JP2009016407A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一の領域の半導体基板1上に、加熱により応力が生ずるカバー膜11を形成する。当該カバー膜11が形成された半導体基板1に対して、加熱処理を施す。これにより、カバー膜11に応力が発生し、当該応力に起因して第一のトランジスタの特性を向上させる第一の特性向上処理が、半導体基板1に施される。また、カバー膜11をマスクとして使用して、当該カバー膜11から露出している第二の領域の半導体基板1に対して、第二のトランジスタの特性を向上させる第二の特性向上処理を施す。
【選択図】図12
Description
本実施の形態では、CMOSプロセスにおいて、P型FETにSiGeエピ成長層(以下、SiGe−S(ソース)/D(ドレイン)と称する)を作成する場合に、上記本発明を適用する形態について説明する。
本実施の形態では、CMOSプロセスにおいて、N型FETにSiCエピ成長層(以下、SiC−S(ソース)/D(ドレイン)と称する)を作成する場合に、上記本発明を適用する形態について説明する。
Claims (5)
- (A)第一の導電型を有する第一のトランジスタが形成される第一の領域と、第二の導電型を有する第二のトランジスタが形成される第二の領域とを有する、半導体基板を用意する工程と、
(B)前記第一の領域の前記半導体基板上に、加熱により応力が生ずるカバー膜を形成する工程と、
(C)前記工程(B)の後に、前記半導体基板に対して加熱処理を施すことによって前記カバー膜に応力を発生させることにより、前記第一の領域の前記半導体基板に対して、前記第一のトランジスタの特性を向上させる第一の特性向上処理を施す工程と、
(D)前記カバー膜をマスクとして使用して、前記カバー膜から露出している前記第二の領域の前記半導体基板に対して、前記第二のトランジスタの特性を向上させる第二の特性向上処理を施す工程とを、備えている、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第一のトランジスタは、N型トランジスタであり、
前記第二のトランジスタは、P型トランジスタであり、
前記工程(D)は、
(D−1)前記第二の領域において、前記P型トランジスタのソース・ドレイン領域となる前記半導体基板の上面部分を除去することにより、リセス部を形成する工程と、
(D−2)前記リセス部に対して、SiGeエピタキシャル成長層を形成する工程とを、有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第一のトランジスタは、P型トランジスタであり、
前記第二のトランジスタは、N型トランジスタであり、
前記工程(D)は、
(D−1)前記第二の領域において、前記N型トランジスタのソース・ドレイン領域となる前記半導体基板の上面部分を除去することにより、リセス部分を形成する工程と、
(D−2)前記リセス部分に対して、SiCエピタキシャル成長層を形成する工程とを、有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(D)は、前記工程(C)の後に行う、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(C)は、前記工程(D)の後に行う、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP (1) | JP5133619B2 (ja) |
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