JP2008520092A - 半導体ウェーハを測定する方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Rn=RN(n/N)1/2
式中、nは1からNまで変化し、Nは所定の測定ポイント数であり、RNは除外ゾーンの内側の半径である。
Rn=RN(n/N)1/2
式中、nは1からNまで変化し、Nは所定の測定ポイント数であり、RNは除外ゾーンの内側の半径である。
Sn=π・Rn 2=n・A/N (1)
RN=RW−EE
となる。RWはウェーハの半径である(図1参照)。
Sn=n・π・RN 2/N (2)
Rn=RN(n/N)1/2 (3)
θn=θn-1+Δθ
ここで、Δθは、ずらし角度の増加量であって、非対称効果に帰するべき重みづけに依存して大きくまたは小さくなる初期値に定められる。θ0は任意の値でよい。
Pn=[R’n,θn] nは1からNまで変化する
・ADE社のアキュマップ測定装置を用いて7500ポイントで実行された測定による。
・複数の角度および異なるNの値を用いて本発明の方法を使用する。
Claims (23)
- 円形のウェーハを測定する方法であって、
a)前記ウェーハの表面(A)を一定の面積(A/N)を有する複数(N)の同心リングに分割する工程と、
b)各リング上に少なくとも1つの測定ポイントを配置する工程と
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法において、
工程a)において、各リングの外側半径(Rn)を次式
Rn=RN(n/N)1/2 (nは1からNまでの変数)
を使用して計算することを特徴とする方法。 - 請求項1または2に記載の方法において、
工程b)において、前記測定ポイントを前記リングの中間円(cercle median)上に配置することを特徴とする方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法において、
工程b)において、各測定ポイントを前の測定ポイントに対して角度ずらしすることを特徴とする方法。 - 請求項4に記載の方法において、
ずらし角度の値は、検査対象の全表面上で一定であることを特徴とする方法。 - 請求項5に記載の方法において、
前記ずらし角度の値は、100°程度であることを特徴とする方法。 - 請求項4に記載の方法において、
前記ずらし角度の値は、リングで規定される複数のゾーンで異なっていることを特徴とする方法。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法において、
工程b)において、測定ポイントの数がリングで規定される異なるゾーンで異なっていることを特徴とする方法。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法において、
前記円形のウェーハは、工程a)の間において考慮されない環状の除外ゾーンを有するものであることを特徴とする方法。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法において、
前記円形のウェーハは、半導体材料からなるウェーハであることを特徴とする方法。 - 請求項10に記載の方法において、
前記円形のウェーハは、シリコンオンインシュレータウェーハであることを特徴とする方法。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法において、
配置された各測定ポイントで厚みを測定する工程をさらに含むことを特徴とする方法。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法において、
配置された各測定ポイントで電気特性または応力を測定する工程をさらに含むことを特徴とする方法。 - 円形のウェーハを測定するための装置であって、
配置制御部に応答して前記ウェーハにおける複数の所定のポイントで測定を実行する測定手段を備え、
前記制御部は、測定対象の前記ウェーハの表面を一定の面積を有する複数の同心リングに分割し、前記測定手段を当該測定手段が各リングで少なくとも1つの測定を実行できるように配置する手段を備えることを特徴とする装置。 - 請求項14に記載の装置において、
各リングの外側半径(Rn)は、次式
Rn=RN(n/N)1/2 (nは1からNまでの変数)
から計算されることを特徴とする装置。 - 請求項14または15に記載の装置において、
当該装置は、各リングの中間円(cercle median)上のポイントで測定を実行することを特徴とする装置。 - 請求項14〜16のいずれか一項に記載の装置において、
前記配置制御部は、各測定ポイントに、前の測定ポイントに対する角度ずらしを加える手段をさらに備えることを特徴とする装置。 - 請求項17に記載の装置において、
ずらし角度の値は、一定であることを特徴とする装置。 - 請求項18に記載の装置において、
前記ずらし角度の値は、100°程度であることを特徴とする装置。 - 請求項17に記載の装置において、
前記ずらし角度の値は、リングで規定される異なるゾーンで異なっていることを特徴とする装置。 - 請求項14〜20のいずれか一項に記載の装置において、
測定ポイントの数がリングで規定される異なるゾーンで異なっていることを特徴とする装置。 - 請求項14〜21のいずれか一項に記載の装置において、
前記配置制御部は、前記円形のウェーハで測定対象とする表面に含まれない除外ゾーンを当該ウェーハ上に規定する手段をさらに備えることを特徴とする装置。 - 請求項14〜22のいずれか一項に記載の装置において、
前記測定手段は、厚み、電気特性、または応力を測定する手段であることを特徴とする装置。
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