JP2008528432A5 - - Google Patents

Description

これに関して、０．４μｍまたはそれより大きい初期の平均的な表面粗度Ｒ_ａ,０から始まって、以下の寸法基準：
最小エッチング深さ_ｍｉｎ＝７０＋６０×ｌｎ （Ｒ_ａ,０［単位 μｍ］）を満足し、好ましくは以下の寸法基準：
最小エッチング深さ_ｍｉｎ＝７５＋６０×ｌｎ （Ｒ_ａ,０［単位 μｍ］）を満足する、
処理方法が、特に効果的であることが明らかにされている。

表１に挙げたデータに基づいて、エッチング処理の必要な強度と期間は、以下の寸法基準を用いて見積もることができる：
最小エッチング深さ_ｍｉｎ［単位 μｍ］＝７０＋６０×ｌｎ （Ｒ_ａ,０［単位 μｍ］）

Claims (6)

1. 未加工材料の表面を機械的に加工することによって初期の平均的な表面粗度Ｒ_ａ,０を発生し、かつこのように加工された構成部品表面がエッチング処理を受けることによって、半導体製造において使用するための石英ガラスからなる構成部品を形成する方法において、
   機械的な加工によって、少なくとも０．３μｍかつ最大で１．６μｍの初期の平均的な表面粗度Ｒ_ａ,０を設定し、かつエッチング処理の強度と期間を、１５μｍと１２０μｍの間の範囲内でエッチング深さがＲ_ａ,０に従って定められた最小エッチング深さ_ｍｉｎよりも大きいように、設定することを特徴とする石英ガラスからなる構成部品を形成する方法。
2. ０．４μｍまたはそれより大きい初期の平均の表面粗度Ｒ_ａ,０において、以下の寸法基準の最小エッチング深さ_ｍｉｎ：
   最小エッチング深さ_ｍｉｎ［単位 μｍ］＝７０＋６０×ｌｎ（Ｒ_ａ,０［単位 μｍ］）
   を満足することを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 以下の寸法基準の最小エッチング深さ_ｍｉｎ：
   最小エッチング深さ_ｍｉｎ［単位 μｍ］＝７５＋６０×ｌｎ（Ｒ_ａ,０［単位 μｍ］）
   を満足することを特徴とする請求項２に記載の方法。
4. 最小エッチング深さ_ｍｉｎが、２０μｍと１００μｍの間の範囲内にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
5. エッチング処理の強度と期間を、エッチング深さが最小エッチング深さ_ｍｉｎよりも最大で２０μｍ大きいように設定することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
6. 表面の機械的な加工によって、０．８μｍの初期の平均的な表面粗度Ｒ_ａ,０を発生することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。