JP5202891B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を、工程断面図を用いて説明する。
Claims (2)
- (A)N型トランジスタが形成される第一の領域と、P型トランジスタが形成される第二の領域とを有する半導体基板を用意する工程と、
(B)前記第二の領域の前記半導体基板において、前記P型トランジスタのソース・ドレイン領域となる部分を除去することにより、リセス部を形成する工程と、
(C)前記第一の領域の前記半導体基板において、前記N型トランジスタのソース・ドレイン領域となる部分に対してイオン注入処理を施し、当該イオン注入領域の前記半導体基板にダメージを与える工程と、
(D)前記半導体基板に前記ダメージが与えられた状態で、前記半導体基板に対してエピタキシャル成長処理を実施することにより、前記リセス部に対して、SiGeエピ成長膜を形成する工程とを、備えており、
前記工程(C)は、
前記ダメージを与える処理であると共に、前記N型トランジスタのソース・ドレイン領域形成のための処理であり、
前記半導体基板は、
シリコンを構成要素として含んでおり、
前記工程(C)は、
炭素イオンを注入する工程である、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記工程(C)は、
複数の炭素から構成されるクラスタイオンを注入する工程である、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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