JP2009006521A - 膜積層基板および液晶パネル用対向基板および液晶パネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】平板状の基板100の少なくとも片面にN(≧2)層の薄膜121a、121bを積層形成してなる膜積層基板であって、片面に積層形成されるN層の薄膜全体として、膜面方向の応力が相殺され、基板に反りを生じさせる応力が作用しないようにN層の薄膜の材料と膜厚が設定されている。
【選択図】図7
Description
このような「反り」を特許文献1記載の方法で矯正しようとする場合、薄膜の表面が自由表面であると、矯正に伴い「SiO2を骨格とする重縮合材料の薄膜」にクラック(亀裂)が生じる虞がある。また、特許文献1記載の方法は、平板状の基板の表裏に成膜する必要があり、表面側に成膜する工程と裏面側に成膜する工程とが全くの別工程であるため、片面に成膜したのち、基板を裏返して他面に成膜する工程を必要とし、成膜の工程数が多くなる。
即ち、基板の片面に積層形成されるN層の薄膜全体として、膜面方向の応力が相殺され、基板に反りを生じさせる応力が作用しないように、N層の薄膜の材料と膜厚が設定されている。
「膜面方向の応力」は、膜の表面方向に沿って作用する応力であり、基板を撓ませる力を作用させる。この発明の膜積層基板では、上記の如く「基板の少なくとも片面にN層の薄膜が積層形成される」が、片面に積層形成されたN層の薄膜全体として、膜面方向の応力が相殺される。
即ち、基板の片側に形成する膜が2層である場合に付いて説明を補足すると、2層の膜を積層形成したときに、基板表面(膜形成面)に作用する基板表面方向の応力をF、第1層の膜面方向の応力をF1、第2層の膜面方向の応力をF2とすると、F、F1、F2の間には、
F=F1+F2 (1)
の関係がなりたつ。
F1=a・D1 (2)
と表され、第2層の膜の、膜面方向の応力:F2は、第2層の厚み:D2に比例し、
F2=b・D2 (3)
と表される。比例定数:a、bは「膜の材料」により定まる。
C1=αF1=αaD1 (4)
C2=αF2=αbD2 (5)
で与えられる。
C1+C2=0 (6)
であり、(4)、(5)式により、
αaD1+αbD2=0 (7)
が成り立てばよい。
から、第1層の膜厚:D1に対し、第2層の膜厚:D2を、
D2=−(a/b)D1 (8)
と設定すれば「基板の反り」は生じない。反り量:C1、C2は互いに逆符号であるから、a、bも逆符号であり「−(a/b)D1」は正の量である。
例えば、基板の片面に3層の膜を積層する場合、第1層と第3層に引っ張り応力を生じるような膜を形成し、第2層に伸張応力の生じる膜を成膜して、第2層の伸張応力により第1、第3層の引っ張り応力を相殺しても良いし、3層のうちの1層に引っ張り応力を発生させ、他の1層に伸張応力を発生させ、残りの1層は「特に応力の発生しない膜」としてもよいし、1層の引っ張り応力(または伸張応力)を他の2層の伸張応力(または引っ張り応力)で相殺させるようにしてもよい。
図1は、液晶パネルの実施の1形態を説明図として示している。図に示されているのは液晶パネルの厚み方向の構造であり、符号10はマイクロレンズアレイ基板、符号12は膜積層構造部、符号14はブラックマトリックスパターン、符号15は透明導電膜、符号16は液晶、符号18は電極膜、符号20は基板である。
即ち、実施例1の液晶パネル用対向基板は、図2に示す如く、マイクロレンズアレイ基板10のマイクロレンズMLがアレイ配列形成された面に、2層の薄膜121、122を積層形成して「液層構造部(図1において符号12で示す部分)」としたものである。
図4に示すような円形状の石英基板100を用意した。石英基板100は平行平板状で直径:100mm、厚さ:1mmである。この石英基板100の直径:80mmの円内に、マイクロレンズアレイMLAを多数個配列した。マイクロレンズアレイMLAは全て同一構造のものである。
C1=ξ=αaD1=αa・4.5=2.4μm、
スパッタリングで形成されたSiO2の薄膜122Bによる反り量:
C2=η=αbD2=αb・0.5=−1.2μm
であるから、
a=2.4/4.5α、b=−1.2/0.5α
であり、
(a/b)=(2.4×0.5)/(4.5×−1.2)=−(1/4.5)
となる。
D2=−(a/b)D1 (8)
に当てはめると、ゾルゲル材料の焼結による薄膜の膜厚が4.5μmである場合には、スパッタリングによるSiO2の薄膜の膜厚を4.5/4.5=1μmの厚さにすれば、石英基板の反りは生じないことになる。
そこで、図4に示した石英基板100の「マイクロレンズアレイMLAの配列が形成された面」に、上記と同一の条件で「ゾルゲル層の焼結による薄膜」を形成した。この薄膜を図7(a)に符号121aで示す。このときマイクロレンズアレイ配列面上の薄膜121aの厚さは4μmとなった。石英基板100の反りを防止するために、スパッタリングによりSiO2の薄膜121bを膜厚:0.9μm(≒4μm/4.5)に形成したところ、石英基板100には「反り」が実質的に発生しなかった。
即ち、実施例2の液晶パネル用対向基板は、図3に示す如く、マイクロレンズアレイ基板10のマイクロレンズMLがアレイ配列形成された面に、4層の薄膜1211、1221、1212、1222を積層形成して「液層構造部」としたものである。
実施例1において用いたのと同一の石英基板100を用意した。石英基板100は平行平板状で直径:100mm、厚さ:1mmである。石英基板100の直径:80mmの円内に、マイクロレンズアレイMLAを多数個配列した。マイクロレンズアレイMLAは全て同一構造のものである。
D21=−(a/b)D11=(1/4.5)D11
である。
D22=−(a/b)D12=(1/4.5)D12
である。
従って、膜厚:D11、D12、D21、D22を、上記の条件を満足するように設定すれば、4層の薄膜1211、1221、1212、1222の全体として膜面方向の応力を相殺させて石英基板100に実質的な「反り」が発生しないようにできる。
SiO2の薄膜1222bを成膜後、SiO2の薄膜1222bの上にCrをスパッタリングで90nm成膜してCr層とし、その上に、フォトリソグラフィによりブラックマトリックスパターンを形成し、ウエットエッチングによりレジスト層のブラックマトリックスパターンをCr層に転写し、レジストの残渣を「硫酸/過酸化水素水混合液」で洗浄して除去した。
ML マイクロレンズ
12 膜積層構造部
14 ブラックマトリックスパターン
16 液晶
18 電極膜
20 基板
Claims (6)
- 平板状の基板の少なくとも片面にN(≧2)層の薄膜を積層形成してなる膜積層基板であって、
上記片面に積層形成されるN層の薄膜全体として、膜面方向の応力が相殺され、基板に反りを生じさせる応力が作用しないように上記N層の薄膜の材料と膜厚が設定されていることを特徴とする膜積層基板。 - 請求項1記載の膜積層基板において、
N層の薄膜のうちに、成膜時に膜面方向に収縮する、SiO2を骨格とする重縮合材料層を少なくとも1層と、成膜時に膜面方向に伸張するSiO2の薄膜を少なくとも1層とが含まれることを特徴とする膜積層基板。 - 請求項1または2記載の膜積層基板において、
平板状の基板の、N層の薄膜を形成される側の面に、マイクロ光学面が形成されていることを特徴とする膜積層基板。 - 請求項3記載の膜形成基板において、
平板状の基板の、N層の薄膜を形成される側の面に形成されているマイクロ光学面が、マイクロレンズアレイもしくはマイクロレンズアレイの配列であることを特徴とする膜積層基板。 - 請求項4記載の膜積層基板の、平板状の基板の片面に、マイクロレンズアレイの配列が形成され、上記平板状の基板上に積層形成されたN層の薄膜の上に、配列されたマイクロレンズアレイごとに、マイクロレンズの配列に応じた遮光用のブラックマトリックスパターンと透明導電膜が形成され、マイクロレンズアレイごとに切り離して得られる液晶パネル用対向基板。
- 請求項5記載の液晶パネル用対向基板と駆動電極基板との間に液晶層を封入してなる液晶パネル。
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