JP2008517304A - インターフェロメトリックモジュレータにおける構造間の滑りを減少させる装置及び方法 - Google Patents
インターフェロメトリックモジュレータにおける構造間の滑りを減少させる装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008517304A JP2008517304A JP2007533717A JP2007533717A JP2008517304A JP 2008517304 A JP2008517304 A JP 2008517304A JP 2007533717 A JP2007533717 A JP 2007533717A JP 2007533717 A JP2007533717 A JP 2007533717A JP 2008517304 A JP2008517304 A JP 2008517304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- support structure
- substrate
- movable
- interferometric modulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 116
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 273
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 45
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 41
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 23
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 45
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 240000007320 Pinus strobus Species 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-3-(trifluoromethyl)pyrrolidin-1-ium-3-carboxylate Chemical compound C1C(C(=O)O)(C(F)(F)F)CCN1CC1=CC=CC=C1 BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 2
- IRLPACMLTUPBCL-KQYNXXCUSA-N 5'-adenylyl sulfate Chemical compound C1=NC=2C(N)=NC=NC=2N1[C@@H]1O[C@H](COP(O)(=O)OS(O)(=O)=O)[C@@H](O)[C@H]1O IRLPACMLTUPBCL-KQYNXXCUSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007666 vacuum forming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
インターフェロメトリックモジュレータデバイス中の支持構造(18)はデバイス中の様々な他の構造と接触する。支持構造(18)と他の構造との間の接合強度の増加は様々な方法、例えば、粗面及び/または支持構造と他の構造との間の界面に接着材料を使用することによって達成される。実施形態では、接着力増加は支持構造(18)と基板層(20)との間で達成される。別の実施形態では、接着力増加は支持構造(18)と可動層(14)との間で達成される。接着力増加は支持構造とインターフェロメトリックモジュレータ内に取付けられる他の構造との間の望ましくない滑りを減少させる。
Description
本発明は、インターフェロメトリックモジュレータとして使用する微小電気機械システム(microelectromechanical systems)に関する。特に、本発明は、インターフェロメトリックモジュレータの微小電気機械動作を改善するシステム及び方法に関係する。
微小電気機械システム(MEMS)は微小機械素子、アクチュエータ、及び電子回路(electronics)を含む。微小機械素子は、電気デバイス及び電気機械デバイスを形成するために蒸着(deposition)、エッチング、及び/または基板及び/または蒸着材料層の一部をエッチング除去したり、或いは層を付加する他の微細加工処理を用いて造られる。MEMSデバイスの一形式はインターフェロメトリックモジュレータ(interferometric modulator)と呼ばれる。本明細書で使用されるように、用語「インターフェロメトリックモジュレータ」もしくは「インターフェロメトリック光モジュレータ」は光学干渉原理を用いて選択的に光を吸収及び/または反射するデバイスを云う。ある実施形態では、インターフェロメトリックモジュレータは一対の導電性板からなり、その一方または双方は全体或いは一部が透明及び/または反射性であり、適当な電気信号を加えると相対的運動が可能である。特別な実施形態では、一方の板は基板に蒸着された固定層であり、他方の板は空隙によって固定層から分離された金属膜から成る。さらに詳細にここに述べるように、他方の板に対する一方の板の位置は、インターフェロメトリックモジュレータに入射する光の光学干渉を変えることができる。そのようなデバイスは広い応用範囲を持っており、現在の製品を改良し、そして未開発の新製品を造るのに利用されるようにこれらの形式のデバイス特性を利用し、且つ/または改良することは当技術分野において有益であろう。
本発明のシステム、方法、及びデバイスは各々いくつかの形態があり、その一つだけでは所望の属性を得ることができない。ここでは、この発明の範囲を限定することなく、そのさらに顕著な特徴が簡潔に論じられるであろう。この議論を考慮し、且つ特に「発明を実施するための最良の形態」の欄を読めば、この発明の特徴が他のディスプレイデバイスに対して利点をいかに提供するかを理解するであろう。
ある実施形態は基板層及び可動層を含むインターフェロメトリックモジュレータを提供する。基板層は第1反射面を含み、可動層は第2反射面を含む。第2反射面は第1反射面から間隔があり、それによって空洞(cavity)を規定する。インターフェロメトリックモジュレータはさらに基板層と可動層との間の空洞の側部に配置された支持構造を含む。インターフェロメトリックモジュレータはさらに支持構造と基板層及び可動層の少なくとも一つとの間に接合部(bond)を含む。接合部は支持構造と基板層及び可動層の少なくとも一つとの間の接着性を増すように構成される。
別の実施形態は固定層の上で可動層を支持する手段を含むインターフェロメトリックモジュレータを提供する。インターフェロメトリックモジュレータはさらに固定層及び可動層の少なくとも一つに支持手段を接合する手段を含む。接合手段は支持手段と固定層及び可動層の少なくとも一つとの間の接着性を改良するように構成される。
別の実施形態はインターフェロメトリックモジュレータを製作する方法を提供する。その方法は基板層を形成することを含む。基板層は第1反射面を含む。その方法は基板層の支持領域の少なくとも一部を加工(treating)して、加工(treated)支持領域を形成することをさらに含む。その方法は加工支持領域上に支持構造を形成することをさらに含む。加工支持領域は基板層と支持構造との間の接着性を増すように構成される。
別の実施形態はインターフェロメトリックモジュレータを製作する方法を提供する。その方法は基板層を形成することを含む。その方法はさらに基板層上に支持構造を形成することを含む。その方法は支持構造を加工して、加工支持構造を形成することをさらに含む。その方法は加工支持構造上に可動層を形成することをさらに含む。
これら及び他の実施形態は下記でさらに詳細に述べられる。
以下の詳細な説明は本発明のある特定の実施形態に対するものである。しかしながら、本発明は多くの異なる方法で具体化することができる。この説明では、全体を通して同じ部分は同じ番号(数字)で指定されて図面に参照がなされる。以下の説明から明白になるが、動いている(例えば、ビデオ)、もしくは静止している(例えば、静止画像)か否かに拘らず、及びテキスト文あるいは絵図か否かに拘らず、実施形態は画像を表示するために構成されるあらゆるデバイスにおいて実施される。特に、実施形態は携帯電話、無線デバイス、個人情報端末(PDAs)、携帯または可搬コンピュータ、GPS受信器/ナビゲータ、カメラ、MP3プレイヤ、ビデオカメラ、ゲーム機、腕時計、時計、計算器、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイ(例えば、走行距離表示、等々)、操縦室制御及び/またはディスプレイ、カメラモニタ(例えば、乗り物における後方監視カメラのディスプレイ)、電子写真、電子広告掲示板及び標示、投映機(プロジェクタ)、建築物、包装、及び美術品(例えば、宝石類の画像のディスプレイ)といった(それらに限定されるものではないが)様々な電子デバイスにおいて、或いは関連して実施される。ここに述べるものと類似の構造のMEMSデバイスはまた電子スイッチデバイスのような非ディスプレイアプリケーションにも使用可能である。
一実施形態はインターフェロメトリックモジュレータにおける柱構造と(基板及び/または可動層といった)他の構造物との間の接合強度を増加させる。幾つかの実施形態では、接合強度の増加は柱構造とそれが接着される(基板及び/または可動層といった)構造物との間の界面において粗面(roughened surface)及び/または接着層を提供することによって達成される。
インターフェロメトリックMEMSディスプレイエレメントを含む一つのインターフェロメトリックモジュレータディスプレイの実施形態が図1に示される。これらのデバイスでは、ピクセルは明(bright)もしくは暗(dark)状態のいずれかにある。明(「オン」もしくは「開」)状態では、ディスプレイエレメントはユーザに入射可視光の大部分を反射する。暗(「オフ」もしくは「閉」)状態にあるときは、ディスプレイエレメントはユーザに入射可視光を殆ど反射しない。実施形態によっては、「オン」及び「オフ」状態の光反射特性は逆になる。MEMSピクセルは選択された色を主として反射するように構成することができ、白黒に加えてカラー表示が可能である。
図1は映像ディスプレイの一連のピクセルにおける二つの隣接ピクセルを表す等角図であり、各ピクセルはMEMSインターフェロメトリックモジュレータから成る。いくつかの実施形態では、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイはこれらのインターフェロメトリックモジュレータの行/列アレイから成る。各インターフェロメトリックモジュレータは少なくとも一つの可変寸法を持つ共鳴光学空洞を形成するために相互から可変且つ制御可能な距離に配置された一対の反射層を含む。一実施形態では、反射層のうちの一方は二つの位置の間を動く。本明細書において緩和位置(relaxed position)とここで呼ばれる第1位置では、可動反射層は固定の部分反射層から相対的に遠い距離に配置される。作動位置(actuated position)とここでに呼ばれる第2位置では、可動反射層は部分反射層にさらに密接して配置される。二つの層から反射する入射光は可動反射層の位置によって建設的もしくは破壊的に干渉し、各ピクセルに関して全反射もしくは非反射の状態を実現する。
図1におけるピクセルアレイの描写部分は二つの隣接するインターフェロメトリックモジュレータ12a及び12bを含む。左側のインターフェロメトリックモジュレータ12aでは、可動反射層14aは、部分反射層を含む光学スタック16aから所定の距離の緩和位置に示されている。右側のインターフェロメトリックモジュレータ12bでは、可動反射層14bは光学スタック16bに隣接する作動位置に示されている。
光学スタック16a及び16b(一緒にして光学スタック16と云う)は、ここに参照したように、一般的にいくつかの融合層(fused layers)から成り、それは酸化インジューム錫(ITO)のような電極層、クロムのような部分反射層、及び透明な誘電体を含む。光学スタック16はこのように電気的に伝導性があり、部分的に透明で、部分的に反射し、そして、例えば、一以上の前述の層を透明基板20に蒸着することによって製造される。いくつかの実施形態では、それらの層は平行な細片にパターン化され、さらに後述するようにディスプレイデバイスにおける行電極を形成する。可動反射層14a、14bは柱18の頂部に蒸着された一連の平行な帯状の蒸着金属層(16a、16bの行電極に直交する)及び柱18間に蒸着された介在犠牲材料として形成される。犠牲材料がエッチング除去されると、可動反射層14a、14bは光学スタック16a、16bから規定ギャップ19だけ分離される。アルミニウムのような高伝導性且つ反射性材料は反射層14に使用され、これらの細片はディスプレイデバイスにおいて列電極を形成する。
図1のピクセル12aで示されたように、電圧を印加しないと、空洞19は可動反射層14aと光学スタック16aの間に留まり、可動反射層14aは機械的に緩和状態にある。しかしながら、電位差が選択された行及び列に加わると、対応するピクセルの行及び列電極の交差部分に形成されたコンデンサは荷電状態になり、そして静電気力が電極を共に引き寄せる。電圧が十分に高ければ、可動反射層14は変形し、光学スタック16に対して押し付けられる。光学スタック16内の誘電体層(この図には示されない)は短絡を防ぎ、そして図1における右のピクセル12bで示したように、層14と16との間の距離間隔を制御する。その振舞は印加電位差の極性に関係なく同じである。このように、非反射に対する反射状態を制御する行/列作動は従来のLCD及び他のディスプレイ技術において使用されるものと多くの点で類似する。
図2から図5Bまではディスプレイアプリケーションにインターフェロメトリックモジュレータアレイを使用するための一つの例示的な処理及びシステムを示す。
図2は本発明の形態を組み込んだ電子デバイスの一実施形態を示するシステムブロック図である。例示的な実施形態では、電子デバイスはARM、Pentium(登録商標)、Pentium II(登録商標)、Pentium III(登録商標)、Pentium IV(登録商標)、Pentium(登録商標)Pro、8051、MIPS(登録商標)、Power PC(登録商標)、ALPHA(登録商標)といったあらゆる一般用途単一或いは多チップのマイクロプロセッサ、またはディジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラやプログラム可能なゲートアレイといったあらゆる特定用途マイクロプロセッサであるプロセッサ21を含む。当技術分野では慣用になっているように、プロセッサ21は一以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成される。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサはウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、または他のソフトウェアアプリケーションを含めで、一以上のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成される。
一実施形態では、プロセッサ21はまたアレイドライバ22と連絡するように構成される。一実施形態では、アレイドライバ22はパネルもしくはディスプレイアレイ(ディスプレイ)30に信号を提供する行ドライバ回路24及び列ドライバ回路26を含む。図1に示されたアレイの断面図は図2においてライン1−1によって示される。MEMSインターフェロメトリックモジュレータに関して、行/列作動プロトコルは図3に示されたこれらのデバイスのヒステリシス特性を利用する。例えば、緩和状態から作動状態へ可動層を変形させるためには10ボルトの電位差を必要とする。しかしながら、電圧がその値から減少するとき、電圧は10ボルト以下に低下しても可動層はその状態を維持する。図3の例示的な実施形態では、電圧が2ボルト以下になるまで可動層は完全には緩和されない。従って、図3に示した例では約3〜7Vの電圧の範囲があり、そこではデバイスが緩和もしくは作動状態いずれかにおいて安定である印加電圧の窓が存在する。これは本明細書では「ヒステリシス窓」または「安定性窓」として参照される。図3のヒステリシス特性を持つディスプレイアレイに関して、列ストローブの間、作動されるストローブ行が約10ボルトの電圧差になり、そして緩和されるピクセルが0ボルトに近い電圧差になるように行/列作動プロトコルは設計される。ストローブの後、ピクセルは列ストローブがそれらをどんな状態に置いても留まるように、ピクセルは約5ボルトの安定状態の電圧差になる。書込みの後、各ピクセルはこの例では3〜7ボルトの「安定性窓」の中の電位差にある。この特性は作動または緩和の先在状態いずれにおいても図1に示したピクセル設計を同じ印加電圧条件の下で安定にする。インターフェロメトリックモジュレータの各ピクセルは作動または緩和状態いずれにおいても本質的に固定及び可動反射層によって形成されたキャパシタであるから、この安定状態は殆ど電力消費のないヒステリシス窓の中の電圧に保持される。印加電位が決定されれば、本質的に電流はピクセルに流れない。
一般的なアプリケーションでは、ディスプレイフレームは第1行の所望作動ピクセル集合に従って列電極集合を決定することによって形成される。そして決定された列ラインに対応するピクセルを作動させて、列パルスが行1の電極に印加される。決定された列電極集合は第2行におけるピクセルの所望作動集合に対応するように変えられる。そして決定された列電極に従って行2の該当するピクセル列を作動させて、パルスが行2の電極に印加される。行1ピクセルは行2パルスに影響されず、それらは行1パルスの間に設定された状態に留まる。これはフレームを生成するために全体の行系列について順次に繰り返される。一般に、1秒当たりある所望のフレーム数でこの処理を連続的に繰り返すことによってフレームは新しくなり、且つ/または新しいディスプレイデータで更新される。ディスプレイフレームを生成するためにピクセルアレイの行及び列電極を駆動するための多種多様なプロトコルはまた周知であり、本発明と共に使用される。
図4、図5A、及び図5Bは図2の3×3アレイに関してディスプレイフレームを生成するための一つの可能な作動プロトコルを示す。図4は図3のヒステリシス曲線を示すピクセルに使用される可能な列及び行電圧レベルの組み合わせを示す。図4の実施形態では、ピクセルを作動させることは、該当する列を−Vbiasに、該当する行を+ΔVに設定することが必要であり、それは−5ボルト及び+5ボルトにそれぞれ対応する。ピクセルを緩和することは該当する列を+Vbiasに、該当する行を+ΔVに設定して、当該ピクセルに0ボルト電位差を生成することによって達成される。行電圧が0ボルトに保持されるそれらの行では、列が+Vbiasまたは−Vbiasにあるかどうかに関係なく、ピクセルはそれらが元々あったどんな状態においても安定である。図4にまた示したように、上述の電圧と反対極性の電圧が使用される、例えば、ピクセルを作動させることは、該当する列を+Vbiasに、該当する行をΔVに設定することを含むということは理解されるであろう。この実施形態では、ピクセルを開放することは、該当する列を−Vbiasに、該当する行を同じ−ΔVに設定して、ピクセルに0ボルトの電位差を生成することによって達成される。
図5Bは図5Aに示されたディスプレイ配置に帰着する図2の3×3アレイに印加される一連の行及び列信号を示すタイミング図であり、ここでは作動ピクセルは非反射である。図5Aに示されたフレームを書込む前は、ピクセルはあらゆる状態にあり、この例では、全ての行は0ボルトであり、全ての列は+5ボルトである。これらの印加電圧によって、全てのピクセルはそれらの現存の作動もしくは緩和状態で安定である。
図5Aのフレームでは、ピクセル(1,1)、(1,2)、(2,2)、(3,2)及び(3,3)が作動される。これを達成するために、行1の「ライン時間」の間、列1及び2は−5ボルトに設定され、列3は+5ボルトに設定される。全てのピクセルは3〜7ボルトの安定性窓に留まるから、このことはあらゆるピクセルの状態を変えないそして行1は0から最高5ボルトに達し、そして0に戻る。これは(1,1)及び(1,2)ピクセルを作動させ、(1,3)ピクセルを緩和する。アレイ中の他のピクセルは影響を受けない。行2を所望のように設定するために、列2は−5ボルトに設定され、列1及び3は+5ボルトに設定される。そして、行2に印加された同じストローブはピクセル(2,2)を作動させ、ピクセル(2,1)及び(2,3)を緩和する。さらに、アレイの他のピクセルは影響を受けない。行3は列2及び3を−5ボルトに、そして列1を+5ボルトに設定することによって同様に設定される。行3のストロ−ブは図5Aに示したように行3ピクセルを設定する。フレームへ書込みの後、行電位はゼロであり、列電位は+5または−5ボルトのいずれかに留まり、そしてディスプレイは図5Aの配置において安定している。同じ手順は数ダース或いは数百の行及び列のアレイに関して使用されることは理解されるであろう。行及び列の作動を行うために使用されるタイミング、系列及び電圧レベルは上に概説した一般原理の中で広く異なり、上の例は一例であるにすぎず、あらゆる作動電圧方法はここに記述されたシステム及び方法とともに使用されることは理解されるであろう。
図6A及び図6Bはディスプレイデバイス40の実施形態を示すシステムブロック図である。例えば、ディスプレイデバイス40はセルラもしくは移動電話である。しかしながら、ディスプレイデバイス40の同じコンポーネントまたはその僅かな変形はまた同じくテレビ及びポータブルメディアプレイヤといった様々な型式のディスプレイデバイスの例示となる。
ディスプレイデバイス40は筐体(housing)41、ディスプレイ30、アンテナ43、スピーカ45、入力デバイス48、及びマイクロホン46を含む。筐体41は注入成形及び真空成形を含め、当業者に周知のあらゆる様々な製造工程から一般に形成される。その上、筐体41はプラスチック、金属、ガラス、ゴム、及びセラミックス、またはその組合せを含め、あらゆる様々な材料から作られるが、それに限定されるものではない。一実施形態では、筐体41は異なる色または異なるロゴ、絵、またはシンボルを含む他の除去可能部分によって置換えられる除去可能部分(図示示せず)を含む。
ここに述べたように、例示的なディスプレイデバイス40のディスプレイ30は双安定ディスプレイを含む様々なディスプレイのどれかである。他の実施形態では、ディスプレイ30は当業者には周知のように上で述べたプラズマ、EL、OLED、STN LCD、或いはTFT LCDといったフラットパネルディスプレイ、CRTまたは他の電子管デバイスといった非フラットパネルディスプレイを含む。しかしながら、現在の実施形態を記述する目的のために、ここに示したように、ディスプレイ30はインターフェロメトリックモジュレータディスプレイを含む。
例示的なディスプレイデバイス40の一実施形態のコンポーネントは図6Bで概略的に示される。図示された例示的なディスプレイデバイス40は筐体41を含み、そしてその中に少なくとも部分的に封入された追加コンポーネントを含む。例えば、一実施形態では、例示的なディスプレイデバイス40は送受信器47に連結されたアンテナ43を含むネットワークインタフェース27を含む。送受信器47はプロセッサ21に接続され、それは調整ハードウェア52に接続される。調整ハードウェア52は信号を調整する(例えば、信号をフィルタする)ように構成される。調整ハードウェア52はスピーカ45及びマイクロホン46に接続される。プロセッサ21はまた入力デバイス48及びドライバ制御器29に接続される。ドライバ制御器29はフレームバッファ28及びアレイドライバ22に連結され、アレイドライバ22はディスプレイアレイに連結される。電源50は特定の例示的なディスプレイデバイス40の設計によって必要とされる全てのコンポーネントに電力を提供する。
例示的なディスプレイデバイス40はネットワーク上で一以上のデバイスと通信することができるように、ネットワークインタフェース27はアンテナ43及び送受信器47を含む。一実施形態では、ネットワークインタフェース27はまたプロセッサ21の要求を軽減するいくつかの処理能力を持つ。アンテナ43は信号を送信し、且つ受信する当業者には周知のどのようなアンテナであっても良い。一実施形態では、アンテナはIEEE802.11(a)、(b)、または(g)を含むIEEE802.11規格に従って信号を送信し、且つ受信する。別の実施形態では、アンテナはBLUETOOTH規格に従ってRF信号を送信し、且つ受信する。セルラ電話の場合は、アンテナは無線携帯電話ネットワーク内で通信するために使用されるCDMA、GSM、AMPSまたは他の既知の信号を受信するように設計される。送受信器47はアンテナ43から受信された信号を前処理し、それらはプロセッサ21によって受取られ、さらに利用される。送受信器47はまたプロセッサ21から受取った信号を処理し、それらはアンテナ43を経由して例示的なディスプレイデバイス40から伝送される。
代りの実施形態では、送受信器47は受信器と置換えられる。さらに別の代替実施形態では、ネットワークインタフェース27は画像源(image source)と置換えられ、それらはプロセッサ21に送られる画像データを記憶し、もしくは生成する。例えば、画像源は画像データを含むディジタルビデオディスク(DVD)または、ハードディスクドライブ、または画像データを生成するソフトウェアモジュールである。
プロセッサ21は一般に例示的なディスプレイデバイス40の全体の動作を制御する。プロセッサ21はネットワークインタフェース27または画像源から圧縮画像データといったデータを受取り、そしてデータをRAW画像データへ、もしくはRAW画像データに直ぐ処理されるフォーマットへ処理する。そして、プロセッサ21は処理されたデータをドライバ制御器へ、もしくは記憶するフレームバッファ28に送る。未加工データは一般的に画像内の各位置の画像特性を識別する情報を参照する。例えば、そのような画像特性は色、飽和度、及びグレイスケールレベルを含む。
一実施形態では、プロセッサ21は例示的なディスプレイデバイス40の動作を制御するためにマイクロコントローラ、CPU、または論理ユニットを含む。調整ハードウェア52は一般に信号をスピーカ45に伝送し、且つマイクロホン46から信号を受取るための増幅器及びフィルタを含む。調整ハードウェア52は例示的なディスプレイデバイス40中の個別コンポーネントであっても良いし、或いはプロセッサ21または他のコンポーネント内に組み込まれても良い。
ドライバ制御器29は直接プロセッサ21或いはフレームバッファ28のいずれかからプロセッサ21によって生成されたRAW画像データを受入れ、アレイドライバ22への高速伝送のために適切に未加工画像データを再フォーマットする。特に、ドライバ制御器29はディスプレイアレイを走査するのに適当な時間順序を持つようにRAW画像データをラスタ形式のフォーマットを持つデータフローに再フォーマットする。そして、ドライバ制御器29はフォーマットされた情報をアレイドライバ22に送る。LCD制御器のようなドライバ制御器29は単体の集積回路(IC)としてシステムプロセッサ21と大抵は関連しているが、そのような制御器は多くの方法で実施される。それらはハードウェアとしてプロセッサ21に埋込まれ、ソフトウェアとしてプロセッサ21に埋込まれ、或いはアレイドライバ22とともにハードウェアに完全に集積化される。
一般的に、アレイドライバ22はドライバ制御器29からフォーマットされた情報を受取り、ディスプレイのピクセルx−yマトリックスから来る数百、時には数千ものリード線に一秒間に何度も加えられる波形の並列集合にビデオデータを再フォーマットする。
一実施形態では、ドライバ制御器29、アレイドライバ22、及びディスプレイアレイ30はここに述べたあらゆる型式のディスプレイに適している。例えば、一実施形態では、ドライバ制御器29は従来のディスプレイ制御器または双安定ディスプレイ制御器(例えば、インターフェロメトリックモジュレータ制御器)である。別の実施形態では、アレイドライバ22は従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバ(例えば、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイ)である。一実施形態では、ドライバ制御器29はアレイドライバ22と統合される。そのような実施形態はセルラ電話、時計、及び他の小面積ディスプレイといった高集積化システムでは一般的である。さらに別の実施形態では、ディスプレイアレイ30は一般的なディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイ(例えば、インターフェロメトリックモジュレータアレイを含むディスプレイ)である。
入力デバイス48によってユーザは例示的なディスプレイデバイス40の動作を制御することが可能となる。一実施形態では、入力デバイス48はQWERTYキーボードまたは電話キーパッド、ボタン、スイッチ、タッチスクリーン、圧力または熱感応膜といったキーパッドを含む。一実施形態では、マイクロホン46は例示的なディスプレイデバイス40のための入力デバイスである。マイクロホン46がデータをデバイスに入力するために使用されるとき、音声命令はユーザによって例示的なディスプレイデバイス40の動作を制御するために使用される。
電源50は当技術分野では周知の様々なエネルギー蓄積デバイスを含む。例えば、一実施形態では、電源50はニッケル−カドミウム電池またはリチウムイオン電池といった充電式電池である。別の実施形態では、電源50は再生可能エネルギー源、キャパシタ、またはプラスチック太陽電池や太陽電池ペイントを含む太陽電池である。別の実施形態では、電源50は壁出口から電力を受取るように構成される。
上に述べたように、いくつかの実施では、制御プログラムは電子ディスプレイシステムにおけるニ、三の場所に配置されたドライバ制御器内に配される。いくつかの場合には、制御プログラムはアレイドライバ22内に配される。当業者は上述の最適化があらゆる数のハードウェア及び/またはソフトウェアコンポーネントにおいて、及び様々な構成において実施されることを理解するであろう。
上で説明した原理に従って動作するインターフェロメトリックモジュレータの構造の内容は広く変化する。例えば、図7A〜図7Eは可動反射層14及びその支持構造の五つの異なる実施形態を示す。図7Aは図1の実施形態の断面図で、細長い金属材料14は直交して延長する支持体18上に蒸着されている。図7Bでは、可動反射層14は隅部だけで支持するようにつなぎ材(tethers)32上に取付けられている。図7Cでは、可動反射層14は柔軟な金属から成る変形可能層(deformable layer)34から吊るされる。変形可能層34は変形可能層34の周辺部で基板20に直接または間接的に結合する。これらの結合はここでは支柱(support post)と呼ばれる。図7Dに示した実施形態は変形可能層34が載る支柱差込み(support post plugs)42を有する。図7A〜図7Cと同様に、可動反射層14は空洞上に吊るされた状態を維持するが、変形可能層34は変形可能層34と光学スタック16との間の穴を満たすことによって、支柱を形成しない。むしろ、支柱は平坦化材料から形成され、それは支柱差込み42を形成するために使用される。図7Eに示した実施形態は図7Dに示した実施形態に基づいているが、示さなかった追加実施形態と同様に、図7A〜図7Cに示した実施形態のどれとでも働くように適応する。図7Eに示した実施形態では、金属または他の導電性材料の余分の層はバス構造44を形成するために使用された。これは信号がインターフェロメトリックモジュレータの裏に沿って経路を辿ることを可能にし、そうでなければ基板20上に形成しなければならなかったいくつかの電極をなくすことができる。
図7に示したような実施形態では、インターフェロメトリックモジュレータは直視型デバイスとして機能し、それでは画像は透明基板20の前面側から眺められ、その反対側にはモジュレータが配置される。これらの実施形態では、反射層14は変形可能層34及びバス構造44を含む基板20の反対の反射層の側のインターフェロメトリックモジュレータのある部分を光学的に遮蔽する。これは遮蔽が画質に悪影響を及ぼすことなく構成され、且つ動作することを可能にする。この分離可能なモジュレータアーキテクチャはモジュレータの電気機械的態様及び光学的態様のために構造設計及び使用される材料が相互に無関係に選択され、且つ機能することを可能にする。さらに、図7C〜図7Eに示した実施形態は反射層14の光学的特性をその機械的特性から切離すことになる利益をもたらし、それは変形可能層34によって実行される。これは反射層に関する構造設計及び使用される材料が光学特性に関して最適化され、そして変形可能層に関する構造設計及び使用される材料が所望の機械的特性に関して最適化されることを可能にする。
図8はMEMS、例えば、インターフェロメトリックモジュレータの製造工程800の実施形態における或るステップを示す。そのようなステップは、例えば、図8に示さなかった他のステップと共に図1及び7に示した一般的型式のインターフェロメトリックモジュレータを製造する工程に存在する。図1、図7及び図8に関して、工程800は基板20上への光学スタック16の形成とともにステップ805から始まる。基板20はガラスまたはプラスチックのような透明基板であり、光学スタック16の効率的な形成を促進するために前準備ステップ、例えば、クリーニングしなければならない。光学スタック16は一以上のパターン化、マスキング及び/またはエッチングのステップと共に、一以上の蒸着ステップ、例えば、導電層(例えば、酸化インジウム錫)蒸着、反射層(例えば、クロム)蒸着、及び誘電層蒸着を使うことによって形成される。
図8に示した工程800は光学スタック16上に犠牲層を形成するステップ810に続く。犠牲層は下記で論じるように空洞19を形成するために後で除去され(例えば、ステップ825)、従って犠牲層は図1及び図7に示した出来上がったインターフェロメトリックモジュレータ12には示されていない。光学スタック16上への犠牲層の形成は次に続く除去の後で所望のサイズを有する空洞19を提供するために選択された厚さにモリブデンまたは非晶質シリコンのような材料の蒸着を含む。犠牲材料の蒸着は物理的蒸着(PVD、例えば、スパッタリング)、プラズマ援用化学蒸着(PECVD)、熱化学蒸着(熱CVD)、またはスピンコーティングといった堆積技術を用いて実行される。
図8に示した工程800は支持構造、例えば、図1に示したような支柱18の形成を行うステップ815に続く。支柱18の形成はアパーチャ(開口)を形成するため犠牲層をパターン化するステップ、そしてPECVD、熱CVD、またはスピンコーティングといった堆積技術を用いて材料(例えば、高分子重合体、金属または酸化物)を堆積するステップを含む。いくつかの実施形態では、犠牲層に形成されたアパーチャは犠牲層及び光学スタック16の両方を通して下地基板20にまで延び、その結果支柱18の下端は図7Aに示したように基板20と接触する。他の実施形態では、犠牲層に形成されたアパーチャは犠牲層を経て延びるも、光学スタック16は通らない。例えば、図7Cは光学のスタック16と接触する支柱差込み42のさらに下端を示す。
図8に示した工程800は図1及び図7に示した可動反射層14のような可動反射層の形成を行うステップ820に続く。可動反射層14は一以上のパターン化、マスキング、及び/またはエッチングのステップと共に、一以上の堆積ステップ、例えば、反射層(例えば、アルミニウム、アルミニウム合金)蒸着を用いることによって形成される。
図8に示した工程800は空洞、例えば、図1及び図7に示したような空洞19の形成を行うステップ825に続く。空洞19は(ステップ810で堆積された)犠牲材料を選択エッチング液にさらすことによって形成される。例えば、モリブデンまたは非晶質シリコンのような犠牲材料は乾式化学エッチング、例えば、二弗化キセノン(XeF2)のような気体または蒸気エッチング材に犠牲層を所望量の材料を除去するのに有効な時間の間さらすことによって取り除かれる。
インターフェロメトリックモジュレータは様々な一連の工程パラメータに従って製造され、したがって図8は例示の目的のためにより一般的なステップのただ二、三を示していることが理解されるであろう。同じく、インターフェロメトリックモジュレータを製造するための全工程が図8に示した全てのステップを必ずしも含むとは限らないこと、図8に示したステップは示した順番で必ずしも実行されないこと、及び様々な追加製造ステップ、例えば、試験(testing)、最終段階処理、及び図6に示したディスプレイデバイス40へのインターフェロメトリックモジュレータの組み込みが実行されることは理解されるであろう。
図9はインターフェロメトリックモジュレータの実施形態の断面図を示す。この実施形態では、支持構造18は支持構造18の上端と層14の下表面との間の界面905で可動反射層14と接触する。同様に、支持構造18は支持体18の下端と基板20の上表面との間の界面910で基板20と接触する。ある状況では、支持体18と可動反射層14及び基板20の一方または両方との間で滑り(sliding or slippage)が発生する。この動きはいくつかの方法で減少するか、もしくは除去されることが分かった。例えば、一実施形態では、その動きは界面905、910の一方または双方において接合部を形成することによって減少する。接合部は支持構造18と基板層20及び可動層14の少なくとも一方との間の付着力を増加するように好しくは形成される。付着力増加は支持構造18とそれが接触している層との間の相対的動きを減少し、且つ/または防止する代りに或いはそれに加えて他の利益を提供する。
図10Aは支持構造18の上端と可動層14の下表面との間の界面に形成された接合部1005、及び支持構造18の下端と透明基板層20の上表面との間の界面における接合部1010の実施形態を示す。示された実施形態では、接合部1005、1010の双方は支持構造18と可動層14及び基板層20の各々との間に粗界面(roughened interface)をそれぞれ含む。この発明は理論に束縛されないが、粗面化(roughening)は界面における表面積を増加させ、且つ/または二つの表面の間の機械的結合(mechanical interlocking)を行い、それによって支持構造18と層14、20の各々との間の付着力を増加させる。付着力は粗さの程度が増加するにつれて増加する傾向にあり、したがって各接合部1005、1010に関する粗さの程度は一定の実験(routine experimentation)によって決定される所望程度の付着力を提供するように好ましくは選択される。支持構造18の下端と透明基板層20の上表面との間の界面における接合部1010は、下記でさらに詳細に述べるように、好ましくは支持構造の形成の前に基板20の表面の領域1040を粗くすることによってインターフェロメトリックモジュレータの製作の間に形成される。支持構造18の上端と可動層14の下表面との間の界面における接合部1005は、下記でさらに詳細に述べるように、好ましくは可動層14の形成の前に支持構造を粗くすることによってインターフェロメトリックモジュレータの製作の間に形成される。基板及び/または支持構造の粗面化は様々な方法、例えば、当業者に既知のエッチング技術によって実行される。例えば、基板は酸素プラズマ焼成(oxygen plasma burn down)及び/またはスパッタエッチング(sputter etching)によってエッチングされる。各接合部1005、1010の粗面化の程度は同じであったり、異なることもある。いくつかの実施形態(図10Aには示されない)では、界面905、910の一つだけがそれぞれ支持構造18と層14、20との間の付着力を増加させるように加工される。
図10Bは支持構造18の上端と可動層14の下表面との間の界面に形成された接合部1015、及び支持構造18の下端と透明基板層20の上表面との間の界面における接合部1020の実施形態を示す。示された実施形態では、接合部1015、1020双方は支持構造18と可動層14及び基板層20の各々との間に接着層を含む。接着層はどちらの界面も接着材のないときに相互に付着するよりも界面において両方の表面にさらに強く付着する材料を好ましくは含む。例えば、接合部1015は支持構造18が接合部1015のないとき可動層14に付着するよりも支持構造18及び可動層14双方にさらによく付着する材料を好ましくは含む。同様に、接合部1020は支持構造18が接合部1015のないとき基板層20に付着するよりも支持構造18及び基板層20双方にさらによく付着する材料を好ましくは含む。接着材料は一定の実験によって選択される。好しくは、接着接合部1015及び接着接合部1020の一方或いは双方はアルミニウムから成り、例えば、接合部1015、1020はアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む。支持構造18の下端と透明基板層20の上表面との間の界面における接合部1020は、下記でさらに詳細に述べるように、好ましくは支持構造の形成の前に基板20に接着材料を堆積することによってインターフェロメトリックモジュレータの製作の間に形成される。同様に、支持構造18の上端と可動層14の下表面との間の界面における接合部1015は、下記でさらに詳細に述べるように、好ましくは可動層14の形成の前に支持構造に接着材料を堆積することによってインターフェロメトリックモジュレータの製作の間に形成される。
図10Cは支持構造と基板層及び可動層の少なくとも一つとの間の接合部が粗面化界面及び接着層を含むことを示す。図10Cに示した支持構造18の上端と可動層14の下表面との間の接合部1035は支持構造18の上端の粗面、及び粗面化界面と可動層14の下表面との間の接着層1015からなる接合部1005を含む。この発明は理論に束縛されないが、表面粗面化は接合部に利用可能である支持構造18の上端の表面積を増加すさせ、したがって支持構造18の上端と接着層1015と接着力を増加させると考えられている。図10Cはまた支持構造18の下端が(接着層なしで、粗面化界面からなる接合部を介して)基板層20の上表面に接合されるよりも(接合部1035を介して)異なる方法で支持構造18の上端が可動層14の下表面に接合されているインターフェロメトリックモジュレータを示する
図10Dは支持構造18の下端と透明基板層20の上表面との間の界面に形成された接合部1025の実施形態を示し、そこでは基板20の上表面は光学スタック16を含む。示された実施形態では、接合部1015は図10Aに示されたように透明基板20ではなく、光学スタック16を粗くすることによって形成される。同様に、図10Eは支持構造18の下端と透明基板層20の上表面との間の界面に形成された接合部1030の実施形態を示し、そこでは基板20の上表面は光学スタック16を含む。示された実施形態では、接合部1030は図10Bに示されたように透明基板20上ではなく、光学スタック16上に接着層を堆積することによって形成される。
図10Dは支持構造18の下端と透明基板層20の上表面との間の界面に形成された接合部1025の実施形態を示し、そこでは基板20の上表面は光学スタック16を含む。示された実施形態では、接合部1015は図10Aに示されたように透明基板20ではなく、光学スタック16を粗くすることによって形成される。同様に、図10Eは支持構造18の下端と透明基板層20の上表面との間の界面に形成された接合部1030の実施形態を示し、そこでは基板20の上表面は光学スタック16を含む。示された実施形態では、接合部1030は図10Bに示されたように透明基板20上ではなく、光学スタック16上に接着層を堆積することによって形成される。
様々な接合部1005、1010、1015、1020、1025、1030は図7Aに示した一般型式のインターフェロメトリックモジュレータに関して図10に示される。同様の接合部は支持構造と、図7B〜図7Eに示したインターフェロメトリックモジュレータを含む(しかしそれには限定されない)他の型式のインターフェロメトリックモジュレータにおいて支持構造が取付けられる層との間に形成されることは理解されるであろう。例えば、(図10に示されない)実施形態では、接合部は支持構造と可動層との間に形成され、反射面は、例えば、図7Cに示した一般的な方法で可動層から吊るされる。同じく、支持構造18(例えば、支柱)は固定層(例えば、光学スタック16から成る基板層20)上で可動層(例えば、可動層14を)を支持する手段の一例であることが理解されるであろう。また表面粗面化(例えば、接合部1005、1010)によって、及び接着層(例えば、接合部1015、1020)の使用によって形成された接合部は支持手段を固定層及び可動層の少なくとも一つに接合する手段の例であることが理解されるであろう。
図11はインターフェロメトリックモジュレータを製作する方法の実施形態を示すフローチャートである。方法1100は基板層を形成することによってステップ1105で始まる。好しくは、基板層は第1反射面を含む。基板層は透明基板20を含み、第1反射面は図1及び図7に示したように光学スタック16を含む。光学スタック16は一以上のパターン化、マスキング、及び/またはエッチングのステップと共に、一以上の蒸着ステップ、例えば、反射層(例えば、クロム)蒸着、導電層(例えば、酸化インジウム錫)蒸着、及び誘電層蒸着を用いることによって基板20上に形成される。
方法1100は基板層の支持領域の少なくとも一部を加工して、加工支持領域を形成することによってステップ1110に続く。基板層の支持領域は一般的に次のステップにおいて形成される支持構造の基礎となる領域である。基板層は第1反射面を含み、したがって基板層の支持領域の加工は基板の支持領域の加工、例えば、図10Aに示したような基板20の支持領域1040の加工、及び/または第1反射面、例えば、図10に示したような光学スタック16の支持領域1045の加工を含む。加工支持領域を形成するために支持領域を加工することは、例えば、支持領域を粗面化すること及び/または接着層を使用することを含む。したがって、出来上がった加工支持領域は、例えば、(図10A及び図10Dにそれぞれ示した接合部1010、1025に含まれる粗面のような)粗面、及び/または図10B及び図10Eにそれぞれ示した接合部1020、1030に含まれる接着層のような接着層を含む。支持領域を加工することは支持領域を湿式化学エッチング、乾式化学エッチング、及び/またはプラズマエッチングといった粗面化加工にさらすことを含む。粗面化加工の例は酸素プラズマ焼成及びスパッタエッチングを含む。粗面化に加え、或いはその代わりに、支持領域を加工することは、例えば、スピンコート(spin-on)、PECVD、熱CVD、及び/またはPVD(例えば、スパッタリング)といった堆積工程によって接着層を堆積することを含む。実施形態では、接着層の堆積は金属を蒸着することを含み、ここでその金属はアルミニウム(例えば、アルミニウム合金)を含む。加工は好しくは基板層と続いて形成した支持構造との間、例えば、図10に示したような基板20と支持構造18との間の接着力増加を行うのに効果的である程度に実行される。
方法1100は加工支持地域領域上に支持構造を形成することによってステップ1115に続く。支持構造は様々な方法で形成される。例えば、実施形態では、図10A及び図10Bに示したような構成は第1反射層(例えば、光学スタック16)及び犠牲層を基板(例えば、基板20)上に堆積すること、犠牲層及び第1反射層を通してアパーチャ(例えば、穴(hole))を形成して、下地基板の一部を露出させる(例えば、下地基板20を露出させる)こと、上述のように露出基板を加工して加工支持領域(例えば、加工支持領域1040)を形成すること、及びアパーチャに支持構造材料を堆積して、加工支持領域と接触する支持構造(例えば、支持構造18)を形成することによって製造される。別の実施形態では、図10D及び図10Eに示したような構成は第1反射層(例えば、光学スタック16)及び犠牲層を基板(例えば、基板20)上に堆積すること、犠牲層及び第1反射層を通してアパーチャ(例えば、穴)を形成して、下地の第1反射層の一部を露出させる(例えば、光学スタック16を露出させる)こと、上述のように露出光学スタック16を加工して加工支持領域(例えば、加工支持領域1045)を形成すること、及びアパーチャに支持構造材料を堆積して、加工支持領域と接触する支持構造(例えば、支持構造18)を形成することによって製造される。支持構造は様々な方法、例えば、高分子化合物のスピンイン堆積によって、或いは酸化シリコンのような酸化物の化学蒸着(例えば、PECVDまたは熱CVD)によって形成される。
インターフェロメトリックモジュレータの製造における(図11に示さない)追加ステップはまた方法1100、例えば、基板層上への犠牲層の堆積、犠牲層上への可動層の堆積、犠牲層上への第2反射層の堆積、第1反射層と第2反射層の間に位置する空洞を形成するための犠牲層の除去、及び/または第1反射層と可動層の間に位置する空洞を形成するための犠牲層の除去に従って行われることが理解されるであろう。
図12はインターフェロメトリックモジュレータを製作する方法の別の実施形態を示すフローチャートである。方法1200は基板層を形成することによってステップ1205で始まる。好しくは、基板層は第1反射面を含む。基板層は透明基板20を含み、第1反射面は図1及び図7に示したように光学のスタック16を含む。光学スタック16は一以上のパターン化、マスキング、及び/またはエッチングのステップと共に、一以上の蒸着ステップ、例えば、反射層(例えば、クロム)蒸着、導電層(例えば、酸化インジウム錫)蒸着、及び誘電層蒸着を用いることによって基板20上に形成される。
方法1200は、基板層上に支持構造を形成することによってステップ1210に続く。支持構造は様々な方法で形成される。例えば、実施形態では、図10A及び図10Bに示したような構成は、第1反射層(例えば、光学スタック16)及び犠牲層を基板(例えば、基板20)上に堆積すること、犠牲層及び第1反射層を通してアパーチャ(例えば、穴)を形成して、下地基板の一部を露出させる(例えば、下地基板20を露出させる)こと、及びアパーチャに支持構造材料を堆積して、基板(例えば、基板20)と接触する支持構造(例えば、支持構造18)を形成することによって製造される。なお、露出基板は、上述のように加工されて加工支持領域(例えば、加工支持領域1040)を形成しても良い。別の実施形態では、図10D及び図10Eに示したような構成は、第1反射層(例えば、光学スタック16)及び犠牲層を基板(例えば、基板20)上に堆積すること、犠牲層を通してアパーチャ(例えば、穴)を形成して、下地の第1反射層の一部を露出させる(例えば、光学スタック16を露出させる)こと、及びアパーチャに支持構造材料を堆積して、第1反射層(例えば、光学スタック16)と接触する支持構造(例えば、支持構造18)を形成することによって製造される。なお、露出光学スタックは、上述のように加工されて加工支持領域(例えば、加工支持領域1045)を形成しても良い。支持構造は上述のように様々な方法、例えば、高分子化合物のスピンイン堆積によって、或いは酸化シリコンのような酸化物の化学蒸着(例えば、PECVDまたは熱CVD)によって形成される。
方法1200は、支持構造を加工して、加工支持構造を形成することによってステップ1215に続く。好しくは、支持構造の上端は続いて形成される可動層への接着力を増加させるために加工される。加工支持構造を形成するために支持構造を加工することは、例えば、支持構造の上端を粗面化すること及び/または支持構造の上端に関して接着層を使用することを含む。したがって、出来上がった加工支持領域は、例えば、(図10Aに示した接合部1005に含まれる粗面のような)粗面、及び/または図10Bに示した接合部1015に含まれる接着層のような接着層を含む。支持領域を加工することは支持領域を湿式化学エッチング、乾式化学エッチング、及び/またはプラズマエッチングといった粗面化加工にさらすことを含む。粗面化加工の例は酸素プラズマ焼成及びスパッタエッチングを含む。粗面化に加え、或いはその代わりに、支持領域を加工することは、例えば、スピンコート(spin-on)、プラズマ援用化学蒸着(PECVD)、熱化学蒸着(熱CVD)、及び/またはPVDといった堆積工程によって接着層を堆積することを含む。実施形態では、接着層の堆積は金属を蒸着することを含み、ここでその金属はアルミニウム(例えば、アルミニウム合金)を含む。加工は好しくは支持構造と続いて形成する可動層との間、例えば、図10に示したような支持構造18と可動層14との間の接着力増加を行うのに効果的である程度に実行される。
方法1200は加工支持構造上に可動層を形成することによってステップ1220に続く。可動反射層(例えば、図1及び図7に示した層14)は一以上のパターン化、マスキング、及び/またはエッチングのステップと共に、一以上の蒸着ステップ、例えば、反射層(例えば、アルミニウム、アルミニウム合金)蒸着を用いることによって形成される。実施形態では、支持構造の上端の粗面上への可動層の形成は接合部、例えば、図10に示した接合部1005を形成する。別の実施形態では、支持構造の上端における接着層上への可動層の形成は接合部、例えば、図10に示した接合部1015、1035を形成する。
インターフェロメトリックモジュレータの製造における(図12に示さない)追加ステップはまた方法1200、例えば、基板層上への第1反射層の堆積、基板層上及び/または第1反射層上への犠牲層の堆積、犠牲層上への第2反射層の堆積、第1反射層と第2反射層の間に位置する空洞を形成するための犠牲層の除去、及び/または第1反射層と可動層の間に位置する空洞を形成するための犠牲層の除去に従って行われることが理解されるであろう。
上で論じた方法1100、1200は図7Aに示した一般型式のインターフェロメトリックモジュレータの支持構造へ接合部を形成することを実施形態において参照する。示された方法はまた、図7B〜図7Eに示したインターフェロメトリックモジュレータに限定されないものを含め、支持構造と他の型式のインターフェロメトリックモジュレータに支持構造が取付けられる層との間に同様の接合部を形成するために用いられることは理解されるであろう。例えば、実施形態(図10に示されない)では、方法1200は支持構造と可動層との間に接合部を形成するために用いられ、そして可動層から吊るされる反射面は、例えば、図7Cに示した一般的な方法で形成される。方法1100、1200は個別に実行され、或いは一つの方法に組み合わせられることは理解されるであろう。例えば、方法1100は基板層(例えば、基板20または光学スタック16)と支持構造との間に接合部を形成するために行われ、方法1200は支持構造18と可動層14との間に接合部を形成するために行われ、且つ/または方法1100及び1200は、例えば、支持構造18と基板層(例えば、基板20または光学スタック16)及び可動層14の両方との間に接合部を形成するために一緒に実行される。
前述の詳細な説明は様々な実施形態に適用される発明の新規な特徴を示し、述べ、そして指摘してきたが、示されたデバイス及び工程における様々な省略、代用、及び変更が本発明の精神から逸脱することなく当業者によって行われることは理解されるであろう。理解されるように、いくつかの特徴は他のものと別に使用され、或いは実行されるので、本発明はここに説明された全ての特徴及び利益を提供しない形の中で具体化されるかもしれない。
Claims (43)
- 第1反射面を含む基板層と、
上記第1反射面から間隔を開けられて空洞を形成する第2反射面を含む可動層と、
上記基板層と上記可動層との間の上記空洞の側部に配置された支持構造と、
上記支持構造と上記基板層及び上記可動層の少なくとも一つとの間の接合部と、
を具備し、
上記接合部は、上記支持構造と上記基板層及び上記可動層の少なくとも一つとの間の接着力を増加させるように構成される微小電気機械システム(MEMS)デバイス。 - インターフェロメトリックモジュレータを備える請求項1に記載のMEMSデバイス。
- 上記接合部は、上記支持構造と上記基板層及び上記可動層の少なくとも一つとの間の粗界面を含む請求項1に記載のMEMSデバイス。
- 上記接合部は、上記支持構造と上記基板層との間にある請求項3に記載のMEMSデバイス。
- 上記基板層は、上記第1反射面の下に配された透明基板を含む請求項4に記載のMEMSデバイス。
- 上記粗界面は、上記支持構造と上記透明基板との間にある請求項5に記載のMEMSデバイス。
- 上記粗界面は、上記支持構造と上記第1反射面との間にある請求項5に記載のMEMSデバイス。
- 上記接合部は、上記支持構造と上記可動層との間にある請求項3に記載のMEMSデバイス。
- 上記第2反射面は、上記可動層から吊るされる請求項3に記載のMEMSデバイス。
- 上記接合部は、上記支持構造と上記基板層及び上記可動層の少なくとも一つとの間の接着層を含む請求項1に記載のMEMSデバイス。
- 上記接着層は、アルミニウムを含む請求項10に記載のMEMSデバイス。
- 上記接着層は、上記支持構造と上記基板層との間にある請求項10に記載のMEMSデバイス。
- 上記基板層は、上記第1反射面の下に配された透明基板を含む請求項12に記載のMEMSデバイス。
- 上記接着層は、上記支持構造と上記透明基板との間にある請求項13に記載のMEMSデバイス。
- 上記接着層は、上記支持構造と上記第1反射面との間にある請求項13に記載のMEMSデバイス。
- 上記接着層は、上記支持構造と上記可動層との間にある請求項10に記載のMEMSデバイス。
- 上記第2反射面は、上記可動層から吊るされる請求項16に記載のMEMSデバイス。
- 画像データを処理するように構成され、少なくとも上記可動層と電気的に通信するプロセッサと、
上記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと、
をさらに具備する請求項1に記載のMEMSデバイス。 - 少なくとも一つの信号を少なくとも上記可動層へ送るように構成されたドライバ回路をさらに具備する、請求項18に記載のディスプレイデバイス。
- 画像データの少なくとも一部をドライバ回路に送るように構成された制御器をさらに具備する請求項19に記載のディスプレイデバイス。
- 画像データを上記プロセッサに送るように構成された画像源モジュールをさらに具備する請求項18に記載のディスプレイデバイス。
- 上記画像源は、受信器、送受信器、及び送信器の少なくとも一つを具備する請求項21に記載のディスプレイデバイス。
- 入力データを受け取り、当該入力データを上記プロセッサに通信するように構成された入力デバイスをさらに具備する請求項18に記載のディスプレイデバイス。
- 固定層上で可動層を支持する手段と、
上記支持手段を上記固定層及び上記可動層の少なくとも一つに接合する手段と、
を具備し、
上記接合手段は、上記支持手段と上記固定層及び上記可動層の少なくとも一つとの間の接着力改善を行うように構成されるインターフェロメトリックモジュレータ。 - 上記接合手段は、接着材を含む請求項24に記載のインターフェロメトリックモジュレータ。
- 上記接合手段は、上記支持手段と上記固定層及び上記可動層の少なくとも一つとの間に粗界面を含む請求項24に記載のインターフェロメトリックモジュレータ。
- 上記接合手段は、支柱を含む請求項24、25または26に記載のインターフェロメトリックモジュレータ。
- インターフェロメトリックモジュレータを製作する方法であって、
第1反射面を含む基板層を形成することと、
上記基板層の支持領域の一部を加工して、加工支持領域を形成することと、
上記加工支持領域上に支持構造を形成することと、
を含み、
上記加工支持領域は、上記基板層と上記支持構造との間の接着力を増加させるように構成される方法。 - 上記加工は、上記基板層の支持領域の少なくとも一部を粗面化することを含む請求項28に記載の方法。
- 上記粗面化は、上記基板層の上記支持領域をエッチングすることを含む請求項29に記載の方法。
- 上記粗面化は、上記第1反射面の一部を粗面化することを含む請求項29に記載の方法。
- 上記加工は、上記基板層の上記支持領域の少なくとも一部に接着剤を堆積することを含む請求項28に記載の方法。
- 犠牲層を上記基板層上に堆積することをさらに含む請求項28に記載の方法。
- 第2反射層を上記犠牲層の上に蒸着することをさらに含む請求項33に記載の方法。
- 上記犠牲層を除去して、上記第1反射層と上記第2反射層との間に位置する空洞を形成することをさらに含む請求項34に記載の方法。
- 請求項28に記載の方法によって製作されたインターフェロメトリックモジュレータ。
- 基板層を形成することと、
上記基板層上に支持構造を形成することと、
上記支持構造を加工して、加工支持構造を形成することと、
上記加工支持構造上に可動層を形成することと、
を含むインターフェロメトリックモジュレータの製作方法。 - 上記加工は、上記支持構造の少なくとも一部を粗くすることを含む請求項37に記載の方法。
- 上記加工は、上記支持構造の少なくとも一部の上に接着材を堆積することを含む請求項37に記載の方法。
- 上記基板層上に反射層を形成することをさらに含む請求項37に記載の方法。
- 上記第1反射層の上に犠牲層を堆積することをさらに含む請求項40に記載の方法。
- 上記犠牲層を除去して、上記反射層と上記可動層との間に位置する空洞を形成することをさらに含む請求項41に記載の方法。
- 請求項37に記載の方法によって製作されたインターフェロメトリックモジュレータ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US61349904P | 2004-09-27 | 2004-09-27 | |
US11/203,613 US7630119B2 (en) | 2004-09-27 | 2005-08-12 | Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator |
PCT/US2005/034465 WO2006036904A1 (en) | 2004-09-27 | 2005-09-23 | Interferometric modulator with reduced slippage between structures and method of making the interferometric modulator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008517304A true JP2008517304A (ja) | 2008-05-22 |
Family
ID=35478910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007533717A Withdrawn JP2008517304A (ja) | 2004-09-27 | 2005-09-23 | インターフェロメトリックモジュレータにおける構造間の滑りを減少させる装置及び方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7630119B2 (ja) |
EP (1) | EP1803021A1 (ja) |
JP (1) | JP2008517304A (ja) |
MX (1) | MX2007003595A (ja) |
RU (1) | RU2007115880A (ja) |
TW (1) | TW200624975A (ja) |
WO (1) | WO2006036904A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012006142A (ja) * | 2006-06-30 | 2012-01-12 | Qualcomm Mems Technologies Inc | 空隙制御を行うmems装置を製造する方法 |
JP2014077872A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Jvc Kenwood Corp | 光偏向器及び光偏向器の製造方法 |
Families Citing this family (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
WO1999052006A2 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-14 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation of radiation |
US7532377B2 (en) * | 1998-04-08 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Movable micro-electromechanical device |
WO2003007049A1 (en) | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
US7372613B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
US7420725B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
US7583429B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-09-01 | Idc, Llc | Ornamental display device |
US7289259B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
US7327510B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-02-05 | Idc, Llc | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator |
US7944599B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US7884989B2 (en) * | 2005-05-27 | 2011-02-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | White interferometric modulators and methods for forming the same |
US7460292B2 (en) | 2005-06-03 | 2008-12-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator with internal polarization and drive method |
US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
EP1835675A1 (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | A method of coupling a circuit switched network to an internet protocol network |
US20070268201A1 (en) * | 2006-05-22 | 2007-11-22 | Sampsell Jeffrey B | Back-to-back displays |
US7649671B2 (en) | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
US7471442B2 (en) | 2006-06-15 | 2008-12-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures |
US7835061B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structures for free-standing electromechanical devices |
US7629197B2 (en) * | 2006-10-18 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Spatial light modulator |
US20080111834A1 (en) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Mignard Marc M | Two primary color display |
US8115987B2 (en) * | 2007-02-01 | 2012-02-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Modulating the intensity of light from an interferometric reflector |
US7742220B2 (en) * | 2007-03-28 | 2010-06-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops |
DE112008000862T5 (de) * | 2007-03-30 | 2010-03-11 | Microstaq, Inc., Austin | Vorgesteuertes Mikroschieberventil |
WO2008121365A1 (en) * | 2007-03-31 | 2008-10-09 | Microstaq, Inc. | Pilot operated spool valve |
US7715085B2 (en) * | 2007-05-09 | 2010-05-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
US7643202B2 (en) * | 2007-05-09 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
US8111262B2 (en) * | 2007-05-18 | 2012-02-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator displays with reduced color sensitivity |
US7782517B2 (en) * | 2007-06-21 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Infrared and dual mode displays |
US7630121B2 (en) | 2007-07-02 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
WO2009018287A1 (en) | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Devices for enhancing colour shift of interferometric modulators |
US8072402B2 (en) * | 2007-08-29 | 2011-12-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric optical modulator with broadband reflection characteristics |
US7847999B2 (en) * | 2007-09-14 | 2010-12-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator display devices |
US7773286B2 (en) * | 2007-09-14 | 2010-08-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Periodic dimple array |
CN101828145B (zh) | 2007-10-19 | 2012-03-21 | 高通Mems科技公司 | 具有集成光伏元件的显示器 |
US8058549B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-11-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks |
EP2203765A1 (en) * | 2007-10-23 | 2010-07-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Adjustably transmissive mems-based devices |
US8941631B2 (en) | 2007-11-16 | 2015-01-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Simultaneous light collection and illumination on an active display |
US7715079B2 (en) | 2007-12-07 | 2010-05-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices requiring no mechanical support |
US8164821B2 (en) | 2008-02-22 | 2012-04-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer |
US7944604B2 (en) | 2008-03-07 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator in transmission mode |
US7612933B2 (en) | 2008-03-27 | 2009-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with spacing layer |
US7898723B2 (en) * | 2008-04-02 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure |
US7969638B2 (en) * | 2008-04-10 | 2011-06-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having thin black mask and method of fabricating the same |
US7746539B2 (en) * | 2008-06-25 | 2010-06-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method for packing a display device and the device obtained thereof |
US7768690B2 (en) | 2008-06-25 | 2010-08-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
US8023167B2 (en) * | 2008-06-25 | 2011-09-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
US7859740B2 (en) * | 2008-07-11 | 2010-12-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control |
US7782522B2 (en) | 2008-07-17 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Encapsulation methods for interferometric modulator and MEMS devices |
US8662468B2 (en) * | 2008-08-09 | 2014-03-04 | Dunan Microstaq, Inc. | Microvalve device |
US7855826B2 (en) | 2008-08-12 | 2010-12-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices |
US8358266B2 (en) | 2008-09-02 | 2013-01-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light turning device with prismatic light turning features |
WO2010065804A2 (en) | 2008-12-06 | 2010-06-10 | Microstaq, Inc. | Fluid flow control assembly |
US8270056B2 (en) * | 2009-03-23 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with openings between sub-pixels and method of making same |
WO2010117874A2 (en) | 2009-04-05 | 2010-10-14 | Microstaq, Inc. | Method and structure for optimizing heat exchanger performance |
US9121979B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-09-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Illumination devices and methods of fabrication thereof |
WO2011022267A2 (en) | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Microstaq, Inc. | Micromachined device and control method |
US8270062B2 (en) | 2009-09-17 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with at least one movable stop element |
US8488228B2 (en) | 2009-09-28 | 2013-07-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric display with interferometric reflector |
WO2011094302A2 (en) | 2010-01-28 | 2011-08-04 | Microstaq, Inc. | Process for reconditioning semiconductor surface to facilitate bonding |
US9006844B2 (en) | 2010-01-28 | 2015-04-14 | Dunan Microstaq, Inc. | Process and structure for high temperature selective fusion bonding |
JP2013524287A (ja) | 2010-04-09 | 2013-06-17 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 電気機械デバイスの機械層及びその形成方法 |
CN103038568A (zh) | 2010-04-16 | 2013-04-10 | 弗莱克斯照明第二有限责任公司 | 包括膜基光导的前照明装置 |
EP2558775B1 (en) | 2010-04-16 | 2019-11-13 | FLEx Lighting II, LLC | Illumination device comprising a film-based lightguide |
CN103109315A (zh) | 2010-08-17 | 2013-05-15 | 高通Mems科技公司 | 对干涉式显示装置中的电荷中性电极的激活和校准 |
US8996141B1 (en) | 2010-08-26 | 2015-03-31 | Dunan Microstaq, Inc. | Adaptive predictive functional controller |
US9057872B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Dielectric enhanced mirror for IMOD display |
US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
US8736939B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device |
US8925793B2 (en) | 2012-01-05 | 2015-01-06 | Dunan Microstaq, Inc. | Method for making a solder joint |
US9140613B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-09-22 | Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. | Superheat sensor |
US9305497B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems, devices, and methods for driving an analog interferometric modulator |
US9181086B1 (en) | 2012-10-01 | 2015-11-10 | The Research Foundation For The State University Of New York | Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof |
US9188375B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-11-17 | Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. | Control element and check valve assembly |
US20220033952A1 (en) * | 2020-08-03 | 2022-02-03 | Neuroone Medical Technologies Corporation | Methods For Making Probe Devices And Related Devices |
Family Cites Families (346)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2534846A (en) | 1946-06-20 | 1950-12-19 | Emi Ltd | Color filter |
US2590906A (en) | 1946-11-22 | 1952-04-01 | Farrand Optical Co Inc | Reflection interference filter |
US2677714A (en) | 1951-09-21 | 1954-05-04 | Alois Vogt Dr | Optical-electrical conversion device comprising a light-permeable metal electrode |
US3247392A (en) | 1961-05-17 | 1966-04-19 | Optical Coating Laboratory Inc | Optical coating and assembly used as a band pass interference filter reflecting in the ultraviolet and infrared |
DE1288651B (de) | 1963-06-28 | 1969-02-06 | Siemens Ag | Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung |
FR1603131A (ja) | 1968-07-05 | 1971-03-22 | ||
US3653741A (en) | 1970-02-16 | 1972-04-04 | Alvin M Marks | Electro-optical dipolar material |
US3813265A (en) | 1970-02-16 | 1974-05-28 | A Marks | Electro-optical dipolar material |
US3728030A (en) | 1970-06-22 | 1973-04-17 | Cary Instruments | Polarization interferometer |
US3725868A (en) | 1970-10-19 | 1973-04-03 | Burroughs Corp | Small reconfigurable processor for a variety of data processing applications |
US3679313A (en) | 1970-10-23 | 1972-07-25 | Bell Telephone Labor Inc | Dispersive element for optical pulse compression |
JPS4946974A (ja) | 1972-09-11 | 1974-05-07 | ||
DE2336930A1 (de) | 1973-07-20 | 1975-02-06 | Battelle Institut E V | Infrarot-modulator (ii.) |
US3886310A (en) | 1973-08-22 | 1975-05-27 | Westinghouse Electric Corp | Electrostatically deflectable light valve with improved diffraction properties |
US4099854A (en) | 1976-10-12 | 1978-07-11 | The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption |
US4196396A (en) | 1976-10-15 | 1980-04-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Interferometer apparatus using electro-optic material with feedback |
US4389096A (en) | 1977-12-27 | 1983-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image display apparatus of liquid crystal valve projection type |
US4445050A (en) | 1981-12-15 | 1984-04-24 | Marks Alvin M | Device for conversion of light power to electric power |
US4663083A (en) | 1978-05-26 | 1987-05-05 | Marks Alvin M | Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics |
US4228437A (en) | 1979-06-26 | 1980-10-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror |
NL8001281A (nl) | 1980-03-04 | 1981-10-01 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
DE3012253A1 (de) | 1980-03-28 | 1981-10-15 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung |
DE3109653A1 (de) | 1980-03-31 | 1982-01-28 | Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena | "resonanzabsorber" |
US4421381A (en) | 1980-04-04 | 1983-12-20 | Yokogawa Hokushin Electric Corp. | Mechanical vibrating element |
US4377324A (en) | 1980-08-04 | 1983-03-22 | Honeywell Inc. | Graded index Fabry-Perot optical filter device |
US4441791A (en) | 1980-09-02 | 1984-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror light modulator |
FR2506026A1 (fr) | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Radant Etudes | Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence |
NL8103377A (nl) | 1981-07-16 | 1983-02-16 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
US4571603A (en) | 1981-11-03 | 1986-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror electrostatic printer |
NL8200354A (nl) | 1982-02-01 | 1983-09-01 | Philips Nv | Passieve weergeefinrichting. |
US4500171A (en) | 1982-06-02 | 1985-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Process for plastic LCD fill hole sealing |
US4497974A (en) | 1982-11-22 | 1985-02-05 | Exxon Research & Engineering Co. | Realization of a thin film solar cell with a detached reflector |
US4482213A (en) | 1982-11-23 | 1984-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs |
US4498953A (en) | 1983-07-27 | 1985-02-12 | At&T Bell Laboratories | Etching techniques |
JPS60159731A (ja) | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Sharp Corp | 液晶表示体 |
US4710732A (en) | 1984-07-31 | 1987-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4566935A (en) | 1984-07-31 | 1986-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US5096279A (en) | 1984-08-31 | 1992-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US5061049A (en) | 1984-08-31 | 1991-10-29 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4662746A (en) | 1985-10-30 | 1987-05-05 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4596992A (en) | 1984-08-31 | 1986-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Linear spatial light modulator and printer |
US4560435A (en) | 1984-10-01 | 1985-12-24 | International Business Machines Corporation | Composite back-etch/lift-off stencil for proximity effect minimization |
US4615595A (en) | 1984-10-10 | 1986-10-07 | Texas Instruments Incorporated | Frame addressed spatial light modulator |
US4655554A (en) | 1985-03-06 | 1987-04-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Spatial light modulator having a capacitively coupled photoconductor |
US5172262A (en) | 1985-10-30 | 1992-12-15 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
GB2186708B (en) | 1985-11-26 | 1990-07-11 | Sharp Kk | A variable interferometric device and a process for the production of the same |
US5835255A (en) | 1986-04-23 | 1998-11-10 | Etalon, Inc. | Visible spectrum modulator arrays |
GB8610129D0 (en) | 1986-04-25 | 1986-05-29 | Secr Defence | Electro-optical device |
US4748366A (en) | 1986-09-02 | 1988-05-31 | Taylor George W | Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects |
GB8621438D0 (en) | 1986-09-05 | 1986-10-15 | Secr Defence | Electro-optic device |
US4786128A (en) | 1986-12-02 | 1988-11-22 | Quantum Diagnostics, Ltd. | Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction |
NL8701138A (nl) | 1987-05-13 | 1988-12-01 | Philips Nv | Electroscopische beeldweergeefinrichting. |
DE3716485C1 (de) | 1987-05-16 | 1988-11-24 | Heraeus Gmbh W C | Xenon-Kurzbogen-Entladungslampe |
WO1988009917A1 (fr) | 1987-06-04 | 1988-12-15 | Walter Lukosz | Procede de modulation optique et de mesure |
US4857978A (en) | 1987-08-11 | 1989-08-15 | North American Philips Corporation | Solid state light modulator incorporating metallized gel and method of metallization |
US4900136A (en) | 1987-08-11 | 1990-02-13 | North American Philips Corporation | Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel |
US4956619A (en) | 1988-02-19 | 1990-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
US4856863A (en) | 1988-06-22 | 1989-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Optical fiber interconnection network including spatial light modulator |
US5028939A (en) | 1988-08-23 | 1991-07-02 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator system |
US4925259A (en) | 1988-10-20 | 1990-05-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Multilayer optical dielectric coating |
JP2700903B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1998-01-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US4982184A (en) | 1989-01-03 | 1991-01-01 | General Electric Company | Electrocrystallochromic display and element |
US4973131A (en) | 1989-02-03 | 1990-11-27 | Mcdonnell Douglas Corporation | Modulator mirror |
US5214419A (en) | 1989-02-27 | 1993-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Planarized true three dimensional display |
US5287096A (en) | 1989-02-27 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Variable luminosity display system |
US5206629A (en) | 1989-02-27 | 1993-04-27 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and memory for digitized video display |
US5192946A (en) | 1989-02-27 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Digitized color video display system |
US5214420A (en) | 1989-02-27 | 1993-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator projection system with random polarity light |
US5079544A (en) | 1989-02-27 | 1992-01-07 | Texas Instruments Incorporated | Standard independent digitized video system |
US5162787A (en) | 1989-02-27 | 1992-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface |
US5170156A (en) | 1989-02-27 | 1992-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Multi-frequency two dimensional display system |
US5272473A (en) | 1989-02-27 | 1993-12-21 | Texas Instruments Incorporated | Reduced-speckle display system |
US4900395A (en) | 1989-04-07 | 1990-02-13 | Fsi International, Inc. | HF gas etching of wafers in an acid processor |
US5022745A (en) | 1989-09-07 | 1991-06-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror |
US4954789A (en) | 1989-09-28 | 1990-09-04 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
US5381253A (en) * | 1991-11-14 | 1995-01-10 | Board Of Regents Of University Of Colorado | Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation |
US5124834A (en) | 1989-11-16 | 1992-06-23 | General Electric Company | Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same |
US5037173A (en) | 1989-11-22 | 1991-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Optical interconnection network |
US5500635A (en) * | 1990-02-20 | 1996-03-19 | Mott; Jonathan C. | Products incorporating piezoelectric material |
CH682523A5 (fr) | 1990-04-20 | 1993-09-30 | Suisse Electronique Microtech | Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel. |
GB9012099D0 (en) | 1990-05-31 | 1990-07-18 | Kodak Ltd | Optical article for multicolour imaging |
EP0467048B1 (en) | 1990-06-29 | 1995-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Field-updated deformable mirror device |
US5099353A (en) | 1990-06-29 | 1992-03-24 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
US5083857A (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level deformable mirror device |
US5142405A (en) | 1990-06-29 | 1992-08-25 | Texas Instruments Incorporated | Bistable dmd addressing circuit and method |
US5216537A (en) | 1990-06-29 | 1993-06-01 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
US5018256A (en) | 1990-06-29 | 1991-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
US5153771A (en) | 1990-07-18 | 1992-10-06 | Northrop Corporation | Coherent light modulation and detector |
US5062689A (en) | 1990-08-21 | 1991-11-05 | Koehler Dale R | Electrostatically actuatable light modulating device |
US5192395A (en) | 1990-10-12 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a digital flexure beam accelerometer |
US5044736A (en) | 1990-11-06 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Configurable optical filter or display |
US5602671A (en) * | 1990-11-13 | 1997-02-11 | Texas Instruments Incorporated | Low surface energy passivation layer for micromechanical devices |
US5233459A (en) | 1991-03-06 | 1993-08-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Electric display device |
US5136669A (en) | 1991-03-15 | 1992-08-04 | Sperry Marine Inc. | Variable ratio fiber optic coupler optical signal processing element |
CA2063744C (en) | 1991-04-01 | 2002-10-08 | Paul M. Urbanus | Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system |
US5142414A (en) | 1991-04-22 | 1992-08-25 | Koehler Dale R | Electrically actuatable temporal tristimulus-color device |
US5226099A (en) | 1991-04-26 | 1993-07-06 | Texas Instruments Incorporated | Digital micromirror shutter device |
US5179274A (en) | 1991-07-12 | 1993-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Method for controlling operation of optical systems and devices |
US5287215A (en) | 1991-07-17 | 1994-02-15 | Optron Systems, Inc. | Membrane light modulation systems |
US5170283A (en) | 1991-07-24 | 1992-12-08 | Northrop Corporation | Silicon spatial light modulator |
US5240818A (en) | 1991-07-31 | 1993-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Method for manufacturing a color filter for deformable mirror device |
US5168406A (en) | 1991-07-31 | 1992-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Color deformable mirror device and method for manufacture |
US5254980A (en) | 1991-09-06 | 1993-10-19 | Texas Instruments Incorporated | DMD display system controller |
US5315370A (en) | 1991-10-23 | 1994-05-24 | Bulow Jeffrey A | Interferometric modulator for optical signal processing |
US5233385A (en) | 1991-12-18 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | White light enhanced color field sequential projection |
US5233456A (en) | 1991-12-20 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Resonant mirror and method of manufacture |
US5228013A (en) | 1992-01-10 | 1993-07-13 | Bik Russell J | Clock-painting device and method for indicating the time-of-day with a non-traditional, now analog artistic panel of digital electronic visual displays |
US6381022B1 (en) | 1992-01-22 | 2002-04-30 | Northeastern University | Light modulating device |
US5296950A (en) | 1992-01-31 | 1994-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Optical signal free-space conversion board |
US5231532A (en) | 1992-02-05 | 1993-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Switchable resonant filter for optical radiation |
US5212582A (en) | 1992-03-04 | 1993-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatically controlled beam steering device and method |
DE69310974T2 (de) | 1992-03-25 | 1997-11-06 | Texas Instruments Inc | Eingebautes optisches Eichsystem |
US5312513A (en) | 1992-04-03 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Methods of forming multiple phase light modulators |
US5401983A (en) * | 1992-04-08 | 1995-03-28 | Georgia Tech Research Corporation | Processes for lift-off of thin film materials or devices for fabricating three dimensional integrated circuits, optical detectors, and micromechanical devices |
US5311360A (en) | 1992-04-28 | 1994-05-10 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for modulating a light beam |
TW245772B (ja) * | 1992-05-19 | 1995-04-21 | Akzo Nv | |
JPH0651250A (ja) * | 1992-05-20 | 1994-02-25 | Texas Instr Inc <Ti> | モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ |
US5818095A (en) | 1992-08-11 | 1998-10-06 | Texas Instruments Incorporated | High-yield spatial light modulator with light blocking layer |
US5293272A (en) | 1992-08-24 | 1994-03-08 | Physical Optics Corporation | High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating |
US5327286A (en) | 1992-08-31 | 1994-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Real time optical correlation system |
US5325116A (en) | 1992-09-18 | 1994-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Device for writing to and reading from optical storage media |
US5296775A (en) | 1992-09-24 | 1994-03-22 | International Business Machines Corporation | Cooling microfan arrangements and process |
FI96450C (fi) | 1993-01-13 | 1996-06-25 | Vaisala Oy | Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto |
US7830587B2 (en) | 1993-03-17 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with semiconductor substrate |
US6674562B1 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US5559358A (en) | 1993-05-25 | 1996-09-24 | Honeywell Inc. | Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom |
US5324683A (en) | 1993-06-02 | 1994-06-28 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor structure having an air region |
US5489952A (en) * | 1993-07-14 | 1996-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method and device for multi-format television |
US5510824A (en) * | 1993-07-26 | 1996-04-23 | Texas Instruments, Inc. | Spatial light modulator array |
US5526172A (en) | 1993-07-27 | 1996-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same |
US5497197A (en) * | 1993-11-04 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | System and method for packaging data into video processor |
US5473814A (en) * | 1994-01-07 | 1995-12-12 | International Business Machines Corporation | Process for surface mounting flip chip carrier modules |
US5500761A (en) * | 1994-01-27 | 1996-03-19 | At&T Corp. | Micromechanical modulator |
FI94804C (fi) | 1994-02-17 | 1995-10-25 | Vaisala Oy | Sähköisesti säädettävä pintamikromekaaninen Fabry-Perot-interferometri käytettäväksi optisessa materiaalianalyysissä |
US5665997A (en) | 1994-03-31 | 1997-09-09 | Texas Instruments Incorporated | Grated landing area to eliminate sticking of micro-mechanical devices |
US7852545B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
US7826120B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-11-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for multi-color interferometric modulation |
US7460291B2 (en) | 1994-05-05 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Separable modulator |
US7123216B1 (en) | 1994-05-05 | 2006-10-17 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
US8081369B2 (en) | 1994-05-05 | 2011-12-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for a MEMS device |
US7808694B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-10-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
US20010003487A1 (en) | 1996-11-05 | 2001-06-14 | Mark W. Miles | Visible spectrum modulator arrays |
US6040937A (en) | 1994-05-05 | 2000-03-21 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation |
US7738157B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-06-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for a MEMS device |
US7550794B2 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
US6710908B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-03-23 | Iridigm Display Corporation | Controlling micro-electro-mechanical cavities |
US6680792B2 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-20 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US5497172A (en) * | 1994-06-13 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing |
US5920418A (en) | 1994-06-21 | 1999-07-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diffractive optical modulator and method for producing the same, infrared sensor including such a diffractive optical modulator and method for producing the same, and display device including such a diffractive optical modulator |
US5499062A (en) * | 1994-06-23 | 1996-03-12 | Texas Instruments Incorporated | Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory |
US5636052A (en) | 1994-07-29 | 1997-06-03 | Lucent Technologies Inc. | Direct view display based on a micromechanical modulation |
US5485304A (en) | 1994-07-29 | 1996-01-16 | Texas Instruments, Inc. | Support posts for micro-mechanical devices |
FR2726960B1 (fr) | 1994-11-10 | 1996-12-13 | Thomson Csf | Procede de realisation de transducteurs magnetoresistifs |
JPH08153700A (ja) | 1994-11-25 | 1996-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 導電性被膜の異方性エッチング方法 |
US5610624A (en) * | 1994-11-30 | 1997-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect |
US5550373A (en) | 1994-12-30 | 1996-08-27 | Honeywell Inc. | Fabry-Perot micro filter-detector |
US5726480A (en) * | 1995-01-27 | 1998-03-10 | The Regents Of The University Of California | Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same |
US5610438A (en) * | 1995-03-08 | 1997-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Micro-mechanical device with non-evaporable getter |
US7898722B2 (en) * | 1995-05-01 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with restoring electrode |
US5661592A (en) | 1995-06-07 | 1997-08-26 | Silicon Light Machines | Method of making and an apparatus for a flat diffraction grating light valve |
US6849471B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
US6046840A (en) * | 1995-06-19 | 2000-04-04 | Reflectivity, Inc. | Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements |
KR100213026B1 (ko) | 1995-07-27 | 1999-08-02 | 윤종용 | 디엠디 및 그 제조공정 |
US6324192B1 (en) | 1995-09-29 | 2001-11-27 | Coretek, Inc. | Electrically tunable fabry-perot structure utilizing a deformable multi-layer mirror and method of making the same |
JPH09127551A (ja) | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sharp Corp | 半導体装置およびアクティブマトリクス基板 |
US5999306A (en) | 1995-12-01 | 1999-12-07 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing spatial light modulator and electronic device employing it |
US5825528A (en) | 1995-12-26 | 1998-10-20 | Lucent Technologies Inc. | Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator |
US5751469A (en) | 1996-02-01 | 1998-05-12 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for an improved micromechanical modulator |
US5710656A (en) * | 1996-07-30 | 1998-01-20 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane |
US5838484A (en) * | 1996-08-19 | 1998-11-17 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical optical modulator with linear operating characteristic |
GB9619781D0 (en) | 1996-09-23 | 1996-11-06 | Secr Defence | Multi layer interference coatings |
US5771116A (en) | 1996-10-21 | 1998-06-23 | Texas Instruments Incorporated | Multiple bias level reset waveform for enhanced DMD control |
US7830588B2 (en) | 1996-12-19 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof |
US6028689A (en) * | 1997-01-24 | 2000-02-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Multi-motion micromirror |
US5786927A (en) | 1997-03-12 | 1998-07-28 | Lucent Technologies Inc. | Gas-damped micromechanical structure |
US6384952B1 (en) | 1997-03-27 | 2002-05-07 | Mems Optical Inc. | Vertical comb drive actuated deformable mirror device and method |
EP0877272B1 (en) * | 1997-05-08 | 2002-07-31 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to spatial light modulators |
EP0879991A3 (en) | 1997-05-13 | 1999-04-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Illuminating system |
US5870221A (en) | 1997-07-25 | 1999-02-09 | Lucent Technologies, Inc. | Micromechanical modulator having enhanced performance |
US5867302A (en) * | 1997-08-07 | 1999-02-02 | Sandia Corporation | Bistable microelectromechanical actuator |
US6031653A (en) | 1997-08-28 | 2000-02-29 | California Institute Of Technology | Low-cost thin-metal-film interference filters |
US6028690A (en) * | 1997-11-26 | 2000-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio |
US6180428B1 (en) * | 1997-12-12 | 2001-01-30 | Xerox Corporation | Monolithic scanning light emitting devices using micromachining |
US6381381B1 (en) | 1998-01-20 | 2002-04-30 | Seiko Epson Corporation | Optical switching device and image display device |
US5914804A (en) | 1998-01-28 | 1999-06-22 | Lucent Technologies Inc | Double-cavity micromechanical optical modulator with plural multilayer mirrors |
JPH11211999A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Teijin Ltd | 光変調素子および表示装置 |
US6100861A (en) | 1998-02-17 | 2000-08-08 | Rainbow Displays, Inc. | Tiled flat panel display with improved color gamut |
US6195196B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-02-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof |
US6262697B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-07-17 | Eastman Kodak Company | Display having viewable and conductive images |
WO1999052006A2 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-14 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation of radiation |
US7532377B2 (en) | 1998-04-08 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Movable micro-electromechanical device |
US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
EP0951068A1 (en) * | 1998-04-17 | 1999-10-20 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method of fabrication of a microstructure having an inside cavity |
US6046659A (en) | 1998-05-15 | 2000-04-04 | Hughes Electronics Corporation | Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications |
US6242989B1 (en) | 1998-09-12 | 2001-06-05 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising a multi-port variable capacitor |
JP4074714B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2008-04-09 | 富士フイルム株式会社 | アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法 |
US6323834B1 (en) | 1998-10-08 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Micromechanical displays and fabrication method |
JP3919954B2 (ja) | 1998-10-16 | 2007-05-30 | 富士フイルム株式会社 | アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法 |
US6171945B1 (en) * | 1998-10-22 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | CVD nanoporous silica low dielectric constant films |
JP2000147262A (ja) | 1998-11-11 | 2000-05-26 | Nobuyuki Higuchi | 集光装置及びこれを利用した太陽光発電システム |
US6335831B2 (en) * | 1998-12-18 | 2002-01-01 | Eastman Kodak Company | Multilevel mechanical grating device |
US6358021B1 (en) * | 1998-12-29 | 2002-03-19 | Honeywell International Inc. | Electrostatic actuators for active surfaces |
US6188519B1 (en) | 1999-01-05 | 2001-02-13 | Kenneth Carlisle Johnson | Bigrating light valve |
US6242932B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-06-05 | Micron Technology, Inc. | Interposer for semiconductor components having contact balls |
US6201633B1 (en) * | 1999-06-07 | 2001-03-13 | Xerox Corporation | Micro-electromechanical based bistable color display sheets |
US6335235B1 (en) | 1999-08-17 | 2002-01-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Simplified method of patterning field dielectric regions in a semiconductor device |
WO2003007049A1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
US6351329B1 (en) | 1999-10-08 | 2002-02-26 | Lucent Technologies Inc. | Optical attenuator |
US6960305B2 (en) | 1999-10-26 | 2005-11-01 | Reflectivity, Inc | Methods for forming and releasing microelectromechanical structures |
US6674090B1 (en) * | 1999-12-27 | 2004-01-06 | Xerox Corporation | Structure and method for planar lateral oxidation in active |
US6519073B1 (en) | 2000-01-10 | 2003-02-11 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical modulator and methods for fabricating the same |
CA2397806C (en) | 2000-01-21 | 2009-05-05 | Flex Products, Inc. | Optically variable security devices |
US6307663B1 (en) | 2000-01-26 | 2001-10-23 | Eastman Kodak Company | Spatial light modulator with conformal grating device |
JP2001221913A (ja) | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Yokogawa Electric Corp | ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計 |
GB2359636B (en) | 2000-02-22 | 2002-05-01 | Marconi Comm Ltd | Wavelength selective optical filter |
KR20010112456A (ko) | 2000-02-24 | 2001-12-20 | 요트.게.아. 롤페즈 | 광 가이드를 포함한 디스플레이 디바이스 |
US6836366B1 (en) | 2000-03-03 | 2004-12-28 | Axsun Technologies, Inc. | Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same |
US6747775B2 (en) | 2000-03-20 | 2004-06-08 | Np Photonics, Inc. | Detunable Fabry-Perot interferometer and an add/drop multiplexer using the same |
US6698295B1 (en) * | 2000-03-31 | 2004-03-02 | Shipley Company, L.L.C. | Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer |
US6400738B1 (en) | 2000-04-14 | 2002-06-04 | Agilent Technologies, Inc. | Tunable Fabry-Perot filters and lasers |
FR2811139B1 (fr) | 2000-06-29 | 2003-10-17 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif optoelectronique a filtrage de longueur d'onde integre |
US6940631B2 (en) | 2000-07-03 | 2005-09-06 | Sony Corporation | Optical multilayer structure, optical switching device, and image display |
CA2352729A1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-01-13 | Creoscitex Corporation Ltd. | Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof |
US6853129B1 (en) * | 2000-07-28 | 2005-02-08 | Candescent Technologies Corporation | Protected substrate structure for a field emission display device |
JP2002062490A (ja) | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Canon Inc | 干渉性変調素子 |
JP4304852B2 (ja) * | 2000-09-04 | 2009-07-29 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 非平面液晶表示素子及びその製造方法 |
US6466354B1 (en) | 2000-09-19 | 2002-10-15 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for interferometric modulation of light |
US6714565B1 (en) | 2000-11-01 | 2004-03-30 | Agilent Technologies, Inc. | Optically tunable Fabry Perot microelectromechanical resonator |
US6556338B2 (en) | 2000-11-03 | 2003-04-29 | Intpax, Inc. | MEMS based variable optical attenuator (MBVOA) |
US6519075B2 (en) * | 2000-11-03 | 2003-02-11 | Agere Systems Inc. | Packaged MEMS device and method for making the same |
US6859218B1 (en) * | 2000-11-07 | 2005-02-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic display devices and methods |
US6433917B1 (en) | 2000-11-22 | 2002-08-13 | Ball Semiconductor, Inc. | Light modulation device and system |
US6906847B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-06-14 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas |
CN1479964A (zh) * | 2000-12-11 | 2004-03-03 | ���¡���ɣ����� | 静电设备 |
US6614576B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-09-02 | Texas Instruments Incorporated | Surface micro-planarization for enhanced optical efficiency and pixel performance in SLM devices |
WO2002056061A2 (en) * | 2000-12-19 | 2002-07-18 | Coventor, Incorporated | Optical mems device and package having a light-transmissive opening or window |
DE10064616C2 (de) | 2000-12-22 | 2003-02-06 | Ovd Kinegram Ag Zug | Dekorfolie und Verfahren zum Beschriften der Dekorfolie |
US20020149834A1 (en) | 2000-12-22 | 2002-10-17 | Ball Semiconductor, Inc. | Light modulation device and system |
US6911891B2 (en) * | 2001-01-19 | 2005-06-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Bistable actuation techniques, mechanisms, and applications |
JP2002221678A (ja) | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Seiko Epson Corp | 光スイッチングデバイス、その製造方法および画像表示装置 |
US6912078B2 (en) | 2001-03-16 | 2005-06-28 | Corning Incorporated | Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture |
US6661561B2 (en) | 2001-03-26 | 2003-12-09 | Creo Inc. | High frequency deformable mirror device |
US6600587B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-07-29 | Memx, Inc. | Surface micromachined optical system with reinforced mirror microstructure |
US6657832B2 (en) | 2001-04-26 | 2003-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Mechanically assisted restoring force support for micromachined membranes |
WO2002095800A2 (en) | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Reflectivity, Inc. | A method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants |
JP3740444B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体 |
JP4032216B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2008-01-16 | ソニー株式会社 | 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置 |
US6594059B2 (en) * | 2001-07-16 | 2003-07-15 | Axsun Technologies, Inc. | Tilt mirror fabry-perot filter system, fabrication process therefor, and method of operation thereof |
KR100452112B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2004-10-12 | 한국과학기술원 | 정전 구동기 |
US6632698B2 (en) | 2001-08-07 | 2003-10-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Microelectromechanical device having a stiffened support beam, and methods of forming stiffened support beams in MEMS |
US6661562B2 (en) * | 2001-08-17 | 2003-12-09 | Lucent Technologies Inc. | Optical modulator and method of manufacture thereof |
EP1291570A3 (en) * | 2001-09-07 | 2004-06-30 | Avon Polymer Products Limited | Noise and vibration suppressors |
US7015457B2 (en) | 2002-03-18 | 2006-03-21 | Honeywell International Inc. | Spectrally tunable detector |
US20030053078A1 (en) * | 2001-09-17 | 2003-03-20 | Mark Missey | Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators |
US6940636B2 (en) * | 2001-09-20 | 2005-09-06 | Analog Devices, Inc. | Optical switching apparatus and method of assembling same |
DE60230341D1 (de) | 2001-11-09 | 2009-01-22 | Wispry Inc | MEMS-Einrichtung mit dreischichtigem Strahl und diesbezügliche Verfahren |
US6761950B2 (en) | 2001-12-07 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
JP2003177336A (ja) | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置 |
US6791735B2 (en) * | 2002-01-09 | 2004-09-14 | The Regents Of The University Of California | Differentially-driven MEMS spatial light modulator |
US6608268B1 (en) | 2002-02-05 | 2003-08-19 | Memtronics, A Division Of Cogent Solutions, Inc. | Proximity micro-electro-mechanical system |
US6794119B2 (en) | 2002-02-12 | 2004-09-21 | Iridigm Display Corporation | Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device |
US6574033B1 (en) | 2002-02-27 | 2003-06-03 | Iridigm Display Corporation | Microelectromechanical systems device and method for fabricating same |
WO2003075617A1 (fr) | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif emetteur lumiere et affichage utilisant ce dispositif et dispositif de lecture |
US6768555B2 (en) | 2002-03-21 | 2004-07-27 | Industrial Technology Research Institute | Fabry-Perot filter apparatus with enhanced optical discrimination |
US6965468B2 (en) | 2003-07-03 | 2005-11-15 | Reflectivity, Inc | Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array |
US6954297B2 (en) | 2002-04-30 | 2005-10-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid |
US6972882B2 (en) | 2002-04-30 | 2005-12-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device with light angle amplification |
JP2003340795A (ja) | 2002-05-20 | 2003-12-02 | Sony Corp | 静電駆動型mems素子とその製造方法、光学mems素子、光変調素子、glvデバイス及びレーザディスプレイ |
JP3801099B2 (ja) | 2002-06-04 | 2006-07-26 | 株式会社デンソー | チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置 |
US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
US6738194B1 (en) | 2002-07-22 | 2004-05-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Resonance tunable optical filter |
US6822798B2 (en) | 2002-08-09 | 2004-11-23 | Optron Systems, Inc. | Tunable optical filter |
US6674033B1 (en) * | 2002-08-21 | 2004-01-06 | Ming-Shan Wang | Press button type safety switch |
TW544787B (en) * | 2002-09-18 | 2003-08-01 | Promos Technologies Inc | Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer |
DE60335994D1 (de) | 2002-09-19 | 2011-03-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Schaltbares optisches element |
JP4057871B2 (ja) | 2002-09-19 | 2008-03-05 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
KR100512960B1 (ko) | 2002-09-26 | 2005-09-07 | 삼성전자주식회사 | 플렉서블 mems 트랜스듀서와 그 제조방법 및 이를채용한 플렉서블 mems 무선 마이크로폰 |
US7085121B2 (en) | 2002-10-21 | 2006-08-01 | Hrl Laboratories, Llc | Variable capacitance membrane actuator for wide band tuning of microstrip resonators and filters |
FR2846318B1 (fr) | 2002-10-24 | 2005-01-07 | Commissariat Energie Atomique | Microstructure electromecanique integree comportant des moyens de reglage de la pression dans une cavite scellee et procede de reglage de la pression |
US7370185B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-05-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers |
US6844959B2 (en) * | 2002-11-26 | 2005-01-18 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light absorbing areas |
US6958846B2 (en) | 2002-11-26 | 2005-10-25 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light absorbing areas |
TWI289708B (en) | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
TW594155B (en) | 2002-12-27 | 2004-06-21 | Prime View Int Corp Ltd | Optical interference type color display and optical interference modulator |
JP2004212638A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光変調素子及び平面表示素子 |
JP2004212680A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光変調素子アレイ及びその製造方法 |
JP2004219843A (ja) | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Seiko Epson Corp | 光変調器、表示装置及びその製造方法 |
TW200413810A (en) | 2003-01-29 | 2004-08-01 | Prime View Int Co Ltd | Light interference display panel and its manufacturing method |
TW557395B (en) | 2003-01-29 | 2003-10-11 | Yen Sun Technology Corp | Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof |
US7459402B2 (en) | 2003-02-12 | 2008-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Protection layers in micromirror array devices |
TW200417806A (en) | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Prime View Int Corp Ltd | A structure of a light-incidence electrode of an optical interference display plate |
US6913942B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-07-05 | Reflectvity, Inc | Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices |
TWI224235B (en) | 2003-04-21 | 2004-11-21 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
TWI226504B (en) | 2003-04-21 | 2005-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of an interference display cell |
TW567355B (en) | 2003-04-21 | 2003-12-21 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
TW594360B (en) | 2003-04-21 | 2004-06-21 | Prime View Int Corp Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
US6829132B2 (en) * | 2003-04-30 | 2004-12-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Charge control of micro-electromechanical device |
US7447891B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-11-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulator with concentric control-electrode structure |
US7072093B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-07-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical interference pixel display with charge control |
WO2004099629A2 (en) | 2003-05-01 | 2004-11-18 | University Of Florida | Vertical displacement device |
JP4075678B2 (ja) | 2003-05-06 | 2008-04-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
TW570896B (en) * | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
TW591716B (en) | 2003-05-26 | 2004-06-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a structure release and manufacturing the same |
TWI223855B (en) | 2003-06-09 | 2004-11-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices |
JP2007027150A (ja) | 2003-06-23 | 2007-02-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 集光型光発電システム |
US7221495B2 (en) | 2003-06-24 | 2007-05-22 | Idc Llc | Thin film precursor stack for MEMS manufacturing |
US6862127B1 (en) | 2003-11-01 | 2005-03-01 | Fusao Ishii | High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same |
JP3786106B2 (ja) | 2003-08-11 | 2006-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変光フィルタ及びその製造方法 |
US7173314B2 (en) * | 2003-08-13 | 2007-02-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts |
TW200506479A (en) * | 2003-08-15 | 2005-02-16 | Prime View Int Co Ltd | Color changeable pixel for an interference display |
TWI251712B (en) * | 2003-08-15 | 2006-03-21 | Prime View Int Corp Ltd | Interference display plate |
TWI305599B (en) * | 2003-08-15 | 2009-01-21 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Interference display panel and method thereof |
TW593127B (en) * | 2003-08-18 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | Interference display plate and manufacturing method thereof |
TWI231865B (en) * | 2003-08-26 | 2005-05-01 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
US20050057442A1 (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Olan Way | Adjacent display of sequential sub-images |
TWI230801B (en) | 2003-08-29 | 2005-04-11 | Prime View Int Co Ltd | Reflective display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof |
JP3979982B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2007-09-19 | シャープ株式会社 | 干渉性変調器および表示装置 |
TWI232333B (en) * | 2003-09-03 | 2005-05-11 | Prime View Int Co Ltd | Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof |
US7027204B2 (en) | 2003-09-26 | 2006-04-11 | Silicon Light Machines Corporation | High-density spatial light modulator |
US6982820B2 (en) | 2003-09-26 | 2006-01-03 | Prime View International Co., Ltd. | Color changeable pixel |
TW593126B (en) | 2003-09-30 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same |
US20050068583A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Gutkowski Lawrence J. | Organizing a digital image |
JP2005121906A (ja) | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反射型光変調アレイ素子及び露光装置 |
US7198873B2 (en) * | 2003-11-18 | 2007-04-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic processing optimization based on hypersampled correlations |
TW200524236A (en) | 2003-12-01 | 2005-07-16 | Nl Nanosemiconductor Gmbh | Optoelectronic device incorporating an interference filter |
ATE552521T1 (de) | 2003-12-19 | 2012-04-15 | Barco Nv | Breitbandige reflektive anzeigevorrichtung |
WO2005089098A2 (en) | 2004-01-14 | 2005-09-29 | The Regents Of The University Of California | Ultra broadband mirror using subwavelength grating |
TWI235345B (en) | 2004-01-20 | 2005-07-01 | Prime View Int Co Ltd | A structure of an optical interference display unit |
JP2005235403A (ja) | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Hitachi Displays Ltd | 有機・el表示装置 |
TWI256941B (en) | 2004-02-18 | 2006-06-21 | Qualcomm Mems Technologies Inc | A micro electro mechanical system display cell and method for fabricating thereof |
US7119945B2 (en) | 2004-03-03 | 2006-10-10 | Idc, Llc | Altering temporal response of microelectromechanical elements |
TW200530669A (en) | 2004-03-05 | 2005-09-16 | Prime View Int Co Ltd | Interference display plate and manufacturing method thereof |
TWI261683B (en) | 2004-03-10 | 2006-09-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Interference reflective element and repairing method thereof |
JP4581453B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | Mems素子、光学mems素子、回折型光学mems素子、並びにレーザディスプレイ |
JP2005308871A (ja) | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Aterio Design Kk | 干渉カラーフィルター |
US7245285B2 (en) | 2004-04-28 | 2007-07-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Pixel device |
US7476327B2 (en) | 2004-05-04 | 2009-01-13 | Idc, Llc | Method of manufacture for microelectromechanical devices |
US7787170B2 (en) | 2004-06-15 | 2010-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Micromirror array assembly with in-array pillars |
EP1774391A4 (en) * | 2004-07-09 | 2009-11-04 | Univ Cincinnati | ELECTROMOUPLING LIGHT MODULATOR FOR DISPLAY |
TWI233916B (en) | 2004-07-09 | 2005-06-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a micro electro mechanical system |
TWI270722B (en) | 2004-07-23 | 2007-01-11 | Au Optronics Corp | Dual-side display panel |
CA2575314A1 (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Idc, Llc | System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator |
US7372348B2 (en) | 2004-08-20 | 2008-05-13 | Palo Alto Research Center Incorporated | Stressed material and shape memory material MEMS devices and methods for manufacturing |
US7499208B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-03-03 | Udc, Llc | Current mode display driver circuit realization feature |
KR100648310B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 영상의 휘도 정보를 이용한 색변환장치 및 이를 구비하는디스플레이 장치 |
US7684104B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-23 | Idc, Llc | MEMS using filler material and method |
-
2005
- 2005-08-12 US US11/203,613 patent/US7630119B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-23 WO PCT/US2005/034465 patent/WO2006036904A1/en active Application Filing
- 2005-09-23 EP EP05800112A patent/EP1803021A1/en not_active Withdrawn
- 2005-09-23 JP JP2007533717A patent/JP2008517304A/ja not_active Withdrawn
- 2005-09-23 RU RU2007115880/28A patent/RU2007115880A/ru not_active Application Discontinuation
- 2005-09-23 MX MX2007003595A patent/MX2007003595A/es not_active Application Discontinuation
- 2005-09-26 TW TW094133287A patent/TW200624975A/zh unknown
-
2009
- 2009-12-04 US US12/631,194 patent/US7948671B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-04 US US12/631,576 patent/US7924494B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012006142A (ja) * | 2006-06-30 | 2012-01-12 | Qualcomm Mems Technologies Inc | 空隙制御を行うmems装置を製造する方法 |
US8964280B2 (en) | 2006-06-30 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
JP2014077872A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Jvc Kenwood Corp | 光偏向器及び光偏向器の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060067649A1 (en) | 2006-03-30 |
EP1803021A1 (en) | 2007-07-04 |
TW200624975A (en) | 2006-07-16 |
US7924494B2 (en) | 2011-04-12 |
US7948671B2 (en) | 2011-05-24 |
RU2007115880A (ru) | 2008-11-10 |
US20100080890A1 (en) | 2010-04-01 |
WO2006036904A1 (en) | 2006-04-06 |
US7630119B2 (en) | 2009-12-08 |
US20100085626A1 (en) | 2010-04-08 |
MX2007003595A (es) | 2007-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008517304A (ja) | インターフェロメトリックモジュレータにおける構造間の滑りを減少させる装置及び方法 | |
US8098416B2 (en) | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release | |
US8285089B2 (en) | MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate | |
US7595926B2 (en) | Integrated IMODS and solar cells on a substrate | |
US7652814B2 (en) | MEMS device with integrated optical element | |
JP5096151B2 (ja) | リフトオフ工程技術を用いたインターフェロメトリック変調器の製造方法 | |
EP1640770A2 (en) | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same | |
US20060066935A1 (en) | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator | |
US20070249081A1 (en) | Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems | |
US20060077518A1 (en) | Mirror and mirror layer for optical modulator and method | |
JP2006099104A (ja) | Memsシステムのための事前構造を形成する方法 | |
JP2009503564A (ja) | Memsデバイスのための支持構造、およびその方法 | |
US7625825B2 (en) | Method of patterning mechanical layer for MEMS structures | |
JP2009516350A (ja) | セットおよびラッチ電極を備えたmemsスイッチ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20080822 |