JP2008517304A - インターフェロメトリックモジュレータにおける構造間の滑りを減少させる装置及び方法 - Google Patents

インターフェロメトリックモジュレータにおける構造間の滑りを減少させる装置及び方法 Download PDF

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トゥン、ミン−ハウ
アーバックル、ブライアン・ダブリュ．
フロイド、フィリップ・ディー．
カミングス、ウィリアム・ジェイ．
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アイディーシー、エルエルシー
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Abstract

インターフェロメトリックモジュレータデバイス中の支持構造（１８）はデバイス中の様々な他の構造と接触する。支持構造（１８）と他の構造との間の接合強度の増加は様々な方法、例えば、粗面及び／または支持構造と他の構造との間の界面に接着材料を使用することによって達成される。実施形態では、接着力増加は支持構造（１８）と基板層（２０）との間で達成される。別の実施形態では、接着力増加は支持構造（１８）と可動層（１４）との間で達成される。接着力増加は支持構造とインターフェロメトリックモジュレータ内に取付けられる他の構造との間の望ましくない滑りを減少させる。

Description

本発明は、インターフェロメトリックモジュレータとして使用する微小電気機械システム（microelectromechanical systems）に関する。特に、本発明は、インターフェロメトリックモジュレータの微小電気機械動作を改善するシステム及び方法に関係する。
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は微小機械素子、アクチュエータ、及び電子回路（electronics）を含む。微小機械素子は、電気デバイス及び電気機械デバイスを形成するために蒸着（deposition）、エッチング、及び／または基板及び／または蒸着材料層の一部をエッチング除去したり、或いは層を付加する他の微細加工処理を用いて造られる。ＭＥＭＳデバイスの一形式はインターフェロメトリックモジュレータ（interferometric modulator）と呼ばれる。本明細書で使用されるように、用語「インターフェロメトリックモジュレータ」もしくは「インターフェロメトリック光モジュレータ」は光学干渉原理を用いて選択的に光を吸収及び／または反射するデバイスを云う。ある実施形態では、インターフェロメトリックモジュレータは一対の導電性板からなり、その一方または双方は全体或いは一部が透明及び／または反射性であり、適当な電気信号を加えると相対的運動が可能である。特別な実施形態では、一方の板は基板に蒸着された固定層であり、他方の板は空隙によって固定層から分離された金属膜から成る。さらに詳細にここに述べるように、他方の板に対する一方の板の位置は、インターフェロメトリックモジュレータに入射する光の光学干渉を変えることができる。そのようなデバイスは広い応用範囲を持っており、現在の製品を改良し、そして未開発の新製品を造るのに利用されるようにこれらの形式のデバイス特性を利用し、且つ／または改良することは当技術分野において有益であろう。
本発明のシステム、方法、及びデバイスは各々いくつかの形態があり、その一つだけでは所望の属性を得ることができない。ここでは、この発明の範囲を限定することなく、そのさらに顕著な特徴が簡潔に論じられるであろう。この議論を考慮し、且つ特に「発明を実施するための最良の形態」の欄を読めば、この発明の特徴が他のディスプレイデバイスに対して利点をいかに提供するかを理解するであろう。
ある実施形態は基板層及び可動層を含むインターフェロメトリックモジュレータを提供する。基板層は第１反射面を含み、可動層は第２反射面を含む。第２反射面は第１反射面から間隔があり、それによって空洞（cavity）を規定する。インターフェロメトリックモジュレータはさらに基板層と可動層との間の空洞の側部に配置された支持構造を含む。インターフェロメトリックモジュレータはさらに支持構造と基板層及び可動層の少なくとも一つとの間に接合部（bond）を含む。接合部は支持構造と基板層及び可動層の少なくとも一つとの間の接着性を増すように構成される。
別の実施形態は固定層の上で可動層を支持する手段を含むインターフェロメトリックモジュレータを提供する。インターフェロメトリックモジュレータはさらに固定層及び可動層の少なくとも一つに支持手段を接合する手段を含む。接合手段は支持手段と固定層及び可動層の少なくとも一つとの間の接着性を改良するように構成される。
別の実施形態はインターフェロメトリックモジュレータを製作する方法を提供する。その方法は基板層を形成することを含む。基板層は第１反射面を含む。その方法は基板層の支持領域の少なくとも一部を加工（treating）して、加工（treated）支持領域を形成することをさらに含む。その方法は加工支持領域上に支持構造を形成することをさらに含む。加工支持領域は基板層と支持構造との間の接着性を増すように構成される。
別の実施形態はインターフェロメトリックモジュレータを製作する方法を提供する。その方法は基板層を形成することを含む。その方法はさらに基板層上に支持構造を形成することを含む。その方法は支持構造を加工して、加工支持構造を形成することをさらに含む。その方法は加工支持構造上に可動層を形成することをさらに含む。
これら及び他の実施形態は下記でさらに詳細に述べられる。
以下の詳細な説明は本発明のある特定の実施形態に対するものである。しかしながら、本発明は多くの異なる方法で具体化することができる。この説明では、全体を通して同じ部分は同じ番号（数字）で指定されて図面に参照がなされる。以下の説明から明白になるが、動いている（例えば、ビデオ）、もしくは静止している（例えば、静止画像）か否かに拘らず、及びテキスト文あるいは絵図か否かに拘らず、実施形態は画像を表示するために構成されるあらゆるデバイスにおいて実施される。特に、実施形態は携帯電話、無線デバイス、個人情報端末（ＰＤＡｓ）、携帯または可搬コンピュータ、ＧＰＳ受信器／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレイヤ、ビデオカメラ、ゲーム機、腕時計、時計、計算器、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイ（例えば、走行距離表示、等々）、操縦室制御及び／またはディスプレイ、カメラモニタ（例えば、乗り物における後方監視カメラのディスプレイ）、電子写真、電子広告掲示板及び標示、投映機（プロジェクタ）、建築物、包装、及び美術品（例えば、宝石類の画像のディスプレイ）といった（それらに限定されるものではないが）様々な電子デバイスにおいて、或いは関連して実施される。ここに述べるものと類似の構造のＭＥＭＳデバイスはまた電子スイッチデバイスのような非ディスプレイアプリケーションにも使用可能である。
一実施形態はインターフェロメトリックモジュレータにおける柱構造と（基板及び／または可動層といった）他の構造物との間の接合強度を増加させる。幾つかの実施形態では、接合強度の増加は柱構造とそれが接着される（基板及び／または可動層といった）構造物との間の界面において粗面（roughened surface）及び／または接着層を提供することによって達成される。
インターフェロメトリックＭＥＭＳディスプレイエレメントを含む一つのインターフェロメトリックモジュレータディスプレイの実施形態が図１に示される。これらのデバイスでは、ピクセルは明（bright）もしくは暗（dark）状態のいずれかにある。明（「オン」もしくは「開」）状態では、ディスプレイエレメントはユーザに入射可視光の大部分を反射する。暗（「オフ」もしくは「閉」）状態にあるときは、ディスプレイエレメントはユーザに入射可視光を殆ど反射しない。実施形態によっては、「オン」及び「オフ」状態の光反射特性は逆になる。ＭＥＭＳピクセルは選択された色を主として反射するように構成することができ、白黒に加えてカラー表示が可能である。
図１は映像ディスプレイの一連のピクセルにおける二つの隣接ピクセルを表す等角図であり、各ピクセルはＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータから成る。いくつかの実施形態では、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイはこれらのインターフェロメトリックモジュレータの行／列アレイから成る。各インターフェロメトリックモジュレータは少なくとも一つの可変寸法を持つ共鳴光学空洞を形成するために相互から可変且つ制御可能な距離に配置された一対の反射層を含む。一実施形態では、反射層のうちの一方は二つの位置の間を動く。本明細書において緩和位置（relaxed position）とここで呼ばれる第１位置では、可動反射層は固定の部分反射層から相対的に遠い距離に配置される。作動位置（actuated position）とここでに呼ばれる第２位置では、可動反射層は部分反射層にさらに密接して配置される。二つの層から反射する入射光は可動反射層の位置によって建設的もしくは破壊的に干渉し、各ピクセルに関して全反射もしくは非反射の状態を実現する。
図１におけるピクセルアレイの描写部分は二つの隣接するインターフェロメトリックモジュレータ１２ａ及び１２ｂを含む。左側のインターフェロメトリックモジュレータ１２ａでは、可動反射層１４ａは、部分反射層を含む光学スタック１６ａから所定の距離の緩和位置に示されている。右側のインターフェロメトリックモジュレータ１２ｂでは、可動反射層１４ｂは光学スタック１６ｂに隣接する作動位置に示されている。
光学スタック１６ａ及び１６ｂ（一緒にして光学スタック１６と云う）は、ここに参照したように、一般的にいくつかの融合層（fused layers）から成り、それは酸化インジューム錫（ＩＴＯ）のような電極層、クロムのような部分反射層、及び透明な誘電体を含む。光学スタック１６はこのように電気的に伝導性があり、部分的に透明で、部分的に反射し、そして、例えば、一以上の前述の層を透明基板２０に蒸着することによって製造される。いくつかの実施形態では、それらの層は平行な細片にパターン化され、さらに後述するようにディスプレイデバイスにおける行電極を形成する。可動反射層１４ａ、１４ｂは柱１８の頂部に蒸着された一連の平行な帯状の蒸着金属層（１６ａ、１６ｂの行電極に直交する）及び柱１８間に蒸着された介在犠牲材料として形成される。犠牲材料がエッチング除去されると、可動反射層１４ａ、１４ｂは光学スタック１６ａ、１６ｂから規定ギャップ１９だけ分離される。アルミニウムのような高伝導性且つ反射性材料は反射層１４に使用され、これらの細片はディスプレイデバイスにおいて列電極を形成する。
図１のピクセル１２ａで示されたように、電圧を印加しないと、空洞１９は可動反射層１４ａと光学スタック１６ａの間に留まり、可動反射層１４ａは機械的に緩和状態にある。しかしながら、電位差が選択された行及び列に加わると、対応するピクセルの行及び列電極の交差部分に形成されたコンデンサは荷電状態になり、そして静電気力が電極を共に引き寄せる。電圧が十分に高ければ、可動反射層１４は変形し、光学スタック１６に対して押し付けられる。光学スタック１６内の誘電体層（この図には示されない）は短絡を防ぎ、そして図１における右のピクセル１２ｂで示したように、層１４と１６との間の距離間隔を制御する。その振舞は印加電位差の極性に関係なく同じである。このように、非反射に対する反射状態を制御する行／列作動は従来のＬＣＤ及び他のディスプレイ技術において使用されるものと多くの点で類似する。
図２から図５Ｂまではディスプレイアプリケーションにインターフェロメトリックモジュレータアレイを使用するための一つの例示的な処理及びシステムを示す。
図２は本発明の形態を組み込んだ電子デバイスの一実施形態を示するシステムブロック図である。例示的な実施形態では、電子デバイスはＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ II（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ III（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ IV（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）Ｐｒｏ、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）といったあらゆる一般用途単一或いは多チップのマイクロプロセッサ、またはディジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラやプログラム可能なゲートアレイといったあらゆる特定用途マイクロプロセッサであるプロセッサ２１を含む。当技術分野では慣用になっているように、プロセッサ２１は一以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成される。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサはウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、または他のソフトウェアアプリケーションを含めで、一以上のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成される。
一実施形態では、プロセッサ２１はまたアレイドライバ２２と連絡するように構成される。一実施形態では、アレイドライバ２２はパネルもしくはディスプレイアレイ（ディスプレイ）３０に信号を提供する行ドライバ回路２４及び列ドライバ回路２６を含む。図１に示されたアレイの断面図は図２においてライン１−１によって示される。ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータに関して、行／列作動プロトコルは図３に示されたこれらのデバイスのヒステリシス特性を利用する。例えば、緩和状態から作動状態へ可動層を変形させるためには１０ボルトの電位差を必要とする。しかしながら、電圧がその値から減少するとき、電圧は１０ボルト以下に低下しても可動層はその状態を維持する。図３の例示的な実施形態では、電圧が２ボルト以下になるまで可動層は完全には緩和されない。従って、図３に示した例では約３〜７Ｖの電圧の範囲があり、そこではデバイスが緩和もしくは作動状態いずれかにおいて安定である印加電圧の窓が存在する。これは本明細書では「ヒステリシス窓」または「安定性窓」として参照される。図３のヒステリシス特性を持つディスプレイアレイに関して、列ストローブの間、作動されるストローブ行が約１０ボルトの電圧差になり、そして緩和されるピクセルが０ボルトに近い電圧差になるように行／列作動プロトコルは設計される。ストローブの後、ピクセルは列ストローブがそれらをどんな状態に置いても留まるように、ピクセルは約５ボルトの安定状態の電圧差になる。書込みの後、各ピクセルはこの例では３〜７ボルトの「安定性窓」の中の電位差にある。この特性は作動または緩和の先在状態いずれにおいても図１に示したピクセル設計を同じ印加電圧条件の下で安定にする。インターフェロメトリックモジュレータの各ピクセルは作動または緩和状態いずれにおいても本質的に固定及び可動反射層によって形成されたキャパシタであるから、この安定状態は殆ど電力消費のないヒステリシス窓の中の電圧に保持される。印加電位が決定されれば、本質的に電流はピクセルに流れない。
一般的なアプリケーションでは、ディスプレイフレームは第１行の所望作動ピクセル集合に従って列電極集合を決定することによって形成される。そして決定された列ラインに対応するピクセルを作動させて、列パルスが行１の電極に印加される。決定された列電極集合は第２行におけるピクセルの所望作動集合に対応するように変えられる。そして決定された列電極に従って行２の該当するピクセル列を作動させて、パルスが行２の電極に印加される。行１ピクセルは行２パルスに影響されず、それらは行１パルスの間に設定された状態に留まる。これはフレームを生成するために全体の行系列について順次に繰り返される。一般に、１秒当たりある所望のフレーム数でこの処理を連続的に繰り返すことによってフレームは新しくなり、且つ／または新しいディスプレイデータで更新される。ディスプレイフレームを生成するためにピクセルアレイの行及び列電極を駆動するための多種多様なプロトコルはまた周知であり、本発明と共に使用される。
図４、図５Ａ、及び図５Ｂは図２の３×３アレイに関してディスプレイフレームを生成するための一つの可能な作動プロトコルを示す。図４は図３のヒステリシス曲線を示すピクセルに使用される可能な列及び行電圧レベルの組み合わせを示す。図４の実施形態では、ピクセルを作動させることは、該当する列を−Ｖbiasに、該当する行を＋ΔＶに設定することが必要であり、それは−５ボルト及び＋５ボルトにそれぞれ対応する。ピクセルを緩和することは該当する列を＋Ｖbiasに、該当する行を＋ΔＶに設定して、当該ピクセルに０ボルト電位差を生成することによって達成される。行電圧が０ボルトに保持されるそれらの行では、列が＋Ｖbiasまたは−Ｖbiasにあるかどうかに関係なく、ピクセルはそれらが元々あったどんな状態においても安定である。図４にまた示したように、上述の電圧と反対極性の電圧が使用される、例えば、ピクセルを作動させることは、該当する列を＋Ｖbiasに、該当する行をΔＶに設定することを含むということは理解されるであろう。この実施形態では、ピクセルを開放することは、該当する列を−Ｖbiasに、該当する行を同じ−ΔＶに設定して、ピクセルに０ボルトの電位差を生成することによって達成される。
図５Ｂは図５Ａに示されたディスプレイ配置に帰着する図２の３×３アレイに印加される一連の行及び列信号を示すタイミング図であり、ここでは作動ピクセルは非反射である。図５Ａに示されたフレームを書込む前は、ピクセルはあらゆる状態にあり、この例では、全ての行は０ボルトであり、全ての列は＋５ボルトである。これらの印加電圧によって、全てのピクセルはそれらの現存の作動もしくは緩和状態で安定である。
図５Ａのフレームでは、ピクセル（１，１）、（１，２）、（２，２）、（３，２）及び（３，３）が作動される。これを達成するために、行１の「ライン時間」の間、列１及び２は−５ボルトに設定され、列３は＋５ボルトに設定される。全てのピクセルは３〜７ボルトの安定性窓に留まるから、このことはあらゆるピクセルの状態を変えないそして行１は０から最高５ボルトに達し、そして０に戻る。これは（１，１）及び（１，２）ピクセルを作動させ、（１，３）ピクセルを緩和する。アレイ中の他のピクセルは影響を受けない。行２を所望のように設定するために、列２は−５ボルトに設定され、列１及び３は＋５ボルトに設定される。そして、行２に印加された同じストローブはピクセル（２，２）を作動させ、ピクセル（２，１）及び（２，３）を緩和する。さらに、アレイの他のピクセルは影響を受けない。行３は列２及び３を−５ボルトに、そして列１を＋５ボルトに設定することによって同様に設定される。行３のストロ−ブは図５Ａに示したように行３ピクセルを設定する。フレームへ書込みの後、行電位はゼロであり、列電位は＋５または−５ボルトのいずれかに留まり、そしてディスプレイは図５Ａの配置において安定している。同じ手順は数ダース或いは数百の行及び列のアレイに関して使用されることは理解されるであろう。行及び列の作動を行うために使用されるタイミング、系列及び電圧レベルは上に概説した一般原理の中で広く異なり、上の例は一例であるにすぎず、あらゆる作動電圧方法はここに記述されたシステム及び方法とともに使用されることは理解されるであろう。
図６Ａ及び図６Ｂはディスプレイデバイス４０の実施形態を示すシステムブロック図である。例えば、ディスプレイデバイス４０はセルラもしくは移動電話である。しかしながら、ディスプレイデバイス４０の同じコンポーネントまたはその僅かな変形はまた同じくテレビ及びポータブルメディアプレイヤといった様々な型式のディスプレイデバイスの例示となる。
ディスプレイデバイス４０は筐体（housing）４１、ディスプレイ３０、アンテナ４３、スピーカ４５、入力デバイス４８、及びマイクロホン４６を含む。筐体４１は注入成形及び真空成形を含め、当業者に周知のあらゆる様々な製造工程から一般に形成される。その上、筐体４１はプラスチック、金属、ガラス、ゴム、及びセラミックス、またはその組合せを含め、あらゆる様々な材料から作られるが、それに限定されるものではない。一実施形態では、筐体４１は異なる色または異なるロゴ、絵、またはシンボルを含む他の除去可能部分によって置換えられる除去可能部分（図示示せず）を含む。
ここに述べたように、例示的なディスプレイデバイス４０のディスプレイ３０は双安定ディスプレイを含む様々なディスプレイのどれかである。他の実施形態では、ディスプレイ３０は当業者には周知のように上で述べたプラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ ＬＣＤ、或いはＴＦＴ ＬＣＤといったフラットパネルディスプレイ、ＣＲＴまたは他の電子管デバイスといった非フラットパネルディスプレイを含む。しかしながら、現在の実施形態を記述する目的のために、ここに示したように、ディスプレイ３０はインターフェロメトリックモジュレータディスプレイを含む。
例示的なディスプレイデバイス４０の一実施形態のコンポーネントは図６Ｂで概略的に示される。図示された例示的なディスプレイデバイス４０は筐体４１を含み、そしてその中に少なくとも部分的に封入された追加コンポーネントを含む。例えば、一実施形態では、例示的なディスプレイデバイス４０は送受信器４７に連結されたアンテナ４３を含むネットワークインタフェース２７を含む。送受信器４７はプロセッサ２１に接続され、それは調整ハードウェア５２に接続される。調整ハードウェア５２は信号を調整する（例えば、信号をフィルタする）ように構成される。調整ハードウェア５２はスピーカ４５及びマイクロホン４６に接続される。プロセッサ２１はまた入力デバイス４８及びドライバ制御器２９に接続される。ドライバ制御器２９はフレームバッファ２８及びアレイドライバ２２に連結され、アレイドライバ２２はディスプレイアレイに連結される。電源５０は特定の例示的なディスプレイデバイス４０の設計によって必要とされる全てのコンポーネントに電力を提供する。
例示的なディスプレイデバイス４０はネットワーク上で一以上のデバイスと通信することができるように、ネットワークインタフェース２７はアンテナ４３及び送受信器４７を含む。一実施形態では、ネットワークインタフェース２７はまたプロセッサ２１の要求を軽減するいくつかの処理能力を持つ。アンテナ４３は信号を送信し、且つ受信する当業者には周知のどのようなアンテナであっても良い。一実施形態では、アンテナはＩＥＥＥ８０２．１１（ａ）、（ｂ）、または（ｇ）を含むＩＥＥＥ８０２．１１規格に従って信号を送信し、且つ受信する。別の実施形態では、アンテナはＢＬＵＥＴＯＯＴＨ規格に従ってＲＦ信号を送信し、且つ受信する。セルラ電話の場合は、アンテナは無線携帯電話ネットワーク内で通信するために使用されるＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳまたは他の既知の信号を受信するように設計される。送受信器４７はアンテナ４３から受信された信号を前処理し、それらはプロセッサ２１によって受取られ、さらに利用される。送受信器４７はまたプロセッサ２１から受取った信号を処理し、それらはアンテナ４３を経由して例示的なディスプレイデバイス４０から伝送される。
代りの実施形態では、送受信器４７は受信器と置換えられる。さらに別の代替実施形態では、ネットワークインタフェース２７は画像源（image source）と置換えられ、それらはプロセッサ２１に送られる画像データを記憶し、もしくは生成する。例えば、画像源は画像データを含むディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）または、ハードディスクドライブ、または画像データを生成するソフトウェアモジュールである。
プロセッサ２１は一般に例示的なディスプレイデバイス４０の全体の動作を制御する。プロセッサ２１はネットワークインタフェース２７または画像源から圧縮画像データといったデータを受取り、そしてデータをＲＡＷ画像データへ、もしくはＲＡＷ画像データに直ぐ処理されるフォーマットへ処理する。そして、プロセッサ２１は処理されたデータをドライバ制御器へ、もしくは記憶するフレームバッファ２８に送る。未加工データは一般的に画像内の各位置の画像特性を識別する情報を参照する。例えば、そのような画像特性は色、飽和度、及びグレイスケールレベルを含む。
一実施形態では、プロセッサ２１は例示的なディスプレイデバイス４０の動作を制御するためにマイクロコントローラ、ＣＰＵ、または論理ユニットを含む。調整ハードウェア５２は一般に信号をスピーカ４５に伝送し、且つマイクロホン４６から信号を受取るための増幅器及びフィルタを含む。調整ハードウェア５２は例示的なディスプレイデバイス４０中の個別コンポーネントであっても良いし、或いはプロセッサ２１または他のコンポーネント内に組み込まれても良い。
ドライバ制御器２９は直接プロセッサ２１或いはフレームバッファ２８のいずれかからプロセッサ２１によって生成されたＲＡＷ画像データを受入れ、アレイドライバ２２への高速伝送のために適切に未加工画像データを再フォーマットする。特に、ドライバ制御器２９はディスプレイアレイを走査するのに適当な時間順序を持つようにＲＡＷ画像データをラスタ形式のフォーマットを持つデータフローに再フォーマットする。そして、ドライバ制御器２９はフォーマットされた情報をアレイドライバ２２に送る。ＬＣＤ制御器のようなドライバ制御器２９は単体の集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２１と大抵は関連しているが、そのような制御器は多くの方法で実施される。それらはハードウェアとしてプロセッサ２１に埋込まれ、ソフトウェアとしてプロセッサ２１に埋込まれ、或いはアレイドライバ２２とともにハードウェアに完全に集積化される。
一般的に、アレイドライバ２２はドライバ制御器２９からフォーマットされた情報を受取り、ディスプレイのピクセルｘ−ｙマトリックスから来る数百、時には数千ものリード線に一秒間に何度も加えられる波形の並列集合にビデオデータを再フォーマットする。
一実施形態では、ドライバ制御器２９、アレイドライバ２２、及びディスプレイアレイ３０はここに述べたあらゆる型式のディスプレイに適している。例えば、一実施形態では、ドライバ制御器２９は従来のディスプレイ制御器または双安定ディスプレイ制御器（例えば、インターフェロメトリックモジュレータ制御器）である。別の実施形態では、アレイドライバ２２は従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバ（例えば、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイ）である。一実施形態では、ドライバ制御器２９はアレイドライバ２２と統合される。そのような実施形態はセルラ電話、時計、及び他の小面積ディスプレイといった高集積化システムでは一般的である。さらに別の実施形態では、ディスプレイアレイ３０は一般的なディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイ（例えば、インターフェロメトリックモジュレータアレイを含むディスプレイ）である。
入力デバイス４８によってユーザは例示的なディスプレイデバイス４０の動作を制御することが可能となる。一実施形態では、入力デバイス４８はＱＷＥＲＴＹキーボードまたは電話キーパッド、ボタン、スイッチ、タッチスクリーン、圧力または熱感応膜といったキーパッドを含む。一実施形態では、マイクロホン４６は例示的なディスプレイデバイス４０のための入力デバイスである。マイクロホン４６がデータをデバイスに入力するために使用されるとき、音声命令はユーザによって例示的なディスプレイデバイス４０の動作を制御するために使用される。
電源５０は当技術分野では周知の様々なエネルギー蓄積デバイスを含む。例えば、一実施形態では、電源５０はニッケル−カドミウム電池またはリチウムイオン電池といった充電式電池である。別の実施形態では、電源５０は再生可能エネルギー源、キャパシタ、またはプラスチック太陽電池や太陽電池ペイントを含む太陽電池である。別の実施形態では、電源５０は壁出口から電力を受取るように構成される。
上に述べたように、いくつかの実施では、制御プログラムは電子ディスプレイシステムにおけるニ、三の場所に配置されたドライバ制御器内に配される。いくつかの場合には、制御プログラムはアレイドライバ２２内に配される。当業者は上述の最適化があらゆる数のハードウェア及び／またはソフトウェアコンポーネントにおいて、及び様々な構成において実施されることを理解するであろう。
上で説明した原理に従って動作するインターフェロメトリックモジュレータの構造の内容は広く変化する。例えば、図７Ａ〜図７Ｅは可動反射層１４及びその支持構造の五つの異なる実施形態を示す。図７Ａは図１の実施形態の断面図で、細長い金属材料１４は直交して延長する支持体１８上に蒸着されている。図７Ｂでは、可動反射層１４は隅部だけで支持するようにつなぎ材（tethers）３２上に取付けられている。図７Ｃでは、可動反射層１４は柔軟な金属から成る変形可能層（deformable layer）３４から吊るされる。変形可能層３４は変形可能層３４の周辺部で基板２０に直接または間接的に結合する。これらの結合はここでは支柱（support post）と呼ばれる。図７Ｄに示した実施形態は変形可能層３４が載る支柱差込み（support post plugs）４２を有する。図７Ａ〜図７Ｃと同様に、可動反射層１４は空洞上に吊るされた状態を維持するが、変形可能層３４は変形可能層３４と光学スタック１６との間の穴を満たすことによって、支柱を形成しない。むしろ、支柱は平坦化材料から形成され、それは支柱差込み４２を形成するために使用される。図７Ｅに示した実施形態は図７Ｄに示した実施形態に基づいているが、示さなかった追加実施形態と同様に、図７Ａ〜図７Ｃに示した実施形態のどれとでも働くように適応する。図７Ｅに示した実施形態では、金属または他の導電性材料の余分の層はバス構造４４を形成するために使用された。これは信号がインターフェロメトリックモジュレータの裏に沿って経路を辿ることを可能にし、そうでなければ基板２０上に形成しなければならなかったいくつかの電極をなくすことができる。
図７に示したような実施形態では、インターフェロメトリックモジュレータは直視型デバイスとして機能し、それでは画像は透明基板２０の前面側から眺められ、その反対側にはモジュレータが配置される。これらの実施形態では、反射層１４は変形可能層３４及びバス構造４４を含む基板２０の反対の反射層の側のインターフェロメトリックモジュレータのある部分を光学的に遮蔽する。これは遮蔽が画質に悪影響を及ぼすことなく構成され、且つ動作することを可能にする。この分離可能なモジュレータアーキテクチャはモジュレータの電気機械的態様及び光学的態様のために構造設計及び使用される材料が相互に無関係に選択され、且つ機能することを可能にする。さらに、図７Ｃ〜図７Ｅに示した実施形態は反射層１４の光学的特性をその機械的特性から切離すことになる利益をもたらし、それは変形可能層３４によって実行される。これは反射層に関する構造設計及び使用される材料が光学特性に関して最適化され、そして変形可能層に関する構造設計及び使用される材料が所望の機械的特性に関して最適化されることを可能にする。
図８はＭＥＭＳ、例えば、インターフェロメトリックモジュレータの製造工程８００の実施形態における或るステップを示す。そのようなステップは、例えば、図８に示さなかった他のステップと共に図１及び７に示した一般的型式のインターフェロメトリックモジュレータを製造する工程に存在する。図１、図７及び図８に関して、工程８００は基板２０上への光学スタック１６の形成とともにステップ８０５から始まる。基板２０はガラスまたはプラスチックのような透明基板であり、光学スタック１６の効率的な形成を促進するために前準備ステップ、例えば、クリーニングしなければならない。光学スタック１６は一以上のパターン化、マスキング及び／またはエッチングのステップと共に、一以上の蒸着ステップ、例えば、導電層（例えば、酸化インジウム錫）蒸着、反射層（例えば、クロム）蒸着、及び誘電層蒸着を使うことによって形成される。
図８に示した工程８００は光学スタック１６上に犠牲層を形成するステップ８１０に続く。犠牲層は下記で論じるように空洞１９を形成するために後で除去され（例えば、ステップ８２５）、従って犠牲層は図１及び図７に示した出来上がったインターフェロメトリックモジュレータ１２には示されていない。光学スタック１６上への犠牲層の形成は次に続く除去の後で所望のサイズを有する空洞１９を提供するために選択された厚さにモリブデンまたは非晶質シリコンのような材料の蒸着を含む。犠牲材料の蒸着は物理的蒸着（ＰＶＤ、例えば、スパッタリング）、プラズマ援用化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、熱化学蒸着（熱ＣＶＤ）、またはスピンコーティングといった堆積技術を用いて実行される。
図８に示した工程８００は支持構造、例えば、図１に示したような支柱１８の形成を行うステップ８１５に続く。支柱１８の形成はアパーチャ（開口）を形成するため犠牲層をパターン化するステップ、そしてＰＥＣＶＤ、熱ＣＶＤ、またはスピンコーティングといった堆積技術を用いて材料（例えば、高分子重合体、金属または酸化物）を堆積するステップを含む。いくつかの実施形態では、犠牲層に形成されたアパーチャは犠牲層及び光学スタック１６の両方を通して下地基板２０にまで延び、その結果支柱１８の下端は図７Ａに示したように基板２０と接触する。他の実施形態では、犠牲層に形成されたアパーチャは犠牲層を経て延びるも、光学スタック１６は通らない。例えば、図７Ｃは光学のスタック１６と接触する支柱差込み４２のさらに下端を示す。
図８に示した工程８００は図１及び図７に示した可動反射層１４のような可動反射層の形成を行うステップ８２０に続く。可動反射層１４は一以上のパターン化、マスキング、及び／またはエッチングのステップと共に、一以上の堆積ステップ、例えば、反射層（例えば、アルミニウム、アルミニウム合金）蒸着を用いることによって形成される。
図８に示した工程８００は空洞、例えば、図１及び図７に示したような空洞１９の形成を行うステップ８２５に続く。空洞１９は（ステップ８１０で堆積された）犠牲材料を選択エッチング液にさらすことによって形成される。例えば、モリブデンまたは非晶質シリコンのような犠牲材料は乾式化学エッチング、例えば、二弗化キセノン（ＸｅＦ２）のような気体または蒸気エッチング材に犠牲層を所望量の材料を除去するのに有効な時間の間さらすことによって取り除かれる。
インターフェロメトリックモジュレータは様々な一連の工程パラメータに従って製造され、したがって図８は例示の目的のためにより一般的なステップのただ二、三を示していることが理解されるであろう。同じく、インターフェロメトリックモジュレータを製造するための全工程が図８に示した全てのステップを必ずしも含むとは限らないこと、図８に示したステップは示した順番で必ずしも実行されないこと、及び様々な追加製造ステップ、例えば、試験（testing）、最終段階処理、及び図６に示したディスプレイデバイス４０へのインターフェロメトリックモジュレータの組み込みが実行されることは理解されるであろう。
図９はインターフェロメトリックモジュレータの実施形態の断面図を示す。この実施形態では、支持構造１８は支持構造１８の上端と層１４の下表面との間の界面９０５で可動反射層１４と接触する。同様に、支持構造１８は支持体１８の下端と基板２０の上表面との間の界面９１０で基板２０と接触する。ある状況では、支持体１８と可動反射層１４及び基板２０の一方または両方との間で滑り（sliding or slippage）が発生する。この動きはいくつかの方法で減少するか、もしくは除去されることが分かった。例えば、一実施形態では、その動きは界面９０５、９１０の一方または双方において接合部を形成することによって減少する。接合部は支持構造１８と基板層２０及び可動層１４の少なくとも一方との間の付着力を増加するように好しくは形成される。付着力増加は支持構造１８とそれが接触している層との間の相対的動きを減少し、且つ／または防止する代りに或いはそれに加えて他の利益を提供する。
図１０Ａは支持構造１８の上端と可動層１４の下表面との間の界面に形成された接合部１００５、及び支持構造１８の下端と透明基板層２０の上表面との間の界面における接合部１０１０の実施形態を示す。示された実施形態では、接合部１００５、１０１０の双方は支持構造１８と可動層１４及び基板層２０の各々との間に粗界面（roughened interface）をそれぞれ含む。この発明は理論に束縛されないが、粗面化（roughening）は界面における表面積を増加させ、且つ／または二つの表面の間の機械的結合（mechanical interlocking）を行い、それによって支持構造１８と層１４、２０の各々との間の付着力を増加させる。付着力は粗さの程度が増加するにつれて増加する傾向にあり、したがって各接合部１００５、１０１０に関する粗さの程度は一定の実験（routine experimentation）によって決定される所望程度の付着力を提供するように好ましくは選択される。支持構造１８の下端と透明基板層２０の上表面との間の界面における接合部１０１０は、下記でさらに詳細に述べるように、好ましくは支持構造の形成の前に基板２０の表面の領域１０４０を粗くすることによってインターフェロメトリックモジュレータの製作の間に形成される。支持構造１８の上端と可動層１４の下表面との間の界面における接合部１００５は、下記でさらに詳細に述べるように、好ましくは可動層１４の形成の前に支持構造を粗くすることによってインターフェロメトリックモジュレータの製作の間に形成される。基板及び／または支持構造の粗面化は様々な方法、例えば、当業者に既知のエッチング技術によって実行される。例えば、基板は酸素プラズマ焼成（oxygen plasma burn down）及び／またはスパッタエッチング（sputter etching）によってエッチングされる。各接合部１００５、１０１０の粗面化の程度は同じであったり、異なることもある。いくつかの実施形態（図１０Ａには示されない）では、界面９０５、９１０の一つだけがそれぞれ支持構造１８と層１４、２０との間の付着力を増加させるように加工される。
図１０Ｂは支持構造１８の上端と可動層１４の下表面との間の界面に形成された接合部１０１５、及び支持構造１８の下端と透明基板層２０の上表面との間の界面における接合部１０２０の実施形態を示す。示された実施形態では、接合部１０１５、１０２０双方は支持構造１８と可動層１４及び基板層２０の各々との間に接着層を含む。接着層はどちらの界面も接着材のないときに相互に付着するよりも界面において両方の表面にさらに強く付着する材料を好ましくは含む。例えば、接合部１０１５は支持構造１８が接合部１０１５のないとき可動層１４に付着するよりも支持構造１８及び可動層１４双方にさらによく付着する材料を好ましくは含む。同様に、接合部１０２０は支持構造１８が接合部１０１５のないとき基板層２０に付着するよりも支持構造１８及び基板層２０双方にさらによく付着する材料を好ましくは含む。接着材料は一定の実験によって選択される。好しくは、接着接合部１０１５及び接着接合部１０２０の一方或いは双方はアルミニウムから成り、例えば、接合部１０１５、１０２０はアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む。支持構造１８の下端と透明基板層２０の上表面との間の界面における接合部１０２０は、下記でさらに詳細に述べるように、好ましくは支持構造の形成の前に基板２０に接着材料を堆積することによってインターフェロメトリックモジュレータの製作の間に形成される。同様に、支持構造１８の上端と可動層１４の下表面との間の界面における接合部１０１５は、下記でさらに詳細に述べるように、好ましくは可動層１４の形成の前に支持構造に接着材料を堆積することによってインターフェロメトリックモジュレータの製作の間に形成される。
図１０Ｃは支持構造と基板層及び可動層の少なくとも一つとの間の接合部が粗面化界面及び接着層を含むことを示す。図１０Ｃに示した支持構造１８の上端と可動層１４の下表面との間の接合部１０３５は支持構造１８の上端の粗面、及び粗面化界面と可動層１４の下表面との間の接着層１０１５からなる接合部１００５を含む。この発明は理論に束縛されないが、表面粗面化は接合部に利用可能である支持構造１８の上端の表面積を増加すさせ、したがって支持構造１８の上端と接着層１０１５と接着力を増加させると考えられている。図１０Ｃはまた支持構造１８の下端が（接着層なしで、粗面化界面からなる接合部を介して）基板層２０の上表面に接合されるよりも（接合部１０３５を介して）異なる方法で支持構造１８の上端が可動層１４の下表面に接合されているインターフェロメトリックモジュレータを示する
図１０Ｄは支持構造１８の下端と透明基板層２０の上表面との間の界面に形成された接合部１０２５の実施形態を示し、そこでは基板２０の上表面は光学スタック１６を含む。示された実施形態では、接合部１０１５は図１０Ａに示されたように透明基板２０ではなく、光学スタック１６を粗くすることによって形成される。同様に、図１０Ｅは支持構造１８の下端と透明基板層２０の上表面との間の界面に形成された接合部１０３０の実施形態を示し、そこでは基板２０の上表面は光学スタック１６を含む。示された実施形態では、接合部１０３０は図１０Ｂに示されたように透明基板２０上ではなく、光学スタック１６上に接着層を堆積することによって形成される。
様々な接合部１００５、１０１０、１０１５、１０２０、１０２５、１０３０は図７Ａに示した一般型式のインターフェロメトリックモジュレータに関して図１０に示される。同様の接合部は支持構造と、図７Ｂ〜図７Ｅに示したインターフェロメトリックモジュレータを含む（しかしそれには限定されない）他の型式のインターフェロメトリックモジュレータにおいて支持構造が取付けられる層との間に形成されることは理解されるであろう。例えば、（図１０に示されない）実施形態では、接合部は支持構造と可動層との間に形成され、反射面は、例えば、図７Ｃに示した一般的な方法で可動層から吊るされる。同じく、支持構造１８（例えば、支柱）は固定層（例えば、光学スタック１６から成る基板層２０）上で可動層（例えば、可動層１４を）を支持する手段の一例であることが理解されるであろう。また表面粗面化（例えば、接合部１００５、１０１０）によって、及び接着層（例えば、接合部１０１５、１０２０）の使用によって形成された接合部は支持手段を固定層及び可動層の少なくとも一つに接合する手段の例であることが理解されるであろう。
図１１はインターフェロメトリックモジュレータを製作する方法の実施形態を示すフローチャートである。方法１１００は基板層を形成することによってステップ１１０５で始まる。好しくは、基板層は第１反射面を含む。基板層は透明基板２０を含み、第１反射面は図１及び図７に示したように光学スタック１６を含む。光学スタック１６は一以上のパターン化、マスキング、及び／またはエッチングのステップと共に、一以上の蒸着ステップ、例えば、反射層（例えば、クロム）蒸着、導電層（例えば、酸化インジウム錫）蒸着、及び誘電層蒸着を用いることによって基板２０上に形成される。
方法１１００は基板層の支持領域の少なくとも一部を加工して、加工支持領域を形成することによってステップ１１１０に続く。基板層の支持領域は一般的に次のステップにおいて形成される支持構造の基礎となる領域である。基板層は第１反射面を含み、したがって基板層の支持領域の加工は基板の支持領域の加工、例えば、図１０Ａに示したような基板２０の支持領域１０４０の加工、及び／または第１反射面、例えば、図１０に示したような光学スタック１６の支持領域１０４５の加工を含む。加工支持領域を形成するために支持領域を加工することは、例えば、支持領域を粗面化すること及び／または接着層を使用することを含む。したがって、出来上がった加工支持領域は、例えば、（図１０Ａ及び図１０Ｄにそれぞれ示した接合部１０１０、１０２５に含まれる粗面のような）粗面、及び／または図１０Ｂ及び図１０Ｅにそれぞれ示した接合部１０２０、１０３０に含まれる接着層のような接着層を含む。支持領域を加工することは支持領域を湿式化学エッチング、乾式化学エッチング、及び／またはプラズマエッチングといった粗面化加工にさらすことを含む。粗面化加工の例は酸素プラズマ焼成及びスパッタエッチングを含む。粗面化に加え、或いはその代わりに、支持領域を加工することは、例えば、スピンコート（spin-on）、ＰＥＣＶＤ、熱ＣＶＤ、及び／またはＰＶＤ（例えば、スパッタリング）といった堆積工程によって接着層を堆積することを含む。実施形態では、接着層の堆積は金属を蒸着することを含み、ここでその金属はアルミニウム（例えば、アルミニウム合金）を含む。加工は好しくは基板層と続いて形成した支持構造との間、例えば、図１０に示したような基板２０と支持構造１８との間の接着力増加を行うのに効果的である程度に実行される。
方法１１００は加工支持地域領域上に支持構造を形成することによってステップ１１１５に続く。支持構造は様々な方法で形成される。例えば、実施形態では、図１０Ａ及び図１０Ｂに示したような構成は第１反射層（例えば、光学スタック１６）及び犠牲層を基板（例えば、基板２０）上に堆積すること、犠牲層及び第１反射層を通してアパーチャ（例えば、穴（hole））を形成して、下地基板の一部を露出させる（例えば、下地基板２０を露出させる）こと、上述のように露出基板を加工して加工支持領域（例えば、加工支持領域１０４０）を形成すること、及びアパーチャに支持構造材料を堆積して、加工支持領域と接触する支持構造（例えば、支持構造１８）を形成することによって製造される。別の実施形態では、図１０Ｄ及び図１０Ｅに示したような構成は第１反射層（例えば、光学スタック１６）及び犠牲層を基板（例えば、基板２０）上に堆積すること、犠牲層及び第１反射層を通してアパーチャ（例えば、穴）を形成して、下地の第１反射層の一部を露出させる（例えば、光学スタック１６を露出させる）こと、上述のように露出光学スタック１６を加工して加工支持領域（例えば、加工支持領域１０４５）を形成すること、及びアパーチャに支持構造材料を堆積して、加工支持領域と接触する支持構造（例えば、支持構造１８）を形成することによって製造される。支持構造は様々な方法、例えば、高分子化合物のスピンイン堆積によって、或いは酸化シリコンのような酸化物の化学蒸着（例えば、ＰＥＣＶＤまたは熱ＣＶＤ）によって形成される。
インターフェロメトリックモジュレータの製造における（図１１に示さない）追加ステップはまた方法１１００、例えば、基板層上への犠牲層の堆積、犠牲層上への可動層の堆積、犠牲層上への第２反射層の堆積、第１反射層と第２反射層の間に位置する空洞を形成するための犠牲層の除去、及び／または第１反射層と可動層の間に位置する空洞を形成するための犠牲層の除去に従って行われることが理解されるであろう。
図１２はインターフェロメトリックモジュレータを製作する方法の別の実施形態を示すフローチャートである。方法１２００は基板層を形成することによってステップ１２０５で始まる。好しくは、基板層は第１反射面を含む。基板層は透明基板２０を含み、第１反射面は図１及び図７に示したように光学のスタック１６を含む。光学スタック１６は一以上のパターン化、マスキング、及び／またはエッチングのステップと共に、一以上の蒸着ステップ、例えば、反射層（例えば、クロム）蒸着、導電層（例えば、酸化インジウム錫）蒸着、及び誘電層蒸着を用いることによって基板２０上に形成される。
方法１２００は、基板層上に支持構造を形成することによってステップ１２１０に続く。支持構造は様々な方法で形成される。例えば、実施形態では、図１０Ａ及び図１０Ｂに示したような構成は、第１反射層（例えば、光学スタック１６）及び犠牲層を基板（例えば、基板２０）上に堆積すること、犠牲層及び第１反射層を通してアパーチャ（例えば、穴）を形成して、下地基板の一部を露出させる（例えば、下地基板２０を露出させる）こと、及びアパーチャに支持構造材料を堆積して、基板（例えば、基板２０）と接触する支持構造（例えば、支持構造１８）を形成することによって製造される。なお、露出基板は、上述のように加工されて加工支持領域（例えば、加工支持領域１０４０）を形成しても良い。別の実施形態では、図１０Ｄ及び図１０Ｅに示したような構成は、第１反射層（例えば、光学スタック１６）及び犠牲層を基板（例えば、基板２０）上に堆積すること、犠牲層を通してアパーチャ（例えば、穴）を形成して、下地の第１反射層の一部を露出させる（例えば、光学スタック１６を露出させる）こと、及びアパーチャに支持構造材料を堆積して、第１反射層（例えば、光学スタック１６）と接触する支持構造（例えば、支持構造１８）を形成することによって製造される。なお、露出光学スタックは、上述のように加工されて加工支持領域（例えば、加工支持領域１０４５）を形成しても良い。支持構造は上述のように様々な方法、例えば、高分子化合物のスピンイン堆積によって、或いは酸化シリコンのような酸化物の化学蒸着（例えば、ＰＥＣＶＤまたは熱ＣＶＤ）によって形成される。
方法１２００は、支持構造を加工して、加工支持構造を形成することによってステップ１２１５に続く。好しくは、支持構造の上端は続いて形成される可動層への接着力を増加させるために加工される。加工支持構造を形成するために支持構造を加工することは、例えば、支持構造の上端を粗面化すること及び／または支持構造の上端に関して接着層を使用することを含む。したがって、出来上がった加工支持領域は、例えば、（図１０Ａに示した接合部１００５に含まれる粗面のような）粗面、及び／または図１０Ｂに示した接合部１０１５に含まれる接着層のような接着層を含む。支持領域を加工することは支持領域を湿式化学エッチング、乾式化学エッチング、及び／またはプラズマエッチングといった粗面化加工にさらすことを含む。粗面化加工の例は酸素プラズマ焼成及びスパッタエッチングを含む。粗面化に加え、或いはその代わりに、支持領域を加工することは、例えば、スピンコート（spin-on）、プラズマ援用化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、熱化学蒸着（熱ＣＶＤ）、及び／またはＰＶＤといった堆積工程によって接着層を堆積することを含む。実施形態では、接着層の堆積は金属を蒸着することを含み、ここでその金属はアルミニウム（例えば、アルミニウム合金）を含む。加工は好しくは支持構造と続いて形成する可動層との間、例えば、図１０に示したような支持構造１８と可動層１４との間の接着力増加を行うのに効果的である程度に実行される。
方法１２００は加工支持構造上に可動層を形成することによってステップ１２２０に続く。可動反射層（例えば、図１及び図７に示した層１４）は一以上のパターン化、マスキング、及び／またはエッチングのステップと共に、一以上の蒸着ステップ、例えば、反射層（例えば、アルミニウム、アルミニウム合金）蒸着を用いることによって形成される。実施形態では、支持構造の上端の粗面上への可動層の形成は接合部、例えば、図１０に示した接合部１００５を形成する。別の実施形態では、支持構造の上端における接着層上への可動層の形成は接合部、例えば、図１０に示した接合部１０１５、１０３５を形成する。
インターフェロメトリックモジュレータの製造における（図１２に示さない）追加ステップはまた方法１２００、例えば、基板層上への第１反射層の堆積、基板層上及び／または第１反射層上への犠牲層の堆積、犠牲層上への第２反射層の堆積、第１反射層と第２反射層の間に位置する空洞を形成するための犠牲層の除去、及び／または第１反射層と可動層の間に位置する空洞を形成するための犠牲層の除去に従って行われることが理解されるであろう。
上で論じた方法１１００、１２００は図７Ａに示した一般型式のインターフェロメトリックモジュレータの支持構造へ接合部を形成することを実施形態において参照する。示された方法はまた、図７Ｂ〜図７Ｅに示したインターフェロメトリックモジュレータに限定されないものを含め、支持構造と他の型式のインターフェロメトリックモジュレータに支持構造が取付けられる層との間に同様の接合部を形成するために用いられることは理解されるであろう。例えば、実施形態（図１０に示されない）では、方法１２００は支持構造と可動層との間に接合部を形成するために用いられ、そして可動層から吊るされる反射面は、例えば、図７Ｃに示した一般的な方法で形成される。方法１１００、１２００は個別に実行され、或いは一つの方法に組み合わせられることは理解されるであろう。例えば、方法１１００は基板層（例えば、基板２０または光学スタック１６）と支持構造との間に接合部を形成するために行われ、方法１２００は支持構造１８と可動層１４との間に接合部を形成するために行われ、且つ／または方法１１００及び１２００は、例えば、支持構造１８と基板層（例えば、基板２０または光学スタック１６）及び可動層１４の両方との間に接合部を形成するために一緒に実行される。
前述の詳細な説明は様々な実施形態に適用される発明の新規な特徴を示し、述べ、そして指摘してきたが、示されたデバイス及び工程における様々な省略、代用、及び変更が本発明の精神から逸脱することなく当業者によって行われることは理解されるであろう。理解されるように、いくつかの特徴は他のものと別に使用され、或いは実行されるので、本発明はここに説明された全ての特徴及び利益を提供しない形の中で具体化されるかもしれない。
第１のインターフェロメトリックモジュレータの可動反射層が緩和位置にあり、第２のインターフェロメトリックモジュレータの可動反射層が作動位置にあるインターフェロメトリックモジュレータディスプレイの一実施形態の一部を描いた等角図である。 ３×３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを組み込んだ電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。 図１のインターフェロメトリックモジュレータの一つの例示的実施形態に関する可動鏡位置対電圧の図である。 インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを駆動するために使用される一組の行及び列電圧の実例である。 図２の３×３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイにおけるディスプレイデータの一つの例示的フレームを示す。 図５Ａのフレームを書込むために使用される行及び列信号の一つの例示的なタイミング図を示す。 複数のインターフェロメトリックモジュレータを含む映像ディスプレイデバイスの実施形態を示すシステムブロック図である。 複数のインターフェロメトリックモジュレータを含む映像ディスプレイデバイスの実施形態を示すシステムブロック図である。 図１のデバイスの断面図である。 インターフェロメトリックモジュレータの代替実施形態の断面図である。 インターフェロメトリックモジュレータの別の代替実施形態の断面図である。 インターフェロメトリックモジュレータのさらに別の代替実施形態の断面図である。 インターフェロメトリックモジュレータの追加の代替実施形態の断面図である。 インターフェロメトリックモジュレータを製作する方法の実施形態における或るステップを示すフローチャートである。 インターフェロメトリックモジュレータの実施形態の断面図である。 柱構造に対する接合部を示すインターフェロメトリックモジュレータの実施形態の部分断面図である。 柱構造に対する接合部を示すインターフェロメトリックモジュレータの実施形態の部分断面図である。 柱構造に対する接合部を示すインターフェロメトリックモジュレータの実施形態の部分断面図である。 柱構造に対する接合部を示すインターフェロメトリックモジュレータの実施形態の部分断面図である。 柱構造に対する接合部を示すインターフェロメトリックモジュレータの実施形態の部分断面図である。 インターフェロメトリックモジュレータを製作する方法の実施形態における或るステップを示すフローチャートである。 インターフェロメトリックモジュレータを製作する方法の実施形態における或るステップを示すフローチャートである。

Claims (43)

  1. 第１反射面を含む基板層と、
    上記第１反射面から間隔を開けられて空洞を形成する第２反射面を含む可動層と、
    上記基板層と上記可動層との間の上記空洞の側部に配置された支持構造と、
    上記支持構造と上記基板層及び上記可動層の少なくとも一つとの間の接合部と、
    を具備し、
    上記接合部は、上記支持構造と上記基板層及び上記可動層の少なくとも一つとの間の接着力を増加させるように構成される微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
  2. インターフェロメトリックモジュレータを備える請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
  3. 上記接合部は、上記支持構造と上記基板層及び上記可動層の少なくとも一つとの間の粗界面を含む請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
  4. 上記接合部は、上記支持構造と上記基板層との間にある請求項３に記載のＭＥＭＳデバイス。
  5. 上記基板層は、上記第１反射面の下に配された透明基板を含む請求項４に記載のＭＥＭＳデバイス。
  6. 上記粗界面は、上記支持構造と上記透明基板との間にある請求項５に記載のＭＥＭＳデバイス。
  7. 上記粗界面は、上記支持構造と上記第１反射面との間にある請求項５に記載のＭＥＭＳデバイス。
  8. 上記接合部は、上記支持構造と上記可動層との間にある請求項３に記載のＭＥＭＳデバイス。
  9. 上記第２反射面は、上記可動層から吊るされる請求項３に記載のＭＥＭＳデバイス。
  10. 上記接合部は、上記支持構造と上記基板層及び上記可動層の少なくとも一つとの間の接着層を含む請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
  11. 上記接着層は、アルミニウムを含む請求項１０に記載のＭＥＭＳデバイス。
  12. 上記接着層は、上記支持構造と上記基板層との間にある請求項１０に記載のＭＥＭＳデバイス。
  13. 上記基板層は、上記第１反射面の下に配された透明基板を含む請求項１２に記載のＭＥＭＳデバイス。
  14. 上記接着層は、上記支持構造と上記透明基板との間にある請求項１３に記載のＭＥＭＳデバイス。
  15. 上記接着層は、上記支持構造と上記第１反射面との間にある請求項１３に記載のＭＥＭＳデバイス。
  16. 上記接着層は、上記支持構造と上記可動層との間にある請求項１０に記載のＭＥＭＳデバイス。
  17. 上記第２反射面は、上記可動層から吊るされる請求項１６に記載のＭＥＭＳデバイス。
  18. 画像データを処理するように構成され、少なくとも上記可動層と電気的に通信するプロセッサと、
    上記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと、
    をさらに具備する請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
  19. 少なくとも一つの信号を少なくとも上記可動層へ送るように構成されたドライバ回路をさらに具備する、請求項１８に記載のディスプレイデバイス。
  20. 画像データの少なくとも一部をドライバ回路に送るように構成された制御器をさらに具備する請求項１９に記載のディスプレイデバイス。
  21. 画像データを上記プロセッサに送るように構成された画像源モジュールをさらに具備する請求項１８に記載のディスプレイデバイス。
  22. 上記画像源は、受信器、送受信器、及び送信器の少なくとも一つを具備する請求項２１に記載のディスプレイデバイス。
  23. 入力データを受け取り、当該入力データを上記プロセッサに通信するように構成された入力デバイスをさらに具備する請求項１８に記載のディスプレイデバイス。
  24. 固定層上で可動層を支持する手段と、
    上記支持手段を上記固定層及び上記可動層の少なくとも一つに接合する手段と、
    を具備し、
    上記接合手段は、上記支持手段と上記固定層及び上記可動層の少なくとも一つとの間の接着力改善を行うように構成されるインターフェロメトリックモジュレータ。
  25. 上記接合手段は、接着材を含む請求項２４に記載のインターフェロメトリックモジュレータ。
  26. 上記接合手段は、上記支持手段と上記固定層及び上記可動層の少なくとも一つとの間に粗界面を含む請求項２４に記載のインターフェロメトリックモジュレータ。
  27. 上記接合手段は、支柱を含む請求項２４、２５または２６に記載のインターフェロメトリックモジュレータ。
  28. インターフェロメトリックモジュレータを製作する方法であって、
    第１反射面を含む基板層を形成することと、
    上記基板層の支持領域の一部を加工して、加工支持領域を形成することと、
    上記加工支持領域上に支持構造を形成することと、
    を含み、
    上記加工支持領域は、上記基板層と上記支持構造との間の接着力を増加させるように構成される方法。
  29. 上記加工は、上記基板層の支持領域の少なくとも一部を粗面化することを含む請求項２８に記載の方法。
  30. 上記粗面化は、上記基板層の上記支持領域をエッチングすることを含む請求項２９に記載の方法。
  31. 上記粗面化は、上記第１反射面の一部を粗面化することを含む請求項２９に記載の方法。
  32. 上記加工は、上記基板層の上記支持領域の少なくとも一部に接着剤を堆積することを含む請求項２８に記載の方法。
  33. 犠牲層を上記基板層上に堆積することをさらに含む請求項２８に記載の方法。
  34. 第２反射層を上記犠牲層の上に蒸着することをさらに含む請求項３３に記載の方法。
  35. 上記犠牲層を除去して、上記第１反射層と上記第２反射層との間に位置する空洞を形成することをさらに含む請求項３４に記載の方法。
  36. 請求項２８に記載の方法によって製作されたインターフェロメトリックモジュレータ。
  37. 基板層を形成することと、
    上記基板層上に支持構造を形成することと、
    上記支持構造を加工して、加工支持構造を形成することと、
    上記加工支持構造上に可動層を形成することと、
    を含むインターフェロメトリックモジュレータの製作方法。
  38. 上記加工は、上記支持構造の少なくとも一部を粗くすることを含む請求項３７に記載の方法。
  39. 上記加工は、上記支持構造の少なくとも一部の上に接着材を堆積することを含む請求項３７に記載の方法。
  40. 上記基板層上に反射層を形成することをさらに含む請求項３７に記載の方法。
  41. 上記第１反射層の上に犠牲層を堆積することをさらに含む請求項４０に記載の方法。
  42. 上記犠牲層を除去して、上記反射層と上記可動層との間に位置する空洞を形成することをさらに含む請求項４１に記載の方法。
  43. 請求項３７に記載の方法によって製作されたインターフェロメトリックモジュレータ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012006142A (ja) * 2006-06-30 2012-01-12 Qualcomm Mems Technologies Inc 空隙制御を行うｍｅｍｓ装置を製造する方法
JP2014077872A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Jvc Kenwood Corp 光偏向器及び光偏向器の製造方法

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US7532377B2 (en) * 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7420725B2 (en) * 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7327510B2 (en) * 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7944599B2 (en) * 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7884989B2 (en) * 2005-05-27 2011-02-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. White interferometric modulators and methods for forming the same
US7460292B2 (en) 2005-06-03 2008-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator with internal polarization and drive method
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
EP1835675A1 (en) * 2006-03-14 2007-09-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. A method of coupling a circuit switched network to an internet protocol network
US20070268201A1 (en) * 2006-05-22 2007-11-22 Sampsell Jeffrey B Back-to-back displays
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7471442B2 (en) 2006-06-15 2008-12-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US7835061B2 (en) 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7629197B2 (en) * 2006-10-18 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator
US20080111834A1 (en) * 2006-11-09 2008-05-15 Mignard Marc M Two primary color display
US8115987B2 (en) * 2007-02-01 2012-02-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Modulating the intensity of light from an interferometric reflector
US7742220B2 (en) * 2007-03-28 2010-06-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops
DE112008000862T5 (de) * 2007-03-30 2010-03-11 Microstaq, Inc., Austin Vorgesteuertes Mikroschieberventil
WO2008121365A1 (en) * 2007-03-31 2008-10-09 Microstaq, Inc. Pilot operated spool valve
US7715085B2 (en) * 2007-05-09 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7643202B2 (en) * 2007-05-09 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US8111262B2 (en) * 2007-05-18 2012-02-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator displays with reduced color sensitivity
US7782517B2 (en) * 2007-06-21 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Infrared and dual mode displays
US7630121B2 (en) 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
WO2009018287A1 (en) 2007-07-31 2009-02-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Devices for enhancing colour shift of interferometric modulators
US8072402B2 (en) * 2007-08-29 2011-12-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical modulator with broadband reflection characteristics
US7847999B2 (en) * 2007-09-14 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator display devices
US7773286B2 (en) * 2007-09-14 2010-08-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Periodic dimple array
CN101828145B (zh) 2007-10-19 2012-03-21 高通Mems科技公司 具有集成光伏元件的显示器
US8058549B2 (en) 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
EP2203765A1 (en) * 2007-10-23 2010-07-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Adjustably transmissive mems-based devices
US8941631B2 (en) 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US7715079B2 (en) 2007-12-07 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices requiring no mechanical support
US8164821B2 (en) 2008-02-22 2012-04-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US7612933B2 (en) 2008-03-27 2009-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with spacing layer
US7898723B2 (en) * 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure
US7969638B2 (en) * 2008-04-10 2011-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having thin black mask and method of fabricating the same
US7746539B2 (en) * 2008-06-25 2010-06-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for packing a display device and the device obtained thereof
US7768690B2 (en) 2008-06-25 2010-08-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US8023167B2 (en) * 2008-06-25 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7859740B2 (en) * 2008-07-11 2010-12-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control
US7782522B2 (en) 2008-07-17 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Encapsulation methods for interferometric modulator and MEMS devices
US8662468B2 (en) * 2008-08-09 2014-03-04 Dunan Microstaq, Inc. Microvalve device
US7855826B2 (en) 2008-08-12 2010-12-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices
US8358266B2 (en) 2008-09-02 2013-01-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light turning device with prismatic light turning features
WO2010065804A2 (en) 2008-12-06 2010-06-10 Microstaq, Inc. Fluid flow control assembly
US8270056B2 (en) * 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
WO2010117874A2 (en) 2009-04-05 2010-10-14 Microstaq, Inc. Method and structure for optimizing heat exchanger performance
US9121979B2 (en) 2009-05-29 2015-09-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination devices and methods of fabrication thereof
WO2011022267A2 (en) 2009-08-17 2011-02-24 Microstaq, Inc. Micromachined device and control method
US8270062B2 (en) 2009-09-17 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with at least one movable stop element
US8488228B2 (en) 2009-09-28 2013-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric display with interferometric reflector
WO2011094302A2 (en) 2010-01-28 2011-08-04 Microstaq, Inc. Process for reconditioning semiconductor surface to facilitate bonding
US9006844B2 (en) 2010-01-28 2015-04-14 Dunan Microstaq, Inc. Process and structure for high temperature selective fusion bonding
JP2013524287A (ja) 2010-04-09 2013-06-17 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 電気機械デバイスの機械層及びその形成方法
CN103038568A (zh) 2010-04-16 2013-04-10 弗莱克斯照明第二有限责任公司 包括膜基光导的前照明装置
EP2558775B1 (en) 2010-04-16 2019-11-13 FLEx Lighting II, LLC Illumination device comprising a film-based lightguide
CN103109315A (zh) 2010-08-17 2013-05-15 高通Mems科技公司 对干涉式显示装置中的电荷中性电极的激活和校准
US8996141B1 (en) 2010-08-26 2015-03-31 Dunan Microstaq, Inc. Adaptive predictive functional controller
US9057872B2 (en) 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US8736939B2 (en) 2011-11-04 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device
US8925793B2 (en) 2012-01-05 2015-01-06 Dunan Microstaq, Inc. Method for making a solder joint
US9140613B2 (en) 2012-03-16 2015-09-22 Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. Superheat sensor
US9305497B2 (en) 2012-08-31 2016-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems, devices, and methods for driving an analog interferometric modulator
US9181086B1 (en) 2012-10-01 2015-11-10 The Research Foundation For The State University Of New York Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof
US9188375B2 (en) 2013-12-04 2015-11-17 Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. Control element and check valve assembly
US20220033952A1 (en) * 2020-08-03 2022-02-03 Neuroone Medical Technologies Corporation Methods For Making Probe Devices And Related Devices

Family Cites Families (346)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2534846A (en) 1946-06-20 1950-12-19 Emi Ltd Color filter
US2590906A (en) 1946-11-22 1952-04-01 Farrand Optical Co Inc Reflection interference filter
US2677714A (en) 1951-09-21 1954-05-04 Alois Vogt Dr Optical-electrical conversion device comprising a light-permeable metal electrode
US3247392A (en) 1961-05-17 1966-04-19 Optical Coating Laboratory Inc Optical coating and assembly used as a band pass interference filter reflecting in the ultraviolet and infrared
DE1288651B (de) 1963-06-28 1969-02-06 Siemens Ag Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
FR1603131A (ja) 1968-07-05 1971-03-22
US3653741A (en) 1970-02-16 1972-04-04 Alvin M Marks Electro-optical dipolar material
US3813265A (en) 1970-02-16 1974-05-28 A Marks Electro-optical dipolar material
US3728030A (en) 1970-06-22 1973-04-17 Cary Instruments Polarization interferometer
US3725868A (en) 1970-10-19 1973-04-03 Burroughs Corp Small reconfigurable processor for a variety of data processing applications
US3679313A (en) 1970-10-23 1972-07-25 Bell Telephone Labor Inc Dispersive element for optical pulse compression
JPS4946974A (ja) 1972-09-11 1974-05-07
DE2336930A1 (de) 1973-07-20 1975-02-06 Battelle Institut E V Infrarot-modulator (ii.)
US3886310A (en) 1973-08-22 1975-05-27 Westinghouse Electric Corp Electrostatically deflectable light valve with improved diffraction properties
US4099854A (en) 1976-10-12 1978-07-11 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption
US4196396A (en) 1976-10-15 1980-04-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Interferometer apparatus using electro-optic material with feedback
US4389096A (en) 1977-12-27 1983-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus of liquid crystal valve projection type
US4445050A (en) 1981-12-15 1984-04-24 Marks Alvin M Device for conversion of light power to electric power
US4663083A (en) 1978-05-26 1987-05-05 Marks Alvin M Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics
US4228437A (en) 1979-06-26 1980-10-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror
NL8001281A (nl) 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
DE3012253A1 (de) 1980-03-28 1981-10-15 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung
DE3109653A1 (de) 1980-03-31 1982-01-28 Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena "resonanzabsorber"
US4421381A (en) 1980-04-04 1983-12-20 Yokogawa Hokushin Electric Corp. Mechanical vibrating element
US4377324A (en) 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4441791A (en) 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
FR2506026A1 (fr) 1981-05-18 1982-11-19 Radant Etudes Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence
NL8103377A (nl) 1981-07-16 1983-02-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
US4571603A (en) 1981-11-03 1986-02-18 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror electrostatic printer
NL8200354A (nl) 1982-02-01 1983-09-01 Philips Nv Passieve weergeefinrichting.
US4500171A (en) 1982-06-02 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Process for plastic LCD fill hole sealing
US4497974A (en) 1982-11-22 1985-02-05 Exxon Research & Engineering Co. Realization of a thin film solar cell with a detached reflector
US4482213A (en) 1982-11-23 1984-11-13 Texas Instruments Incorporated Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs
US4498953A (en) 1983-07-27 1985-02-12 At&T Bell Laboratories Etching techniques
JPS60159731A (ja) 1984-01-30 1985-08-21 Sharp Corp 液晶表示体
US4710732A (en) 1984-07-31 1987-12-01 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4566935A (en) 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5096279A (en) 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5061049A (en) 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4662746A (en) 1985-10-30 1987-05-05 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4596992A (en) 1984-08-31 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Linear spatial light modulator and printer
US4560435A (en) 1984-10-01 1985-12-24 International Business Machines Corporation Composite back-etch/lift-off stencil for proximity effect minimization
US4615595A (en) 1984-10-10 1986-10-07 Texas Instruments Incorporated Frame addressed spatial light modulator
US4655554A (en) 1985-03-06 1987-04-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Spatial light modulator having a capacitively coupled photoconductor
US5172262A (en) 1985-10-30 1992-12-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
GB2186708B (en) 1985-11-26 1990-07-11 Sharp Kk A variable interferometric device and a process for the production of the same
US5835255A (en) 1986-04-23 1998-11-10 Etalon, Inc. Visible spectrum modulator arrays
GB8610129D0 (en) 1986-04-25 1986-05-29 Secr Defence Electro-optical device
US4748366A (en) 1986-09-02 1988-05-31 Taylor George W Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects
GB8621438D0 (en) 1986-09-05 1986-10-15 Secr Defence Electro-optic device
US4786128A (en) 1986-12-02 1988-11-22 Quantum Diagnostics, Ltd. Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction
NL8701138A (nl) 1987-05-13 1988-12-01 Philips Nv Electroscopische beeldweergeefinrichting.
DE3716485C1 (de) 1987-05-16 1988-11-24 Heraeus Gmbh W C Xenon-Kurzbogen-Entladungslampe
WO1988009917A1 (fr) 1987-06-04 1988-12-15 Walter Lukosz Procede de modulation optique et de mesure
US4857978A (en) 1987-08-11 1989-08-15 North American Philips Corporation Solid state light modulator incorporating metallized gel and method of metallization
US4900136A (en) 1987-08-11 1990-02-13 North American Philips Corporation Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel
US4956619A (en) 1988-02-19 1990-09-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US4856863A (en) 1988-06-22 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Optical fiber interconnection network including spatial light modulator
US5028939A (en) 1988-08-23 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator system
US4925259A (en) 1988-10-20 1990-05-15 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Multilayer optical dielectric coating
JP2700903B2 (ja) * 1988-09-30 1998-01-21 シャープ株式会社 液晶表示装置
US4982184A (en) 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US4973131A (en) 1989-02-03 1990-11-27 Mcdonnell Douglas Corporation Modulator mirror
US5214419A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Planarized true three dimensional display
US5287096A (en) 1989-02-27 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Variable luminosity display system
US5206629A (en) 1989-02-27 1993-04-27 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and memory for digitized video display
US5192946A (en) 1989-02-27 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Digitized color video display system
US5214420A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator projection system with random polarity light
US5079544A (en) 1989-02-27 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Standard independent digitized video system
US5162787A (en) 1989-02-27 1992-11-10 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface
US5170156A (en) 1989-02-27 1992-12-08 Texas Instruments Incorporated Multi-frequency two dimensional display system
US5272473A (en) 1989-02-27 1993-12-21 Texas Instruments Incorporated Reduced-speckle display system
US4900395A (en) 1989-04-07 1990-02-13 Fsi International, Inc. HF gas etching of wafers in an acid processor
US5022745A (en) 1989-09-07 1991-06-11 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror
US4954789A (en) 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5381253A (en) * 1991-11-14 1995-01-10 Board Of Regents Of University Of Colorado Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation
US5124834A (en) 1989-11-16 1992-06-23 General Electric Company Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same
US5037173A (en) 1989-11-22 1991-08-06 Texas Instruments Incorporated Optical interconnection network
US5500635A (en) * 1990-02-20 1996-03-19 Mott; Jonathan C. Products incorporating piezoelectric material
CH682523A5 (fr) 1990-04-20 1993-09-30 Suisse Electronique Microtech Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel.
GB9012099D0 (en) 1990-05-31 1990-07-18 Kodak Ltd Optical article for multicolour imaging
EP0467048B1 (en) 1990-06-29 1995-09-20 Texas Instruments Incorporated Field-updated deformable mirror device
US5099353A (en) 1990-06-29 1992-03-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5142405A (en) 1990-06-29 1992-08-25 Texas Instruments Incorporated Bistable dmd addressing circuit and method
US5216537A (en) 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5018256A (en) 1990-06-29 1991-05-28 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5153771A (en) 1990-07-18 1992-10-06 Northrop Corporation Coherent light modulation and detector
US5062689A (en) 1990-08-21 1991-11-05 Koehler Dale R Electrostatically actuatable light modulating device
US5192395A (en) 1990-10-12 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of making a digital flexure beam accelerometer
US5044736A (en) 1990-11-06 1991-09-03 Motorola, Inc. Configurable optical filter or display
US5602671A (en) * 1990-11-13 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Low surface energy passivation layer for micromechanical devices
US5233459A (en) 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
US5136669A (en) 1991-03-15 1992-08-04 Sperry Marine Inc. Variable ratio fiber optic coupler optical signal processing element
CA2063744C (en) 1991-04-01 2002-10-08 Paul M. Urbanus Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system
US5142414A (en) 1991-04-22 1992-08-25 Koehler Dale R Electrically actuatable temporal tristimulus-color device
US5226099A (en) 1991-04-26 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror shutter device
US5179274A (en) 1991-07-12 1993-01-12 Texas Instruments Incorporated Method for controlling operation of optical systems and devices
US5287215A (en) 1991-07-17 1994-02-15 Optron Systems, Inc. Membrane light modulation systems
US5170283A (en) 1991-07-24 1992-12-08 Northrop Corporation Silicon spatial light modulator
US5240818A (en) 1991-07-31 1993-08-31 Texas Instruments Incorporated Method for manufacturing a color filter for deformable mirror device
US5168406A (en) 1991-07-31 1992-12-01 Texas Instruments Incorporated Color deformable mirror device and method for manufacture
US5254980A (en) 1991-09-06 1993-10-19 Texas Instruments Incorporated DMD display system controller
US5315370A (en) 1991-10-23 1994-05-24 Bulow Jeffrey A Interferometric modulator for optical signal processing
US5233385A (en) 1991-12-18 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated White light enhanced color field sequential projection
US5233456A (en) 1991-12-20 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated Resonant mirror and method of manufacture
US5228013A (en) 1992-01-10 1993-07-13 Bik Russell J Clock-painting device and method for indicating the time-of-day with a non-traditional, now analog artistic panel of digital electronic visual displays
US6381022B1 (en) 1992-01-22 2002-04-30 Northeastern University Light modulating device
US5296950A (en) 1992-01-31 1994-03-22 Texas Instruments Incorporated Optical signal free-space conversion board
US5231532A (en) 1992-02-05 1993-07-27 Texas Instruments Incorporated Switchable resonant filter for optical radiation
US5212582A (en) 1992-03-04 1993-05-18 Texas Instruments Incorporated Electrostatically controlled beam steering device and method
DE69310974T2 (de) 1992-03-25 1997-11-06 Texas Instruments Inc Eingebautes optisches Eichsystem
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
US5401983A (en) * 1992-04-08 1995-03-28 Georgia Tech Research Corporation Processes for lift-off of thin film materials or devices for fabricating three dimensional integrated circuits, optical detectors, and micromechanical devices
US5311360A (en) 1992-04-28 1994-05-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for modulating a light beam
TW245772B (ja) * 1992-05-19 1995-04-21 Akzo Nv
JPH0651250A (ja) * 1992-05-20 1994-02-25 Texas Instr Inc <Ti> モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ
US5818095A (en) 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
US5293272A (en) 1992-08-24 1994-03-08 Physical Optics Corporation High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating
US5327286A (en) 1992-08-31 1994-07-05 Texas Instruments Incorporated Real time optical correlation system
US5325116A (en) 1992-09-18 1994-06-28 Texas Instruments Incorporated Device for writing to and reading from optical storage media
US5296775A (en) 1992-09-24 1994-03-22 International Business Machines Corporation Cooling microfan arrangements and process
FI96450C (fi) 1993-01-13 1996-06-25 Vaisala Oy Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto
US7830587B2 (en) 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5559358A (en) 1993-05-25 1996-09-24 Honeywell Inc. Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom
US5324683A (en) 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
US5489952A (en) * 1993-07-14 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and device for multi-format television
US5510824A (en) * 1993-07-26 1996-04-23 Texas Instruments, Inc. Spatial light modulator array
US5526172A (en) 1993-07-27 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same
US5497197A (en) * 1993-11-04 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated System and method for packaging data into video processor
US5473814A (en) * 1994-01-07 1995-12-12 International Business Machines Corporation Process for surface mounting flip chip carrier modules
US5500761A (en) * 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
FI94804C (fi) 1994-02-17 1995-10-25 Vaisala Oy Sähköisesti säädettävä pintamikromekaaninen Fabry-Perot-interferometri käytettäväksi optisessa materiaalianalyysissä
US5665997A (en) 1994-03-31 1997-09-09 Texas Instruments Incorporated Grated landing area to eliminate sticking of micro-mechanical devices
US7852545B2 (en) 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7826120B2 (en) 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US7460291B2 (en) 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US8081369B2 (en) 1994-05-05 2011-12-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7808694B2 (en) 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US20010003487A1 (en) 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US6040937A (en) 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7738157B2 (en) 1994-05-05 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US6680792B2 (en) 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5497172A (en) * 1994-06-13 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing
US5920418A (en) 1994-06-21 1999-07-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diffractive optical modulator and method for producing the same, infrared sensor including such a diffractive optical modulator and method for producing the same, and display device including such a diffractive optical modulator
US5499062A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Texas Instruments Incorporated Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory
US5636052A (en) 1994-07-29 1997-06-03 Lucent Technologies Inc. Direct view display based on a micromechanical modulation
US5485304A (en) 1994-07-29 1996-01-16 Texas Instruments, Inc. Support posts for micro-mechanical devices
FR2726960B1 (fr) 1994-11-10 1996-12-13 Thomson Csf Procede de realisation de transducteurs magnetoresistifs
JPH08153700A (ja) 1994-11-25 1996-06-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 導電性被膜の異方性エッチング方法
US5610624A (en) * 1994-11-30 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect
US5550373A (en) 1994-12-30 1996-08-27 Honeywell Inc. Fabry-Perot micro filter-detector
US5726480A (en) * 1995-01-27 1998-03-10 The Regents Of The University Of California Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same
US5610438A (en) * 1995-03-08 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Micro-mechanical device with non-evaporable getter
US7898722B2 (en) * 1995-05-01 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with restoring electrode
US5661592A (en) 1995-06-07 1997-08-26 Silicon Light Machines Method of making and an apparatus for a flat diffraction grating light valve
US6849471B2 (en) 2003-03-28 2005-02-01 Reflectivity, Inc. Barrier layers for microelectromechanical systems
US6046840A (en) * 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
KR100213026B1 (ko) 1995-07-27 1999-08-02 윤종용 디엠디 및 그 제조공정
US6324192B1 (en) 1995-09-29 2001-11-27 Coretek, Inc. Electrically tunable fabry-perot structure utilizing a deformable multi-layer mirror and method of making the same
JPH09127551A (ja) 1995-10-31 1997-05-16 Sharp Corp 半導体装置およびアクティブマトリクス基板
US5999306A (en) 1995-12-01 1999-12-07 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing spatial light modulator and electronic device employing it
US5825528A (en) 1995-12-26 1998-10-20 Lucent Technologies Inc. Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator
US5751469A (en) 1996-02-01 1998-05-12 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for an improved micromechanical modulator
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
US5838484A (en) * 1996-08-19 1998-11-17 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator with linear operating characteristic
GB9619781D0 (en) 1996-09-23 1996-11-06 Secr Defence Multi layer interference coatings
US5771116A (en) 1996-10-21 1998-06-23 Texas Instruments Incorporated Multiple bias level reset waveform for enhanced DMD control
US7830588B2 (en) 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
US6028689A (en) * 1997-01-24 2000-02-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Multi-motion micromirror
US5786927A (en) 1997-03-12 1998-07-28 Lucent Technologies Inc. Gas-damped micromechanical structure
US6384952B1 (en) 1997-03-27 2002-05-07 Mems Optical Inc. Vertical comb drive actuated deformable mirror device and method
EP0877272B1 (en) * 1997-05-08 2002-07-31 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to spatial light modulators
EP0879991A3 (en) 1997-05-13 1999-04-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Illuminating system
US5870221A (en) 1997-07-25 1999-02-09 Lucent Technologies, Inc. Micromechanical modulator having enhanced performance
US5867302A (en) * 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
US6031653A (en) 1997-08-28 2000-02-29 California Institute Of Technology Low-cost thin-metal-film interference filters
US6028690A (en) * 1997-11-26 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio
US6180428B1 (en) * 1997-12-12 2001-01-30 Xerox Corporation Monolithic scanning light emitting devices using micromachining
US6381381B1 (en) 1998-01-20 2002-04-30 Seiko Epson Corporation Optical switching device and image display device
US5914804A (en) 1998-01-28 1999-06-22 Lucent Technologies Inc Double-cavity micromechanical optical modulator with plural multilayer mirrors
JPH11211999A (ja) * 1998-01-28 1999-08-06 Teijin Ltd 光変調素子および表示装置
US6100861A (en) 1998-02-17 2000-08-08 Rainbow Displays, Inc. Tiled flat panel display with improved color gamut
US6195196B1 (en) 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
US6262697B1 (en) 1998-03-20 2001-07-17 Eastman Kodak Company Display having viewable and conductive images
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US7532377B2 (en) 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
EP0951068A1 (en) * 1998-04-17 1999-10-20 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of fabrication of a microstructure having an inside cavity
US6046659A (en) 1998-05-15 2000-04-04 Hughes Electronics Corporation Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications
US6242989B1 (en) 1998-09-12 2001-06-05 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising a multi-port variable capacitor
JP4074714B2 (ja) * 1998-09-25 2008-04-09 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
US6323834B1 (en) 1998-10-08 2001-11-27 International Business Machines Corporation Micromechanical displays and fabrication method
JP3919954B2 (ja) 1998-10-16 2007-05-30 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
US6171945B1 (en) * 1998-10-22 2001-01-09 Applied Materials, Inc. CVD nanoporous silica low dielectric constant films
JP2000147262A (ja) 1998-11-11 2000-05-26 Nobuyuki Higuchi 集光装置及びこれを利用した太陽光発電システム
US6335831B2 (en) * 1998-12-18 2002-01-01 Eastman Kodak Company Multilevel mechanical grating device
US6358021B1 (en) * 1998-12-29 2002-03-19 Honeywell International Inc. Electrostatic actuators for active surfaces
US6188519B1 (en) 1999-01-05 2001-02-13 Kenneth Carlisle Johnson Bigrating light valve
US6242932B1 (en) 1999-02-19 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Interposer for semiconductor components having contact balls
US6201633B1 (en) * 1999-06-07 2001-03-13 Xerox Corporation Micro-electromechanical based bistable color display sheets
US6335235B1 (en) 1999-08-17 2002-01-01 Advanced Micro Devices, Inc. Simplified method of patterning field dielectric regions in a semiconductor device
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6351329B1 (en) 1999-10-08 2002-02-26 Lucent Technologies Inc. Optical attenuator
US6960305B2 (en) 1999-10-26 2005-11-01 Reflectivity, Inc Methods for forming and releasing microelectromechanical structures
US6674090B1 (en) * 1999-12-27 2004-01-06 Xerox Corporation Structure and method for planar lateral oxidation in active
US6519073B1 (en) 2000-01-10 2003-02-11 Lucent Technologies Inc. Micromechanical modulator and methods for fabricating the same
CA2397806C (en) 2000-01-21 2009-05-05 Flex Products, Inc. Optically variable security devices
US6307663B1 (en) 2000-01-26 2001-10-23 Eastman Kodak Company Spatial light modulator with conformal grating device
JP2001221913A (ja) 2000-02-08 2001-08-17 Yokogawa Electric Corp ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計
GB2359636B (en) 2000-02-22 2002-05-01 Marconi Comm Ltd Wavelength selective optical filter
KR20010112456A (ko) 2000-02-24 2001-12-20 요트.게.아. 롤페즈 광 가이드를 포함한 디스플레이 디바이스
US6836366B1 (en) 2000-03-03 2004-12-28 Axsun Technologies, Inc. Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same
US6747775B2 (en) 2000-03-20 2004-06-08 Np Photonics, Inc. Detunable Fabry-Perot interferometer and an add/drop multiplexer using the same
US6698295B1 (en) * 2000-03-31 2004-03-02 Shipley Company, L.L.C. Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer
US6400738B1 (en) 2000-04-14 2002-06-04 Agilent Technologies, Inc. Tunable Fabry-Perot filters and lasers
FR2811139B1 (fr) 2000-06-29 2003-10-17 Centre Nat Rech Scient Dispositif optoelectronique a filtrage de longueur d'onde integre
US6940631B2 (en) 2000-07-03 2005-09-06 Sony Corporation Optical multilayer structure, optical switching device, and image display
CA2352729A1 (en) * 2000-07-13 2002-01-13 Creoscitex Corporation Ltd. Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof
US6853129B1 (en) * 2000-07-28 2005-02-08 Candescent Technologies Corporation Protected substrate structure for a field emission display device
JP2002062490A (ja) 2000-08-14 2002-02-28 Canon Inc 干渉性変調素子
JP4304852B2 (ja) * 2000-09-04 2009-07-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 非平面液晶表示素子及びその製造方法
US6466354B1 (en) 2000-09-19 2002-10-15 Silicon Light Machines Method and apparatus for interferometric modulation of light
US6714565B1 (en) 2000-11-01 2004-03-30 Agilent Technologies, Inc. Optically tunable Fabry Perot microelectromechanical resonator
US6556338B2 (en) 2000-11-03 2003-04-29 Intpax, Inc. MEMS based variable optical attenuator (MBVOA)
US6519075B2 (en) * 2000-11-03 2003-02-11 Agere Systems Inc. Packaged MEMS device and method for making the same
US6859218B1 (en) * 2000-11-07 2005-02-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic display devices and methods
US6433917B1 (en) 2000-11-22 2002-08-13 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
US6906847B2 (en) 2000-12-07 2005-06-14 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
CN1479964A (zh) * 2000-12-11 2004-03-03 ���¡���ɣ����� 静电设备
US6614576B2 (en) * 2000-12-15 2003-09-02 Texas Instruments Incorporated Surface micro-planarization for enhanced optical efficiency and pixel performance in SLM devices
WO2002056061A2 (en) * 2000-12-19 2002-07-18 Coventor, Incorporated Optical mems device and package having a light-transmissive opening or window
DE10064616C2 (de) 2000-12-22 2003-02-06 Ovd Kinegram Ag Zug Dekorfolie und Verfahren zum Beschriften der Dekorfolie
US20020149834A1 (en) 2000-12-22 2002-10-17 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
US6911891B2 (en) * 2001-01-19 2005-06-28 Massachusetts Institute Of Technology Bistable actuation techniques, mechanisms, and applications
JP2002221678A (ja) 2001-01-25 2002-08-09 Seiko Epson Corp 光スイッチングデバイス、その製造方法および画像表示装置
US6912078B2 (en) 2001-03-16 2005-06-28 Corning Incorporated Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture
US6661561B2 (en) 2001-03-26 2003-12-09 Creo Inc. High frequency deformable mirror device
US6600587B2 (en) 2001-04-23 2003-07-29 Memx, Inc. Surface micromachined optical system with reinforced mirror microstructure
US6657832B2 (en) 2001-04-26 2003-12-02 Texas Instruments Incorporated Mechanically assisted restoring force support for micromachined membranes
WO2002095800A2 (en) 2001-05-22 2002-11-28 Reflectivity, Inc. A method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants
JP3740444B2 (ja) * 2001-07-11 2006-02-01 キヤノン株式会社 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体
JP4032216B2 (ja) * 2001-07-12 2008-01-16 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置
US6594059B2 (en) * 2001-07-16 2003-07-15 Axsun Technologies, Inc. Tilt mirror fabry-perot filter system, fabrication process therefor, and method of operation thereof
KR100452112B1 (ko) * 2001-07-18 2004-10-12 한국과학기술원 정전 구동기
US6632698B2 (en) 2001-08-07 2003-10-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Microelectromechanical device having a stiffened support beam, and methods of forming stiffened support beams in MEMS
US6661562B2 (en) * 2001-08-17 2003-12-09 Lucent Technologies Inc. Optical modulator and method of manufacture thereof
EP1291570A3 (en) * 2001-09-07 2004-06-30 Avon Polymer Products Limited Noise and vibration suppressors
US7015457B2 (en) 2002-03-18 2006-03-21 Honeywell International Inc. Spectrally tunable detector
US20030053078A1 (en) * 2001-09-17 2003-03-20 Mark Missey Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators
US6940636B2 (en) * 2001-09-20 2005-09-06 Analog Devices, Inc. Optical switching apparatus and method of assembling same
DE60230341D1 (de) 2001-11-09 2009-01-22 Wispry Inc MEMS-Einrichtung mit dreischichtigem Strahl und diesbezügliche Verfahren
US6761950B2 (en) 2001-12-07 2004-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Information recording medium and method for producing the same
JP2003177336A (ja) 2001-12-11 2003-06-27 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置
US6791735B2 (en) * 2002-01-09 2004-09-14 The Regents Of The University Of California Differentially-driven MEMS spatial light modulator
US6608268B1 (en) 2002-02-05 2003-08-19 Memtronics, A Division Of Cogent Solutions, Inc. Proximity micro-electro-mechanical system
US6794119B2 (en) 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
WO2003075617A1 (fr) 2002-03-01 2003-09-12 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif emetteur lumiere et affichage utilisant ce dispositif et dispositif de lecture
US6768555B2 (en) 2002-03-21 2004-07-27 Industrial Technology Research Institute Fabry-Perot filter apparatus with enhanced optical discrimination
US6965468B2 (en) 2003-07-03 2005-11-15 Reflectivity, Inc Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array
US6954297B2 (en) 2002-04-30 2005-10-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid
US6972882B2 (en) 2002-04-30 2005-12-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device with light angle amplification
JP2003340795A (ja) 2002-05-20 2003-12-02 Sony Corp 静電駆動型ｍｅｍｓ素子とその製造方法、光学ｍｅｍｓ素子、光変調素子、ｇｌｖデバイス及びレーザディスプレイ
JP3801099B2 (ja) 2002-06-04 2006-07-26 株式会社デンソー チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6738194B1 (en) 2002-07-22 2004-05-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Resonance tunable optical filter
US6822798B2 (en) 2002-08-09 2004-11-23 Optron Systems, Inc. Tunable optical filter
US6674033B1 (en) * 2002-08-21 2004-01-06 Ming-Shan Wang Press button type safety switch
TW544787B (en) * 2002-09-18 2003-08-01 Promos Technologies Inc Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer
DE60335994D1 (de) 2002-09-19 2011-03-24 Koninkl Philips Electronics Nv Schaltbares optisches element
JP4057871B2 (ja) 2002-09-19 2008-03-05 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
KR100512960B1 (ko) 2002-09-26 2005-09-07 삼성전자주식회사 플렉서블 ｍｅｍｓ 트랜스듀서와 그 제조방법 및 이를채용한 플렉서블 ｍｅｍｓ 무선 마이크로폰
US7085121B2 (en) 2002-10-21 2006-08-01 Hrl Laboratories, Llc Variable capacitance membrane actuator for wide band tuning of microstrip resonators and filters
FR2846318B1 (fr) 2002-10-24 2005-01-07 Commissariat Energie Atomique Microstructure electromecanique integree comportant des moyens de reglage de la pression dans une cavite scellee et procede de reglage de la pression
US7370185B2 (en) 2003-04-30 2008-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers
US6844959B2 (en) * 2002-11-26 2005-01-18 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
US6958846B2 (en) 2002-11-26 2005-10-25 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
TWI289708B (en) 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
TW594155B (en) 2002-12-27 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd Optical interference type color display and optical interference modulator
JP2004212638A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び平面表示素子
JP2004212680A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子アレイ及びその製造方法
JP2004219843A (ja) 2003-01-16 2004-08-05 Seiko Epson Corp 光変調器、表示装置及びその製造方法
TW200413810A (en) 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
TW557395B (en) 2003-01-29 2003-10-11 Yen Sun Technology Corp Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof
US7459402B2 (en) 2003-02-12 2008-12-02 Texas Instruments Incorporated Protection layers in micromirror array devices
TW200417806A (en) 2003-03-05 2004-09-16 Prime View Int Corp Ltd A structure of a light-incidence electrode of an optical interference display plate
US6913942B2 (en) 2003-03-28 2005-07-05 Reflectvity, Inc Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices
TWI224235B (en) 2003-04-21 2004-11-21 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TWI226504B (en) 2003-04-21 2005-01-11 Prime View Int Co Ltd A structure of an interference display cell
TW567355B (en) 2003-04-21 2003-12-21 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TW594360B (en) 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
US6829132B2 (en) * 2003-04-30 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control of micro-electromechanical device
US7447891B2 (en) 2003-04-30 2008-11-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator with concentric control-electrode structure
US7072093B2 (en) 2003-04-30 2006-07-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical interference pixel display with charge control
WO2004099629A2 (en) 2003-05-01 2004-11-18 University Of Florida Vertical displacement device
JP4075678B2 (ja) 2003-05-06 2008-04-16 ソニー株式会社 固体撮像素子
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW591716B (en) 2003-05-26 2004-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a structure release and manufacturing the same
TWI223855B (en) 2003-06-09 2004-11-11 Taiwan Semiconductor Mfg Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices
JP2007027150A (ja) 2003-06-23 2007-02-01 Hitachi Chem Co Ltd 集光型光発電システム
US7221495B2 (en) 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
US6862127B1 (en) 2003-11-01 2005-03-01 Fusao Ishii High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same
JP3786106B2 (ja) 2003-08-11 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 波長可変光フィルタ及びその製造方法
US7173314B2 (en) * 2003-08-13 2007-02-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TWI305599B (en) * 2003-08-15 2009-01-21 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference display panel and method thereof
TW593127B (en) * 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US20050057442A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-17 Olan Way Adjacent display of sequential sub-images
TWI230801B (en) 2003-08-29 2005-04-11 Prime View Int Co Ltd Reflective display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
JP3979982B2 (ja) * 2003-08-29 2007-09-19 シャープ株式会社 干渉性変調器および表示装置
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US7027204B2 (en) 2003-09-26 2006-04-11 Silicon Light Machines Corporation High-density spatial light modulator
US6982820B2 (en) 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
TW593126B (en) 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US20050068583A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Gutkowski Lawrence J. Organizing a digital image
JP2005121906A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd 反射型光変調アレイ素子及び露光装置
US7198873B2 (en) * 2003-11-18 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic processing optimization based on hypersampled correlations
TW200524236A (en) 2003-12-01 2005-07-16 Nl Nanosemiconductor Gmbh Optoelectronic device incorporating an interference filter
ATE552521T1 (de) 2003-12-19 2012-04-15 Barco Nv Breitbandige reflektive anzeigevorrichtung
WO2005089098A2 (en) 2004-01-14 2005-09-29 The Regents Of The University Of California Ultra broadband mirror using subwavelength grating
TWI235345B (en) 2004-01-20 2005-07-01 Prime View Int Co Ltd A structure of an optical interference display unit
JP2005235403A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 有機・ｅｌ表示装置
TWI256941B (en) 2004-02-18 2006-06-21 Qualcomm Mems Technologies Inc A micro electro mechanical system display cell and method for fabricating thereof
US7119945B2 (en) 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
TW200530669A (en) 2004-03-05 2005-09-16 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI261683B (en) 2004-03-10 2006-09-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference reflective element and repairing method thereof
JP4581453B2 (ja) 2004-03-29 2010-11-17 ソニー株式会社 Ｍｅｍｓ素子、光学ｍｅｍｓ素子、回折型光学ｍｅｍｓ素子、並びにレーザディスプレイ
JP2005308871A (ja) 2004-04-19 2005-11-04 Aterio Design Kk 干渉カラーフィルター
US7245285B2 (en) 2004-04-28 2007-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Pixel device
US7476327B2 (en) 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US7787170B2 (en) 2004-06-15 2010-08-31 Texas Instruments Incorporated Micromirror array assembly with in-array pillars
EP1774391A4 (en) * 2004-07-09 2009-11-04 Univ Cincinnati ELECTROMOUPLING LIGHT MODULATOR FOR DISPLAY
TWI233916B (en) 2004-07-09 2005-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system
TWI270722B (en) 2004-07-23 2007-01-11 Au Optronics Corp Dual-side display panel
CA2575314A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-09 Idc, Llc System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator
US7372348B2 (en) 2004-08-20 2008-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Stressed material and shape memory material MEMS devices and methods for manufacturing
US7499208B2 (en) * 2004-08-27 2009-03-03 Udc, Llc Current mode display driver circuit realization feature
KR100648310B1 (ko) * 2004-09-24 2006-11-23 삼성전자주식회사 영상의 휘도 정보를 이용한 색변환장치 및 이를 구비하는디스플레이 장치
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012006142A (ja) * 2006-06-30 2012-01-12 Qualcomm Mems Technologies Inc 空隙制御を行うｍｅｍｓ装置を製造する方法
US8964280B2 (en) 2006-06-30 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
JP2014077872A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Jvc Kenwood Corp 光偏向器及び光偏向器の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060067649A1 (en) 2006-03-30
EP1803021A1 (en) 2007-07-04
TW200624975A (en) 2006-07-16
US7924494B2 (en) 2011-04-12
US7948671B2 (en) 2011-05-24
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