JP2008543208A - 負荷電流決定回路及び方法 - Google Patents
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Abstract
負荷(6)における電流(Iload)を決定する回路(1)であって、メイントランジスタ(2)およびセンストランジスタ(3)を有し、各トランジスタは主電流通路(5,6)および制御端子1(9,10)を有し、主電流通路がそれぞれ負荷とアース端子(7)との間に並列に操作可能に接続され、制御端子同士が接続されている。センストランジスタ(3)の主電流通路(5)の両端間の電圧を、メイントランジスタ(3)の主電流通路(4)の両端間の電圧の所定部分にほぼ等しい電圧レベルに設定する手段を設ける。
Description
本発明は、負荷の電流を決定する回路及び方法に関する。特に、本発明は、負荷の電流に依存する電圧を決定するために負荷に動作可能に結合されるメイントランジスタ及びセンストランジスタを含む回路に関するが、これに限定されるものではない。
多くのアプリケーションにおいて、例えば、モータ、ソレノイド、及びランプドライバのような自動車用回路において、負荷を流れる電流を決定できる回路がしばしば必要とされる。例えば、電子部品にダメージを与えかねない電流レベル、例えば過熱の原因となり得る電流レベルを検出するのに、そのような回路が必要とされることがある。一旦決定されれば、電流レベルを適宜制御することができる。
負荷電流を決定するための1つの方法は、電流検出用パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を用いる方法である。電流検出用パワーMOSFETは、従来、共通のドレイン、ソース、及びゲート電極を共用する、並列に配置された数千個のトランジスタセルを含む。このデバイス内の各トランジスタセル又はエレメントは同一であり、デバイスのドレイン端子に印加された電流はこれらのセルに平等に分けられる。このような設計では、幾つかのトランジスタのソース電極が残りのソース電極から分離され、別個のソース端子に接続されるのが一般的である。従って、得られる電流検出用MOSFETは、共通のゲートおよびドレイン端子を有するがソース端子は別個である、並列な2つのトランジスタと等価であると考えることができる。電流検出用パワーMOSFETにおけるトランジスタセルの大部分を含む、これらトランジスタの第1部分を、一般に、メインFETと呼ぶ。別個のソース端子を有する幾つかのトランジスタセルを含む第2部分を、センスFETと呼ぶ。
センスFETは、使用中に、共通ドレイン端子に印加された電流の小部分だけを伝導するが、この小部分は、メインFETにおけるトランジスタセルの数とセンスFETにおけるトランジスタセルの数との比に依存する電流比であるセンス比nに反比例する。センス比は、センスFETおよびメインFETのソース端子が等電位の状態に対して規定される。一般に、メインFETのソース電位を正確に決定できるように、メインFETのソース端子にケルビンコンタクトが用いられる。センス比が既知の場合、デバイスを通過する全電流、ひいてはデバイスが接続される負荷の負荷電流を、センスFETのソース電流の測定値、即ちセンスFETのドレイン電極とソース電極との間の主電流通路を流れる電流の測定値から計算することができる。
センスFETのソース電流に比例する出力電圧を与えるための好適な方法が2つ存在する。第1の方法は、センスレジスタをセンスFETのソース電流通路に接続し、センスレジスタにかかる電圧を測定して、センスFETの電流を決定するセンスレジスタ法である。しかしながら、このやり方には欠点がある。例えば、この回路にセンスレジスタを含めると、センスFETのソースの電圧が、メインFETの(ケルビン)ソースの電圧と異なってくる。このことは、電流検出用パワーMOSFETの見掛けのセンス比nに影響をおよぼし、さらに、回路に温度依存性を生じさせる。これらの影響はセンスレジスタの大きさで制御できるが、このレジスタの大きさは、測定誤差を最小にするために、このような実現方法ではそれに応じて制限される。一般に、センスレジスタの電圧を決定するのに用いる増幅器は正確な差動増幅器であることが要求され、さらに、メインFETのソース電位を正確に示すために、通常は、MOSFETケルビンソース接続を用いる必要がある。
センスFETのソース電流に比例する出力電圧を与えるための第2の方法は、仮想接地法である。演算増幅器が仮想接地構造に配置され、その非反転入力がメインFETのMOSFETケルビンソース端子に接続され(このソース端子はさらにアースに接続されている)、かつ、その反転入力がセンスFETのソース端子に接続される。センスレジスタが演算増幅器の出力部からの負帰還を与える。仮想接地配置により、センスFETのソース端子は、確実に、メインFETのソース端子と等電位に保たれる。従って、電流検出用パワーMOSFETのセンス比nは、センスレジスタからの影響をうけず、さらに、センスレジスタ電流の測定値が、温度に依存せずに、負荷電流に直線的に比例するようにすることができる。
しかしながら、仮想接地法には欠点がある。例えば、センスFETのソース端子の電位を、通常はアース端子の電位とするメインFETのソース端子の電位と等電位に保つために、演算増幅器に電力を供給する電圧が必要とされ、この電圧は、センスFETのソース電位に対して負である。また、通常、メインFETのソース電位を正確に測定するために、MOSFETケルビンソース接続を用いる必要があり、さらに、出力電圧の基準となるアースを与えるために、追加の正確な差動増幅器が必要とされ得る。
本発明は、上述の問題の少なくとも幾つかを解決することを目的とする。
本発明によれば、負荷電流を決定する回路が提供され、当該回路は、主電流通路および制御端子をそれぞれ有し、それぞれの主電流通路が前記負荷と共通の基準点との間に並列に動作可能に接続されかつそれぞれの制御端子同士が接続されている第1および第2トランジスタと、前記第2トランジスタの主電流通路の両端間の電圧を、前記第1トランジスタの主電流通路の両端間の電圧の所定部分に相当する電圧レベルに設定する手段とを具えることを特徴とする。
例えば電流検出用パワーMOSFETのセンスFETのような第2トランジスタの両端間の電圧を、例えば電流検出用パワーMOSFETのメインFETのような第1トランジスタの両端間の電圧に等しくするのではなく、その所定部分に等しい値に設定することは、既知の設計のものと比べ有利である。例えば、回路を負電源なしで動作するように構成することができ、これは、複雑さおよび所要コンポーネント数の減少による回路コストを最小化に関して明らかに有利である。
この回路は、第2トランジスタの主電流通路に直列に接続されたセンスレジスタをさらに具えることもできる。
この回路は、第2トランジスタの主電流通路の両端間の電圧を設定する制御回路をさらに具えることもでき、この制御回路は、共通の基準点に対して正の単一の電源によって電力が供給される。
前記制御回路は、第2トランジスタの主電流通路と共通の基準点との間に直列に接続された主電流通路を有する制御トランジスタを含むことができる。制御回路は、制御トランジスタを制御する信号を供給する手段を具えることができ、この信号は、第2トランジスタの主電流通路の両端間の電圧と前記電圧レベルとの間の誤差に依存する。
前記信号供給手段は、差動増幅器を具えることができる。差動増幅器は、演算増幅器回路を具えることができる。
前記差動増幅器は、第2トランジスタと制御トランジスタとの間に配置されたノードに接続された第1入力端子と、分圧回路に接続された第2入力端子とをさらに具えることができる。
前記分圧回路は、直列に接続された第1レジスタと第2レジスタとを具えることができ、この分圧回路は、第1トランジスタの主電流通路に並列に接続される。第1および第2レジスタの抵抗値は、メインおよびセンスFETにおけるトランジスタセルの実際の比率を変えることなく、回路の所要の実効電流センス比を設定するように選択することができる。これにより、メイントランジスタの主電流通路の電流と、センストランジスタの主電流通路の電流とのセンス比を、所与のアプリケーションに対して最適化することができる。第1および第2レジスタのうちの1つまたは両方が、加減抵抗を有することができる。従ってこの場合は、実効センス比を予め定めておく必要がなく、例えば、回路の使用中あるいは使用前の回路のキャリブレーション中に、動的に設定することができる。
第2レジスタの一端は、ケルビンコンタクトを用いて、第1トランジスタのソース端子へ接続することができる。
センスレジスタは、制御トランジスタの主電流通路と共通の基準点との間に直列に接続することができ、さらに、当該回路は、センスレジスタの両端間の電圧を決定する手段を具えることができる。制御トランジスタは、センスレジスタを、それに関連する欠点とともに、センスFETソースから効果的に切り離すことができる。従って、他の方法で可能なものよりも大きなセンスレジスタを用いることができるため、ほんの少ししか、あるいは全く増幅を必要としないで出力電圧を提供することができるとともにセンスレジスタのみの方法よりも良好な信号対雑音比を提供することができる。
第1および第2トランジスタは、単一の半導体パッケージに一体化された金属酸化膜電界効果トランジスタを具えることができる。第2トランジスタの主電流通路は、第1トランジスタの主電流通路よりも高い抵抗値を有することができる。第1トランジスタは、並列に配置された複数のトランジスタを具えることができ、第2トランジスタは、並列に配置された1つ以上のトランジスタを具えることができる。
本発明によれば、負荷の電流を決定する方法がさらに提供され、前記負荷は主電流通路および制御端子をそれぞれ有する第1及び第2トランジスタの並列配置と直列に動作可能に接続されており、当該方法は、第2トランジスタの主電流通路の両端間の電圧を、第1トランジスタの主電流通路の両端間の電圧の所定部分に相当する電圧レベルに設定することを特徴とする。
本発明の理解を助けるべく、添付図面を参照しつつ、本発明の実施例を単なる一例として説明する。
図1を参照すると、回路1は、第1トランジスタ2および第2トランジスタ3を具え、各トランジスタが、負荷抵抗6と共通の基準点またはアース端子7との間に並列に接続された主電流通路4,5を有する。負荷抵抗6自体は、電源端子8に接続されている。本実施例において、第1トランジスタ2は電流検出用パワーMOSFETのメインMOSFETとし、第2トランジスタ3は電流検出用パワーMOSFETのセンスMOSFETとするが、他のトランジスタまたは等価なコンポーネントを用いることができる。メイントランジスタの制御端子またはゲート電極9は、センストランジスタ3のゲート電極10に接続されている。ゲート電極9,10は、ゲート駆動回路11に接続されている。
制御回路12が設けられ、この制御回路は、本実施例では主電流通路14および制御端子15を有するMOSFETである制御トランジスタ13を含んでいる。制御トランジスタ13の主電流通路14は、センストランジスタ3の主電流通路5とアース端子7との間に、直列に接続されている。制御回路12は、本実施例では演算増幅器とする差動増幅器16も含み、差動増幅器16の非反転入力17は、センストランジスタ3の主電流通路5と制御トランジスタ13の主電流通路14との接続点18に接続され、その反転入力19は、分圧回路網または回路21の接続点20に接続されている。分圧回路21は、抵抗値R1を有する第1の抵抗22、接続点20、および抵抗値R2を有する第2の抵抗23の直列結合で形成されている。分圧回路21は、メイントランジスタ2の主電流通路4の両端間に並列に接続されている。特に、本実施例において、分圧回路21の第2の抵抗23は、ケルビンコンタクト接続25を用いて、メイントランジスタ2のソース端子24に接続されている。演算増幅器16の出力端26は、制御トランジスタ13のゲート電極15に接続され、正電源端子27は電源レール8に接続され、負電源端子28はアース端子7に接続されている。
抵抗値Rsのセンスレジスタ29が、制御レジスタ13の主電流通路14とアース端子7との間に直列に接続されている。センスレジスタ29の両端間の電圧30が回路1の出力Voutを与え、この電圧は、本実施例ではアース端子の電位を基準とする。負荷6の電流Iloadの指示を決定するために、出力電圧Voutの信号を処理する出力回路31が設けられる。
使用中、ゲート駆動回路11がメインおよびセンストランジスタ2,3のゲート電極9,10に信号を与えて、トランジスタ2,3を“オン”にする。それに応じて、電流が分圧回路21を経て流れるのみならず、メインおよびセンストランジスタ2,3の各主電流通路4,5を経て流れる。演算増幅器16は、制御トランジスタ13のゲート電極15に制御信号を与える。制御信号は、センスおよび制御トランジスタ3,13の主電流通路5,14間の接続点18の電圧レベルと、分圧回路21の接続点20の電圧レベルとの間の誤差に依存する。従って、制御信号は、センストランジスタ3のソース端子32の電圧レベルでもある、センストランジスタ3と制御トランジスタ13との接続点の電圧レベルを、分圧回路21の接続点20の電圧レベルにほぼ等しく設定するように作用する。
分圧回路21は、メイントランジスタ2の主電流通路4の両端間の電圧を、分圧器の全抵抗値R1+R2の一部分としてR1で決まる第1の電圧部分と、分圧器の全抵抗値R1+R2の一部分としてR2で決まる第2の電圧部分とに分ける。従って、分圧回路21の接続点20の電圧は、メイントランジスタ2の主電流通路の両端間の電圧の所定部分であるR2/(R1+R2)に一致する。センストランジスタのソース端子32を接続点20の電圧に設定すると、センストランジスタ3の主電流通路5の両端間の電圧が、メイントランジスタ2の主電流通路4の両端間の電圧のR1/(R1+R2)部分に等しくなる。これにより、センストランジスタのソース電流が、確実にメイントランジスタのソース電流に比例するようになる。
制御トランジスタ13は、センストランジスタ3のソース端子32からセンスレジスタ29を効果的に切り離す。センスレジスタ29の電流は、センストランジスタ3の主電流通路5の電流またはソース電流に等しく、上述したように、メイントランジスタ2の電流の所定部分である。この所定部分は、電流検出用MOSFETのセンス比nと、分圧回路21における第1および第2レジスタ22,23の抵抗値R1およびR2の比とによって決定される。センストランジスタ29の抵抗値Rsとセンスレジスタ29の両端間の電圧30とが分かると、センスレジスタ29における電流を決定することができる。センスレジスタ29の両端間の電圧30に基づいて、出力回路31は、負荷抵抗6の電流Iloadを適宜決定することができる。
ここで、IMainはメイントランジスタ2のソース電流、ISenseはセンストランジスタ3のソース電流、およびnは、幾何セル比としても知られている、メイントランジスタ2とセンストランジスタ3とがパッケージ化された電流検出用パワーMOSFETのセンス比である。IMainとISenseとの比は、分圧回路21における第1および第2レジスタ22,23の抵抗値R1とR2との比を設定して適宜調整することができる。IMainとISenseとの比を予め定めておくことを必要とせず、例えば回路の使用中あるいは使用前のキャリブレーション中に動的に定めることができるように、第1および第2レジスタ22,23の1つまたは両方を、可変レジスタまたは変更可能な抵抗値を有するほかのコンポーネントとすることができる。
分圧回路21の第1レジスタ22および第2レジスタ23の抵抗値R1,R2は、それぞれ第1および第2トランジスタの主電流通路4,5の抵抗値よりもかなり大きくなるようにする。そうすると、分圧回路21を流れる電流が、第1および第2トランジスタ2,3のソース電流よりも非常に小さくなる。従って、決定される負荷電流Iloadの、分圧回路の電流による誤差が軽微となる。さらに、分圧回路21の温度係数も小さくなる。本実施例において、レジスタ22,23は、それらの温度ドリフトエラーが有意にならないように、それぞれ、電力損失が小さくかつ抵抗の温度係数が小さい種類のものを選択する。さらに、第1および第2レジスタ22,23を一致させて、第1レジスタ22において生じる温度ドリフトが、第2レジスタ23でも生じるようにし、その結果、温度ドリフトの影響が相殺されるようにする。
本発明によるセンスレジスタの電圧30ひいては負荷電流ILoadの決定法は、精度およびリニアリティに関して、既存の設計のものと比べて優れている。具体的には、出力電圧が温度およびバイアス電圧のような可変量に依存せず、かつ回路1が仮想接地法において用いられる負電源を必要としない。
回路1におけるコンポーネントの具体的なパラメータは、アプリケーションに応じて変化する。しかしながら、通常の実装例では、メイントランジスタの電流通路4は1〜100ミリオームの抵抗値を有し、センストランジスタの電流通路5は1〜100オームの抵抗値を有し、分圧回路21における第1および第2レジスタ22,23は10キロオーム以上の抵抗値を有し、さらに、負荷抵抗6は100ミリオーム〜10オームである。
本発明の開示内容を読むことにより、他の変形および修正が可能であることが当業者には明らかであろう。そのような変形および修正は、電流の検出用および/または決定用のデバイスの設計、製造、および使用において既知であり、上記の特徴に代えて又はそれらの特徴に加えて用いることができる、同等のおよび他の特徴を有することが可能である。
例えば、回路1におけるセンスおよびメイントランジスタは電流検出用パワーMOSFETパッケージ内に設けられているが、他の実現法も可能である。例えば、制御トランジスタ13、演算増幅器16、センスレジスタ29、および分圧回路21のような回路の残りのコンポーネントを、MOSFETパッケージ内に集積化することもできる。あるいは、メインおよびセンスMOSFET2,3を、個別のコンポーネントとすることもでき、それらを、パワーMOSFETに限定するものではなく、回路1を適切に変更して、他のタイプのトランジスタを用いることができる。また、メイントランジスタ2のソース電極24にケルビンコンタクト接続25を設けることは必須ではない。代わりに、そのような接続は、省略する、および/または、メインおよびセンストランジスタ2,3のいずれかの電極に使用する、ことが可能である。また、センストランジスタの電流通路におけるセンスレジスタ29の位置は、制御トランジスタ13の主電流通路14とアース端子7との間に限られるものではなく、代わりにセンストランジスタ3の電流通路におけるほかの位置で用いることができる。
これまでに述べた回路1は、回路の出力電圧30を処理して負荷抵抗6の電流ILoadを導出する出力回路31を含むが、そのような回路は必須ではない。他の実現法では、アプリケーションによる要求に応じて、別の処理回路を用いるか、あるいは全く用いないこともできる。
本発明には多種多様なアプリケーションが存在する。それらは、モータ、ソレノイド、およびランプデバイスのような自動車用回路を含む。そのようなアプリケーションにおいて、本発明の回路および方法を実施して、例えば、過熱を引き起こし得る電流レベル等、電子部品にダメージを与えかねない電流レベルを検出することができる。一旦決定すれば、電流レベルは適宜制御することができる。
本明細書において、請求の範囲は構成要素の特定の組合せとして明確に記載したが、請求の範囲に記載された発明に関連する、しないにかかわらず、また本発明が解決すべき技術的課題の一部又は全部を解決する、しないにかかわらず、本明細書に明示的に又は暗黙的に若しくは一般化して記載された任意の新規な構成要素又は構成要素の任意の新規な組合せも本発明の範囲に含まれるものである。出願人は、本願の審査中に又は本願からの分割出願時に、新しい請求の範囲にこのような構成要素及び/又はこのような構成要素の組合せを明確に記載するかもしれないことを予告する。
Claims (16)
- 負荷の電流を決定する回路であって:当該回路は、
主電流通路および制御端子をそれぞれ有し、それぞれの主電流通路が前記負荷と共通の基準点との間に並列に動作可能に接続されかつそれぞれの制御端子同士が接続されている第1および第2トランジスタと、
前記第2トランジスタの主電流通路の両端間の電圧を、前記第1トランジスタの主電流通路の両端間の電圧の所定部分に相当する電圧レベルに設定する手段と、
を具えることを特徴とする、負荷電流決定回路。 - 前記第2トランジスタの主電流通路に直列に接続されたセンスレジスタをさらに具えることを特徴とする請求項1に記載の負荷電流決定回路。
- 前記第2トランジスタの主電流通路の両端間の電圧を設定する制御回路をさらに具え、当該制御回路は、前記共通の基準点に対して正の単一電源によって電力が供給されることを特徴とする請求項1または2に記載の負荷電流決定回路。
- 前記制御回路が、前記第2トランジスタの主電流通路と前記共通の基準点との間に直列に接続された主電流通路を有する制御トランジスタを含むことを特徴とする請求項3に記載の負荷電流決定回路。
- 前記制御回路は、前記制御トランジスタを制御する信号を供給する手段を具え、当該信号は、前記第2トランジスタの主電流通路の両端間の電圧と前記電圧レベルとの間の誤差に依存することを特徴とする請求項4に記載の負荷電流決定回路。
- 前記信号を供給する手段が差動増幅器を具えることを特徴とする請求項5に記載の負荷電流決定回路。
- 前記差動増幅器が演算増幅器回路を具えることを特徴とする請求項6に記載の負荷電流決定回路。
- 前記差動増幅器が:
前記第2トランジスタと前記制御トランジスタとの間に配置された接続点に接続された第1入力端子と;
分圧回路に接続された第2入力端子とをさらに具える、
ことを特徴とする請求項6または7に記載の負荷電流決定回路。 - 前記分圧回路が、直列に接続された第1レジスタと第2レジスタとを具え、前記分圧回路が、前記第1トランジスタの主電流通路に並列に接続されることを特徴とする請求項8に記載の負荷電流決定回路。
- 前記第1および第2レジスタのうちの1つまたは両方が、加減抵抗を有することを特徴とする請求項9に記載の負荷電流決定回路。
- 前記第2レジスタの一端が、ケルビンコンタクトで前記第1トランジスタのソース端子に接続されることを特徴とする請求項9または10に記載の負荷電流決定回路。
- 前記センスレジスタは、前記制御トランジスタの主電流通路と前記共通の基準点との間に直列に接続され、さらに、前記センスレジスタの両端間の前記電圧を決定する手段をさらに具えることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載の負荷電流決定回路。
- 前記第1および第2トランジスタが、単一の半導体パッケージに一体化された金属酸化膜電界効果トランジスタを具えることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載の負荷電流決定回路。
- 前記第2トランジスタの主電流通路が、前記第1トランジスタの主電流通路よりも高い抵抗値を有することを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の負荷電流決定回路。
- 前記第1トランジスタが、並列に配置された複数のトランジスタを具え、前記第2トランジスタが、並列に配置された1つ以上のトランジスタを具えることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項に記載の負荷電流決定回路。
- 負荷の電流を決定する方法であって、前記負荷は主電流通路および制御端子をそれぞれ有する第1及び第2トランジスタの並列配置と直列に動作可能に接続されている負荷電流決定方法において、
前記第2トランジスタの主電流通路の両端間の電圧を、前記第1トランジスタの主電流通路の両端間の電圧の所定部分に相当する電圧レベルに設定することを特徴とする負荷電流決定方法。
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