CN107484301B - 内存发光控制电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种内存发光控制电路，包括：多个内存条，每一内存条设置有发光单元；程序写入模块，所述程序写入模块用于写入控制多个内存条上发光单元发光的发光控制程序；MCU芯片，所述MCU芯片与程序写入模块电连接，用于接收并暂存写入的发光控制程序，且MUC芯片分别与多个内存条电连接，在确定所有内存条的发光单元进行同步发光的时间基点后，根据选定的发光模式生成PWM控制信号；发光控制模块，所述发光控制模块与MCU芯片电连接，根据PWM控制信号生成控制指令，控制所有内存条的发光单元按照写入的发光控制程序进行发光。本发明的技术方案能够根据个性化的发光程序控制发光模式，能够实现内存条不同的视觉效果。

Description

内存发光控制电路

技术领域

本发明涉及发光控制技术领域，尤其涉及一种内存发光控制电路。

背景技术

目前，传统技术的内存条仅作为一种存储器件，不能发光，不能满足人们日益增长的需求。为此，现有的内存条上加入了发光元件，以实现内存条的发光，提高用户的体验。然而，现有的内存条为随机性发光，发光杂乱无章，模式单一，无法满足消费者的审美需求，甚至被一部分用户称之为“光污染”。发光内存条，发光如果毫无美感，那么发光就失去了意义其根本原因是，同一主板上的内存条之间无法取得联系，互不统属。如，内存条上的发光单元直接与内存条的供电电路连接，在内存条工作时，其工作电压同时可以点亮发光单元，在内存条停止工作时，发光单元熄灭。通过简单的开关实现发光单元的点亮及熄灭操作无法实现用户的个性化设置。

有鉴于此，有必要提出对目前的内存发光控制电路进行进一步的改进。

发明内容

为解决上述至少一技术问题，本发明的主要目的是提供一种内存发光控制电路。

为实现上述目的，本发明采用的一个技术方案为：提供一种内存发光控制电路，包括：

多个内存条，每一内存条设置有发光单元；

程序写入模块，所述程序写入模块用于写入控制多个内存条上发光单元发光的发光控制程序；

MCU芯片，所述MCU芯片与程序写入模块电连接，用于接收并暂存写入的发光控制程序，且MUC芯片分别与多个内存条电连接，在确定所有内存条的发光单元进行同步发光的时间基点后，根据选定的发光模式生成PWM控制信号；其中，所述发光控制程序与发光模式相对应；

发光控制模块，所述发光控制模块与MCU芯片电连接，根据PWM控制信号生成控制指令，控制所有内存条的发光单元按照写入的发光控制程序进行发光。

其中，所述内存发光控制电路还包括：

晶振模块，所述晶振模块与MCU芯片电连接，用于为MUC芯片提供单个内存条与MCU芯片交互的通信周期。

其中，所述晶振模块包括晶振单元、第七电容及第八电容，所述第七电容及第八电容的端分别与MCU的两个引脚电连接，另一端接地；所述晶振单元的分别两端接第七电容与MCU的引脚连接的公共接点，及第八电容与MCU的引脚连接的公共接点。

其中，所述内存发光控制电路还包括：

存储模块，所述存储模块与MCU芯片电连接，用于存储预设及写入的发光控制模式；

开关模块，所述开关模块与MCU芯片电连接，用于根据开关触发信号切换MCU芯片的发光模式，以选出目标发光模式。

其中，所述内存发光控制电路还包括：

地址检测模块，所述地址检测模块分别与内存条及MCU芯片电连接，以供MCU芯片识别对应的内存条，所述地址检测模块包括至少两个地址检测单元。

其中，所述地址检测单元包括第二三极管、第十二电阻、第八电阻及第十五电阻，所述第二三极管的基极串接第十五电阻后接地，发射极接内存条，集电极接MCU，且第十二电阻接于第二三极管的发射极与集电极之间，第八电阻的一端接预置电压。

其中，所述发光控制模块包括第一三极管、第七电阻，所述第一三极管的基极接MCU，集电极接内存条的发光单元，发射极接预置电压，所述第七电阻接于第一三极管的基极与发射极之间。

其中，所述发光单元包括LED三色发光模组、第一控制开关、第二控制开关、第三控制开关、第十八电阻、第二十电阻及第二十一电阻，所述第一控制开关通过第十八电阻接LED三色发光模组的第一引脚，第二控制开关通过第二十电阻接LED三色发光模组的第二引脚，第三控制开关通过第二十一电阻接LED三色发光模组的第三引脚。

其中，所述第一控制开关、第二控制开关及第三控制开关均为N沟道MOS管。

本发明的技术方案主要包括多个带有发光单元的内存条、程序写入模块、MCU芯片及发光控制模块，该程序写入模块可以由用户根据自己的喜好写入设定发光控制程序，该发光控制程序可以控制发光单元的发光模式；MCU芯片与所有内存条通信连接，可以确定内存条同步发光的时间基点，并且在确定时间基点后根据选定的发光模式控制所有内存条发光，如此，能够实现内存条发光的个性化设计，能够实现内存条不同的视觉效果，以提高用户的体验。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1示出了本发明一实施例内存发光控制电路的模块示意图；

图2示出了本发明的MCU芯片的电路图；

图3示出了本发明的地址检测模块的电路图；

图4示出了本发明的发光控制模块的电路图；

图5示出了本发明的内存条上发光单元的电路图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

图1示出了本发明一实施例内存发光控制电路的模块示意图。请参照图1，在本发明实施例中，该内存发光控制电路，可以应用于计算机或服务器中，包括：

多个内存条30，每一内存条30设置有发光单元；

程序写入模块10，所述程序写入模块10用于写入控制多个内存条30上发光单元发光的发光控制程序；

MCU芯片20，所述MCU芯片20与程序写入模块10电连接，用于接收并暂存写入的发光控制程序，且MUC芯片分别与多个内存条30电连接，在确定所有内存条30的发光单元进行同步发光的时间基点后，根据选定的发光模式生成PWM控制信号；其中，所述发光控制程序与发光模式相对应；

发光控制模块40，所述发光控制模块40与MCU芯片20电连接，根据PWM控制信号生成控制指令，控制所有内存条30的发光单元按照写入的发光控制程序进行发光。

上述实施例中，内存条30的数量为两条或两条以上，内存条30插入主板并且正常工作时，一方面通过电压升压电路为发光单元供电，使发光单元处于点亮状态；另一方面内存条30通过SMBUS总线与MCU芯片20通信连接。由于SMBUS总线的仲裁机制，在一个通信周期内，只允许一个内存条30与MCU芯片20进行通信。在所有内存条30需要同步发光时，MCU芯片20能够根据任一内存条30与MCU芯片20完成通信周期的结束时刻，确定该时间点为时间基点。在确定时间基点后，MCU芯片20生成PWM控制信号，该PWM信号可输送至发光控制模块40，以控制发光单元发光，使发光呈现个性化特点。MCU芯片20还连接有程序写入模块10，可以方便用户写入内存条30的发光控制程序，实现内存条30发光的个性化设计。

本发明的技术方案主要包括多个带有发光单元的内存条30、程序写入模块10、MCU芯片20及发光控制模块40，该程序写入模块10可以由用户根据自己的喜好写入设定发光控制程序，该发光控制程序可以控制发光单元的发光模式；MCU芯片20与所有内存条30通信连接，可以确定内存条30同步发光的时间基点，并且在确定时间基点后根据选定的发光模式控制所有内存条30发光，如此，能够实现内存条30发光的个性化设计，能够实现内存条30不同的视觉效果，以提高用户的体验。

请继续参照图1，在一具体的实施例中，所述内存发光控制电路还包括：

晶振模块50，所述晶振模块50与MCU芯片20电连接，用于为MUC芯片提供单个内存条30与MCU芯片20交互的通信周期。单个的通信周期为35ms，在任一个内存条30与MCU芯片20完成一个通信周期的结束时间点，可以作为控制所有内存条30同步发光的时间基点。

图2示出了本发明的MCU芯片20的电路图。请参照图2，所述晶振模块50包括晶振单元X1、第七电容C7及第八电容C8，所述第七电容C7及第八电容C8的端分别与MCU的两个引脚电连接，另一端接地；所述晶振单元X1的分别两端接第七电容C7与MCU的引脚连接的公共接点，及第八电容C8与MCU的引脚连接的公共接点。其中，第七电容C7及第八电容C8为滤波电容，晶振单元X1可以提供准确时间。进一步的，该MCU芯片20连接有启动电压VDD-STMS，该启动电压VDD-STMS通过RC滤波电路为MCU芯片20供电。

请参照图1，在一具体的实施例中，所述内存发光控制电路还包括：

存储模块80，所述存储模块80与MCU芯片20电连接，用于存储预设及写入的发光控制模式；

开关模块70，所述开关模块70与MCU芯片20电连接，用于根据开关触发信号切换MCU芯片20的发光模式，以选出目标发光模式。

本实施例中，MCU模块连接有存储模块80，以存储出厂设置的多种发光模块，当然，在利用程序写入模块10写入发光控制程序后，还可以通过该存储模块80存储个性化设置的发光模式，实现灵活发光。开关模块80包括两个开关按钮KEY1及KEY1。

请参照图1，在一具体的实施例中，所述内存发光控制电路还包括：

地址检测模块50，所述地址检测模块50分别与内存条30及MCU芯片20电连接，以供MCU芯片20识别对应的内存条30，所述地址检测模块50包括至少两个地址检测单元。本实施例中，MCU芯片20可以通过地址检测模块50识别出内存条30的地址，以方便对各内存条30的发光单元的控制。请参照图3，在一具体的实施例中，所述地址检测单元包括第二三极管Q2、第十二电阻R12、第八电阻R8及第十五电阻R15，所述第二三极管Q2的基极串接第十五电阻R15后接地，发射极接内存条30，集电极接MCU，且第十二电阻R12接于第二三极管Q2的发射极与集电极之间，第八电阻R8的一端接预置电压。第二三极管Q2的基极为低电平时导通，低电平可通过第二电阻分压被MCU芯片20检测。可以指出的是，该地址检测单元有多个，多个地址单元的元件数量和种类相同，此处不再赘述。

请参照图4，在一具体的实施例中，所述发光控制模块40包括第一三极管Q1、第七电阻R7，所述第一三极管Q1的基极接MCU，集电极接内存条30的发光单元，发射极接预置电压VDD-3v3，所述第七电阻R7接于第一三极管Q1的基极与发射极之间。当第一三极管Q1的基极为低电平时导通，预设电压直接为发光单元提供发光单元的启动电源，控制发光单元发光。

请参照图5，在一具体的实施例中，所述发光单元包括LED三色发光模组LED3S、第一控制开关U3、第二控制开关U4、第三控制开关U5、第十八电阻R18、第二十电阻R20及第二十一电阻R21，所述第一控制开关U3通过第十八电阻R18接LED三色发光模组LED3S的第一引脚，第二控制开关U4通过第二十电阻R20接LED三色发光模组LED3S的第二引脚，第三控制开关U5通过第二十一电阻R21接LED三色发光模组LED3S的第三引脚。具体的，所述第一控制开关U3、第二控制开关U4及第三控制开关U5均为N沟道MOS管。第一控制开关U3、第二控制开关U4及第三控制开关U5任一一个处于导通状态时，可以控制LED三色发光模组LED3S中对应红、绿、蓝三色二极管发光，以实现对LED三色发光模组LED3S的明暗、色度等控制，即可以按照存储的发光模式发光。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (4)

1.一种内存发光控制电路，其特征在于，所述内存发光控制电路包括：

多个内存条，每一内存条设置有发光单元；

程序写入模块，所述程序写入模块用于写入控制多个内存条上发光单元发光的发光控制程序；

MCU芯片，所述MCU芯片与程序写入模块电连接，用于接收并暂存写入的发光控制程序，且MUC芯片分别与多个内存条电连接，在确定所有内存条的发光单元进行同步发光的时间基点后，根据选定的发光模式生成PWM控制信号；其中，所述发光控制程序与发光模式相对应；

发光控制模块，所述发光控制模块与MCU芯片电连接，根据PWM控制信号生成控制指令，控制所有内存条的发光单元按照写入的发光控制程序进行发光；

所述内存发光控制电路还包括：

地址检测模块，所述地址检测模块分别与内存条及MCU芯片电连接，以供MCU芯片识别对应的内存条，所述地址检测模块包括至少两个地址检测单元；

所述地址检测单元包括第二三极管、第十二电阻、第八电阻及第十五电阻，所述第二三极管的基极串接第十五电阻后接地，发射极接内存条，集电极接MCU，且第十二电阻接于第二三极管的发射极与集电极之间，第八电阻的一端接预置电压；

所述发光控制模块包括第一三极管、第七电阻，所述第一三极管的基极接MCU，集电极接内存条的发光单元，发射极接预置电压，所述第七电阻接于第一三极管的基极与发射极之间；

所述发光单元包括LED三色发光模组、第一控制开关、第二控制开关、第三控制开关、第十八电阻、第二十电阻及第二十一电阻，所述第一控制开关通过第十八电阻接LED三色发光模组的第一引脚，第二控制开关通过第二十电阻接LED三色发光模组的第二引脚，第三控制开关通过第二十一电阻接LED三色发光模组的第三引脚；

所述第一控制开关、第二控制开关及第三控制开关均为N沟道MOS管。

2.如权利要求1所述的内存发光控制电路，其特征在于，所述内存发光控制电路还包括：

晶振模块，所述晶振模块与MCU芯片电连接，用于为MUC芯片提供单个内存条与MCU芯片交互的通信周期。

3.如权利要求2所述的内存发光控制电路，其特征在于，所述晶振模块包括晶振单元、第七电容及第八电容，所述第七电容及第八电容的端分别与MCU的两个引脚电连接，另一端接地；所述晶振单元的分别两端接第七电容与MCU的引脚连接的公共接点，及第八电容与MCU的引脚连接的公共接点。

4.如权利要求1所述的内存发光控制电路，其特征在于，所述内存发光控制电路还包括：

存储模块，所述存储模块与MCU芯片电连接，用于存储预设及写入的发光控制模式；

开关模块，所述开关模块与MCU芯片电连接，用于根据开关触发信号切换MCU芯片的发光模式，以选出目标发光模式。

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