DE102008002753B4 - Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten auf scheibenförmigen Objekten - Google Patents

Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten auf scheibenförmigen Objekten Download PDF

Info

Publication number
DE102008002753B4
DE102008002753B4 DE102008002753A DE102008002753A DE102008002753B4 DE 102008002753 B4 DE102008002753 B4 DE 102008002753B4 DE 102008002753 A DE102008002753 A DE 102008002753A DE 102008002753 A DE102008002753 A DE 102008002753A DE 102008002753 B4 DE102008002753 B4 DE 102008002753B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
image
subregion
transformed
coordinates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102008002753A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102008002753A1 (de
Inventor
Ralf Friedrich
Daniel Dr. Skiera
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Tencor MIE GmbH
Original Assignee
Vistec Semiconductor Systems GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vistec Semiconductor Systems GmbH filed Critical Vistec Semiconductor Systems GmbH
Priority to DE102008002753A priority Critical patent/DE102008002753B4/de
Priority to US12/316,601 priority patent/US8090185B2/en
Publication of DE102008002753A1 publication Critical patent/DE102008002753A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102008002753B4 publication Critical patent/DE102008002753B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • G01N21/9503Wafer edge inspection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten (9) auf Wafern (2), wobei mindestens eine Kamera (5) Bilder mindestens eines Teilbereichs (11) des Wafers (2) bezüglich eines Bezugspunkts (12) des Wafers (2) aufnimmt, dadurch gekennzeichnet, dass die kartesischen Koordinaten der zu dem mindestens einen Teilbereich (11) des Wafers (2) gehörenden Bilddaten in Polarkoordinaten transformiert und azimutale und/oder radiale Bildinhalte nach der Polarkoordinatenformation durch anisotrope Filterung extrahiert bzw. unterdrückt werden.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten. Im Besonderen betrifft die Erfindung ein Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten, wobei mindestens eine Kamera Bilder mindestens eines Teilbereichs des Wafers bezüglich eines Bezugspunkts des Wafers aufnimmt.
  • Bei den für die Waferinspektion verwendeten Wafern wird der Waferrand durch verschiedene Prozessschritte mittels EBR (Edge Bead Removal) entlackt. Somit wird eine Randentlackungskante hergestellt. Dabei entsteht eine Abstufung der Waferoberfläche, die sich im aufgenommenen Waferbild als Ellipse bzw. im Optimalfall als konzentrischer Kreis darstellt.
  • Defekte oder Anomalien sind auf dem Wafer oft schwer zu finden. Insbesondere stellen bezüglich des Randbereichs des Wafers die EBRs des Randbereichs zwar in der Regel für den Anwender keinen Defekt dar, es sollen aber trotzdem Anomalien in diesem Randbereich gefunden werden. Für die Detektion solcher Defekte oder Anomalien auf dem Randbereich ist es jedoch ein Problem, zwischen EBR und Defekt sicher zu unterscheiden. Entsprechend ist es auch oft schwer, auf dem Rest der Oberfläche des Wafers Defekte von gewünschten Strukturen auf dem Wafer sicher zu unterscheiden.
  • Die Patentanmeldung DE 10 2005 014 594 A1 offenbart ein Verfahren zur Erkennung der unvollständigen Randentlackung eines scheibenförmigen Objekts, beispielsweise eines Wafers. Hierzu wird zunächst ein Randbereich eines scheibenförmigen Referenzobjekts aufgenommen. in dem Randbereich des Referenzobjekts werden dann Markierungen festgelegt. Schließlich erfolgt die Aufnahme von Abbildungen von Randbereichen mehrerer scheibenförmiger Objekte eines Loses. Die Untersuchung der scheibenförmigen Objekte wird ausschließlich auf die beim Referenzobjekt festgelegten Positionen der Markierungen beschränkt.
  • Die Patentanmeldung DE 10 2006 042 956 A1 offenbart ein Verfahren zur Visualisierung von Messwerten aus aufgenommenen Bildern von scheibenförmigen Objekten. Dabei erfolgt zunächst das Aufnehmen eines aufgenommenen Bildes von mindestens einem scheibenförmigen Objekt und es wird eine Vielzahl von Messwerten erzeugt. Jedem Messwert wird ein Farbwert zugeordnet. Schließlich wird ein Ergebnisbild erzeugt, wobei einer Fläche, die zu einem Messwert auf dem scheibenförmigen Substrat geführt hat, ein Farbwert zugeordnet wird, der aus einer vorbestimmten Palette ausgewählt wird.
  • Das U.S. Patent 5,859,698 A offenbart ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Detektion von Makrodefekten, wobei zur Bildaufnahme Streulicht verwendet wird. Die Makrodefekte können sich auf einem Wafer, einem teilweise prozessierten Wafer oder auf einem Flüssigkristall-Displayelement befinden. Diese Defekte werden mittels Streulicht detektiert. Ein Referenzbild und ein Probenbild werden durch eine automatisierte Bildverarbeitungstechnik aus den Streulichtdaten erzeugt. Dann wird durch Vergleich des Referenzbildes mit dem Probenbild ein Differenzbild erzeugt. Das Differenzbild wird ausgewertet, indem mindestens eine automatisierte Bildverarbeitungstechnik verwendet wird, beispielsweise ein Schwellenwertverfahren, eine morphologische Transformation und eine Blob-Analyse, um Makrodefekte zu identifizieren. Es wird dabei jedoch keine Polarkoordinatentransformation durchgeführt, sondern nur eine Transformation innerhalb des x-y Koordinatensystems.
  • Das japanische Patent JP 04123454 AA offenbart ein Verfahren zur Analyse von Störpartikeln bzw. Defekten auf einem Wafer. Dabei wird eine Schnittstelle zum Konvertieren der Datei und zur Koordinatentransformation der Störpartikel-Koordinatendaten bereitgestellt, um eine schnelle Detektion von Störpartikeln auf dem Wafer zu ermöglichen. Dazu wird ein Wafer in einen Staubdetektor gebracht, um die Störpartikel zu ermitteln. Die x-y Koordinaten der ermittelten Partikel auf dem Wafer werden dann auf einem Speichermedium gespeichert. Anschließend wird der Wafer aus dem Detektor entnommen und auf einen automatischen Tisch eines Inspektionsgeräts gelegt. Zeitgleich wird das Speichermedium aus dem Detektor entnommen und in einen Computer eingelegt, der mit dem Inspektionsgerät verbunden ist, um eine Koordinatentransformation durch Konvertieren der Datei, die die Koordinatendaten enthält, durchzuführen. Sobald ein Störpartikel identifiziert wird, wird ein Kontrollelement betätigt, um den automatischen x-y Tisch derart zu bewegen, dass das Partikel in das Sichtfeld verbracht und ein Bild auf dem Display erzeugt werden kann. Auch hier wird keine Polarkoordinatentransformation durchgeführt, sondern nur eine Transformation innerhalb des x-y Koordinatensystems.
  • Das deutsche Patent DE 103 07 358 B3 offenbart ein Verfahren zum Scannen eines Wafers, wobei eine Kamera entlang eines mäanderförmigen Weges über die Oberfläche des Wafers geführt wird. Der Scanzeilenwechsel ist optimiert, damit eine Zeitersparnis beim Scannen des Wafers erreicht wird. Da die Scanbewegung im kartesischen x-y-Koordinatensystem ausgerichtet ist, werden die Messwerte der aufgenommenen Bilder auch in kartesischen Koordinaten dargestellt.
  • Bei den aufgeführten Vorrichtungen und Verfahren aus dem Stand der Technik werden die aufgenommenen Bilder vom Wafer bzw. Waferteilbereichen zwar teilweise transformiert, jedoch sind die Transformationen nicht speziell dahingehend optimiert, azimutale und radiale Bildinhalte getrennt zu verarbeiten.
  • Aufgabe der Erfindung ist daher, ein Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten bei der Waferinspektion zu schaffen, das einfach und sicher Defekte auf dem Wafer bestimmt und visuell darstellt. Im Besonderen soll die Erfindung die Defektdetektion in Bildbereichen mit hohen rotationssymmetrischen Signalanteilen ermöglichen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gelöst, das die Merkmale des Anspruchs 1 umfasst. Weitere Vorteile ergeben sich aus den zugehörigen Unteransprüchen und der Beschreibung.
  • Beim erfindungsgemäßen Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten bei der Inspektion eines Wafers nimmt mindestens eine Kamera Bilder von mindestens einem Teilbereich des Wafers auf. Der Teilbereich kann auch den gesamten Wafer umfassen. Es wird ein Bezugspunkt für den Wafer bestimmt, der als Bezugspunkt für die auszuführende Transformation dient. Dabei sollen die kartesischen Koordinaten der zu dem mindestens einen Teilbereich des Wafers gehörenden Bilddaten in Polarkoordinaten transformiert werden. In einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der Teilbereich des Wafers, dessen kartesische Bildkoordinaten in Polarkoordinaten transformiert werden sollen, vom Benutzer vorgegeben, beispielsweise, indem der Benutzer ein Intervall für den Winkel und ein Intervall für den Radius vorgibt, in denen der Teilbereich des Wafers liegt. In einer speziellen Ausführungsform wird als Intervall für den Winkel ein Bereich zwischen 0° und 360° sowie als Intervall für den Radius ein Bereich zwischen r–ε und r vorgegeben, wobei r der Radius des Wafers bzw. der maximale Radius des Wafers ist, falls der Wafer nicht völlig kreisförmig ist, und ε ein Abstand größer Null zum Waferrand ist. Bei dieser Ausführungsform umfasst also der zu transformierende Teilbereich des Wafers den gesamten Randbereich des Wafers. Wählt man den Winkel kleiner als 360 Grad, so stellt der zu transformierende Teilbereich des Wafers nur einen Teil des Randbereichs dar.
  • In einer Ausführungsform können mehrere Kameras verwendet werden, deren Einzelstreifenbilder von einem Programm in ein Gesamtbild zusammengefügt werden. Ein ähnlicher Aufbau ist aus der Waferbackside-Inspektion bekannt. Hier werden beispielsweise mehrere Kameras für die Bildaufnahmen verwendet. Anschließend wird der Teilbereich aus dem Gesamtbild extrahiert. In einer anderen möglichen Ausführungsform wird nur eine Kamera verwendet, die die Einzelstreifen nacheinander aufnimmt. Ein Programm setzt die Einzelstreifen zu einem Gesamtbild zusammen. Ebenso kann das Gesamtbild oder ein Teilbild des Wafers durch einen Mäanderscan aufgenommen werden.
  • Der Teilbereich des Wafers kann auch ein Kreissektor, ein Kreisring oder ein Teil eines Kreisrings sein, die durch Polarkoordinatentransformation ebenfalls in ein Rechteck überführt werden.
  • Ist der Teilbereich des Wafers ein Kreissegment, so ergibt sich durch die Polarkoordinatentransformation ein dreieckiger Streifen oder ein Rechteck.
  • Beim erfindungsgemäßen Verfahren werden bei der weiteren Bildverarbeitung die azimutalen und/oder radialen Bildinhalte nach der Polarkoordinatenformation durch anisotrope Filterung extrahiert bzw. unterdrückt. Dafür sind diverse Methoden aus dem Stand der Technik denkbar: lineare Filter, Fouriertransformation, Wavelettransformation, rekursive Filterung des Polarkoordinatenteilbildes, beispielsweise durch einen infinite Impules Response Filter. Die Methode der anisotropen Modalwert-Subtraktion ist ein Bestandteil der Erfindung. Die Erfindung soll jedoch nicht auf diese Methoden beschränkt sein, sondern gilt für alle Methoden, die der Extrahierung bzw. Unterdrückung von azimutalen und/oder radialen Bildinhalten durch anisotrope Filterung dienen.
  • In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens werden aus den azimutalen und/oder radialen Inhalten der mit der mindestens einen Kamera aufgenommenen Bilder mittels eines Schwellwertverfahrens aus dem Stand der Technik Defektbilder erzeugt, die zur weiteren Analyse der Defekte dienen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren wird nachfolgend anhand der schematischen Zeichnungen genauer erläutert. Die Figuren zeigen im Einzelnen:
  • 1: eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Aufnahme eines Bildes;
  • 2: ein Bild eines Teilbereichs eines Wafers mit zwei schematisch dargestellten Defekten;
  • 3: eine schematische Draufsicht eines Wafers;
  • 4: ein Diagramm eines transformierten Bildes des Teilbereichs des Wafers;
  • 5: das transformierte Bild des Teilbereichs des Wafers nach 2; und
  • 6: ein Flussdiagramm zu einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.
  • 1 zeigt in schematischer Weise eine Vorrichtung 1 zur Verarbeitung der von einer Kamera 5 aufgenommenen Bilddaten der Oberfläche eines Wafers 2 gemäß dem Stand der Technik. Der Wafer 2 befindet sich auf einem Scanningtisch 6. Von dem Wafer 2 wird eine Vielzahl von Bildern mittels der Kamera 5 aufgenommen. Um eine Relativbewegung zwischen Scanningtisch 6 und Kamera 5 zu erzeugen, wird in diesem Ausführungsbeispiel ein x-y-Scanningtisch verwendet, der in x-Koordinatenrichtung und/oder y-Koordinatenrichtung verfahren werden kann, wobei die x- und y-Koordinatenachsen ein kartesisches Koordinatensystem bilden. Die Kamera 5 ist hierbei gegenüber dem Scanningtisch 6 fest installiert. Selbstverständlich kann auch umgekehrt der Scanningtisch 6 fest installiert sein und die Kamera 5 für die Bildaufnahmen über den Wafer 2 bewegt werden. Auch eine Kombination der Bewegung der Kamera 5 in eine Richtung und des Scanningtisches 6 in der dazu senkrechten Richtung ist möglich.
  • Der Wafer 2 wird mit einer Beleuchtungseinrichtung 4 beleuchtet, die zumindest Bereiche auf dem Wafer 2 beleuchtet, die im Wesentlichen dem Bildfeld der Kamera 5 entsprechen. Durch die konzentrierte Beleuchtung, die zudem auch mit einer Blitzlampe gepulst sein kann, sind Bildaufnahmen on-the-fly möglich, bei denen also der Scanningtisch 6 oder die Kamera 5 ohne für die Bildaufnahme anzuhalten verfahren werden. Dadurch ist ein großer Waferdurchsatz möglich. Natürlich kann auch für jede Bildaufnahme die Relativbewegung zwischen Scanningtisch 6 und Kamera 5 angehalten werden und der Wafer 2 auch in seiner gesamten Oberfläche beleuchtet werden.
  • Scanningtisch 6, Kamera 5 und Beleuchtungseinrichtung 4 werden von einer Steuereinheit 7 gesteuert. Die Bildaufnahmen können in einem Rechner 8 abgespeichert und gegebenenfalls auch dort verarbeitet werden.
  • 2 zeigt das Bild eines Teilbereichs 11 eines Wafers 2 mit zwei schematisch dargestellten Defekten 9, aufgenommen mit einer Kamera 5. Das Bild des Teilbereichs 11 wird in Polarkoordinaten transformiert und ergibt dann das Bild 17 gemäß 5.
  • 3 zeigt eine schematische Draufsicht eines Wafers 2. Der Randbereich 10 des Wafers 2 wird durch die äußere Kante 18 des Wafers 2 und die gestrichelte innere Kreislinie 19 begrenzt.
  • Das kartesische Koodinatensystem ist durch den Bezugspunkt 12 und die X-Achse und die Y-Achse gegeben. In der hier dargestellten Ausführungsform der Erfindung nach 3 ist der Bezugspunkt 12 der Mittelpunkt des Wafers 2 (COW; center of wafer) und zugleich der Ursprung des kartesischen Koordinatensystems, was jedoch nicht als Einschränkung der Erfindung verstanden werden darf, da der Bezugspunkt 12 auch beliebig außerhalb des Mittelpunkts des Wafers 2 liegen kann.
  • Der Teilbereich 11, der in der Ausführungsform nach 3 in Polarkoordinaten überführt wird, ist hier ein Teil des Randbereichs 10. Obwohl sich die nachfolgende Beschreibung der Erfindung ausschließlich auf den Randbereich 10 bzw. auf einen Teil des Randbereichs 10 bezieht, soll das nicht als Beschränkung der Erfindung aufgefasst werden. Es ist für einen Fachmann selbstverständlich, dass die gegenwärtige Erfindung auf jeden beliebigen Teilbereich 11 oder der gesamten Oberfläche des Wafers 2 angewandt werden kann.
  • Der für die Polarkoordinatentransformation betrachtete Teilbereich 11 wird in der der 3 zugrundeliegenden Ausführungsform durch einen Startpunkt 13, einen Endpunkt 14 für das betrachtete Winkelintervall 15 des Teilbereichs 11 sowie durch ein Radiusintervall 16 beschrieben. Bei der in 3 vorliegenden Ausführungsform liegen der Startpunkt 13 und der Endpunkt 14 beide auf der äußeren Begrenzungslinie des Wafers 2, was jedoch nicht als Einschränkung der Erfindung verstanden werden darf, da der Startpunkt 13 und der Endpunkt 14 beliebig auf dem Wafer 2 liegen können, um den zu transformierenden Teilbereich 11 zu beschreiben. Bildet der Teilbereich 11 eine unregelmäßige Form, so sind entsprechend mehr Punkte und/oder Linien zur Definition des Teilbereichs 11 festzulegen.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform nach 3 beträgt der Winkel im Startpunkt 13 0 Grad. Beim Endpunkt 14 beträgt der Winkel mehr als 0 Grad und kann bis zu 360 Grad erreichen.
  • 4 zeigt ein Diagramm des in Polarkoordinaten transformierten Bildes 17 (siehe auch 5) des Teilbereichs 11 des Wafers 2 aus 3. Das Polarkoordinatensystem wird durch die r-Achse für den Radius und die φ-Achse für den Winkel gebildet. Der Bezugspunkt 12 wird in den transformierten Bezugspunkt 12' transformiert.
  • Die Höhe des Bildes 17 stellt das Winkelintervall 15 dar, die Breite des Bildes 17 das Radiusintervall 16. Der in 3 zugrundeliegende kreisteilförmige Teilbereich 11 wird durch Polarkoordinatentransformation in ein rechteckiges Bild 17 nach 4 transformiert.
  • 5 zeigt das transformierte Bild 17 des Teilbereichs 11 des Wafers 2 nach 2. Die Koordinaten zu den beiden Defekten 9 liegen hier als Polarkoordinaten vor. Falls Datenpunkte beim Teilbereich 11 nach 2 fehlen, so dass sich aus dem aufgenommenen Teilbereich 11 durch Polarkoordinatentransformation kein vollständiges Rechteck ergibt, können diese Datenpunkte für den Teilbereich 11 durch das Programm, das die Polarkoordinatentransformation durchführt, entsprechend ergänzt werden.
  • Der Vorteil der Erfindung wird besonders deutlich, wenn, wie das bei der 3 der Fall ist, Teilbereiche 11 über das gesamte Winkelintervall 15 ein konstantes Radiusintervall 16 aufweisen, das heißt, dass für jeden Winkel aus dem Winkelintervall 15 sich der Teilbereich 11 stets über dasselbe Radiusintervall 16 erstreckt. In diesen Fällen ergibt sich durch Polarkoordinatentransformation, wie oben bereits beschrieben, ein Bild 17 in Form eines Rechtecks. Auf solch ein rechteckiges Bild 17 lassen sich einfache Filterungen, durch die sich dann Defektbilder ergeben, nach den oben beschriebenen Methoden anwenden. Bei diesen durch Filterung entstandenen Defektbildern können Defekte 9 einfacher und sicherer erkannt werden im Vergleich zum Bild des Teilbereichs 11 des kreisförmigen Wafers 2. Die Erfindung eignet sich daher besonders für Kameras 5, die als Zeilenkameras ausgestaltet sind. Wie oben ebenfalls beschrieben, bestimmt die Länge der Kamerazeile das Radiusintervall 16 des Teilbereichs 11. Da die Länge der Kamerazeile stets unverändert ist und sich üblicherweise Zeilenkameras kreisförmig relativ zum Wafer 2 bewegen, ist auch das Radiusintervall 16 des Teilbereichs 11 konstant über das gesamte Winkelintervall 15 und das transformierte Bild 17 ist ein Rechteck.
  • Andersförmige Teilbereiche 11 werden in andere Formen eines Bildes 17 transformiert, wie hinlänglich aus der Theorie zu Transformationsfunktionen bekannt.
  • 6 zeigt ein Flussdiagramm zu einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens. Im ersten Schritt S1 werden das kartesisches Koordinatensystem und ein Bezugspunkt 12 festgelegt. Die aufzunehmenden Bilder werden auf ein kartesisches Koordinatensystem und den Bezugspunkt 12 bezogen. Im zweiten Schritt S2 wird ein auf Defekte 9 zu inspizierender Teilbereich 11 des Wafers 2 festgelegt wie oben beschrieben, vorzugsweise mit einem konstanten Radiusintervall 16 über das gesamte Winkelintervall 15, wie es beispielsweise bei der Inspektion des Randbereichs 10 des Wafers 2 als Teilbereich 11 mit einer Zeilenkamera der Fall ist. Im dritten Schritt S3 wird nacheinander eine Vielzahl von Teilbildern des Teilbereichs 11 des Wafers 2 mit der mindestens einen Kamera 5 aufgenommen. Es kann natürlich auch sein, dass mit einem einzigen Bild der gesamte Teilbereich 11 aufgenommen wird, abhängig von der Art der Kamera 5 und der Definition des Teilbereichs 11. Ist die Kamera 5 beispielsweise eine Zeilenkamera und der Teilbereich 11 der Randbereich 10, so werden zeilenweise die zeilenförmigen Teilbilder vom Randbereich 10 aufgenommen.
  • Im vierten Schritt S4 wird aus den aufgenommenen Teilbildern ein Gesamtbild des Teilbereichs 11 des Wafers 2 erzeugt. Beim Beispiel mit der Zeilenkamera und dem Randbereich 10 als Teilbereich 11 ergeben die einzelnen Zeilenbilder zusammen ein Gesamtbild des aufgenommenen Randbereichs 10 des Wafers 2.
  • Im fünften Schritt S5 wird das Gesamtbild des Teilbereichs 11 in Polarkoordinaten transformiert und ergibt ein Gesamtbild 17 in Polarkoordinaten-Darstellung, vorzugsweise in Form eines Rechtecks wie oben beschrieben.
  • Im sechsten Schritt S6 der Ausführungsform können aus den azimutalen und/oder radialen Bildinhalten diverse weitere Defektbilder zur besseren und sichereren Analyse eventueller Defekte 9 erzeugt werden. Dabei können die Defektbilder durch anisotrope Filterung nach einer der oben beschriebenen Methoden erzeugt werden. Bei der anisotropen Modalwertsubtraktion wird vom Wert jedes Pixels der Modalwert der Pixelwerte aus einer frei definierbaren rechteckigen Umgebung subtrahiert.
  • Ist der jeweils aktuelle Teilbereich 11 abgearbeitet, kann gemäß der Abfrage im siebten Schritt S7 ein nächster Teilbereich 11 des Wafers 2 gemäß den oben beschriebenen Schritten untersucht werden, solange bis alle Teilbereiche 11 des Wafers 2 abgearbeitet sind.
  • Abschließend sei ganz besonders darauf hingewiesen, dass die Erfindung unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsbeispiele beschrieben wurde. Es ist jedoch für jeden Fachmann selbstverständlich, dass Abwandlungen und Änderungen gemacht werden können, ohne dabei den Schutzbereich der nachstehenden Ansprüche zu verlassen.
  • 1
    Vorrichtung
    2
    Substrat/Wafer
    3
    Struktur auf Wafer
    4
    Beleuchtungseinrichtung
    5
    Kamera
    6
    Scanningtisch
    7
    Steuereinheit
    8
    Rechner
    9
    Defekt
    10
    Randbereich
    11
    Teilbereich
    12
    Bezugspunkt
    13
    Startpunkt in kartesischen Koordinaten
    14
    Endpunkt in kartesischen Koordinaten
    13'
    Startpunkt in Polarkoordinaten
    14'
    Endpunkt in Polarkoordinaten
    15
    Winkelintervall
    16
    Radiusintervall
    17
    Transformiertes Bild
    18
    Kante
    19
    innere Kreislinie

Claims (16)

  1. Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten (9) auf Wafern (2), wobei mindestens eine Kamera (5) Bilder mindestens eines Teilbereichs (11) des Wafers (2) bezüglich eines Bezugspunkts (12) des Wafers (2) aufnimmt, dadurch gekennzeichnet, dass die kartesischen Koordinaten der zu dem mindestens einen Teilbereich (11) des Wafers (2) gehörenden Bilddaten in Polarkoordinaten transformiert und azimutale und/oder radiale Bildinhalte nach der Polarkoordinatenformation durch anisotrope Filterung extrahiert bzw. unterdrückt werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Teilbereich (11) des Wafers (2), dessen kartesische Bildkoordinaten in Polarkoordinaten transformiert werden sollen, vom Benutzer vorgegeben wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Benutzer ein Intervall (15) für den Winkel und ein Intervall (16) für den Radius vorgibt, in denen der Teilbereich (11) des Wafers (2) liegt, dessen kartesische Bildkoordinaten in Polarkoordinaten transformiert werden sollen.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Teilbereich (11) des Wafers (2) der gesamte Wafer (2) ist.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Teilbereich 11) des Wafers (2) der gesamte Randbereich (10) ist.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Teilbereich (11) des Wafers (2) ein Teil des Randbereichs (10) ist.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Teilbereich (11) des Wafers (2) ein Sektor ist.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Teilbereich (11) des Wafers (2) ein Segment ist.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Teilbereich (11) des Wafers (2) ein Kreisring oder ein Teil eines Kreisrings ist.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine anisotrope Modalwert-Subtraktion für die anisotrope Filterung verwendet wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass lineare Filter für die anisotrope Filterung verwendet werden.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine Fouriertransformation für die anisotrope Filterung verwendet wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine Wavelettransformation für die anisotrope Filterung verwendet wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine rekursive Filterung des Polarkoordinatenteilbildes (Infinite Impules Response Filter) für die anisotrope Filterung verwendet wird.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine anisotrope Modalwert-Subtraktion auf ein Bild oder ein Teilbild angewendet wird, wobei dieses Bild bzw. Teilbild transformiert sein kann oder nicht.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass aus den azimutalen und/oder radialen Inhalten der mit der mindestens einen Kamera (5) aufgenommenen Bilder mittels eines Schwellwertverfahrens Defektbilder erzeugt werden.
DE102008002753A 2007-12-19 2008-01-18 Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten auf scheibenförmigen Objekten Expired - Fee Related DE102008002753B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008002753A DE102008002753B4 (de) 2007-12-19 2008-01-18 Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten auf scheibenförmigen Objekten
US12/316,601 US8090185B2 (en) 2007-12-19 2008-12-15 Method for optical inspection, detection and visualization of defects on disk-shaped objects

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007047928 2007-12-19
DE102007047928.1 2007-12-19
DE102008002753A DE102008002753B4 (de) 2007-12-19 2008-01-18 Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten auf scheibenförmigen Objekten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102008002753A1 DE102008002753A1 (de) 2009-07-09
DE102008002753B4 true DE102008002753B4 (de) 2010-03-25

Family

ID=40719369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008002753A Expired - Fee Related DE102008002753B4 (de) 2007-12-19 2008-01-18 Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten auf scheibenförmigen Objekten

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8090185B2 (de)
DE (1) DE102008002753B4 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010061505B4 (de) * 2010-12-22 2012-10-31 Kla-Tencor Mie Gmbh Verfahren zur Inspektion und Detektion von Defekten auf Oberflächen von scheibenförmigen Objekten
CN102522350B (zh) * 2011-11-29 2014-05-28 上海华力微电子有限公司 故障生产机台检测的方法和装置
JP6083129B2 (ja) * 2012-04-27 2017-02-22 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法および製造装置
KR102175021B1 (ko) * 2014-02-12 2020-11-06 케이엘에이 코포레이션 웨이퍼 노치 검출
US9734422B2 (en) * 2014-11-12 2017-08-15 Kla-Tencor Corporation System and method for enhanced defect detection with a digital matched filter
KR20170046998A (ko) * 2015-10-22 2017-05-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 검사 장치
CN110907468B (zh) * 2019-12-09 2021-07-30 上海精测半导体技术有限公司 一种表面检测装置及方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04123454A (ja) * 1990-09-14 1992-04-23 Sony Corp ウェハ付着異物微粒子分析システム
US5859698A (en) * 1997-05-07 1999-01-12 Nikon Corporation Method and apparatus for macro defect detection using scattered light
DE10307358B3 (de) * 2003-02-21 2004-10-07 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Scannen eines Halbleiter-Wafers
DE19904427B4 (de) * 1999-02-04 2004-12-16 Basler Ag Verfahren zum Prüfen von rotationssymmetrischen Gegenständen
DE102005014594A1 (de) * 2005-03-31 2006-10-05 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren zur Erkennung unvollständiger Randentlackung eines scheibenförmigen Objekts
DE102006042956A1 (de) * 2006-04-07 2007-10-11 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur optischen Inspektion Visualisierung der von den scheibenförmigen Objekten gewonnenen optischen Messwerte

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6182512B1 (en) * 1997-06-13 2001-02-06 General Electric Company Method and apparatus for imaging thin structures
US6559457B1 (en) * 2000-03-23 2003-05-06 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for facilitating detection of defects on a wafer
US7295695B1 (en) * 2002-03-19 2007-11-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect detection via multiscale wavelets-based algorithms
US7433031B2 (en) * 2003-10-29 2008-10-07 Core Tech Optical, Inc. Defect review system with 2D scanning and a ring detector
FR2878075B1 (fr) * 2004-11-15 2007-03-02 Soitec Silicon On Insulator Procede et appareil de mesure de plaques de semi-conducteur
DE102005011237B3 (de) * 2005-03-11 2006-08-03 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren zur Bestimmung von Defekten in Bildern
US7738692B2 (en) * 2006-07-20 2010-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods of determining quality of a light source
US7813538B2 (en) * 2007-04-17 2010-10-12 University Of Washington Shadowing pipe mosaicing algorithms with application to esophageal endoscopy

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04123454A (ja) * 1990-09-14 1992-04-23 Sony Corp ウェハ付着異物微粒子分析システム
US5859698A (en) * 1997-05-07 1999-01-12 Nikon Corporation Method and apparatus for macro defect detection using scattered light
DE19904427B4 (de) * 1999-02-04 2004-12-16 Basler Ag Verfahren zum Prüfen von rotationssymmetrischen Gegenständen
DE10307358B3 (de) * 2003-02-21 2004-10-07 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Scannen eines Halbleiter-Wafers
DE102005014594A1 (de) * 2005-03-31 2006-10-05 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren zur Erkennung unvollständiger Randentlackung eines scheibenförmigen Objekts
DE102006042956A1 (de) * 2006-04-07 2007-10-11 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur optischen Inspektion Visualisierung der von den scheibenförmigen Objekten gewonnenen optischen Messwerte

Also Published As

Publication number Publication date
DE102008002753A1 (de) 2009-07-09
US20090161097A1 (en) 2009-06-25
US8090185B2 (en) 2012-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008002753B4 (de) Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten auf scheibenförmigen Objekten
DE60100594T2 (de) Verfahren und system zur aufspürung von fehlern auf einer gedruckten leiterplatte
DE102014205726B4 (de) Verfahren zum bestimmen von profildaten für ein kantenmerkmal in einem inspektionssystem mit maschineller bildverarbeitung
DE10000364B4 (de) Merkmalbasierende Feststellung von Fehlern
DE112015004721B4 (de) Defektdetektion unter verwendung von strukturinformation
DE102010061505B4 (de) Verfahren zur Inspektion und Detektion von Defekten auf Oberflächen von scheibenförmigen Objekten
DE19803021A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Musteruntersuchung
DE102016107900B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Kantenermittlung eines Messobjekts in der optischen Messtechnik
DE112011104912B4 (de) Rasterelektronenmikroskop
DE102014107143B4 (de) System und Verfahren zur Messung der Verschiebung einer Objektoberfläche
DE102014207095A1 (de) Kantenmessungs-Videowerkzeug mit robustem Kantenunterscheidungs-Spielraum
DE102012206079A1 (de) Inspizieren von potenziell störenden Eigenschaften in einem maschinellen, visuellen System
DE10237540A1 (de) Fehlerinspektionsvorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung
DE102012216908A1 (de) Verfahren unter Verwendung einer Bildkorrelation zum Bestimmen von Positionsmessungen in einem Maschinenvisionssystem
DE102007039982B3 (de) Verfahren zur optischen Inspektion und Visualisierung der von scheibenförmigen Objekten gewonnenen optischen Messerwerte
DE2653590C3 (de) Vorrichtung zum Ermitteln von Fehlern in flächenhaften Mustern, insbesondere in Photomasken
WO2004074822A1 (de) Verfahren, vorrichtung und software zur optischen inspektion eines halbleitersubstrats
EP3628995A1 (de) Kalibriervorlage und kalibrierverfahren zum geometrischen kalibrieren einer vielzahl von kameras eines kamera-arrays
DE102020120887B4 (de) Verfahren zum erfassen einer einhängeposition eines auflagestegs und flachbettwerkzeugmaschine
DE102009010837A1 (de) Verfahren zur Inspektion von Wafern für Solarzellen auf Sägerillen
DE102022202638A1 (de) Bearbeitungsvorrichtung
WO2013026826A1 (de) Inspektionsverfahren
EP3316216B1 (de) Verfahren zum prüfen eines gegenstands
DE10058216C1 (de) Verfahren zur Bestimmung eines Abstandes periodischer Strukturen
DE4318692C2 (de) Verfahren zur Untersuchung von antigenhaltigen Blutserumproben

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative

Representative=s name: REICHERT & LINDNER PARTNERSCHAFT PATENTANWAELT, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee