ｉｔｈ（ｉ）を越えるまでの遅延時間を待
って初めてＬＤが発光される。
囲気中において、図９のトランジスタＴｒ５０に流せる
ところの変調電流が、トランジスタＴｒ５０等の温度特
性によってＩ１（Ｉ１＜Ｉｍｏｄ（ｋ））であるとする
と、発光出力Ｐｍを得るために、図９のトランジスタＴ
ｒ５４にはバイアス電流Ｉ２（Ｉ２＞Ｉｔｈ（ｋ））が
流される。そうすると、ＬＤをオフ状態にするために変
調電流Ｉ１がゼロにされたとき、ＬＤに流れるバイアス
電流は、そのときの温度Ｔ（ｋ）におけるＬＤのしきい
値電流Ｉｔｈ（ｋ）を越え、これによってＬＤは完全に
消光されない。また、図１０において、温度Ｔ（ｉ）の
雰囲気中において、図９のトランジスタＴｒ５０に流せ
るところの変調電流が、トランジスタＴｒ５０等の温度
特性によってＩ３（Ｉ３＞Ｉｔｈ（ｉ））であるとする
と、発光出力Ｐｍを得るために図９のトランジスタＴｒ
５４にはバイアス電流Ｉ４（Ｉ４＜Ｉｔｈ（ｉ））が流
される。この状態でＬＤをオフにするために変調電流Ｉ
３がゼロにされると、ＬＤに流れるバイアス電流は、そ
のときの温度Ｔ（ｉ）におけるＬＤのしきい値電流Ｉｔ
ｈ（ｉ）よりも小さくされ、これによって、次にＬＤを
点灯するときは、ＬＤに流れようとする変調電流がその
しきい値電圧Ｉｔｈ（ｉ）を越えるまでの遅延時間を待
って初めてＬＤが発光される。
【０００７】本発明の目的は、レーザダイオードのよう
な第１の半導体装置の特性とそれを駆動するような第２
の半導体装置の特性とが相違する場合の不都合を解消す
ることにある。具体的な態様としては、レーザダイオー
ドの温度特性とそれを駆動制御する回路の温度特性の相
違による不都合を解消することにある。例えば、変調電
流をオフ状態にしたときの電流値がレーザダイオードの
しきい値電流よりも大きくなって消光不良を生じたり、
変調電流をオフ状態にしたときの電流値がレーザダイオ
ードのしきい値電流よりも小さくなって発光遅延を生じ
たりする不都合を解消することになる。更に、そのよう
な不都合を高い精度で解消できるようにすることにあ
る。本発明の別の目的は、内部状態をＬＤの温度特性に
適合させることを初めとして、光トランスミッタや光伝
送装置の内部状態の設定を容易に且つ柔軟性をもって行
うことができるようにすることにある。
な第１の半導体装置の特性とそれを駆動するような第２
の半導体装置の特性とが相違する場合の不都合を解消す
ることにある。具体的な態様としては、レーザダイオー
ドの温度特性とそれを駆動制御する回路の温度特性の相
違による不都合を解消することにある。例えば、変調電
流をオフ状態にしたときの電流値がレーザダイオードの
しきい値電流よりも大きくなって消光不良を生じたり、
変調電流をオフ状態にしたときの電流値がレーザダイオ
ードのしきい値電流よりも小さくなって発光遅延を生じ
たりする不都合を解消することになる。更に、そのよう
な不都合を高い精度で解消できるようにすることにあ
る。本発明の別の目的は、内部状態をＬＤの温度特性に
適合させることを初めとして、光トランスミッタや光伝
送装置の内部状態の設定を容易に且つ柔軟性をもって行
うことができるようにすることにある。
【０００８】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【００１０】すなわち、相互に特性の異なる第１の半導
体装置（２０）と第２の半導体装置（２１）とを有する
半導体装置搭載モジュール（１）において、予め測定さ
れた、少なくとも前記第１の半導体装置又は第２の半導
体装置の特性情報に応じて、少なくとも第１又は第２の
半導体装置を制御するデータ処理装置（４）をそのモジ
ュールに搭載するものである。
体装置（２０）と第２の半導体装置（２１）とを有する
半導体装置搭載モジュール（１）において、予め測定さ
れた、少なくとも前記第１の半導体装置又は第２の半導
体装置の特性情報に応じて、少なくとも第１又は第２の
半導体装置を制御するデータ処理装置（４）をそのモジ
ュールに搭載するものである。
【００１１】具体的な態様として、前記半導体装置搭載
モジュールの一例である光トランスミッタ（２）は、光
通信用のレーザダイオード（２００）と、前記レーザダ
イオードにその光出力を決定するための駆動電流を供給
するドライバ回路（２１、Ｔｒ１，Ｔｒ２）と、前記レ
ーザダイオードの駆動電流を温度と目標とする光出力と
に応じて決定するための特性情報を保持する不揮発性記
憶手段（４３）と、温度と目標とする光出力とに応じた
特性情報を前記不揮発性記憶手段から選択し、それに基
づいて前記ドライバ回路が供給する駆動電流を制御する
制御手段（４１，４９）とを含む。これにより、レーザ
ダイオードの温度特性とそれを駆動制御する回路の温度
特性の相違による不都合を解消することができる。例え
ば、そのときの使用雰囲気温度におけるレーザダイオー
ドのしきい値電流に対応する特性情報と、必要な光出力
をその温度下で得るために前記しきい値電流に加えられ
るべき変調電流に対応される特性情報とを選択すること
により、消光誤差や発光遅延無くレーザダイオードを発
光駆動することが可能になる。
モジュールの一例である光トランスミッタ（２）は、光
通信用のレーザダイオード（２００）と、前記レーザダ
イオードにその光出力を決定するための駆動電流を供給
するドライバ回路（２１、Ｔｒ１，Ｔｒ２）と、前記レ
ーザダイオードの駆動電流を温度と目標とする光出力と
に応じて決定するための特性情報を保持する不揮発性記
憶手段（４３）と、温度と目標とする光出力とに応じた
特性情報を前記不揮発性記憶手段から選択し、それに基
づいて前記ドライバ回路が供給する駆動電流を制御する
制御手段（４１，４９）とを含む。これにより、レーザ
ダイオードの温度特性とそれを駆動制御する回路の温度
特性の相違による不都合を解消することができる。例え
ば、そのときの使用雰囲気温度におけるレーザダイオー
ドのしきい値電流に対応する特性情報と、必要な光出力
をその温度下で得るために前記しきい値電流に加えられ
るべき変調電流に対応される特性情報とを選択すること
により、消光誤差や発光遅延無くレーザダイオードを発
光駆動することが可能になる。
【００１２】更に、ドライバ回路の制御情報がセットさ
れるデータラッチ手段（ＬＡＴ５，ＬＡＴ６）を含むこ
とができる。前記特性情報は、レーザダイオードの駆動
電流を温度と目標とする光出力とに応じて前記データラ
ッチ手段に直接設定可能な情報とすることができる。
れるデータラッチ手段（ＬＡＴ５，ＬＡＴ６）を含むこ
とができる。前記特性情報は、レーザダイオードの駆動
電流を温度と目標とする光出力とに応じて前記データラ
ッチ手段に直接設定可能な情報とすることができる。
【００１３】前記レーザダイオードの駆動電流を検出す
る駆動電流検出手段（Ａ／Ｄ１，ＬＡＴ１Ａ／Ｄ２，Ｌ
ＡＴ２）を供えるとき、前記制御手段は当該駆動電流検
出手段が検出した情報をアクセス可能である。そして、
前記ドライバ回路の制御情報がセットされるデータラッ
チ手段（ＬＡＴ５，ＬＡＴ６）を含むとき、前記制御手
段は、前記駆動電流検出手段から得られる駆動電流が前
記不揮発性記憶手段から選択した特性情報に対応される
ように、前記データラッチ手段に制御情報をセットする
ようにできる。このときの特性情報は、温度と目標とす
る光出力とに応じてレーザダイオードに供給すべき駆動
電流情報とされ、データラッチ手段（ＬＡＴ５，ＬＡＴ
６）に直接設定可能なデータとは相違される。
る駆動電流検出手段（Ａ／Ｄ１，ＬＡＴ１Ａ／Ｄ２，Ｌ
ＡＴ２）を供えるとき、前記制御手段は当該駆動電流検
出手段が検出した情報をアクセス可能である。そして、
前記ドライバ回路の制御情報がセットされるデータラッ
チ手段（ＬＡＴ５，ＬＡＴ６）を含むとき、前記制御手
段は、前記駆動電流検出手段から得られる駆動電流が前
記不揮発性記憶手段から選択した特性情報に対応される
ように、前記データラッチ手段に制御情報をセットする
ようにできる。このときの特性情報は、温度と目標とす
る光出力とに応じてレーザダイオードに供給すべき駆動
電流情報とされ、データラッチ手段（ＬＡＴ５，ＬＡＴ
６）に直接設定可能なデータとは相違される。
【００１４】前記レーザダイオードの光出力を検出する
光出力検出手段（２０１，Ａ／Ｄ３，ＬＡＴ３）を供え
るとき、前記制御手段は当該光出力検出手段が検出した
情報をアクセスすることができる。
光出力検出手段（２０１，Ａ／Ｄ３，ＬＡＴ３）を供え
るとき、前記制御手段は当該光出力検出手段が検出した
情報をアクセスすることができる。
【００１５】前記不揮発性記憶手段は、電気的に書き込
み可能な不揮発性半導体記憶装置で構成することができ
る。
み可能な不揮発性半導体記憶装置で構成することができ
る。
【００１６】前記制御手段は、前記データラッチ手段
（ＬＡＴ５，ＬＡＴ６）への制御情報を漸次減少又は増
加させながら、前記データラッチ手段に設定した制御情
報によって発光されるレーザダイオードの光出力を前記
光出力検出手段（２０１，Ａ／Ｄ３，ＬＡＴ３）の検出
情報に基づいて判定し、目標光出力に対応される前記駆
動電流検出手段（Ａ／Ｄ１，ＬＡＴ１、Ａ／Ｄ２，ＬＡ
Ｔ２）による検出情報とそれ以下の規定の光出力に対応
される前記駆動電流検出手段による検出情報を取得する
処理を、所要の雰囲気温度と光出力毎に行って、目標光
出力と雰囲気温度毎に前記レーザダイオードの駆動電流
に関する特性情報を作成可能である。このように、特性
情報を作成するために取得される情報は、個々の温度環
境下で光トランスミッタを実際に発光駆動させて取得し
ているので、バイポーラトランジスタ等の温度特性も実
質的に考慮されたことになり、信頼性の極めて高い制御
が実現される。したがって、レーザダイオードとそれを
駆動するための周辺回路がどんな温度特性を持っていて
も、高い信頼性をもってレーザダイオードの駆動電流な
ど制御することができる。
（ＬＡＴ５，ＬＡＴ６）への制御情報を漸次減少又は増
加させながら、前記データラッチ手段に設定した制御情
報によって発光されるレーザダイオードの光出力を前記
光出力検出手段（２０１，Ａ／Ｄ３，ＬＡＴ３）の検出
情報に基づいて判定し、目標光出力に対応される前記駆
動電流検出手段（Ａ／Ｄ１，ＬＡＴ１、Ａ／Ｄ２，ＬＡ
Ｔ２）による検出情報とそれ以下の規定の光出力に対応
される前記駆動電流検出手段による検出情報を取得する
処理を、所要の雰囲気温度と光出力毎に行って、目標光
出力と雰囲気温度毎に前記レーザダイオードの駆動電流
に関する特性情報を作成可能である。このように、特性
情報を作成するために取得される情報は、個々の温度環
境下で光トランスミッタを実際に発光駆動させて取得し
ているので、バイポーラトランジスタ等の温度特性も実
質的に考慮されたことになり、信頼性の極めて高い制御
が実現される。したがって、レーザダイオードとそれを
駆動するための周辺回路がどんな温度特性を持っていて
も、高い信頼性をもってレーザダイオードの駆動電流な
ど制御することができる。
【００１７】前記データラッチ手段、前記光出力検出手
段による検出情報、前記駆動電流検出手段による検出情
報及び前記不揮発性記憶手段を光トランスミッタの外部
からアクセス可能にするインタフェース手段を更に含む
ことができる。これにより、インタフェース手段に評価
用の外部装置を接続して、前記特性情報を作成すること
ができる。
段による検出情報、前記駆動電流検出手段による検出情
報及び前記不揮発性記憶手段を光トランスミッタの外部
からアクセス可能にするインタフェース手段を更に含む
ことができる。これにより、インタフェース手段に評価
用の外部装置を接続して、前記特性情報を作成すること
ができる。
【００１８】前記制御手段は、それが選択した特性情報
が目標とする光出力と、前記光出力検出手段によって検
出される光出力とを比較し、その比較結果に基づいてレ
ーザダイオードの発光特性の劣化を検出することができ
る。前記制御手段は、それが選択した特性情報が目標と
する光出力と、前記光出力検出手段によって検出される
光出力とを比較し、その比較結果の相違を相殺する方向
に別の特性情報を選択して採用するもことができる。こ
れによってレーザダイオードの駆動電流制御の信頼性を
更に向上させることができる。
が目標とする光出力と、前記光出力検出手段によって検
出される光出力とを比較し、その比較結果に基づいてレ
ーザダイオードの発光特性の劣化を検出することができ
る。前記制御手段は、それが選択した特性情報が目標と
する光出力と、前記光出力検出手段によって検出される
光出力とを比較し、その比較結果の相違を相殺する方向
に別の特性情報を選択して採用するもことができる。こ
れによってレーザダイオードの駆動電流制御の信頼性を
更に向上させることができる。
【００１９】光トランスミッタは更に、雰囲気温度を検
出し、その検出情報を前記制御手段がアクセスすること
を可能にする温度検出手段（１０，Ａ／Ｄ４，ＬＡＴ
４）を含むことが可能である。
出し、その検出情報を前記制御手段がアクセスすること
を可能にする温度検出手段（１０，Ａ／Ｄ４，ＬＡＴ
４）を含むことが可能である。
【００２０】光トランスミッタに含まれるレーザダイオ
ードの特性情報を作成するには、光トランスミッタの雰
囲気温度を所定に設定し、前記データラッチ手段への制
御情報を漸次減少又は増加させながら、前記データラッ
チ手段に設定した制御情報によって発光されるレーザダ
イオードの光出力を光出力検出手段の出力によって判定
し、目標光出力に対応される前記駆動電流検出手段によ
る検出情報とそれ以下の規定の光出力に対応される前記
駆動電流検出手段による検出情報を取得する第１の処理
と、光トランスミッタの雰囲気温度を所定の割合で変更
し、前記データラッチ手段への制御情報を漸次減少又は
増加させながら、前記データラッチ手段に設定した制御
情報によって発光されるレーザダイオードの光出力を光
出力検出手段の出力によって判定し、目標光出力に対応
される前記駆動電流検出手段による検出情報とそれ以下
の規定の光出力に対応される前記駆動電流検出手段によ
る検出情報を取得する第２の処理と、必要に応じて第２
の処理を繰り返す第３の処理と、前記目標光出力を変更
し前記第１乃至第３の処理を繰り返す第４の処理と、前
記第１乃至第４の処理によって得られた目標光出力と雰
囲気温度毎に得られた前記駆動電流検出手段による検出
情報に基づいて、目標光出力と雰囲気温度毎に、レーザ
ダイオードの駆動電流に関する特性情報を取得する第５
の処理とを含むことによって実現できる。この処理は、
前記制御手段が行っても、また、外部に接続したテスト
若しくは評価用のホスト装置によって行うことができ
る。
ードの特性情報を作成するには、光トランスミッタの雰
囲気温度を所定に設定し、前記データラッチ手段への制
御情報を漸次減少又は増加させながら、前記データラッ
チ手段に設定した制御情報によって発光されるレーザダ
イオードの光出力を光出力検出手段の出力によって判定
し、目標光出力に対応される前記駆動電流検出手段によ
る検出情報とそれ以下の規定の光出力に対応される前記
駆動電流検出手段による検出情報を取得する第１の処理
と、光トランスミッタの雰囲気温度を所定の割合で変更
し、前記データラッチ手段への制御情報を漸次減少又は
増加させながら、前記データラッチ手段に設定した制御
情報によって発光されるレーザダイオードの光出力を光
出力検出手段の出力によって判定し、目標光出力に対応
される前記駆動電流検出手段による検出情報とそれ以下
の規定の光出力に対応される前記駆動電流検出手段によ
る検出情報を取得する第２の処理と、必要に応じて第２
の処理を繰り返す第３の処理と、前記目標光出力を変更
し前記第１乃至第３の処理を繰り返す第４の処理と、前
記第１乃至第４の処理によって得られた目標光出力と雰
囲気温度毎に得られた前記駆動電流検出手段による検出
情報に基づいて、目標光出力と雰囲気温度毎に、レーザ
ダイオードの駆動電流に関する特性情報を取得する第５
の処理とを含むことによって実現できる。この処理は、
前記制御手段が行っても、また、外部に接続したテスト
若しくは評価用のホスト装置によって行うことができ
る。
【００２１】光伝送装置は、前記光トランスミッタと共
に光レシーバを含み、このとき、光レシーバは、前記制
御手段によってその動作態様が決定される回路モジュー
ルを含むことが可能である。例えば、光レシーバに含ま
れるプリアンプにおける受信信号のダイナミックレンジ
を前記制御手段でプログラマブルに設定することができ
る。
に光レシーバを含み、このとき、光レシーバは、前記制
御手段によってその動作態様が決定される回路モジュー
ルを含むことが可能である。例えば、光レシーバに含ま
れるプリアンプにおける受信信号のダイナミックレンジ
を前記制御手段でプログラマブルに設定することができ
る。
【００２２】
《光伝送装置》 図１には本発明の一実施例に係る光伝
送装置のブロック図が示される。光伝送装置１は、光ト
ランスミッタ２と光レシーバ３を一つの回路基板上に備
えて成る。前記光トランスミッタ２は、それぞれ個別に
半導体装置又は半導体集積回路化されたＬＤモジュール
２０、レーザドライバ２１及びフリップフロップ回路２
２を備えて成る。第１の半導体装置の一例であるＬＤモ
ジュール２０はＬＤ２００とモニタ用のフォトダイオー
ド（以下単にＰＤとも称する）２０１を有する。第２の
半導体装置の一例であるレーザドライバ２１はＬＤ２０
０を駆動するＥＣＬ回路を主体とする。前記フリップ回
路２２は、クロック信号ＣＬＫｉｎに同期して供給され
る入力データＤＡＴＡｉｎをリシェーピングしてレーザ
ドライバ２１に供給する。レーザドライバ２１は、供給
されたデータに従ってＬＤ２００の変調制御可能電流を
オン／オフ制御して、ＬＤ２００の光出力のオン／オフ
によって光ケーブルＯＰＴｏｕｔに情報を伝送する。
送装置のブロック図が示される。光伝送装置１は、光ト
ランスミッタ２と光レシーバ３を一つの回路基板上に備
えて成る。前記光トランスミッタ２は、それぞれ個別に
半導体装置又は半導体集積回路化されたＬＤモジュール
２０、レーザドライバ２１及びフリップフロップ回路２
２を備えて成る。第１の半導体装置の一例であるＬＤモ
ジュール２０はＬＤ２００とモニタ用のフォトダイオー
ド（以下単にＰＤとも称する）２０１を有する。第２の
半導体装置の一例であるレーザドライバ２１はＬＤ２０
０を駆動するＥＣＬ回路を主体とする。前記フリップ回
路２２は、クロック信号ＣＬＫｉｎに同期して供給され
る入力データＤＡＴＡｉｎをリシェーピングしてレーザ
ドライバ２１に供給する。レーザドライバ２１は、供給
されたデータに従ってＬＤ２００の変調制御可能電流を
オン／オフ制御して、ＬＤ２００の光出力のオン／オフ
によって光ケーブルＯＰＴｏｕｔに情報を伝送する。
【００２３】前記光レシーバ３は、それぞれ半導体集積
回路化されたピンフォトダイオード３０、プリアンプ３
１、メインアンプ３２及び出力バッファ３３から成る。
ピンフォトダイオード３０は光ケーブルＯＰＴｉｎに伝
送されてくる光入力を電流に変換し、変換された電流は
プリアンプ３１で検出され且つ増幅される。メインアン
プ３２はプリアンプ３１の出力をＥＣＬレベルに昇圧す
る。出力バッファ３２はメインアンプ３２の出力に基づ
いて出力データＤＡＴＡｏｕｔと同期クロックＣＬＫｏ
ｕｔを出力する。
回路化されたピンフォトダイオード３０、プリアンプ３
１、メインアンプ３２及び出力バッファ３３から成る。
ピンフォトダイオード３０は光ケーブルＯＰＴｉｎに伝
送されてくる光入力を電流に変換し、変換された電流は
プリアンプ３１で検出され且つ増幅される。メインアン
プ３２はプリアンプ３１の出力をＥＣＬレベルに昇圧す
る。出力バッファ３２はメインアンプ３２の出力に基づ
いて出力データＤＡＴＡｏｕｔと同期クロックＣＬＫｏ
ｕｔを出力する。
【００２４】前記光トランスミッタ２と光レシーバ３
は、その双方に共有される回路モジュールとして半導体
集積回路化されたマイクロコンピュータ４を有する。こ
のマイクロコンピュータ４は、光伝送装置１を全体的に
制御する回路モジュールとされ、例えば、ＬＤ２００の
温度特性を検出可能にし、それに基づいて作成されたデ
ータテーブルを利用し、ＬＤモジュール２０が必要とす
る光出力や温度等に応じて、当該ＬＤ２００の温度特性
に即して駆動電流を制御できるようにしたり、或いは、
プリアンプ３１における受信信号のダイナミックレンジ
を制御したりする。即ち、このマイクロコンピュータ４
は、予め測定された半導体装置の特性情報に応じて半導
体装置を制御するデータ処理装置の一例とされる。そし
てこのマイクロコンピュータ４は、光伝送装置１の外部
ともインタフェース可能にされている。
は、その双方に共有される回路モジュールとして半導体
集積回路化されたマイクロコンピュータ４を有する。こ
のマイクロコンピュータ４は、光伝送装置１を全体的に
制御する回路モジュールとされ、例えば、ＬＤ２００の
温度特性を検出可能にし、それに基づいて作成されたデ
ータテーブルを利用し、ＬＤモジュール２０が必要とす
る光出力や温度等に応じて、当該ＬＤ２００の温度特性
に即して駆動電流を制御できるようにしたり、或いは、
プリアンプ３１における受信信号のダイナミックレンジ
を制御したりする。即ち、このマイクロコンピュータ４
は、予め測定された半導体装置の特性情報に応じて半導
体装置を制御するデータ処理装置の一例とされる。そし
てこのマイクロコンピュータ４は、光伝送装置１の外部
ともインタフェース可能にされている。
【００２５】《光伝送装置の適用例》 図２には図１の
光伝送装置１の適用例が示される。光通信用の幹線（Ｔ
ｒｕｎｋ ２．４Ｇｂ／ｓ）５にはマルチプレクサ６が
配置され、マルチプレクサ６にはＡＴＭ（Asyncronous
transfer mode）−ＬＡＮ（Local area network）、Ｆ
ＴＴＣ（Fiber to the home）、ＦＴＴＨ（Fiber to th
e curb）の光通信回線が集線され、例えばＡＴＭ−ＬＡ
Ｎは、ＰＢＸ（Privatebranch exchenge）７、ＡＴＭハ
ブ（ＨＵＢ）８が代表的に接続され、ＡＴＭハブ８は、
光通信回線やイーサネットを介して複数のＰＣに接続さ
れている。例えばハブ８やＰＢＸ７はスイッチマトリク
スを備えたＡＴＭ交換機を内蔵し、ＡＴＭ交換機と光通
信回線とのインタフェース部分に前記光伝送装置１が回
線対応で配置されている。また、光通信回線に接続され
たＰＣカード９は当該光通信回線とのインタフェース部
分に前記光伝送装置１を有する。
光伝送装置１の適用例が示される。光通信用の幹線（Ｔ
ｒｕｎｋ ２．４Ｇｂ／ｓ）５にはマルチプレクサ６が
配置され、マルチプレクサ６にはＡＴＭ（Asyncronous
transfer mode）−ＬＡＮ（Local area network）、Ｆ
ＴＴＣ（Fiber to the home）、ＦＴＴＨ（Fiber to th
e curb）の光通信回線が集線され、例えばＡＴＭ−ＬＡ
Ｎは、ＰＢＸ（Privatebranch exchenge）７、ＡＴＭハ
ブ（ＨＵＢ）８が代表的に接続され、ＡＴＭハブ８は、
光通信回線やイーサネットを介して複数のＰＣに接続さ
れている。例えばハブ８やＰＢＸ７はスイッチマトリク
スを備えたＡＴＭ交換機を内蔵し、ＡＴＭ交換機と光通
信回線とのインタフェース部分に前記光伝送装置１が回
線対応で配置されている。また、光通信回線に接続され
たＰＣカード９は当該光通信回線とのインタフェース部
分に前記光伝送装置１を有する。
【００２６】《光トランスミッタ》 図３には前記光ト
ランスミッタ２の詳細な一例が示されている。前記ＬＤ
ドライバ２１は、ＬＤ２００に流すバイアス電流を決定
するトランジスタＴｒ１と、ＬＤ２００をオン／オフ制
御する対象電流としての変調電流を決定するトランジス
タＴｒ２を、電流源用のトランジスタとして備える。ト
ランジスタＴｒ３，Ｔｒ４は変調電流のオン／オフを制
御するスイッチング用のトランジスタである。前記トラ
ンジスタＴｒ１〜Ｔｒ４はｎｐｎ型のバイポーラトラン
ジスタとされる。
ランスミッタ２の詳細な一例が示されている。前記ＬＤ
ドライバ２１は、ＬＤ２００に流すバイアス電流を決定
するトランジスタＴｒ１と、ＬＤ２００をオン／オフ制
御する対象電流としての変調電流を決定するトランジス
タＴｒ２を、電流源用のトランジスタとして備える。ト
ランジスタＴｒ３，Ｔｒ４は変調電流のオン／オフを制
御するスイッチング用のトランジスタである。前記トラ
ンジスタＴｒ１〜Ｔｒ４はｎｐｎ型のバイポーラトラン
ジスタとされる。
【００２７】前記トランジスタＴｒ３，Ｔｒ４は並列接
続され、その共通エミッタが前記トランジスタＴｒ２の
コレクタに接続され、当該トランジスタＴｒ２のエミッ
タは抵抗Ｒ２を介して負の電源電圧Ｖｅｅ（例えば−
５．２Ｖ）に結合されている。前記トランジスタＴｒ３
のコレクタにはＬＤ２００のカソードが結合され、当該
ＰＤ２００のアノードと前記トランジスタＴｒ４のコレ
クタが接地電位のような他方の電源電圧（例えば０Ｖ）
に共通接続されている。
続され、その共通エミッタが前記トランジスタＴｒ２の
コレクタに接続され、当該トランジスタＴｒ２のエミッ
タは抵抗Ｒ２を介して負の電源電圧Ｖｅｅ（例えば−
５．２Ｖ）に結合されている。前記トランジスタＴｒ３
のコレクタにはＬＤ２００のカソードが結合され、当該
ＰＤ２００のアノードと前記トランジスタＴｒ４のコレ
クタが接地電位のような他方の電源電圧（例えば０Ｖ）
に共通接続されている。
【００２８】前記トランジスタＴｒ３，Ｔｒ４のスイッ
チング制御回路２０２は、図４にその詳細な一例が示さ
れるように、トランジスタＴｒ５とＴｒ６の直列回路
と、トランジスタＴｒ７とＴｒ８の直列回路とが一対の
電源電圧Ｖｃｃ，Ｖｅｅの間に配置されている。トラン
ジスタＴｒ５〜Ｔｒ８はｎｐｎ型バイポーラトランジス
タとされる。トランジスタＴｒ６，Ｔｒ８のベースは所
定の電圧でバイアスされ、トランジスタＴｒ５，Ｔｒ７
の負荷抵抗として機能される。換言すれば、トランジス
タＴｒ５とＴｒ６の直列回路と、トランジスタＴｒ７と
Ｔｒ８の直列回路は、それぞれエミッタフォロア回路を
構成し、トランジスタＴｒ５のエミッタが前記トランジ
スタＴｒ３のベースに、トランジスタＴｒ７のエミッタ
が前記トランジスタＴｒ４のベースに結合されている。
チング制御回路２０２は、図４にその詳細な一例が示さ
れるように、トランジスタＴｒ５とＴｒ６の直列回路
と、トランジスタＴｒ７とＴｒ８の直列回路とが一対の
電源電圧Ｖｃｃ，Ｖｅｅの間に配置されている。トラン
ジスタＴｒ５〜Ｔｒ８はｎｐｎ型バイポーラトランジス
タとされる。トランジスタＴｒ６，Ｔｒ８のベースは所
定の電圧でバイアスされ、トランジスタＴｒ５，Ｔｒ７
の負荷抵抗として機能される。換言すれば、トランジス
タＴｒ５とＴｒ６の直列回路と、トランジスタＴｒ７と
Ｔｒ８の直列回路は、それぞれエミッタフォロア回路を
構成し、トランジスタＴｒ５のエミッタが前記トランジ
スタＴｒ３のベースに、トランジスタＴｒ７のエミッタ
が前記トランジスタＴｒ４のベースに結合されている。
【００２９】前記トランジスタＴｒ５，Ｔｒ７のベース
は差動出力アンプ２０３の差動出力が供給され、その入
力が反転されると、トランジスタＴｒ３とＴｒ４のベー
ス電位の状態が反転されるようになっている。アンプ２
０３には前記フリップフロップ回路２２の出力が供給さ
れる。
は差動出力アンプ２０３の差動出力が供給され、その入
力が反転されると、トランジスタＴｒ３とＴｒ４のベー
ス電位の状態が反転されるようになっている。アンプ２
０３には前記フリップフロップ回路２２の出力が供給さ
れる。
【００３０】前記トランジスタＴｒ３のベース電位が高
レベルにされるとトランジスタＴｒ３は飽和状態に移行
され、トランジスタＴｒ４のベースが高レベルにされる
とトランジスタＴｒ４は飽和状態に移行される。トラン
ジスタＴｒ３，Ｔｒ４の飽和状態への移行は相補的に行
われ、これにより、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ４が相補
的にスイッチング動作されることにより、電流源トラン
ジスタＴｒ２を介してＬＤ２００にパルス状に変調電流
が供給されることになる。
レベルにされるとトランジスタＴｒ３は飽和状態に移行
され、トランジスタＴｒ４のベースが高レベルにされる
とトランジスタＴｒ４は飽和状態に移行される。トラン
ジスタＴｒ３，Ｔｒ４の飽和状態への移行は相補的に行
われ、これにより、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ４が相補
的にスイッチング動作されることにより、電流源トラン
ジスタＴｒ２を介してＬＤ２００にパルス状に変調電流
が供給されることになる。
【００３１】図３に示されるように、前記トランジスタ
Ｔｒ１はそのコレクタが前記トランジスタＴｒ３のコレ
クタに結合され、そのエミッタが抵抗Ｒ１を介して電源
電圧Ｖｅｅに結合されている。このトランジスタＴｒ１
はそれに印加されるベース電圧に従ってＬＤ２００にバ
イアス電流を流す。
Ｔｒ１はそのコレクタが前記トランジスタＴｒ３のコレ
クタに結合され、そのエミッタが抵抗Ｒ１を介して電源
電圧Ｖｅｅに結合されている。このトランジスタＴｒ１
はそれに印加されるベース電圧に従ってＬＤ２００にバ
イアス電流を流す。
【００３２】前記ＰＤ２０１は抵抗Ｒ３に直列接続され
て一対の電源電圧Ｖｃｃ，Ｖｅｅの間に逆方向接続状態
で配置されている。ＰＤ２０１はＬＤ２００から出力さ
れる発光出力に応じた電流を流す。
て一対の電源電圧Ｖｃｃ，Ｖｅｅの間に逆方向接続状態
で配置されている。ＰＤ２０１はＬＤ２００から出力さ
れる発光出力に応じた電流を流す。
【００３３】前記マイクロコンピュータ４は、それぞれ
内部バス４０に結合された中央処理装置（ＣＰＵ）４
１、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）４２、ＲＯＭ
（リードオンリメモリ）４３，４９及びタイマ（ＴＭ
Ｒ）４８を有し、外部とのインタフェース手段として、
アナログ入力回路４４、アナログ出力回路４５及びその
他の入出力回路４６が内部バスに接続され、更に、ＣＰ
Ｕ４１の暴走等を検出するためのウオッチドッグタイマ
４７が設けられて構成され、それら回路モジュールは単
一の半導体基板に形成されている。前記ＲＡＭ４２はＣ
ＰＵ４０の作業領域又はデータの一時記憶領域とされ
る。前記ＲＯＭ４３は、制御用のテーブルなどのデータ
を格納するための電気的に書き込み可能な不揮発性半導
体記憶装置であり、例えば電気的に書き換え可能なフラ
ッシュメモリ又はＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリ・イレ
ーザブル・アンド・プログラマブル・リード・オンリ・
メモリ）若しくは電気的に書き込み可能であって紫外線
消去可能なＥＰＲＯＭ（エレクトリカリ・プログラマブ
ル・リード・オンリ・メモリ）を採用することができ
る。前記ＲＯＭ４３は、ＣＰＵ４１の動作プログラムの
格納用とされ、書換え可能なマスクＲＯＭによって構成
することも可能である。尚、プログラムとデータを単一
のＲＯＭに格納してもよい。その場合に本実施例の説明
に適合するには、当該ＲＯＭは、電気的に書込み可能な
ＲＯＭによって構成されることになる。
内部バス４０に結合された中央処理装置（ＣＰＵ）４
１、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）４２、ＲＯＭ
（リードオンリメモリ）４３，４９及びタイマ（ＴＭ
Ｒ）４８を有し、外部とのインタフェース手段として、
アナログ入力回路４４、アナログ出力回路４５及びその
他の入出力回路４６が内部バスに接続され、更に、ＣＰ
Ｕ４１の暴走等を検出するためのウオッチドッグタイマ
４７が設けられて構成され、それら回路モジュールは単
一の半導体基板に形成されている。前記ＲＡＭ４２はＣ
ＰＵ４０の作業領域又はデータの一時記憶領域とされ
る。前記ＲＯＭ４３は、制御用のテーブルなどのデータ
を格納するための電気的に書き込み可能な不揮発性半導
体記憶装置であり、例えば電気的に書き換え可能なフラ
ッシュメモリ又はＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリ・イレ
ーザブル・アンド・プログラマブル・リード・オンリ・
メモリ）若しくは電気的に書き込み可能であって紫外線
消去可能なＥＰＲＯＭ（エレクトリカリ・プログラマブ
ル・リード・オンリ・メモリ）を採用することができ
る。前記ＲＯＭ４３は、ＣＰＵ４１の動作プログラムの
格納用とされ、書換え可能なマスクＲＯＭによって構成
することも可能である。尚、プログラムとデータを単一
のＲＯＭに格納してもよい。その場合に本実施例の説明
に適合するには、当該ＲＯＭは、電気的に書込み可能な
ＲＯＭによって構成されることになる。
【００３４】前記アナログ入力回路４４は、特に制限さ
れないが、４個のアナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ１
〜Ａ／Ｄ４と夫々のアナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ
１〜Ａ／Ｄ４の出力をラッチして内部バス４０に出力す
るラッチ回路ＬＡＴ１〜ＬＡＴ４を備える。特に制限さ
れないが、前記アナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ１〜
Ａ／Ｄ４は、８ビットの変換精度を持っている。前記ア
ナログ出力回路４５は、特に制限されないが、２個のデ
ィジタル／アナログ変換器Ｄ／Ａ１，Ｄ／Ａ２と、夫々
のディジタル／アナログ変換器Ｄ／Ａ１，Ｄ／Ａ２の入
力ディジタル信号を内部バス４０から受け取るラッチ回
路ＬＡＴ５，ＬＡＴ６と、夫々のディジタル／アナログ
変換器Ｄ／Ａ１，Ｄ／Ａ２の出力アナログ信号の波形を
整形するバンドパスフィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ２を備え
る。特に制限されないが、前記ディジタル／アナログ変
換器Ｄ／Ａ１，Ｄ／Ａ２は、８ビットのディジタル信号
を２５６階調でアナログ信号に変換する。ラッチ回路Ｌ
ＡＴ１〜ＬＡＴ６はＣＰＵ４１のアドレス空間に配置さ
れ、ＣＰＵ４１によって任意にアクセス可能にされる。
また、マイクロコンピュータ４は、ラッチ回路ＬＡＴ１
〜ＬＡＴ６等の内部回路を外部入出力回路４６を介して
外部から直接アクセス可能な動作モードを備えている。
れないが、４個のアナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ１
〜Ａ／Ｄ４と夫々のアナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ
１〜Ａ／Ｄ４の出力をラッチして内部バス４０に出力す
るラッチ回路ＬＡＴ１〜ＬＡＴ４を備える。特に制限さ
れないが、前記アナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ１〜
Ａ／Ｄ４は、８ビットの変換精度を持っている。前記ア
ナログ出力回路４５は、特に制限されないが、２個のデ
ィジタル／アナログ変換器Ｄ／Ａ１，Ｄ／Ａ２と、夫々
のディジタル／アナログ変換器Ｄ／Ａ１，Ｄ／Ａ２の入
力ディジタル信号を内部バス４０から受け取るラッチ回
路ＬＡＴ５，ＬＡＴ６と、夫々のディジタル／アナログ
変換器Ｄ／Ａ１，Ｄ／Ａ２の出力アナログ信号の波形を
整形するバンドパスフィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ２を備え
る。特に制限されないが、前記ディジタル／アナログ変
換器Ｄ／Ａ１，Ｄ／Ａ２は、８ビットのディジタル信号
を２５６階調でアナログ信号に変換する。ラッチ回路Ｌ
ＡＴ１〜ＬＡＴ６はＣＰＵ４１のアドレス空間に配置さ
れ、ＣＰＵ４１によって任意にアクセス可能にされる。
また、マイクロコンピュータ４は、ラッチ回路ＬＡＴ１
〜ＬＡＴ６等の内部回路を外部入出力回路４６を介して
外部から直接アクセス可能な動作モードを備えている。
【００３５】前記トランジスタＴｒ２は、そのベースが
前記バンドパスフィルタＢＰＦ２の出力に結合される。
したがって、トランジスタＴｒ２は、バンドパスフィル
タＢＰＦ２の出力電圧によって、そのコンダクタンスが
決定される。即ち、ＣＰＵ４１によってラッチ回路ＬＡ
Ｔ６に設定されるディジタルデータが、光出力のオン／
オフ制御に従ってトランジスタＴｒ３に流れる変調電流
を決定する。トランジスタＴｒ２のコンダクタンス制御
を変調電流制御と称する。
前記バンドパスフィルタＢＰＦ２の出力に結合される。
したがって、トランジスタＴｒ２は、バンドパスフィル
タＢＰＦ２の出力電圧によって、そのコンダクタンスが
決定される。即ち、ＣＰＵ４１によってラッチ回路ＬＡ
Ｔ６に設定されるディジタルデータが、光出力のオン／
オフ制御に従ってトランジスタＴｒ３に流れる変調電流
を決定する。トランジスタＴｒ２のコンダクタンス制御
を変調電流制御と称する。
【００３６】前記トランジスタＴｒ１は、そのベースが
前記バンドパスフィルタＢＰＦ１の出力に結合される。
したがって、トランジスタＴｒ１は、バンドパスフィル
タＢＰＦ１の出力電圧によって、そのコンダクタンスが
決定される。即ち、ＣＰＵ４１によってラッチ回路ＬＡ
Ｔ５に設定されるディジタルデータが、ＬＤ２００に流
れるバイアス電流を決定する。トランジスタＴｒ１のコ
ンダクタンス制御をＬＤのバイアス電流制御と称する。
前記バンドパスフィルタＢＰＦ１の出力に結合される。
したがって、トランジスタＴｒ１は、バンドパスフィル
タＢＰＦ１の出力電圧によって、そのコンダクタンスが
決定される。即ち、ＣＰＵ４１によってラッチ回路ＬＡ
Ｔ５に設定されるディジタルデータが、ＬＤ２００に流
れるバイアス電流を決定する。トランジスタＴｒ１のコ
ンダクタンス制御をＬＤのバイアス電流制御と称する。
【００３７】これにより、ＣＰＵ４１は、ラッチ回路Ｌ
ＡＴ５，ＬＡＴ６に設定するディジタルデータに従っ
て、ＬＤ２００に流すことができる変調電流とバイアス
電流を個々にそして任意に制御することができる。した
がって、光伝送装置１の使用条件に対してＬＤ２００等
の温度特性に即したデータをＣＰＵ４１がラッチ回路Ｌ
ＡＴ５，ＬＡＴ６に設定することにより、換言すれば、
そのときの使用雰囲気温度におけるＬＤ２００のしきい
値電流に対応するデータをラッチ回路ＬＡＴ５に設定
し、必要な光出力をその温度下で得るために前記しきい
値電流に加えられるべき変調電流に対応されるデータを
ラッチ回路ＬＡＴ６に設定することにより、消光誤差や
発光遅延無くＬＤ２００を発光駆動することが可能にな
る。これについては以下にその詳細が記述されている。
ＡＴ５，ＬＡＴ６に設定するディジタルデータに従っ
て、ＬＤ２００に流すことができる変調電流とバイアス
電流を個々にそして任意に制御することができる。した
がって、光伝送装置１の使用条件に対してＬＤ２００等
の温度特性に即したデータをＣＰＵ４１がラッチ回路Ｌ
ＡＴ５，ＬＡＴ６に設定することにより、換言すれば、
そのときの使用雰囲気温度におけるＬＤ２００のしきい
値電流に対応するデータをラッチ回路ＬＡＴ５に設定
し、必要な光出力をその温度下で得るために前記しきい
値電流に加えられるべき変調電流に対応されるデータを
ラッチ回路ＬＡＴ６に設定することにより、消光誤差や
発光遅延無くＬＤ２００を発光駆動することが可能にな
る。これについては以下にその詳細が記述されている。
【００３８】ここで、ＬＤ２００は、図５に例示される
ように、その変調電流Ｉｍｏｄと、しきい値電流Ｉｔｈ
は、それぞれ異なる温度特性を有し、その特性は温度に
対して非線形的とされている。また、図６に代表される
ように、ＬＤ２００の温度特性は製造プロセスの誤差の
影響を受け、個体差を有している。また、図７に代表さ
れるように、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２に流れる電流
は、温度に対して線形的な温度特性を有している。この
ように多岐に亘る温度特性を有するＬＤ２００やそのド
ライバに対して、最適なデータをラッチ回路ＬＡＴ５，
ＬＡＴ６に設定するために、各種条件の下で、必要な情
報を当該光伝送装置１それ自体から取得できることが望
ましい。前記アナログ入力回路４４は、そのための利用
が考慮され、必要な情報を取得できるようにされてい
る。
ように、その変調電流Ｉｍｏｄと、しきい値電流Ｉｔｈ
は、それぞれ異なる温度特性を有し、その特性は温度に
対して非線形的とされている。また、図６に代表される
ように、ＬＤ２００の温度特性は製造プロセスの誤差の
影響を受け、個体差を有している。また、図７に代表さ
れるように、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２に流れる電流
は、温度に対して線形的な温度特性を有している。この
ように多岐に亘る温度特性を有するＬＤ２００やそのド
ライバに対して、最適なデータをラッチ回路ＬＡＴ５，
ＬＡＴ６に設定するために、各種条件の下で、必要な情
報を当該光伝送装置１それ自体から取得できることが望
ましい。前記アナログ入力回路４４は、そのための利用
が考慮され、必要な情報を取得できるようにされてい
る。
【００３９】すなわち、前記アナログ／ディジタル変換
器Ａ／Ｄ１の入力は、図３に示されるように、前記トラ
ンジスタＴｒ１のエミッタに結合され、ＣＰＵ４１は、
トランジスタＴｒ１に流れるバイアス電流のアナログ／
ディジタル変換結果をラッチ回路ＬＡＴ１を介して取り
込むことができる。同様に、前記アナログ／ディジタル
変換器Ａ／Ｄ２の入力は前記トランジスタＴｒ２のエミ
ッタに結合され、ＣＰＵ４１は、トランジスタＴｒ２に
流れる電流のアナログ／ディジタル変換結果をラッチ回
路ＬＡＴ２を介して取り込むことができる。前記アナロ
グ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ３の入力は前記モニタ用の
ＰＤ２０１のアノードに結合され、ＣＰＵ４１は、ＰＤ
２０１に流れる電流のアナログ／ディジタル変換結果を
ラッチ回路ＬＡＴ３を介して取り込むことができる。前
記アナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ４の入力は、光伝
送装置１に実装され又は外付けされた温度センサ１０の
出力に結合され、ＣＰＵ４１は、温度センサ１０の出力
に対するアナログ／ディジタル変換結果をラッチ回路Ｌ
ＡＴ４を介して取り込むことができる。
器Ａ／Ｄ１の入力は、図３に示されるように、前記トラ
ンジスタＴｒ１のエミッタに結合され、ＣＰＵ４１は、
トランジスタＴｒ１に流れるバイアス電流のアナログ／
ディジタル変換結果をラッチ回路ＬＡＴ１を介して取り
込むことができる。同様に、前記アナログ／ディジタル
変換器Ａ／Ｄ２の入力は前記トランジスタＴｒ２のエミ
ッタに結合され、ＣＰＵ４１は、トランジスタＴｒ２に
流れる電流のアナログ／ディジタル変換結果をラッチ回
路ＬＡＴ２を介して取り込むことができる。前記アナロ
グ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ３の入力は前記モニタ用の
ＰＤ２０１のアノードに結合され、ＣＰＵ４１は、ＰＤ
２０１に流れる電流のアナログ／ディジタル変換結果を
ラッチ回路ＬＡＴ３を介して取り込むことができる。前
記アナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ４の入力は、光伝
送装置１に実装され又は外付けされた温度センサ１０の
出力に結合され、ＣＰＵ４１は、温度センサ１０の出力
に対するアナログ／ディジタル変換結果をラッチ回路Ｌ
ＡＴ４を介して取り込むことができる。
【００４０】前記モニタＰＤ２０１はオートパワーコン
トロールにも利用できるようになっている。すなわち、
ＬＤ２００の実際の発光出力をＰＤ２０１でモニタし、
モニタされた発光出力に応ずる電流が所要の発光出力に
応ずる参照電位Ｖｒｅｆよりも小さいか大きいかをコン
パレータ１１で判定し、その判定結果に応じ、トランジ
スタＴｒ１を介してＬＤ２００に流すバイアス電流を増
減するように構成されている。１２は参照電位Ｖｒｅｆ
を形成するＡＰＣ（オートパワーコントロール）制御回
路であり、ＬＤ２００の実際の発光出力をＰＤ２０１で
モニタし、モニタされた発光出力に応ずる電流の平均値
とそのときのバッファ２０３（図４参照）の入力信号に
対する平均値（マーク率）とに基づいて参照電位Ｖｒｅ
ｆを初期設定する。オートパワーコントロールは、前記
ディジタル／アナログ変換器Ｄ／Ａ１の出力に基づくバ
イアス電流制御に際しては必須ではない。何れか択一的
に利用することができる。或いは、ディジタル／アナロ
グ変換器Ｄ／Ａ１の出力に基づいてバイアス電流制御を
行う場合に、所要の発光出力が得られない場合を想定し
て、前記オートパワーコントロールによるフィードバッ
ク制御を重ねて行うようにしてもよい。但し、その場合
には、オートパワーコントロールによるフィードバック
系における制御量（バイアス電流の増減量）を比較的小
さくしておくことが望ましい。
トロールにも利用できるようになっている。すなわち、
ＬＤ２００の実際の発光出力をＰＤ２０１でモニタし、
モニタされた発光出力に応ずる電流が所要の発光出力に
応ずる参照電位Ｖｒｅｆよりも小さいか大きいかをコン
パレータ１１で判定し、その判定結果に応じ、トランジ
スタＴｒ１を介してＬＤ２００に流すバイアス電流を増
減するように構成されている。１２は参照電位Ｖｒｅｆ
を形成するＡＰＣ（オートパワーコントロール）制御回
路であり、ＬＤ２００の実際の発光出力をＰＤ２０１で
モニタし、モニタされた発光出力に応ずる電流の平均値
とそのときのバッファ２０３（図４参照）の入力信号に
対する平均値（マーク率）とに基づいて参照電位Ｖｒｅ
ｆを初期設定する。オートパワーコントロールは、前記
ディジタル／アナログ変換器Ｄ／Ａ１の出力に基づくバ
イアス電流制御に際しては必須ではない。何れか択一的
に利用することができる。或いは、ディジタル／アナロ
グ変換器Ｄ／Ａ１の出力に基づいてバイアス電流制御を
行う場合に、所要の発光出力が得られない場合を想定し
て、前記オートパワーコントロールによるフィードバッ
ク制御を重ねて行うようにしてもよい。但し、その場合
には、オートパワーコントロールによるフィードバック
系における制御量（バイアス電流の増減量）を比較的小
さくしておくことが望ましい。
【００４１】図３において１３はＬＤ２００の発光異常
（発光出力の極度低下）を通知する制御信号である。Ｃ
ＰＵ４１はアナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ３とラッ
チ回路ＬＡＴ３を介してＰＤ２０１の出力電流をモニタ
し、それによって得られるＬＤ２００の実際の光出力と
ＬＤ２００の目標光出力とを比較し、実際の光出力が目
標光出力に対して所定よりも低下した状態を検出する。
１４はトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２に流れるバイアス電
流，変調電流の異常を通知する制御信号である。ＣＰＵ
４１は、トランジスタＴｒ１に実際に流れるバイアス電
流をアナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ１とラッチ回路
ＬＡＴ１を介してモニタし、ラッチ回路ＬＡＴ５とディ
ジタル／アナログ変換器Ｄ／Ａ１を介してトランジスタ
Ｔｒ１に流そうとするバイアス電流と比較し、その相違
に基づいて、バイアス電流の異常を検出する。同様にＣ
ＰＵ４１は、トランジスタＴｒ２に実際に流れる変調電
流をアナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ２とラッチ回路
ＬＡＴ２を介してモニタし、ラッチ回路ＬＡＴ６とディ
ジタル／アナログ変換器Ｄ／Ａ２を介してトランジスタ
Ｔｒ２に流そうとする変調電流と比較し、その相違に基
づいて、変調電流の異常を検出する。前記制御信号１
３，１４は、例えば光伝送装置１の内部又はその外部に
設けられた表示手段１５に与えられることにより、対応
する状態を目視可能に表示させることができる。
（発光出力の極度低下）を通知する制御信号である。Ｃ
ＰＵ４１はアナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ３とラッ
チ回路ＬＡＴ３を介してＰＤ２０１の出力電流をモニタ
し、それによって得られるＬＤ２００の実際の光出力と
ＬＤ２００の目標光出力とを比較し、実際の光出力が目
標光出力に対して所定よりも低下した状態を検出する。
１４はトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２に流れるバイアス電
流，変調電流の異常を通知する制御信号である。ＣＰＵ
４１は、トランジスタＴｒ１に実際に流れるバイアス電
流をアナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ１とラッチ回路
ＬＡＴ１を介してモニタし、ラッチ回路ＬＡＴ５とディ
ジタル／アナログ変換器Ｄ／Ａ１を介してトランジスタ
Ｔｒ１に流そうとするバイアス電流と比較し、その相違
に基づいて、バイアス電流の異常を検出する。同様にＣ
ＰＵ４１は、トランジスタＴｒ２に実際に流れる変調電
流をアナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ２とラッチ回路
ＬＡＴ２を介してモニタし、ラッチ回路ＬＡＴ６とディ
ジタル／アナログ変換器Ｄ／Ａ２を介してトランジスタ
Ｔｒ２に流そうとする変調電流と比較し、その相違に基
づいて、変調電流の異常を検出する。前記制御信号１
３，１４は、例えば光伝送装置１の内部又はその外部に
設けられた表示手段１５に与えられることにより、対応
する状態を目視可能に表示させることができる。
【００４２】《温度特性データの作成》 ＬＤ２００を
駆動するための変調電流制御とバイアス電流制御のため
の温度特性データを作成する手順の一例を図８をも参照
しながら説明する。温度特性データは、特に制限されな
いが、対象とされる光伝送装置１それ自体を図示しない
評価用のホスト装置に接続して恒温チャンバーに入れ、
以下詳述するように、所要の発光出力に対して種々の温
度毎に、その光出力を得るために必要な全体としての順
方向電流のデータと、そのときのしきい値電流に応ずる
データを取得する。このとき、変調電流に応ずるデータ
は、前記順方向電流に応ずるデータとしきい値電流に応
ずるデータとの差分として演算にて取得することができ
る。光伝送装置１とホスト装置との接続はマイクロコン
ピュータ４の入出力回路４６を介して行われる。このと
き、マイクロコンピュータ４の内部は外部のホスト装置
から自由にアクセス可能な動作モードとされる。
駆動するための変調電流制御とバイアス電流制御のため
の温度特性データを作成する手順の一例を図８をも参照
しながら説明する。温度特性データは、特に制限されな
いが、対象とされる光伝送装置１それ自体を図示しない
評価用のホスト装置に接続して恒温チャンバーに入れ、
以下詳述するように、所要の発光出力に対して種々の温
度毎に、その光出力を得るために必要な全体としての順
方向電流のデータと、そのときのしきい値電流に応ずる
データを取得する。このとき、変調電流に応ずるデータ
は、前記順方向電流に応ずるデータとしきい値電流に応
ずるデータとの差分として演算にて取得することができ
る。光伝送装置１とホスト装置との接続はマイクロコン
ピュータ４の入出力回路４６を介して行われる。このと
き、マイクロコンピュータ４の内部は外部のホスト装置
から自由にアクセス可能な動作モードとされる。
【００４３】先ず、光伝送装置１の使用温度Ｔの範囲Ｔ
ｍｉｎ＜Ｔ＜Ｔｍａｘと、データを取得する時の温度増
加量ｄｅｌ．Ｔをホスト装置に設定する（ステップＳ
１）。次にその使用温度範囲における温度の初期値Ｔ０
をホスト装置に設定する（ステップＳ２）。特に条件が
ない場合にはＴ０＝Ｔｍｉｎとする。更に、発光出力Ｐ
ｆの目的値Ｌ０をホスト装置に設定する（ステップＳ
３）。そして、ＬＤ２００に流す電流Ｉｆの初期値を例
えば０に設定し、更に段階的な電流増加量ｄｅｌ．Ｉｆ
をホスト装置に設定する（ステップＳ４）。これによっ
てホスト装置は、電流値０を出発点として、ＬＤ２００
の電流増加量をｄｅｌ．Ｉｆずつ増加させるデータをラ
ッチ回路ＬＡＴ５に与える。これによってトランジスタ
Ｔｒ１に流れる順方向電流が徐々に増加する。このとき
ラッチ回路ＬＡＴ６には、トランジスタＴｒ２をカット
オフ状態にするデータを与えておく。また、ホスト装置
は、ＬＤ２００に対する電流の増加と共に、ＬＤ２００
の発光出力に応ずるＰＤ２０１からのデータをアナログ
／ディジタル変換器Ａ／Ｄ３とラッチ回路ＬＡＴ３を介
してサンプリングする。そして、サンプリングした発光
出力ＰｆがＰｆ≧０．２Ｌ０であることを検出したとき
は（ステップＳ５）、そのときの電流値のデータＩｆ
０．２（Ｔ）を前記アナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ
１とラッチ回路ＬＡＴ１を介して取得し、図示しないワ
ークメモリなどに格納する（ステップＳ６）。更に同様
にして、トランジスタＴｒ１に流れる順方向電流を徐々
に増加させながら、ＬＤ２００の発光出力に応ずるデー
タをラッチ回路ＬＡＴ３からサンプリングし、サンプリ
ングした発光出力ＰｆがＰｆ≧０．８Ｌ０であることを
検出したときは（ステップＳ７）、そのときの電流値の
データＩｆ０．８（Ｔ）をラッチ回路ＬＡＴ１を介して
取得し、図示しないワークメモリに格納する（ステップ
Ｓ８）。更に続けて、トランジスタＴｒ１に流れる順方
向電流を徐々に増加させながら、ＬＤ２００の発光出力
に応ずるデータをラッチ回路ＬＡＴ３からサンプリング
し、サンプリングした発光出力ＰｆがＰｆ≧Ｌ０である
ことを検出したときは（ステップＳ９）、そのときの電
流値のデータＩｆ（Ｔ）をラッチ回路ＬＡＴ１から取得
し、図示しないワークメモリに格納する（ステップＳ１
０）。前記ステップＳ８で若しくは後の一連のデータを
取得してからまとめて、そのときの温度におけるしきい
値電流Ｉｔｈ（Ｔ）を演算して取得する。演算式は、特
に制限されないが、Ｉｔｈ（Ｔ）＝Ｉｆ０．２（Ｔ）−
１／３×（Ｉｆ０．８（Ｔ）−Ｉｆ０．２（Ｔ））とさ
れる。この演算式で取得されるしきい値電流のデータＩ
ｔｈ（Ｔ）と前記電流のデータＩｆ（Ｔ）は、そのとき
のＬＤの温度特性に即した値とされる。上記処理は、デ
ータ検出時の設定温度Ｔが使用範囲の上限Ｔｍａｘに到
達するまで、温度をｄｅｌ．Ｔづつ増加して繰り返され
る（ステップＳ１１、ステップ１２）。
ｍｉｎ＜Ｔ＜Ｔｍａｘと、データを取得する時の温度増
加量ｄｅｌ．Ｔをホスト装置に設定する（ステップＳ
１）。次にその使用温度範囲における温度の初期値Ｔ０
をホスト装置に設定する（ステップＳ２）。特に条件が
ない場合にはＴ０＝Ｔｍｉｎとする。更に、発光出力Ｐ
ｆの目的値Ｌ０をホスト装置に設定する（ステップＳ
３）。そして、ＬＤ２００に流す電流Ｉｆの初期値を例
えば０に設定し、更に段階的な電流増加量ｄｅｌ．Ｉｆ
をホスト装置に設定する（ステップＳ４）。これによっ
てホスト装置は、電流値０を出発点として、ＬＤ２００
の電流増加量をｄｅｌ．Ｉｆずつ増加させるデータをラ
ッチ回路ＬＡＴ５に与える。これによってトランジスタ
Ｔｒ１に流れる順方向電流が徐々に増加する。このとき
ラッチ回路ＬＡＴ６には、トランジスタＴｒ２をカット
オフ状態にするデータを与えておく。また、ホスト装置
は、ＬＤ２００に対する電流の増加と共に、ＬＤ２００
の発光出力に応ずるＰＤ２０１からのデータをアナログ
／ディジタル変換器Ａ／Ｄ３とラッチ回路ＬＡＴ３を介
してサンプリングする。そして、サンプリングした発光
出力ＰｆがＰｆ≧０．２Ｌ０であることを検出したとき
は（ステップＳ５）、そのときの電流値のデータＩｆ
０．２（Ｔ）を前記アナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ
１とラッチ回路ＬＡＴ１を介して取得し、図示しないワ
ークメモリなどに格納する（ステップＳ６）。更に同様
にして、トランジスタＴｒ１に流れる順方向電流を徐々
に増加させながら、ＬＤ２００の発光出力に応ずるデー
タをラッチ回路ＬＡＴ３からサンプリングし、サンプリ
ングした発光出力ＰｆがＰｆ≧０．８Ｌ０であることを
検出したときは（ステップＳ７）、そのときの電流値の
データＩｆ０．８（Ｔ）をラッチ回路ＬＡＴ１を介して
取得し、図示しないワークメモリに格納する（ステップ
Ｓ８）。更に続けて、トランジスタＴｒ１に流れる順方
向電流を徐々に増加させながら、ＬＤ２００の発光出力
に応ずるデータをラッチ回路ＬＡＴ３からサンプリング
し、サンプリングした発光出力ＰｆがＰｆ≧Ｌ０である
ことを検出したときは（ステップＳ９）、そのときの電
流値のデータＩｆ（Ｔ）をラッチ回路ＬＡＴ１から取得
し、図示しないワークメモリに格納する（ステップＳ１
０）。前記ステップＳ８で若しくは後の一連のデータを
取得してからまとめて、そのときの温度におけるしきい
値電流Ｉｔｈ（Ｔ）を演算して取得する。演算式は、特
に制限されないが、Ｉｔｈ（Ｔ）＝Ｉｆ０．２（Ｔ）−
１／３×（Ｉｆ０．８（Ｔ）−Ｉｆ０．２（Ｔ））とさ
れる。この演算式で取得されるしきい値電流のデータＩ
ｔｈ（Ｔ）と前記電流のデータＩｆ（Ｔ）は、そのとき
のＬＤの温度特性に即した値とされる。上記処理は、デ
ータ検出時の設定温度Ｔが使用範囲の上限Ｔｍａｘに到
達するまで、温度をｄｅｌ．Ｔづつ増加して繰り返され
る（ステップＳ１１、ステップ１２）。
【００４４】尚、ステップＳ５などにおいて、ＬＤ２０
０の発光出力に応ずるＰＤ２０１からのデータをアナロ
グ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ３とラッチ回路ＬＡＴ３を
介してサンプリングして、そのときの発光出力Ｐｆを検
出するが、ＰＤ２０１の温度特性はＬＤ２００の温度特
性に対してその変動量は３桁程度小さいので、ＰＤ２０
１の温度特性を無視して発光出力Ｐｆを検出しても、実
質的に問題はない。仮にＰＤの温度特性を問題視しなけ
ればならないときは、校正された標準フォトダイオード
を用いればよい。その場合には、ＰＤ２０１に代えて、
ＬＤ２００の発光出力を受ける標準フォトダイオードを
搭載した測定治具を用いれば、ＰＤ２０１それ自体を標
準フォトダイオードとする必要はない。
０の発光出力に応ずるＰＤ２０１からのデータをアナロ
グ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ３とラッチ回路ＬＡＴ３を
介してサンプリングして、そのときの発光出力Ｐｆを検
出するが、ＰＤ２０１の温度特性はＬＤ２００の温度特
性に対してその変動量は３桁程度小さいので、ＰＤ２０
１の温度特性を無視して発光出力Ｐｆを検出しても、実
質的に問題はない。仮にＰＤの温度特性を問題視しなけ
ればならないときは、校正された標準フォトダイオード
を用いればよい。その場合には、ＰＤ２０１に代えて、
ＬＤ２００の発光出力を受ける標準フォトダイオードを
搭載した測定治具を用いれば、ＰＤ２０１それ自体を標
準フォトダイオードとする必要はない。
【００４５】これにより、所定の光出力を得るために必
要な順方向電流に対応されるＩｆ（Ｔ）と、そのときの
しきい値電流（Ｉｔｈ）に対応されるＩｔｈ（Ｔ）が、
使用温度範囲Ｔｍｉｎ＜Ｔ＜Ｔｍａｘにおいて、温度増
加量ｄｅｌ．Ｔの刻みで得ることができる。このときの
各温度における変調電流（Ｉｍｏｄ）に対応される情報
は、Ｉｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）によって得ることができ
る。発光出力の設定を順次変えて同様の処理を行うこと
により、種々の発光出力に対して上記データを取得する
ことができる。そのようにして取得されたデータは、Ｌ
Ｄの温度特性に関するデータとされる。したがって、上
記データに従ってＬＤを駆動する場合には、ＣＰＵ４１
がラッチ回路ＬＡＴ１，ＬＡＴ２の値をサンプリング
し、ラッチ回路ＬＡＴ１の出力がＩｔｈ（Ｔ）になるよ
うにラッチ回路ＬＡＴ５にデータを設定し、ラッチ回路
ＬＡＴ２の出力がＩｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）になるよう
にラッチ回路ＬＡＴ６にデータを設定することになる。
このとき、ラッチ回路ＬＡＴ５，ＬＡＴ６へのそのよう
な設定データを、前記図８のステップ完了後に、予め取
得して、種々の発光出力における各温度毎のＩｔｈ
（Ｔ）とＩｆ（Ｔ）の情報に関連つけておくことができ
る。
要な順方向電流に対応されるＩｆ（Ｔ）と、そのときの
しきい値電流（Ｉｔｈ）に対応されるＩｔｈ（Ｔ）が、
使用温度範囲Ｔｍｉｎ＜Ｔ＜Ｔｍａｘにおいて、温度増
加量ｄｅｌ．Ｔの刻みで得ることができる。このときの
各温度における変調電流（Ｉｍｏｄ）に対応される情報
は、Ｉｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）によって得ることができ
る。発光出力の設定を順次変えて同様の処理を行うこと
により、種々の発光出力に対して上記データを取得する
ことができる。そのようにして取得されたデータは、Ｌ
Ｄの温度特性に関するデータとされる。したがって、上
記データに従ってＬＤを駆動する場合には、ＣＰＵ４１
がラッチ回路ＬＡＴ１，ＬＡＴ２の値をサンプリング
し、ラッチ回路ＬＡＴ１の出力がＩｔｈ（Ｔ）になるよ
うにラッチ回路ＬＡＴ５にデータを設定し、ラッチ回路
ＬＡＴ２の出力がＩｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）になるよう
にラッチ回路ＬＡＴ６にデータを設定することになる。
このとき、ラッチ回路ＬＡＴ５，ＬＡＴ６へのそのよう
な設定データを、前記図８のステップ完了後に、予め取
得して、種々の発光出力における各温度毎のＩｔｈ
（Ｔ）とＩｆ（Ｔ）の情報に関連つけておくことができ
る。
【００４６】以上のようにして取得されたデータは、ホ
スト装置がマイクロコンピュータ４のＲＯＭ４３の所定
領域にテーブル（温度特性データテーブル）として書き
込む。書き込まれたデータがレーザダイオードの特性情
報とされる。前記テーブルの構造については特に図示は
しないが、第１の構造は、目標とする光出力にそれぞれ
対応させて、温度毎に、前記Ｉｆ（Ｔ）とＩｔｈ（Ｔ）
の情報を持つ。この場合に、実際にＬＤを駆動すると
き、ＣＰＵ４１は、目標とする光出力と温度に応じたＩ
ｆ（Ｔ）とＩｔｈ（Ｔ）を選択し、Ｉｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ
（Ｔ）を演算し、その後で、ラッチ回路ＬＡＴ１，ＬＡ
Ｔ２の値をサンプリングして、ラッチ回路ＬＡＴ１の出
力がＩｔｈ（Ｔ）になるようにラッチ回路ＬＡＴ５にデ
ータを設定し、ラッチ回路ＬＡＴ２の出力がＩｆ（Ｔ）
−Ｉｔｈ（Ｔ）になるようにラッチ回路ＬＡＴ６にデー
タを設定することになる。
スト装置がマイクロコンピュータ４のＲＯＭ４３の所定
領域にテーブル（温度特性データテーブル）として書き
込む。書き込まれたデータがレーザダイオードの特性情
報とされる。前記テーブルの構造については特に図示は
しないが、第１の構造は、目標とする光出力にそれぞれ
対応させて、温度毎に、前記Ｉｆ（Ｔ）とＩｔｈ（Ｔ）
の情報を持つ。この場合に、実際にＬＤを駆動すると
き、ＣＰＵ４１は、目標とする光出力と温度に応じたＩ
ｆ（Ｔ）とＩｔｈ（Ｔ）を選択し、Ｉｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ
（Ｔ）を演算し、その後で、ラッチ回路ＬＡＴ１，ＬＡ
Ｔ２の値をサンプリングして、ラッチ回路ＬＡＴ１の出
力がＩｔｈ（Ｔ）になるようにラッチ回路ＬＡＴ５にデ
ータを設定し、ラッチ回路ＬＡＴ２の出力がＩｆ（Ｔ）
−Ｉｔｈ（Ｔ）になるようにラッチ回路ＬＡＴ６にデー
タを設定することになる。
【００４７】第２のテーブル構造は、目標とする光出力
にそれぞれ対応させて、温度毎に、予めＩｆ（Ｔ）−Ｉ
ｔｈ（Ｔ）を演算しておき、Ｉｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）
とＩｆ（Ｔ）の情報を持つ。この場合には、実際にＬＤ
を駆動するとき、ＣＰＵ４１は、目標とする光出力と温
度に応じたＩｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）とＩｔｈ（Ｔ）を
選択し、ラッチ回路ＬＡＴ１，ＬＡＴ２の値をサンプリ
ングして、ラッチ回路ＬＡＴ１の出力がＩｔｈ（Ｔ）に
なるようにラッチ回路ＬＡＴ５にデータを設定し、ラッ
チ回路ＬＡＴ２の出力がＩｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）にな
るようにラッチ回路ＬＡＴ６にデータを設定することに
なる。尚、第２のテーブル構造はＩｆ（Ｔ）の情報を併
せて持ってもよい。
にそれぞれ対応させて、温度毎に、予めＩｆ（Ｔ）−Ｉ
ｔｈ（Ｔ）を演算しておき、Ｉｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）
とＩｆ（Ｔ）の情報を持つ。この場合には、実際にＬＤ
を駆動するとき、ＣＰＵ４１は、目標とする光出力と温
度に応じたＩｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）とＩｔｈ（Ｔ）を
選択し、ラッチ回路ＬＡＴ１，ＬＡＴ２の値をサンプリ
ングして、ラッチ回路ＬＡＴ１の出力がＩｔｈ（Ｔ）に
なるようにラッチ回路ＬＡＴ５にデータを設定し、ラッ
チ回路ＬＡＴ２の出力がＩｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）にな
るようにラッチ回路ＬＡＴ６にデータを設定することに
なる。尚、第２のテーブル構造はＩｆ（Ｔ）の情報を併
せて持ってもよい。
【００４８】第３のテーブル構造は、予め、目標とする
光出力にそれぞれ対応させて、温度毎に、Ｉｆ（Ｔ）−
Ｉｔｈ（Ｔ）を演算し、ラッチ回路ＬＡＴ１の出力をＩ
ｔｈ（Ｔ）にするのに必要なラッチ回路ＬＡＴ５の設定
データと、ラッチ回路ＬＡＴ２の出力をＩｆ（Ｔ）−Ｉ
ｔｈ（Ｔ）にするのに必要なラッチ回路ＬＡＴ６の設定
データとを取得しておき、目標とする光出力にそれぞれ
対応させて、温度毎に、上記ラッチ回路ＬＡＴ５，ＬＡ
Ｔ６に設定すべき情報を持つ。この場合、実際にＬＤを
駆動するとき、ＣＰＵ４１は、目標とする光出力と温度
に応じて選択した特性情報を直接ラッチ回路ＬＡＴ５，
ＬＡＴ６に設定すればよい。尚、第３のテーブル構造
は、前記第１又は第２ののテーブル構造と同じ情報を併
せて持つことができる。
光出力にそれぞれ対応させて、温度毎に、Ｉｆ（Ｔ）−
Ｉｔｈ（Ｔ）を演算し、ラッチ回路ＬＡＴ１の出力をＩ
ｔｈ（Ｔ）にするのに必要なラッチ回路ＬＡＴ５の設定
データと、ラッチ回路ＬＡＴ２の出力をＩｆ（Ｔ）−Ｉ
ｔｈ（Ｔ）にするのに必要なラッチ回路ＬＡＴ６の設定
データとを取得しておき、目標とする光出力にそれぞれ
対応させて、温度毎に、上記ラッチ回路ＬＡＴ５，ＬＡ
Ｔ６に設定すべき情報を持つ。この場合、実際にＬＤを
駆動するとき、ＣＰＵ４１は、目標とする光出力と温度
に応じて選択した特性情報を直接ラッチ回路ＬＡＴ５，
ＬＡＴ６に設定すればよい。尚、第３のテーブル構造
は、前記第１又は第２ののテーブル構造と同じ情報を併
せて持つことができる。
【００４９】上記処理はホスト装置が主体になって行う
場合に限定されず、ホスト装置がステップＳ１〜Ｓ４ま
での初期設定をマイクロコンピュータ４の内部に対して
行い、その後、ホスト装置がマイクロコンピュータ４に
対して所定のコマンドを発行することにより、上記処理
をマイクロコンピュータ４が行ってもよい。このとき、
ＲＯＭ４３がＥＰＲＯＭの場合にはテーブルの作成はＥ
ＰＲＯＭライタを使用しなければならない。ＲＯＭ４３
が電気的に書換可能なＥＥＰＲＯＭ又はフラッシュメモ
リで構成されている場合には、書換プログラムをＲＯＭ
４９が保有する場合には、前記テーブルの作成を含めて
上記処理をマイクロコンピュータ４１で行うことができ
る。
場合に限定されず、ホスト装置がステップＳ１〜Ｓ４ま
での初期設定をマイクロコンピュータ４の内部に対して
行い、その後、ホスト装置がマイクロコンピュータ４に
対して所定のコマンドを発行することにより、上記処理
をマイクロコンピュータ４が行ってもよい。このとき、
ＲＯＭ４３がＥＰＲＯＭの場合にはテーブルの作成はＥ
ＰＲＯＭライタを使用しなければならない。ＲＯＭ４３
が電気的に書換可能なＥＥＰＲＯＭ又はフラッシュメモ
リで構成されている場合には、書換プログラムをＲＯＭ
４９が保有する場合には、前記テーブルの作成を含めて
上記処理をマイクロコンピュータ４１で行うことができ
る。
【００５０】《温度特性データテーブルの使用》 ＲＯ
Ｍ４３に温度特性データテーブルが形成された光伝送装
置１をシステム上で利用する場合には、ＣＰＵ１は、当
該光伝送装置１が置かれている環境下での雰囲気温度を
温度センサ１０からアナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ
４とラッチ回路ＬＡＴ４を介して取得する。また、光伝
送装置１が出力すべき発光出力は、それが置かれている
通信環境に従って物理的に決定さる性質のものであり、
例えば、ＣＰＵ４１の動作プログラム、又は外部からの
指示、或いはディップスイッチのような回路からの信号
によってＣＰＵ４１に通知される。これによってＣＰＵ
４１は、必要な発光出力と、検出した使用環境温度に対
応されるところの情報をＲＯＭ４３の温度特性データテ
ーブルから選択する。例えば温度特性データテーブルの
構造が前記第１の構造である場合には、ＣＰＵ４１は、
目標とする光出力と温度に応じたＩｆ（Ｔ）とＩｔｈ
（Ｔ）を選択し、Ｉｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）を演算し、
その後で、ラッチ回路ＬＡＴ１，ＬＡＴ２の値をサンプ
リングして、ラッチ回路ＬＡＴ１の出力がＩｔｈ（Ｔ）
になるようにラッチ回路ＬＡＴ５にデータを設定し、ラ
ッチ回路ＬＡＴ２の出力がＩｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）に
なるようにラッチ回路ＬＡＴ６にデータを設定する。こ
れにより、ＬＤ２００の実際の温度特性に即したしきい
値電流と変調電流がＬＤ２００に与えられ、消光誤差や
発光遅延無くＬＤ２００を発光駆動することができる。
とくに、温度特性データテーブルの作成のために取得さ
れる情報は、個々の温度環境下で光伝送装置１を実際に
発光駆動させて取得しているので、バイポーラトランジ
スタ等の温度特性も実質的に考慮されたことになり、信
頼性の極めて高い制御が実現される。したがって、ＬＤ
とそれを駆動するための周辺回路がどんな温度特性を持
っていても、高い信頼性をもって制御することができ
る。これにより、製造過程に置いては温度特性の調整が
不要であり、製造コストも著しく低減することができ
る。
Ｍ４３に温度特性データテーブルが形成された光伝送装
置１をシステム上で利用する場合には、ＣＰＵ１は、当
該光伝送装置１が置かれている環境下での雰囲気温度を
温度センサ１０からアナログ／ディジタル変換器Ａ／Ｄ
４とラッチ回路ＬＡＴ４を介して取得する。また、光伝
送装置１が出力すべき発光出力は、それが置かれている
通信環境に従って物理的に決定さる性質のものであり、
例えば、ＣＰＵ４１の動作プログラム、又は外部からの
指示、或いはディップスイッチのような回路からの信号
によってＣＰＵ４１に通知される。これによってＣＰＵ
４１は、必要な発光出力と、検出した使用環境温度に対
応されるところの情報をＲＯＭ４３の温度特性データテ
ーブルから選択する。例えば温度特性データテーブルの
構造が前記第１の構造である場合には、ＣＰＵ４１は、
目標とする光出力と温度に応じたＩｆ（Ｔ）とＩｔｈ
（Ｔ）を選択し、Ｉｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）を演算し、
その後で、ラッチ回路ＬＡＴ１，ＬＡＴ２の値をサンプ
リングして、ラッチ回路ＬＡＴ１の出力がＩｔｈ（Ｔ）
になるようにラッチ回路ＬＡＴ５にデータを設定し、ラ
ッチ回路ＬＡＴ２の出力がＩｆ（Ｔ）−Ｉｔｈ（Ｔ）に
なるようにラッチ回路ＬＡＴ６にデータを設定する。こ
れにより、ＬＤ２００の実際の温度特性に即したしきい
値電流と変調電流がＬＤ２００に与えられ、消光誤差や
発光遅延無くＬＤ２００を発光駆動することができる。
とくに、温度特性データテーブルの作成のために取得さ
れる情報は、個々の温度環境下で光伝送装置１を実際に
発光駆動させて取得しているので、バイポーラトランジ
スタ等の温度特性も実質的に考慮されたことになり、信
頼性の極めて高い制御が実現される。したがって、ＬＤ
とそれを駆動するための周辺回路がどんな温度特性を持
っていても、高い信頼性をもって制御することができ
る。これにより、製造過程に置いては温度特性の調整が
不要であり、製造コストも著しく低減することができ
る。
【００５１】上記雰囲気温度の検出とそれに応じた制御
情報の設定は、タイマ４８を利用して一定間隔で行うよ
うにされる。これにより、使用温度条件が時間と共に変
化する場合にも、その変化に対応して、ＬＤ２００を適
切なバイアス電流と変調電流で発光駆動することができ
る。タイマ４８の設定はＣＰＵ４１が行うことができ
る。
情報の設定は、タイマ４８を利用して一定間隔で行うよ
うにされる。これにより、使用温度条件が時間と共に変
化する場合にも、その変化に対応して、ＬＤ２００を適
切なバイアス電流と変調電流で発光駆動することができ
る。タイマ４８の設定はＣＰＵ４１が行うことができ
る。
【００５２】そして、光通信の休止タイミング、又はタ
イマによって設定された一定時間毎に、ＣＰＵ４１は、
ラッチ回路ＬＡＴ２を介して実際の変調電流を検出し、
ラッチ回路ＬＡＴ１を介して実際のバイアス電流を検出
し、さらに、ラッチ回路ＬＡＴ３を介してＬＤ２００の
実際の光出力を検出する。ＣＰＵ４１は、それら検出値
を、目標値と比較し、大きく相違する場合、例えば２０
％以上の相違があるときは、例外処理を実行する。例え
ば、ＬＤ２００の発光異常（発光出力の極度低下）を検
出すると、ＣＰＵ４１は制御信号１３にてそれを外部に
通知する。これを受ける通信用のコントローラはエラー
ステータスを通信回線に乗せたり、或いは通信そのもの
を停止させたりすることができる。また、トランジスタ
Ｔｒ１に流れるバイアス電流が異常に低下した場合に
は、ＣＰＵ４１は前記制御信号１４によってその旨を外
部に通知することができる。また、ＣＰＵ４１は、発光
出力が所定の値（例えば目標値の２０％減）よりも低下
した状態を一定期間検出したときは、ＬＤ２００の特性
劣化と判定し、指定されている光出力に対して、設定す
べき光出力を数段階増すように、ラッチ回路ＬＡＴ５，
ＬＡＴ６にデータを設定するような処理を採用すること
ができる。或いはそれに従って、温度特性データテーブ
ルを更新することも可能である。この場合にはＲＯＭ４
３はＣＰＵ４１によって電気的に書き換え可能な不揮発
性半導体記憶装置によって構成されていなければなら
い。
イマによって設定された一定時間毎に、ＣＰＵ４１は、
ラッチ回路ＬＡＴ２を介して実際の変調電流を検出し、
ラッチ回路ＬＡＴ１を介して実際のバイアス電流を検出
し、さらに、ラッチ回路ＬＡＴ３を介してＬＤ２００の
実際の光出力を検出する。ＣＰＵ４１は、それら検出値
を、目標値と比較し、大きく相違する場合、例えば２０
％以上の相違があるときは、例外処理を実行する。例え
ば、ＬＤ２００の発光異常（発光出力の極度低下）を検
出すると、ＣＰＵ４１は制御信号１３にてそれを外部に
通知する。これを受ける通信用のコントローラはエラー
ステータスを通信回線に乗せたり、或いは通信そのもの
を停止させたりすることができる。また、トランジスタ
Ｔｒ１に流れるバイアス電流が異常に低下した場合に
は、ＣＰＵ４１は前記制御信号１４によってその旨を外
部に通知することができる。また、ＣＰＵ４１は、発光
出力が所定の値（例えば目標値の２０％減）よりも低下
した状態を一定期間検出したときは、ＬＤ２００の特性
劣化と判定し、指定されている光出力に対して、設定す
べき光出力を数段階増すように、ラッチ回路ＬＡＴ５，
ＬＡＴ６にデータを設定するような処理を採用すること
ができる。或いはそれに従って、温度特性データテーブ
ルを更新することも可能である。この場合にはＲＯＭ４
３はＣＰＵ４１によって電気的に書き換え可能な不揮発
性半導体記憶装置によって構成されていなければなら
い。
【００５３】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは言うまでもない。
例に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５４】例えば、温度特性データの取得において図
８に基づく説明では、トランジスタＴｒ１に流れる電流
をモニタしてＬＤ２００に流れる電流を観測したが、そ
れとは逆に、トランジスタＴｒ２に電流を流してＬＤ２
００に流れる電流を観測してもよい。また、低しきい値
電流のレーザダイオードを採用する場合には、しきい値
電流分の温度特性を無視する事も可能である。即ち、デ
ータテーブルにおける温度と光出力にに応じたデータは
変調電流に関してとし、しきい値電流に関しては一定、
又は、制御幅を狭くすることが可能である。
８に基づく説明では、トランジスタＴｒ１に流れる電流
をモニタしてＬＤ２００に流れる電流を観測したが、そ
れとは逆に、トランジスタＴｒ２に電流を流してＬＤ２
００に流れる電流を観測してもよい。また、低しきい値
電流のレーザダイオードを採用する場合には、しきい値
電流分の温度特性を無視する事も可能である。即ち、デ
ータテーブルにおける温度と光出力にに応じたデータは
変調電流に関してとし、しきい値電流に関しては一定、
又は、制御幅を狭くすることが可能である。
【００５５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【００５６】すなわち、半導体装置搭載モジュールは、
それに搭載された半導体装置につき予め測定された特性
情報に基づいてデータ処理装置がその半導体装置を制御
するから、搭載された複数の半導体装置間における特性
の相違に基づく不都合を解消することができる。
それに搭載された半導体装置につき予め測定された特性
情報に基づいてデータ処理装置がその半導体装置を制御
するから、搭載された複数の半導体装置間における特性
の相違に基づく不都合を解消することができる。
【００５７】半導体搭載モジュールの一例である光トラ
ンスミッタは、温度と目標とする光出力とに応じた特性
情報を不揮発性記憶手段から選択し、それに基づいて前
記ドライバ回路がレーザダイオードに供給する駆動電流
を制御するから、レーザダイオードの温度特性とそれを
駆動制御する回路の温度特性の相違による不都合を解消
することができる。例えば、そのときの使用雰囲気温度
におけるレーザダイオードのしきい値電流に対応する特
性情報と、必要な光出力をその温度下で得るために前記
しきい値電流に加えられるべき変調電流に対応される特
性情報とを選択することにより、消光誤差や発光遅延無
くレーザダイオードを発光駆動することができる。
ンスミッタは、温度と目標とする光出力とに応じた特性
情報を不揮発性記憶手段から選択し、それに基づいて前
記ドライバ回路がレーザダイオードに供給する駆動電流
を制御するから、レーザダイオードの温度特性とそれを
駆動制御する回路の温度特性の相違による不都合を解消
することができる。例えば、そのときの使用雰囲気温度
におけるレーザダイオードのしきい値電流に対応する特
性情報と、必要な光出力をその温度下で得るために前記
しきい値電流に加えられるべき変調電流に対応される特
性情報とを選択することにより、消光誤差や発光遅延無
くレーザダイオードを発光駆動することができる。
【００５８】個々の温度環境下で光トランスミッタを実
際に発光駆動させて、前記特性情報を作成することによ
り、駆動回路に含まれるバイポーラトランジスタ等の温
度特性も実質的に考慮されたことになり、信頼性の極め
て高い制御が実現される。したがって、レーザダイオー
ドとそれを駆動するための周辺回路がどんな温度特性を
持っていても、高い信頼性をもってレーザダイオードの
駆動電流を制御することができる。その上、製造過程に
置いては温度特性の調整が不要であり、製造コストも著
しく低減することができる。
際に発光駆動させて、前記特性情報を作成することによ
り、駆動回路に含まれるバイポーラトランジスタ等の温
度特性も実質的に考慮されたことになり、信頼性の極め
て高い制御が実現される。したがって、レーザダイオー
ドとそれを駆動するための周辺回路がどんな温度特性を
持っていても、高い信頼性をもってレーザダイオードの
駆動電流を制御することができる。その上、製造過程に
置いては温度特性の調整が不要であり、製造コストも著
しく低減することができる。
【００５９】不揮発性記憶手段に格納された特性情報を
利用することにより、レーザダイオードの経年的な特性
劣化やによる光出力の変動や、駆動電流の変動に対し
て、異常と検出することができるので、この点において
も、レーザダイオードの駆動電流制御の信頼性を向上さ
せることができる。
利用することにより、レーザダイオードの経年的な特性
劣化やによる光出力の変動や、駆動電流の変動に対し
て、異常と検出することができるので、この点において
も、レーザダイオードの駆動電流制御の信頼性を向上さ
せることができる。
【００６０】前記光トランスミッタと共に光レシーバを
含んで光伝送装置を構成するとき、前記制御手段によっ
てその光レシーバの動作態様も制御することにより、内
部状態をレーザダイオードの温度特性に適合させること
を初めとして、光トランスミッタや光伝送装置の内部状
態の設定を容易に且つ柔軟性をもって行うことができ
る。
含んで光伝送装置を構成するとき、前記制御手段によっ
てその光レシーバの動作態様も制御することにより、内
部状態をレーザダイオードの温度特性に適合させること
を初めとして、光トランスミッタや光伝送装置の内部状
態の設定を容易に且つ柔軟性をもって行うことができ
る。
【図１】本発明の一実施例に係る光伝送装置のブロック
図である。
図である。
【図２】図１の光伝送装置を適用したネットワークのブ
ロック図である。
ロック図である。
【図３】光トランスミッタの一実施例を示す説明図であ
る。
る。
【図４】レーザダイオードの変調電流をオン／オフ制御
するトランジスタのスイッチング制御回路の一例回路図
である。
するトランジスタのスイッチング制御回路の一例回路図
である。
【図５】レーザダイオードにおける変調電流Ｉｍｏｄ
と、しきい値電流Ｉｔｈがそれぞれ異なる温度特性を有
することを示す一例説明図である。
と、しきい値電流Ｉｔｈがそれぞれ異なる温度特性を有
することを示す一例説明図である。
【図６】レーザダイオードの温度特性は製造プロセスの
誤差の影響を受けて個体差を有することを示す一例説明
図である。
誤差の影響を受けて個体差を有することを示す一例説明
図である。
【図７】レーザダイオードに駆動電流を流すためのバイ
ポーラトランジスタの線形的な温度特性の一例を示す説
明図である。
ポーラトランジスタの線形的な温度特性の一例を示す説
明図である。
【図８】レーザダイオードを駆動するための変調電流制
御とバイアス電流制御のための温度特性データを作成す
る手順の一例を示すフローチャートである。
御とバイアス電流制御のための温度特性データを作成す
る手順の一例を示すフローチャートである。
【図９】本発明者の検討に係るレーザダイオード駆動回
路の一例説明図である。
路の一例説明図である。
【図１０】レーザダイオードの光出力とそれに必要な順
方向電流との関係を数種類の温度をパラメータとして示
したものにおいて消光不良と発光遅延を生ずる原因につ
いて説明した一例説明図である。
方向電流との関係を数種類の温度をパラメータとして示
したものにおいて消光不良と発光遅延を生ずる原因につ
いて説明した一例説明図である。
【図１１】レーザダイオードで所定の光出力を得るため
の順方向電流と温度との関係の一例を示す説明図であ
る。
の順方向電流と温度との関係の一例を示す説明図であ
る。
１ 光伝送装置 ２ 光トランスミッタ ２０ ＬＤモジュール ２００ ＬＤ（レーザダイオード） ２０１ ＰＤ（モニタ用のフォトダイオード） Ｔｒ１ バイアス電流用の電流源トランジスタ Ｔｒ２ 変調電流用の電流源トランジスタ Ｔｒ３，Ｔｒ４ 変調制御用のスイッチングトランジス
タ ２１ レーザドライバ ３ 光レシーバ ３０ ピンフォトダイオード ３１ プリアンプ ４ マイクロコンピュータ ４１ ＣＰＵ（中央処理装置） ４２ ＲＡＭ ４３ ＲＯＭ ４４ アナログ入力回路 ４５ アナログ出力回路 ４６ 外部入出力回路
タ ２１ レーザドライバ ３ 光レシーバ ３０ ピンフォトダイオード ３１ プリアンプ ４ マイクロコンピュータ ４１ ＣＰＵ（中央処理装置） ４２ ＲＡＭ ４３ ＲＯＭ ４４ アナログ入力回路 ４５ アナログ出力回路 ４６ 外部入出力回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/00 3/096 3/133 Ｈ０４Ｂ 10/08
Claims (14)
- 【請求項１】 第１の半導体装置と、 前記第１の半導体装置と特性が異なる第２の半導体装置
と、 予め測定された、少なくとも前記第１の半導体装置の特
性情報又は前記第２の半導体装置の特性情報に応じて、
少なくとも前記第１の半導体装置又は前記第２の半導体
装置を制御するデータ処理装置とを備えて成るものであ
ることを特徴とする半導体装置搭載モジュール。 - 【請求項２】 光通信用のレーザダイオードと、 前記レーザダイオードにその光出力を決定するための駆
動電流を供給するドライバ回路と、 前記レーザダイオードの駆動電流を温度と目標とする光
出力とに応じて決定するための特性情報を保持する不揮
発性記憶手段と、 温度と目標とする光出力とに応じた特性情報を前記不揮
発性記憶手段から選択し、それに基づいて前記ドライバ
回路が供給する駆動電流を制御する制御手段と、を含ん
で成るものであることを特徴とする光トランスミッタ。 - 【請求項３】 ドライバ回路の制御情報がセットされる
データラッチ手段を含み、前記特性情報は、レーザダイ
オードの駆動電流を温度と目標とする光出力とに応じて
前記データラッチ手段に直接設定可能な情報を含むもの
であることを特徴とする請求項２記載の光トランスミッ
タ。 - 【請求項４】 前記レーザダイオードの駆動電流を検出
する駆動電流検出手段を供え、前記制御手段は当該駆動
電流検出手段が検出した情報をアクセス可能であること
を特徴とする請求項２記載の光トランスミッタ。 - 【請求項５】 前記ドライバ回路の制御情報がセットさ
れるデータラッチ手段を含み、前記制御手段は、前記駆
動電流検出手段から得られる駆動電流が前記不揮発性記
憶手段から選択した特性情報に対応されるように、前記
データラッチ手段に制御情報をセットするものであるこ
とを特徴とする請求項４記載の光トランスミッタ。 - 【請求項６】 前記レーザダイオードの光出力を検出す
る光出力検出手段を供え、前記制御手段は当該光出力検
出手段が検出した情報をアクセス可能であることを特徴
とする請求項５記載の光トランスミッタ。 - 【請求項７】 前記不揮発性記憶手段は、電気的に書き
込み可能な不揮発性半導体記憶装置であることを特徴と
する請求項６記載の光トランスミッタ。 - 【請求項８】 前記制御手段は、前記データラッチ手段
への制御情報を漸次減少又は増加させながら、前記デー
タラッチ手段に設定した制御情報によって発光されるレ
ーザダイオードの光出力を前記光出力検出手段の検出情
報に基づいて判定し、目標光出力に対応される前記駆動
電流検出手段による検出情報とそれ以下の規定の光出力
に対応される前記駆動電流検出手段による検出情報を取
得する処理を、所要の雰囲気温度と光出力毎に行って、
目標光出力と雰囲気温度毎に前記レーザダイオードの駆
動電流に関する特性情報を作成可能であることを特徴と
する請求項７記載の光トランスミッタ。 - 【請求項９】 前記データラッチ手段、前記光出力検出
手段による検出情報、前記駆動電流検出手段による検出
情報及び前記不揮発性記憶手段を光トランスミッタの外
部からアクセス可能にするインタフェース手段を更に含
んで成るものであることを特徴とする請求項７又は８記
載の光トランスミッタ。 - 【請求項１０】 前記制御手段は、それが選択した特性
情報が目標とする光出力と、前記光出力検出手段によっ
て検出される光出力とを比較し、その比較結果に基づい
てレーザダイオードの発光特性の劣化を検出することを
特徴とする請求項６乃至９の何れか１項項記載の光トラ
ンスミッタ。 - 【請求項１１】 前記制御手段は、それが選択した特性
情報が目標とする光出力と、前記光出力検出手段によっ
て検出される光出力とを比較し、その比較結果の相違を
相殺する方向に別の特性情報を選択して採用するもので
あることことを特徴とする請求項６乃至９の何れか１項
項記載の光トランスミッタ。 - 【請求項１２】 雰囲気温度を検出し、その検出情報を
前記制御手段がアクセスすることを可能にする温度検出
手段を更に備えて成るものであることを特徴とする請求
項２乃至１１の何れか１項記載の光トランスミッタ。 - 【請求項１３】 請求項６に記載の光トランスミッタに
含まれるレーザダイオードの特性情報を作成する方法で
あって、 光トランスミッタの雰囲気温度を所定に設定し、前記デ
ータラッチ手段への制御情報を漸次減少又は増加させな
がら、前記データラッチ手段に設定した制御情報によっ
て発光されるレーザダイオードの光出力を光出力検出手
段の出力によって判定し、目標光出力に対応される前記
駆動電流検出手段による検出情報とそれ以下の規定の光
出力に対応される前記駆動電流検出手段による検出情報
を取得する第１の処理と、 光トランスミッタの雰囲気温度を所定の割合で変更し、
前記データラッチ手段への制御情報を漸次減少又は増加
させながら、前記データラッチ手段に設定した制御情報
によって発光されるレーザダイオードの光出力を光出力
検出手段の出力によって判定し、目標光出力に対応され
る前記駆動電流検出手段による検出情報とそれ以下の規
定の光出力に対応される前記駆動電流検出手段による検
出情報を取得する第２の処理と、 必要に応じて第２の処理を繰り返す第３の処理と、 前記目標光出力を変更し前記第１乃至第３の処理を繰り
返す第４の処理と、 前記第１乃至第４の処理によって得られた目標光出力と
雰囲気温度毎に得られた前記駆動電流検出手段による検
出情報に基づいて、目標光出力と雰囲気温度毎に、レー
ザダイオードの駆動電流に関する特性情報を取得する第
５の処理とを含むことを特徴とするレーザダイオードの
特性情報作成方法。 - 【請求項１４】 請求項２乃至１２の何れか１項記載の
光トランスミッタと光レシーバとを含む光伝送装置であ
って、光レシーバは、前記制御手段によってその動作態
様が決定される回路モジュールを含んで成るものである
ことを特徴とする光伝送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34488095A JP3596963B2 (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 半導体装置搭載モジュール、光トランスミッタ、レーザダイオードの特性情報作成方法及び光伝送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34488095A JP3596963B2 (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 半導体装置搭載モジュール、光トランスミッタ、レーザダイオードの特性情報作成方法及び光伝送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162811A true JPH09162811A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3596963B2 JP3596963B2 (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=18372712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34488095A Expired - Lifetime JP3596963B2 (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 半導体装置搭載モジュール、光トランスミッタ、レーザダイオードの特性情報作成方法及び光伝送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3596963B2 (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000022636A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Sony Corp | 光空間伝送装置 |
| EP0913896A3 (en) * | 1997-10-28 | 2002-04-03 | Nec Corporation | Laser diode driving method and circuit |
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