JP2006099104A - Ｍｅｍｓシステムのための事前構造を形成する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】少なくとも一つの干渉変調器素子を形成する方法を提供する。
【解決手段】干渉変調器素子を形成する方法は、スピンオングラスで形成されたポスト等の少なくとも２つのポストを基板上に形成することを含む。代替の実施形態において、前記ポストは、前記変調装置体のある層が前記基板上に堆積された後に形成してもよい。干渉変調器体は、前記基板上に配設された少なくとも２つのスピンオングラス支持ポストを含む。代替の実施形態において、前記支持ポストは、前記基板上ではなく、前記変調装置体のある層を覆って配設してもよい。干渉変調器体を形成する方法は、支持ポストを覆って硬いキャップを形成することを含む。干渉変調器体は、硬いキャップ部材を有する支持ポストを含む。
【選択図】 図７

Description

本発明の分野は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に関する。

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微小機械素子、アクチュエータ及び電子機器を含む。微小機械素子は、堆積、エッチング及び又は、基板及び／又は堆積材料物質層の部分をエッチング除去し、あるいは、層を加えて電気及び電気機械デバイスを形成する他の微小機械加工プロセスを用いて形成することができる。ＭＥＭＳデバイスの１つのタイプは、干渉変調器と呼ばれる。干渉変調器または干渉光変調器という用語は、本願明細書において用いる場合、光干渉の原理を用いて、光を選択的に吸収し、及び／又は光を反射するデバイスを指す。ある実施形態において、干渉変調器は、その一方または両方が、その全体または一部が透過性及び／又は反射性であってもよく、かつ適当な電気信号を印加したときに相対運動が可能な、１組の導電性プレートを備えてもよい。特定の実施形態において、一方のプレートは、基板上に堆積された固定層を備えてもよく、他方のプレートは、前記固定層からエアギャップだけ離された金属膜を備えてもよい。本願明細書においてより詳細に説明するように、他方のプレートに対する一方のプレートの位置は、前記干渉変調器に対する入射光の光干渉を変えることができる。このようなデバイスは、広範囲の用途を有しており、それらのタイプのデバイスの特徴を利用し及び／又は変更する技術分野において有益であるため、現在ある製品を改良する際、およびまだ開発されていない新しい製品を考案する際に、それらの特徴を利用することができる。
米国公開出願２００４／００５１９２９号

一実施形態においては、基板を設けることと、前記基板の上に支持ポスト材料物質からなる層を堆積することと、前記支持ポスト材料物質からなる層をパターニングして少なくとも２つの支持ポストを形成することと、前記基板の上に電極層を形成することとであって、前記電極層の形成が、前記少なくとも２つの支持ポストの形成の後に行われることと、前記電極層の上に少なくとも第１の犠牲層を形成することと、前記犠牲層の上にメカニカル層を形成することであって、前記メカニカル層が、前記少なくとも２つの支持ポストの各々の一部をカバーすることとを含む、干渉ディスプレイ素子を形成する方法が提供される。

別の実施形態においては、複数の干渉変調器素子を含む装置が提供される。この場合、前記干渉変調器素子は、前記基板の上に配設された電極層と、前記基板上に配設された少なくとも２つの支持ポストと、前記電極層の上に配設されたメカニカル層とを含み、前記メカニカル層は、少なくとも２つの支持ポストによって支持される。

他の実施形態においては、基板を設けることと、前記基板の上に支持ポストを形成することと、前記基板の上に電極層を形成することと、前記電極層の上に犠牲層を堆積することと、前記犠牲層の上に実質的に平坦な面を形成することと、前記実質的に平坦な面の上にメカニカル層を形成することと、前記メカニカル層の少なくとも一部の上に絶縁層を形成することと、前記絶縁層の上に実質的に硬い支持層を形成することとを含む干渉ディスプレイ素子を形成する方法が提供される。

別の実施形態においては、透明基板と、前記基板の上に配設された電極層と、前記基板の上に配設された複数の支持ポストと、前記複数の支持ポストのうちの少なくともいくつかの各々の上に配設され、絶縁層を含む硬いキャップ部材と、部分反射電極層の上に配設され、少なくとも２つの硬いキャップ部材の絶縁層に取り付けられているメカニカル層とを含む装置が提供される。

他の実施形態においては、光を伝達する手段を含む装置が提供される。前記装置は更に、前記伝達する手段の上に配設された導通手段と、干渉変調器のキャビティのサイズを変更する手段と、前記変更する手段を支持するために前記伝達する手段上に配設された手段であって、前記支持手段は前記導通手段よりも低いアニール温度を有する材料物質を含む手段とを備える。

別の実施形態においては、光を伝達する手段を含む装置が提供される。前記装置は更に、前記伝達する手段の上に配設された導通手段と、干渉変調器のキャビティのサイズを変更する手段と、前記変更する手段を支持し、前記伝達する手段の上に配設された支持手段と、前記変更する手段に剛性を提供する手段であって、少なくともいくつかの前記支持手段の上に配設され、前記変更層に取り付けられている絶縁層を備えた手段とを備える。

本発明の実施形態は、以下に詳細に説明するように、少なくとも２つの支持ポストによって支持された上方メカニカル層を含む干渉変調器素子である。一実施形態において、それらの支持ポストは、他の層が基板上に堆積される前に、前記基板上に形成される。このような方法は、スピンオングラス支持ポスト、および前記干渉変調器の他の構成要素が、前記ポストのアニールの前に堆積された場合に、前記他の構成要素を損傷させるのに十分高い温度でアニールされなければならない他の材料物質の使用を有利に可能にする。

他の実施形態においては、低いアニール温度を有する材料物質から形成された支持ポストは、高いアニール温度を有する材料物質からなるある層の堆積の後に形成することができ、それらの層の上への支持ポストの形成を可能にする。このような実施形態は、前記支持ポストが上に載る層は、前記支持ポストが光を観察者へ反射させるのを防ぐ可能性があるため、前記ポストと前記観察者との間の層をマスキングする必要性を有利に最少化または排除する。

本発明の別の実施形態は、以下に更に詳細に説明するように、少なくとも２つの支持ポストの頂上に硬いキャップ部を含む干渉変調器素子を形成する方法である。前記方法は、メカニカル層をその上に形成することができる実質的に平坦な面を設けることも含む。キャップ部の使用は、前記支持ポストに対する追加的な剛性を有利に提供する。また、硬いキャップ部の使用は、薄い支持ポストの使用を有利に可能にし、隣接するメカニカル層を支持し、かつ電気的に絶縁するために必要な表面積を提供する。実質的に平坦なメカニカル層の使用は、前記支持ポストと前記メカニカル層との間の層間剥離、あるいは、平坦ではないメカニカル層における残留引っ張り応力の結果として長期間にわたり発生する可能性がある、前記支持ポストの縁部に対するダメージ等の問題を有利に防ぐ。従って、この発明は、長期間にわたってより改善された色精度を有する変調器を提供する。

本発明はある具体的な実施例に向けられている。しかしながら、本発明は、複数の別の方法でも具体化することができる。この記述では、同一部位が、全体を通じて同一符号で示されている図面が参照される。以下の記述から明らかになるように、本発明は、動画（例えばビデオ）あるいは固定画（例えば、静止画像）、及びテキストあるいは写真であろうとも、画像を表示するように構成された任意のデバイス内で実現される。更に詳しくは、本発明は、限定される訳ではないが、例えば、移動電話、無線装置、パーソナルデータアシスタント（ＰＤＡ）、ハンドヘルドあるいはポータブルコンピュータ、ＧＳＰ受信機／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲームコンソール、腕時計、時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイ（例えば、走行距離ディスプレイ等）、コクピットコントロール及び／又はディスプレイ、カメラビューのディスプレイ（例えば、自動車の後方ビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電子広告板又はサイン、プロジェクタ、建築物、パッケージ、及び芸術的構造物（例えば、宝石片の画像のディスプレイ）において、又はこれら種々の電子デバイスと関連して実現される。ここで記述されたものと同様の構造のＭＥＭＳデバイスはまた、例えば電子スイッチングデバイスのようなディスプレイではない用途に使用されることも可能である。

干渉ＭＥＭＳディスプレイ素子を備えた一つの干渉変調器ディスプレイの実施例が、図１に示されている。これらデバイスでは、ピクセルが、明るい状態、あるいは暗い状態かの何れかにある。明るい（「オン」または「オープンな」）状態では、ディスプレイ素子が、入射可視光の大部分をユーザに反射する。暗い（「オフ」または「クローズな」）状態では、ディスプレイ素子が、入射可視光をほとんどユーザに反射しない。この実施例によれば、「オン」状態と、「オフ」状態とで、光反射特性は逆転する。ＭＥＭＳピクセルは、選択された色を主に反射するように構成されている。これによって、黒と白だけではなく、カラー表示が可能となる。

図１は、ビジュアルディスプレイの一連のピクセルにおける隣接した２つのピクセルを示す等測図である。ここでは、各ピクセルが、ＭＥＭＳ干渉変調器を備えている。いくつかの実施例では、干渉変調器ディスプレイは、これら複数の干渉変調器の行／列アレイからなる。各干渉変調器は、互いに可変であり制御可能な距離に位置した一対の反射層を含み、少なくとも一つの可変寸法を持つ共鳴光学キャビティを形成する。一つの実施例では、反射層の一方が、２つの位置の間を移動することができる。リリース状態とここで称する第一の位置では、可動層が、固定された部分反射層から相対的に大きく離れた距離に位置される。第二の位置では、可動層が、部分反射層により近くに隣接するように位置している。この２つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置に依存して、強めあうように又は弱めあうように干渉する。これによって、各ピクセルについて、全体的に反射性となるか、あるいは非反射性となるかの何れかとなる。

図１のピクセルアレイの図示された部分は、２つの隣接する干渉変調器１２ａ，１２ｂを含む。左側の干渉変調器１２ａでは、可動の高反射性層１４ａが、固定された部分反射層１６ａから予め定めた距離であるリリース位置にあるように示されている。右側の干渉変調器１２ｂでは、可動の高反射性層１４ｂが、固定された部分反射層１６ｂに隣接したアクチュエートされた位置にあるように示されている。

固定層１６ａ，１６ｂは、電導性であり、部分的に透過性であり、部分的に反射性である。そして、例えば、各々がクロムと、インジウム−錫−酸化物とからなる一つ又は複数の層を、透明基板２０上に堆積することによって製造される。これら層は、平行なストリップにパターニングされ、以下に記述するようにディスプレイ装置内の行電極を形成する。可動層１４ａ，１４ｂは、支柱１８の頂上及び複数の支柱１８の間に介在する犠牲材料上に堆積された（行電極１６ａ，１６ｂに直交する）１層又は複数の金属層の一連の平行なストリップとして形成されることができる。犠牲材料がエッチングで除去されると、変形可能な金属層は、決められたエアギャップ１９まで固定金属層から分離される。アルミニウムのように非常に電導性があり反射性の材料が、変形可能な層として使用されることができ、そして、これらのストリップは、ディスプレイ装置において列電極を形成できる。

印加電圧がないと、キャビティ１９が、２つの層１４ａ，１６ａの間に維持され、変形可能な層が、図１のピクセル１２ａに例示するように機械的に弛緩された状態にある。しかしながら、電位差が、選択された行及び列に印加されると、対応するピクセルにおける行電極及び列電極の交点に形成されたキャパシタが充電され、静電力がこれら電極を強制的に引きつける。電圧が十分に高ければ、可動層が変形され、図１の右のピクセル１２ｂに例示するように、固定層に対して押し付けられる（短絡を防止し、分離距離を制御するために、この図に示されていない誘電材料が、固定層上に堆積されているかもしれない）。この動作は、印加された電位差の極性に拘わらず同じである。このように、反射ピクセル状態対非反射ピクセル状態を制御できる行／列アクチュエーションは、従来のＬＣＤ及びその他のディスプレイ技術において使用される多くの方法に類似している。

図２から図５Ｂは、ディスプレイ用途において干渉変調器のアレイを使用するための一つの典型的なプロセス及びシステムを示している。

図２は、本発明の局面を具体化することができる電子デバイスの１実施例を示すシステムブロック図である。典型的な実施例において、この電子デバイスは、プロセッサ２１を含む。このプロセッサ２１は、例えば、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）Ｐｒｏ、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）のような任意の汎用シングルチップ又はマルチチップのマイクロプロセッサであるか、又は例えばディジタルシグナルプロセッサ、マイクロコントローラ、プログラマブルゲートアレイのような特殊用途マイクロプロセッサでありうる。当該技術分野において従来からあるように、プロセッサ２１は、一つ又は複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成されうる。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサは、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、若しくはいずれかのその他のソフトウェアアプリケーションを含む一つ又は複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成されうる。

一つの実施例では、プロセッサ２１はまた、アレイコントローラ２２と通信するように構成されている。一つの実施例では、このアレイコントローラ２２は、ピクセルアレイ３０に信号を供給する行ドライバ回路２４及び列ドライバ回路２６を含む。図１に図示されたアレイの断面は、図２内の線１−１により示される。ＭＥＭＳ干渉変調器に関して、行／列アクチュエーションプロトコルは、図３に例示するようなデバイスのヒステリシス特性を利用することができる。例えば、リリース状態からアクチュエート状態へと可動層を変形させるために、１０ボルトの電位差を必要とするかもしれない。しかしながら、電圧がその値から減少する場合、この電圧が、１０ボルトより下に降下しても、可動層はその状態を維持する。図３に示す典型的な実施例では、可動層は、電圧が２ボルトより下に降下するまで完全にはリリースされない。したがって、図３に例示する例では、約３Ｖから７Ｖの電圧範囲に、デバイスがリリースされた状態又はアクチュエートされた状態のいずれかで安定である印加電圧のウィンドウが存在する。これは、「ヒステリシスウィンドウ」、または「安定ウィンドウ」と称される。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイに関して、行／列アクチュエーションプロトコルは、行ストローブの間、アクチュエートされるべきストローブされた行におけるピクセルが、約１０ボルトの電圧差を受け、リリースされるべきピクセルが、零ボルトに近い電圧差を受けるように設計することができる。ストローブの後、ピクセルは、約５ボルトの定常状態電圧差を受け、その結果、ピクセルは、行ストローブが立ち寄ったどんな状態にでもとどまることができる。書き込まれた後、各ピクセルは、この例では電位差が３〜７ボルトの「安定ウィンドウ」の範囲内であると判断する。この特徴は、事前に存在するアクチュエート状態、又はリリース状態かのいずれかに同様に印加された電圧条件の下で、図１に例示したピクセル設計を安定にする。アクチュエート状態又はリリース状態であるかに拘わらず、干渉変調器の各ピクセルは、本質的には、固定反射層と移動反射層とにより形成されたキャパシタであるので、この安定状態は、ほとんど電力消費なしにヒステリシスウィンドウ内の電圧に保持されることができる。印加された電位が一定であるならば、基本的に電流は、ピクセルに流れ込まない。

代表的な用途では、ディスプレイフレームは、第１行内のアクチュエートされたピクセルの所望のセットにしたがって列電極のセットをアサートすることによって生成される。その後、行パルスが行１の電極に印加され、アサートされた列ラインに対応するピクセルをアクチュエートする。その後、列電極のアサートされたセットが、第２行内のアクチュエートされたピクセルの所望のセットに対応するように変更される。その後、パルスが行２の電極に印加され、アサートされた列電極にしたがって行２内の適切なピクセルをアクチュエートする。行１ピクセルは、行２パルスに影響されず、行１パルスの間に設定された状態にとどまる。これが、連続した方式で一連の行全体に対して繰り返され、フレームが生成される。一般に、１秒当たり所望数のフレームにおいてこの処理を連続的に繰り返すことにより、フレームは、新たなディスプレイデータでリフレッシュ及び／又は更新される。ディスプレイフレームを生成するためにピクセルアレイの行電極及び列電極を駆動するための広範なプロトコルもまた周知であり、本発明とともに使用されうる。

図４、図５Ａ、及び図５は、図２の３×３アレイでディスプレイフレームを生成するための一つの可能なアクチュエーションプロトコルを示している。図４は、列電圧レベル及び行電圧レベルの可能なセットを示している。このセットは、図３のヒステリシス曲線を示すピクセルについて使用されうる。図４の実施例では、ピクセルをアクチュエートすることは、適切な列を−Ｖ_ｂｉａｓに、適切な行＋ΔＶに設定することを含む。これらはそれぞれ−５Ｖ及び＋５Ｖかもしれない。ピクセルをリリースすることは、適切な列を＋Ｖ_ｂｉａｓに、適切な行を同じ＋ΔＶに設定することにより達成され、これによって、ピクセル間で零ボルトの電位差を生成する。行電圧が零ボルトに保持される行では、列が＋Ｖ_ｂｉａｓ又は−Ｖ_ｂｉａｓであるかに拘らず、ピクセルが元々どの状態にあろうとも、ピクセルはその状態で安定である。図４にも示すように、上述したものとは異なる逆の極性の電圧が用いられることも認められよう。例えば、ピクセルをアクチュエートさせることは、適切な列を＋Ｖ_ｂｉａｓに設定し、適切な行を−ΔＶに設定することを含むことができる。この実施例では、ピクセルをリリースすることは、適切な列を−Ｖ_ｂｉａｓに設定し、適切な行を同じ−ΔＶに設定することによって達成される。これによって、ピクセル間の零ボルト電位差を生成する。

図５Ｂは、図２の３×３アレイに加えられる一連の行及び列信号を示すタイミング図である。図２の３×３アレイは、結果的に、アクチュエートされたピクセルが非反射性である図５Ａに示すディスプレイ配列となる。図５Ａに示すフレームを書き込む前に、ピクセルは、任意の状態であることができ、この例では、全ての行が０ボルトであり、全ての列が＋５ボルトである。これらの印加電圧で、全てのピクセルが、自身の現在のアクチュエート状態又はリリース状態で安定である。

図５Ａのフレームでは、ピクセル（１，１），（１，２），（２，２），（３，２）及び（３，３）がアクチュエートされる。これを実現するために、行１に対する“ライン時間”内に、列１及び列２は、−５ボルトに設定され、列３は、＋５ボルトに設定される。全てのピクセルが３〜７ボルトの安定ウィンドウの中にとどまるため、これは、どのピクセルの状態も変えない。行１は、その後、零から最大５ボルトまで上がり、零に戻るパルスでストローブされる。これは、（１，１）及び（１，２）ピクセルをアクチュエートし、（１，３）ピクセルをリリースする。アレイ内のその他のピクセルは、影響されない。所望するように行２を設定するために、列２は、−５ボルトに設定され、そして列１及び列３は、＋５ボルトに設定される。行２に印加された同じストローブは、その後、ピクセル（２，２）をアクチュエートし、ピクセル（２，１）及び（２，３）をリリースする。同様に、アレイのその他のピクセルは、影響されない。行３は、列２及び列３を−５ボルトに、そして列１を＋５ボルトに設定することより同様に設定される。行３ストローブは、図５Ａに示されたように行３ピクセルを設定する。フレームを書き込んだ後、行電位は零に、そして列電位は＋５又は−５ボルトのいずれかにとどまることができ、ディスプレイは、その後、図５Ａの配列で安定する。同じ手順が数十から数百の行及び列のアレイに対して採用することが可能であることが認識されるであろう。しかも、行及び列アクチュエーションを実行するために使用された電圧のタイミング、シーケンス、及びレベルが、上記に概要を示された一般的な原理の中で広範に変形でき、上記の例は、典型的な例にすぎず、任意のアクチュエーション電圧方法が、ここで記載されたシステム及び方法とともに使用可能であることが認識されるであろう。

図１８Ａ及び図１８Ｂは、ディスプレイ装置４０の実施形態を説明するシステムブロック図である。ディスプレイ装置４０は、例えば、携帯電話又は移動電話でありうる。しかしながら、ディスプレイ装置４０の同じ構成要素又はそのわずかな変形も、例えばテレビ及び携帯型メディアプレーヤのような種々のタイプのディスプレイ装置を示している。

ディスプレイ装置４０は、ハウジング４１、ディスプレイ３０、アンテナ４３、スピーカ４４、入力装置４８、及びマイクロフォン４６を含む。ハウジング４１は、一般に当業者に周知の各種の製造技術のいずれかから形成され、射出成型、及び真空形成を含む。更にハウジング４１は、限定される訳ではないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、及びセラミックス、又はこれらの組み合わせを含む種々の材料から形成することができる。一つの実施例では、ハウジング４１は、取り外し可能部分（図示せず）を含む。この部分は、異なる色からなるか、又は異なるロゴ、絵柄、又はシンボルを含む別の取り外し可能部品と交換することができる。

典型的なディスプレイ装置４０のディスプレイ３０は、ここに説明されたように、バイステイブルディスプレイを含む種々のディスプレイのうちの何れかでありうる。その他の実施例では、当該技術分野における熟練者に対して周知であるように、ディスプレイ３０は、上記に説明したように、例えばプラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ ＬＣＤ、又はＴＦＴ ＬＣＤのようなフラットパネルディスプレイ、若しくはＣＲＴ又はその他の真空管装置のような、非フラットパネルディスプレイを含む。しかしながら、本実施例を説明する目的のために、ディスプレイ３０は、ここに説明されたように、干渉変調器ディスプレイを含む。

典型的なディスプレイ装置４０の１つの実施例の構成要素が、図１８Ｂに模式的に図示される。図示された典型的なディスプレイ装置４０は、ハウジング４１を含み、その中に、少なくとも部分的に閉じ込められた付加的な構成要素を含むことができる。例えば、１つの実施例では、典型的なディスプレイ装置４０は、トランシーバ４７に接続されたアンテナ４３を含むネットワークインターフェース２７を含む。トランシーバ４７は、プロセッサ２１に接続され、プロセッサ２１は調整ハードウェア５２に接続される。調整ハードウェア５２は、信号を調整する（例えば、信号をフィルタする）ように構成されうる。調整ハードウェア５２は、スピーカ４５及びマイクロフォン４６に接続される。プロセッサ２１は、入力装置４８及びドライバコントローラ２９にも接続される。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８、及びアレイドライバ２２に接続される。また、アレイドライバ２２は、ディスプレイアレイ３０にも接続されている。電源５０は、特定の典型的なディスプレイ装置４０設計によって必要とされるような全ての構成要素に電力を供給する。

ネットワークインターフェース２７は、アンテナ４３及びトランシーバ４７を含んでいる。これによって、典型的なディスプレイ装置４０は、ネットワークを介して１又は複数の装置と通信することができる。１つの実施例では、ネットワークインターフェース２７は、プロセッサ２１の要求を軽減させるためにある処理能力を持つことができる。アンテナ４３は、信号を送受信するために当該技術分野における熟練者に公知の何れかのアンテナである。１つの実施例では、アンテナは、ＩＥＥＥ８０２．１１（ａ），（ｂ），又は（ｇ）を含む、ＩＥＥＥ８０２．１１規格にしたがってＲＦ信号を送信し、受信する。他の１つの実施例では、アンテナは、ブルートゥース（Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標））規格にしたがってＲＦ信号を送信し、受信する。携帯電話機の場合、アンテナは、ＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳ、又は無線セル電話ネットワーク内で通信するために使用されるその他の公知の信号を受信するように設計される。トランシーバ４７は、アンテナ４３からの受信された信号を前処理する。これによって、信号がプロセッサ２１によって受信され、更に操作されるようになる。またトランシーバ４７は、プロセッサ２１からの受信された信号を処理する。これによって、信号はアンテナ４３を経由して、典型的なディスプレイ装置４０から送信されるようになる。

代替実施例では、トランシーバ４７は、受信機によって置き換えることが可能である。更に別の代替実施例では、ネットワークインターフェース２７は、画像ソースによって置き換えられることができる。画像ソースは、プロセッサ２１に送られるべき画像データを記憶又は生成することができる。例えば、画像ソースは、画像データを含むディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）又はハードディスクドライブであるか、あるいは画像データを生成するソフトウェアモジュールでありうる。

プロセッサ２１は、典型的なディスプレイ装置４０の全体動作を制御する。プロセッサ２１は、ネットワークインターフェース２７又は画像ソースからの圧縮画像データのようなデータを受信し、このデータを、生の画像データ、又は生の画像データに容易に処理できるフォーマットに処理する。プロセッサ２１は、その後、この処理されたデータをドライバコントローラ２９へ、又は記憶するためにフレームバッファ２８へ送る。生のデータは、一般に、画像の中の各位置における画像特性を識別する情報を称する。例えば、そのような画像特性は、色彩、彩度、及びグレースケールレベルを含むことができる。

１つの実施例では、プロセッサ２１は、マイクロコントローラ、ＣＰＵ、若しくは論理ユニットを含み、典型的なディスプレイ装置４０の動作を制御する。調整ハードウェア５２は、スピーカ４５に信号を送信するために、及びマイクロフォン４６から信号を受信するために、一般に増幅器及びフィルタを含む。調整ハードウェア５２は、典型的なディスプレイ装置４０内部のディスクリートな構成要素、若しくは、プロセッサ２１又はその他の構成要素の内部に組み込まれることができる。

ドライバコントローラ２９は、プロセッサ２１により生成された生の画像データをプロセッサ２１から又はフレームバッファ２８から直接的に取得し、アレイドライバ２２への高速送信に適切であるように生の画像データを再フォーマットする。具体的には、ドライバコントローラ２９は、生の画像データを、ラスタ状のフォーマットを有するデータフローに再フォーマットする。これによって、ディスプレイアレイ３０全体をスキャンするための適切な時間順を有するようになる。そして、ドライバコントローラ２９は、フォーマットされた情報をアレイドライバ２２へ送る。ＬＣＤコントローラのようなドライバコントローラ２９が、スタンドアローンの集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２１にしばしば関連付けられるが、そのようなコントローラは、多くの方法で実現することができる。これらは、ハードウェアとしてプロセッサ２１に搭載されたり、ソフトウェアとしてプロセッサ２１に組み込まれたり、あるいはアレイドライバ２２を備えたハードウェアに完全に統合されうる。

一般に、アレイドライバ２２は、フォーマットされた情報をドライバコントローラ２９から取得し、ディスプレイのピクセルのｘ−ｙ行列から到来する数百本、ときには数千本の導線に毎秒何回も適用される波形のパラレルセットに、ビデオデータを再フォーマットする。

１つの実施例では、ドライバコントローラ２９、アレイドライバ２２、及びディスプレイアレイ３０は、ここに説明されたいずれのタイプのディスプレイに対しても適切である。例えば、１つの実施例では、ドライバコントローラ２９は、従来型のディスプレイコントローラ又はバイステイブルディスプレイコントローラ（例えば、干渉変調器コントローラ）である。別の実施例では、アレイドライバ２２は、従来型のドライバ又はバイステイブルディスプレイドライバ（例えば、干渉変調器ディスプレイ）である。１つの実施例では、ドライバコントローラ２９は、アレイドライバ２２と統合される。そのような実施例は、例えば携帯電話、時計、及びその他の小面積ディスプレイのような高度に集積されたシステムにおいて一般的である。更に別の実施例では、ディスプレイアレイ３０は、典型的なディスプレイアレイ又はバイステイブルディスプレイアレイ（例えば、干渉変調器のアレイを含んでいるディスプレイ）である。

入力装置４８によって、ユーザは、典型的なディスプレイ装置４０の動作を制御することが可能となる。１つの実施例では、入力装置４８は、クワーティ（ＱＷＥＲＴＹ）キーボード又は電話キーパッドのようなキーパッド、ボタン、スイッチ、接触感応スクリーン、感圧又は感熱膜を含む。１つの実施例では、マイクロフォン４６は、典型的なディスプレイ装置４０のための入力装置である。マイクロフォン４６がこの装置にデータを入力するために使用される時、典型的なディスプレイ装置４０の動作を制御するために、ユーザによって音声命令が与えられる場合がある。

電源５０は、当該技術分野において周知の各種のエネルギー貯蔵装置を含むことができる。例えば、１つの実施例では、電源５０は、例えばニッケル−カドミウム電池又はリチウムイオン電池のような、充電可能な電池である。別の実施例では、電源５０は、キャパシタ、若しくはプラスチック太陽電池、及びソーラーセル塗料を含む太陽電池や、キャパシタ、あるいは再充電可能なエネルギー源である。別の実施例では、電源５０は、壁のコンセントから電力を受け取るように構成される。

いくつかの実施では、上述したように、制御プログラム能力が、電子ディスプレイシステム内の幾つかの位置に配置することができるドライバコントローラ内に常駐する。いくつかの場合では、制御プログラム能力が、アレイドライバ２２内に常駐する。当該技術における熟練者であれば、上述した最適化が、任意の数のハードウェア及び／又はハードウェア構成要素の中に、種々の構成で実施されうることを認識するであろう。

上記に説明された原理にしたがって動作する干渉変調器の構造の詳細は、広範に変形可能である。例えば、図６Ａ乃至図６Ｃは、移動しているミラー構造の３つの異なる実施例を図示している。図６Ａは、図１の実施例の断面であり、金属材料１４のストリップが、直角に延びている支柱１８上に堆積されている。図６Ｂでは、可動反射材料１４は、連結部３２上に、コーナにおいてのみ支柱に取り付けられる。図６Ｃでは、可動反射材料１４は、変形可能な層３４から吊り下げられている。反射材料１４に使用される構造的な設計及び材料が光学特性に関して最適化されることができ、かつ、変形可能な層３４に使用される構造的な設計及び材料が所望の機械特性に関して最適化できるため、この実施例は、利点を有する。種々のタイプの干渉装置の製造は、例えば、米国公開出願２００４／００５１９２９（特許文献１）を含む種々の公開文書に記載されている。多種多様な周知の技術が、一連の材料堆積、パターニング、及びエッチング工程を含む上述された構造を製造するために使用されることができる。

図７は、図６Ｃの変調器素子と同様の構造である干渉変調器素子１１２の一実施形態の断面図である。変調器素子１１２は、透明基板１２０上に形成された光スタック１１６内に固定ミラー層を含む。以下に詳細に説明するように、光スタック１１６は、２つ以上の別個の層を備えてもよい。一実施形態において、光スタック１１６は、クロムからなる層の下にインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）層を備える。別の実施形態においては、光スタック１１６は、前記クロム層の上に配設された酸化物層を備えてもよい。光スタック１１６は、本願明細書において、電極層とも称される。光スタック１１６の何れか一方の側においては、ポスト１１８が基板１２０から上方に伸びており、本願明細書において、変形可能層またはメカニカル層とも称されるフレキシブル層１３４を支持している。フレキシブル層１３４は、導電部材１２４を介して、電気的かつ物理的に可動ミラー層１１４に接続されている。それと共に、干渉キャビティ１１９が、可動ミラー１１４と、光スタック１１６内の固定ミラーとの間に形成されている。

これまでの実施形態に関して説明したように、可動ミラー１１４及び上記固定ミラーの両方への電圧の印加は、可動ミラー１１４を光スタック１１６に近づけるように、層１１４と層１１６との間に静電力を発生させて、フレキシブル層１３４を反らせることになる。前記印加電圧が変化した場合、可動ミラー１１４は、前記電圧の変化により、光スタック１１６に近づきまたは前記スタックから離れることが可能である。フレキシブル層１３４を支持するポスト１１８は、フレキシブル層１３４が反ったときに、曲がらずまたは反らないように十分硬いことが好ましい。

以下に詳細に説明するように、図７のポスト１１８等の支持ポストは、基板１２０上に直接配設しなくてもよい。図７に示してはいないが、支持ポスト１１８は、代わりに、光スタック１１６を形成する１つ以上の層の上面、または、マスキング層の上面に配設してもよい。以下の詳細な説明から明らかなように、前記支持ポストの下にある層の存在は、上記干渉変調器を形成するのに用いられる特定の方法及び材料物質に部分的に依存する。

「支持ポスト」という用語は、本出願に開示した様々な実施形態に関して示しまたは説明した種々のポスト構造だけでなく、フレキシブル層１３４に対する支持を提供するのに適したいかなる構造、または、干渉変調器素子の同様の構成要素も含む。例えば、ある実施形態において、それらの構造は、一方の寸法が他方の寸法よりも実質的に長い壁状構造を含んでいてもよい。別の実施形態においては、２つの交差壁構造が、それらを上から見た場合に、十字を形成するように、単一の支持ポストとして機能してもよい。このような構造によって支持される構成要素間の必要な間隔を形成するそのような代替構造は、上記ディスプレイの機能範囲を有利に増加させる可能性がある。便宜上、支持ポストという用語は、本願明細書において、それらの支持を可能にする構造を指すのに用いている。

図８Ａから図８Ｉは、図７に示したもののような干渉変調器素子１１２の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す。図８Ａから図８Ｉの各々は、干渉変調器素子１１２を形成する際に、追加的な層が堆積され、パターニングされ、エッチングされたときの変化を示す、干渉変調器素子１１２の側断面図である。一実施形態において、干渉変調器素子１１２が上に形成される図７の基板１２０は、ガラス基板２２０を含む。本願明細書に記載した層の各々は、公知のどのような適切な材料物質も含んでいてもよい。図８Ａにおいては、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層２４０とクロム層２４２とをガラス基板２２０上に堆積させることができる。これらの層は、個々の変調器素子のためのアドレス電極を決めるために、その後パターニングされエッチングされる。典型的には、ポストは、前記電極間の開口部２４４内に形成される。次に、図８Ｂに示すように、酸化物からなる層２５０、犠牲材料物質層２５２及びミラーメタル層２５４が層２４２の上に堆積される。図８Ｃに移って、マスク層２５６内にポスト領域２５８を決めるために、マスク層２５６を堆積し、パターニングし、エッチングすることができる。

図８Ｄに進んで、層２５４及び層２５２は、層２５４及び層２５２を貫通して下方の酸化物層２５０まで伸びるホールまたは開口２６０を形成するために、図８Ｃのマスク層２５６を用いてエッチングされ、その後、マスク層２５６は除去される。開口２６０の側面は、図示の実施形態においてはＶ字状に示してあるが、開口２６０の形状は、一実施形態において使用するフォトマスクの詳細、または一実施形態において用いるフォトリソグラフィ及びエッチングプロセスの詳細に基づいて、他の実施形態において変更してもよいことを認識すべきである。次に図８Ｅにおいて、第２の犠牲層２６２が、それらの層の露出部分に堆積される。一実施形態において、犠牲層２５２及び２６２はモリブデンを含む。上述したように、他の実施形態におけるプロセスは、上述した工程を実施するために、公知のいかなる適当な材料物質を使用してもよい。

次いで、図８Ｆにおいて、レジスト層２７２が、上記層の露出部分上に堆積されて、レジスト層２７２内に開口部２７４を決めるためにパターニングされエッチングされる。開口部２７４は、干渉変調器素子１１２の可動ミラー１１４を変形可能膜１３４に物理的及び電気的に結合する導電部材１０８の位置に対応している（図７参照）。図８Ｇに進んで、犠牲層２６２は、導電部材１２４に対応する開口を決めるためにエッチングされる。その後、前記レジスト層は除去され、図７の導電部材１２４及びフレキシブル層１３４を形成するために、メカニカル層２８２が、上記層の露出部分の上に堆積される。

図８Ｈに移って、レジスト層２９２が前記メカニカル層２８２上に堆積され、メカニカル層２８２の他の構造（図示せず）を決めるためにマスクされる。次に、図８Ｉにおいて、干渉変調器素子１１２の光キャビティを決めるため、および可動ミラー１１４を、その下の層から分離すると共に、前記可動ミラーを、導電部材１２４を除いて、その上の層から分離するために、犠牲層２５２及び２６２（図８Ｈ参照）が除去される。一実施形態においては、それらの犠牲層を除去するために、二フッ化キセノン（ｘｅｎｏｎ ｄｅｆｌｏｕｒｉｄｅ）をベースとするプロセスが用いられる。

上述したように、この実施形態におけるポスト１１８は、図７に示すように上記基板上に直接形成されるのではなく、材料物質からなる他の層の上に形成される。この実施形態において、ポスト１１８は、基板２２０の上に直接ではなく、酸化物層２５０の一部の上に形成される。従って、ポスト１１８は、図８Ｈのメカニカル層２８２によって形成される。しかし、（図８Ｄに示すような）ポスト開口２６０を形成すること及び（図８Ｇに示すように）メカニカル層２８２をポスト開口内に形成することは、製造設備の種類を限定する可能性がある精密なプロセス制御及び干渉変調素子１１２を製造するのに用いることができる製造機器を必要とする。

図９Ａから図９Ｅは、反射面が上記フレキシブル層の下面に位置している、干渉変調器の代替実施形態を形成する方法のある工程の断面図である。図９Ａに示すように、ＩＴＯからなる層２４０が基板２２０上に堆積され、クロムからなる層２４２がＩＴＯ層２４０の上に堆積されている。次に、層２４０及び層２４２は、個々の変調器素子のためのアドレス電極を決めるために、パターニングされ、エッチングされる。典型的には、ポストは、前記電極間の開口部２４４内に形成される。代替の実施形態においては、層２４０及び層２４２は、アドレス電極を形成するが、前記ポストの位置の材料物質は残すようにエッチングされ、その結果、前記ポストは、この残った材料物質の上に重なることになる。図９Ｂにおいては、酸化物層からなる層２５０が、クロム層２４２の上面に堆積され、犠牲材料物質からなる層２５２が酸化物層２５０の上に堆積されていることが分かる。

図９Ｃにおいては、開口部３５８を形成するために、マスク層３５６が堆積されてパターニングされていることが分かる。次に図９Ｄに示すように、犠牲層２５２が、犠牲層２５２内にホールまたは開口３６０を形成するために、マスク層３５６をガイドとして用いてエッチングされる。この時点で、マスク層３５６は除去される。そして、メカニカル層３８２が前記犠牲層の上に、およびホール３６０の縁部に沿って堆積され、上記変形可能層及び支持ポスト構造の両方が形成される。いくつかの実施形態においては、このメカニカル層３８２は、反射性材料物質で形成することができ、その結果、層３８２自体は、可動反射層として作用することになる。代替の実施形態においては、反射層（図示せず）を、メカニカル層３８２の堆積の前に、犠牲層２５２上に堆積してもよく、その結果、メカニカル層３８２が、前記反射層の上面に堆積される。メカニカル層３８２は、その後、様々な形状構成を形成するために、パターニングされ、エッチングされる（図示せず）。次いで、図９Ｅに示すように、犠牲材料物質からなる層２５２を除去するために、リリースエッチングが行われ、干渉キャビティ３１９が形成される。従って、変形可能層３８２の下面が可動反射面として作用する干渉変調器３１２が形成される。

図１０Ａから図１０Ｇは、図７に示すような干渉変調器素子１１２の一実施形態を形成する方法の他の実施形態のある工程を示す断面図である。この実施形態において、前記方法は、図８Ａから図８Ｅに示す工程を含む。図１０Ａに示すように、図８Ｅに示す工程に続いて、開口部２７４及びポスト開口２６０を決めるために、レジスト層２７２が犠牲層２６２上に堆積されて、パターニングされ、エッチングされる。開口部２７４は、導電部材１２４の位置を決め、ポスト開口２６０は、ポスト１１８の位置を決める。次に、図１０Ｂに示すように、犠牲層２５２及び２６２は、導電部材１２４のための開口２７６及び支持ポスト１１８のための開口２６０を決めるために、レジスト層２７２をマスクとして用いてエッチングされる。

図１０Ｃに進んで、平坦化層２９４が、上記層の露出部分上に堆積される。平坦化層２９４は、有機またはポリマー材料物質、あるいは、当該技術分野で公知の他の適切な感光パターニング可能な材料物質で形成することができる。一実施形態において、平坦化層２９４は、フォトレジスト材料物質で形成される。他の実施形態においては、平坦化層２９４は、スピンオングラス等のスピンオン材料物質で形成することができる。図１０Ｄに示すように、平坦化層２９４は、ポスト１１８の形にパターニングされ、エッチングされる。次いで、図１０Ｅに示すように、図１０Ｄの平坦化層２９４は、以下により詳細に説明するように、剛性を増すために硬化される。その結果、前記硬化された平坦材料物質は、前記材料物質がもともとそれから形成されるレジスト材料物質と比較して、強度が向上し、かつ他の物理特性が改善される。それらの改善された特性は、前記硬化された材料物質から形成されたポスト１１８が、図７のフレキシブル層１３４等のフレキシブル層に対して、改善された支持を実現できるようにする。前記平坦材料物質がフォトレジスト材料物質である一実施形態において、前記平坦材料物質は、前記フォトレジスト材料物質をしっかりと架橋しかつ硬化するために、高温にさらすことによって硬化することができる。メカニカル層２８２は、好ましくは、ポスト１１８及び犠牲層２６２の上に堆積される。

図１０Ｆに移って、メカニカル層２８２の他の構造（図示せず）を決めるために、レジスト層２９２が堆積されてマスクされる。次に、図１０Ｇに示すように、干渉変調器素子１１２の光キャビティを決めるため、および可動ミラー１１４を、前記ミラーの上に配設されたメカニカル層１３４から、および前記ミラーの下に配設された光スタック１１６から分離するために、犠牲層２５２及び２６２が除去される。この実施形態においては、上記平坦化材料物質がポスト１１８を形成する。前記平坦化材料物質は、一般に、干渉ディスプレイの寿命の終わりまで、支持ポストとして機能するのに十分な強度を有しているが、前記平坦化材料物質が、完全に硬化しない可能性があるため、特定の変調器によって反射される色のわずかなずれが、長い間に発生する可能性もある。従って、反射波長においてかなりの精度が必要とされる用途の場合、平坦化材料物質から形成された支持ポストは、好ましくない可能性がある。加えて、硬化プロセスは、一般に、他の層、例えば、上記ＩＴＯ層を望ましくなく高温にさらしてしまう。

図７の変調器素子１１２等の、支持ポスト１１８を備える干渉変調器素子１１２のある実施形態において、前記変調器素子構造は、できる限り単一の面でフレキシブル層１３４を支持するように設計される。全ての実施形態において、フレキシブル層１３４の位置は、前記フレキシブル層を実質的に平坦な位置の方へ引っ張る、前記フレキシブル層内の残留引っ張り応力に依存する。それらの残留引っ張り力の存在及び大きさは、制御することができ、かつ上記材料物質及び前記材料物質が堆積される温度や堆積速度等の堆積プロセスのパラメータ等の要因に依存する。それらの残留引っ張り力の効果を図１０Ｇに示し、前記フレキシブル層の付着していない部分は、実質的に平坦である。しかし、図１０Ｇにおいては、図１０Ａから図１０Ｇのプロセスの結果によって形成されるフレキシブル層１３４が、単一の平面内に存在していないことも分かる。メカニカル層２８２の形状は、むしろポスト１１８の湾曲した上方面に影響を受けている。また、メカニカル層１３４の下にある支持ポスト１１８の厚さが、支持ポスト１１８の縁１１９に沿って非常に狭くなっていることも分かる。

上記残留引っ張り力は、フレキシブル層１３４を引っ張って、完全な平坦に近づく方向へ戻すが、フレキシブル層１３４は、フレキシブル層１３４の一部の、上記支持ポストの湾曲した上面への付着により、完全な平坦位置へ戻るのを阻止される。それに伴って、ポスト１１８は、フレキシブル層１３４に対して拘束力を作用させなければならない。前記支持ポストの頂部１１９においてフレキシブル層１３４の下にある領域内の支持ポスト１１８の薄さにより、頂部１１９には、物理的欠陥が生じる可能性がある。この欠陥は、層１３４と、支持ポスト１１８の上面との間の部分的な層間剥離の形で生じる可能性があり、このことは、層１３４を、光スタック１１６内の固定ミラーから更に離れて移動させ、それによって上記キャビティの干渉特性に影響を及ぼす可能性がある。同様に、動作範囲の増加は、支持ポスト１１８の頂部１１９内での１つ以上の破断をもたらす可能性があり、このことは、フレキシブル層１３４を更に上方へ動かすことを可能にする。このような機械的欠陥が生じる場合、このわずかな機械的欠陥は、上記干渉変調器素子の有用な寿命に達する時期まで生じない可能性があり、また、前記変調器素子の反射波長の容易に感知できるずれを生じない可能性がある。従って、多くの用途の場合、わずかに湾曲しているフレキシブル層１３４が適当である。しかし、この同じ湾曲は、上記ポストの縁の脆弱性を増してしまうため、長期にわたると、部分的に湾曲したメカニカル層は、好ましくない可能性がある。

ポスト１１８を形成するプロセスは、好ましくは、高温または他の極端な条件は必要としないが、ポスト１１８には、追加的な剛性を必要とする変調器素子１１２の実施形態を満足させるのに十分な剛性を提供する。また、このプロセスは、実質的に平坦な上面を有する支持ポストを有利に用いてもよく、かつメカニカル層の堆積のために実質的な平坦面を形成する平坦化層を用いてもよい。図１１Ａから図１１Ｋは、基板１２０上にポスト事前構造を形成する工程を含む、図７に示すような干渉変調器素子１１２の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す。一実施形態において、図７の基板１２０は、図１１Ａのガラス基板２２０を含む。図１１Ａは、干渉変調器素子１１２を形成する方法における初期の工程を示し、スピンオングラス（ＳＯＧ）層４０２がガラス基板２２０上に堆積され、レジスト層４０４がＳＯＧ層４０２上に堆積される。他の実施形態においては、層４０２は、物理気相成長（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＶＤ）、化学蒸着法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）、プラズマ化学蒸着法（ｐｌａｓｍａ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＣＶＤ）、または公知の他の適当なプロセスを実行することによる等の他の堆積技術を用いて形成してもよい。

ある実施形態においては、マスキング層（図示せず）を基板２２０上に堆積し、ポスト１１８を形成することになる層４０２の堆積の前に、パターニングし、エッチングしてもよい。好ましくは、このマスキング層は、干渉変調器１１２が一旦形成されると、前記マスキング層が、支持ポスト１１８の下のみに存在するように、パターニング及びエッチングされる。前記マスキング層は、光が、非機能領域内の干渉変調素子に入るのを防ぐ。そのような迷光の結果として生じる好ましくない反射は、干渉変調器をベースとするディスプレイの画像品質に有害な影響を与える可能性がある。

他の実施形態（図示せず）においては、図１１Ｂのポスト１１８のような予め形成された支持ポストを、図１１Ｂのスピンオングラスポストとは別の異なる材料物質で、または、異なる位置に形成してもよい。例えば、シリコン酸化物、他の酸化物材料物質またはメタルを備える予め形成されたポストは、透明基板上に、物理気相成長（ＰＶＤ）によって、酸化物からなる層を堆積させた後、前記酸化物からなる層をパターニングし、エッチングして支持ポストを形成することにより形成することができる。別の実施形態においては、支持ポスト、特に、スピンオングラスほどの高温でのアニールを必要としない材料物質で形成された支持ポストは、ある他の層が堆積された後に形成することができる。一実施形態においては、酸化物、メタル、平坦化材料物質または他の適当な材料物質で形成された支持ポストは、上記ＩＴＯ及びクロム層が上記基板上に堆積された後に形成される。上記電極層の上に支持ポスト、特に、反射性材料物質で形成された支持ポストを配置することは、上述したように、前記ポストの反射性の下面を観察者から隠すマスキング層の必要性を有利に低減または排除する。

図１１Ｂに示すように、レジスト層４０４は、パターニングされ、現像されて、エッチングプロセスが、図１１ＡのＳＯＧ層４０２からポスト構造１１８を形成することを可能にするマスクを生成する。一実施形態において、ポスト構造１１８は、少なくとも２つのポストを含む。前記レジスト層の残った部分は、前記ポスト構造の上面にポストマスク４０４を形成する。一実施形態において、マスク層４０４は、マサチューセッツ州ニュートンのマイクロケム社によって製造されているリフトオフレジスト材料物質等のリフトオフレジストとすることができる。このようにして、ＳＯＧ層４０２は、基板２２０上にポスト事前構造を形成する。次に、図１１Ｃにおいて、ＩＴＯ層２４０及びクロム層２４２がガラス基板２２０上に堆積された後、パターニングされ、エッチングされて、図７の光スタック１１６の部分が形成される。従って、この実施形態においては、ＩＴＯ２４０及びクロム層２４２の前に、図１０Ａの硬いガラス層４０２が施され、他のいかなる層も、一般的に、ＩＴＯ層２４０内にあるような材料物質にダメージを与える傾向がある高温プロセスにさらすことを要することなく、硬いポスト１１８を形成できる。

次いで、図１１Ｄに示すように、酸化物層２５０、犠牲層２５２及びミラーメタル層２５４が、これまでの層の露出部分上に堆積される。これらの層も、ポストマスク４０４上に堆積することができることに注意する。ポスト１１８が配置された状態で、酸化物層２５０等の後に続く層は、典型的には、ポスト１１８によって遮断（ｓｈａｄｏｗｅｄ）される。この遮断により、酸化物２５０は、前記ポストに対して先細りになる。この先細りはそれほど激しくはないため、前記酸化物は、下にあるＩＴＯ２４０及びクロム２４２の層をカバーすることに失敗せず、また、それほど広範囲ではないため、通常、前記ポストと前記ミラーとの間に存在する最少特徴寸法間隙を越えて拡がらない。従って、前記遮断効果は、上記変調器の光学性能またはパーセントアクティブ領域に影響を及ぼさない。

次に、図１１Ｅにおいて、ミラーメタル層２５４が、ポスト１１８から離れてパターニングされ、エッチングされて、ポスト１１８とミラー層２５４との間にギャップ４６０が定められる。図１１Ｆに移って、別の犠牲層４６２が、これまでの層の露出した部分の上に堆積される。一実施形態において、犠牲層２５２及び４６２は、モリブデンである。

図１１Ｇに進んで、ポストマスク４０４、および前記マスク上に堆積されている残留層が、公知の技術を用いて除去される。一実施形態においては、リフトオフレジスト除去技術が用いられる。この場合レジスト層４７２である平坦化材料物質は、これまでの層の露出部分上に堆積されて、パターニングされ、エッチングされて、キャビティ４７４が定められる。犠牲層４６２は、エッチングされて、更にキャビティ４７４を定める。キャビティ４７４は、フレキシブル層１３４とミラー１１４との間に及ぶ導電性接続部１２４（図７参照）の形を定める。

次いで、図１１Ｈにおいて、ポスト１１８の上面、残っているレジスト４７２及び犠牲層４６２が、実質的に平坦な面を定めるように、エッチバック平坦化が実行されて、レジスト層４７２が犠牲層４６２までエッチバックされる。次に、図１１Ｉにおいて、メカニカル層４９２が、この実質的に平坦な面上に堆積される。また、メカニカル層４９２は、キャビティ４７４も埋めて、導電性接続部１２４を形成する。この時点で、パターン及びエッチング工程は、メカニカル層４９２上で実行される。

図１１Ｊに移って、残っているレジスト層４７２は、例えば、バレル型エッチング装置またはプラズマエッチング装置等のアッシャを使用して、レジスト層４７２を酸化し、キャビティ４７６を形成することによって除去される。次に、図１１Ｋに示すように、前記犠牲層が除去される。一実施形態においては、犠牲層２５２及び４６２を除去するために、二フッ化キセノンが使用される。このように、可動ミラー１１４及び偏向可能膜１３４は、変調器素子１１２の固定部材から分離される。上記実施形態は、他の処理工程を含んでもよいことを認識すべきである。例えば、メカニカル層４９２における他の形状構成は、この層のパターニング及びエッチングの間に形成することができる。

上記ポストの材料物質は、図１１Ａ及び図１１Ｂを見て分かるように、後にエッチングされて支持ポスト１１８を形成する層４０２として堆積させることができるため、他の材料物質が前記基板上に堆積された後に、前記ポストが形成される場合よりも大きな制御を、ポスト１１８の上面の形状に関して行うことができる。従って、前記支持ポストの上面に沿って実質的に平坦であるフレキシブル層を形成することができ、かつ前記ポストを、後のプロセスで堆積することができる材料物質よりもより強度のある材料物質で形成することができる。

また、上記メカニカル層を形成する前に、上述した平坦な支持ポストと共に、（図１１Ｈに示すような）実質的に平坦な面を形成するエッチバック平坦化プロセスを用いることは、実質的に平坦なメカニカル層の前記面上での形成を可能にする。前記メカニカル層は、特に、キャビティ４７４内への前記メカニカル層の堆積により、完全に平坦である必要はないことは理解されるであろう。しかし、このメカニカル層の堆積によって生じる実質的に平坦なフレキシブル層は、図１０Ｇの実施形態よりも、上述したタイプの機械的欠陥をうけることがはるかに少ない。

フレキシブル層１３４は、層１３４の全体が実質的に平坦である状態で形成され、かつ前記状態にとどまる傾向があるため、残留引っ張り力は、フレキシブル層１３４のすでに許容されている動きよりも更に上方への動きを可能にする機械的欠陥の一因になることはない。具体的には、フレキシブル層１３４が非作動状態にある場合、前記残留引っ張り力は、支持ポスト１１８の上面と平行な方向に引っ張るため、フレキシブル層１３４と支持ポスト１１８との間の層間剥離のリスクは、前記面が、前記引っ張り力と平行ではない方向に向いている場合よりも非常に少なくなる。同様に、図１１Ｋの支持ポスト１１８は、図１０Ｇの縁１１９のような薄い縁部を有していないため、前記ポスト材料物質の破断のリスクは、前記支持ポストがそのような縁を有している場合よりもかなり少ない。また、前記残留応力は、前記フレキシブル層を、実質的に平坦な位置の方へ引っ張るため、他の理由によって、どのような層間剥離または破断が生じても、前記材料物質における残留引っ張り応力は、前記フレキシブル層の、図１１Ｋに示したものよりも更に上方への動きをもたらさない。

図１２Ａから図１２Ｅは、基板１２０上にポスト事前構造を形成する工程を含む、図７に示すような干渉変調器素子１１２の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。この実施形態は、図１１Ａから図１１Ｅに示す工程を含む。しかしながら、図１２Ａに示すように、図１１Ｅに関して説明した工程で行われるように、ミラーメタル層２５４上及び他の層の露出部分上に第２の犠牲層４６２を堆積するのではなく、残留層は、この実施形態において、レジスト層５０２であり、図１１Ｆの第２の犠牲層４６２の定位置に堆積される、ポスト１１８及び平坦化材料物質の上面から除去される。レジスト層５０２は、パターニングされ、エッチングされて、導電体１２４をその中に形成することができる領域４７４が定められる。次に、図１２Ｂに示すように、レジスト層５０２及びポスト１１８が、実質的に平坦な面を定めるように、エッチバック平坦化が、前記レジスト層５０２に対して実行される。図１２Ｃに示すように、メカニカル層４９２が、図１１Ｉに示した実施形態と同じように堆積される。メカニカル層４９２は、後にパターニングされ、エッチングされる。

次いで、図１２Ｄに示すように、（図１２Ｃに示す）レジスト層５０２を酸化除去して開口領域４７６を定めるために、アッシャが用いられる。この実施形態においては、領域４７６は、図１１Ｉの犠牲層４６２によって占められている容積も含むため、領域４７６は、図１１Ｉに示す実施形態における前記領域よりも大きい。次に、図１２Ｅに示すように、図１１Ｄの犠牲層２５２が除去されて、干渉変調器素子１１２が定められる。

従って、図１２Ａから図１２Ｅに示す実施形態は、好ましくは、図１０Ａから図１０Ｋに示す実施形態と比較して、プロセス工程の総数を低減するように、導電体１２４のための開口部４７４をパターニングするために、第２の犠牲層４６２としても用いられるフォトレジスト層５０２を用いる。平坦化材料物質は、上方の犠牲層を形成するために用いられるので、エッチバック平坦化を実行することができ、図１１Ｋに関して説明したように、長い間に、干渉特性の変化を受けることが少ない変調器素子の形成を可能にする。

代替の実施形態においては、図１３Ａから図１３Ｆに示すように、予め形成されたポスト１１８は、図６Ａの変調器と同様の干渉変調器を形成する、図９Ｇの層３８２等のメカニカル層及び反射層を兼ねる層を支持するのに用いることができる。一実施形態において、このような実施形態を製造する方法は、図１１Ａから図１１Ｃの工程を含む。それらの工程に続いて、図１３Ａに示すように、酸化物層２５０が、クロム層２４２の上に堆積され、犠牲材料物質からなる層２５２が、酸化物層２５０の上に堆積される。

図１３Ｂにおいては、支持ポスト１１８の上に重なっているすでに堆積されている層の残留物が、前記ポストの上面から除去され、レジスト層５１２が犠牲層２５２の上に堆積されることが見て分かる。次に、図１３Ｃにおいて、残ったレジスト層５１２及び支持ポスト１１８が、実質的に平坦な面を定めるように、レジスト層５１２に対してエッチバック平坦化が実行される。

図１３Ｄを見て分かるように、その後、メカニカル層４９２が、レジスト層５１２及び支持ポスト１１８によって形成された実質的に平坦な面の上に堆積される。いくつかの実施形態においては、このメカニカル層４９２は、反射性材料物質で形成してもよく、その結果、前記層自体は、可動反射層として作用することになる。代替の実施形態においては、反射層（図示せず）は、メカニカル層４９２の堆積前に、レジスト層５１２上に堆積してもよく、その結果、メカニカル層４９２は、前記反射層の上面に堆積される。そして、メカニカル層４９２は、パターニングされ、エッチングされて、種々の形状構成（図示せず）が形成される。

図１３Ｅにおいては、（図１３Ｄに示す）レジスト層５１２を酸化除去して、開口領域４７６を定めるために、アッシャが用いられる。次いで、犠牲材料物質からなる層２５２を除去するためにリリースエッチングを実行して、図１３Ｆを見て分かるように、干渉キャビティ５１９を形成する。こうして、変形可能層４９２の下面が可動反射面として作用する干渉変調器５１２が形成される。図１１Ｋの干渉変調器１１２と同様に、変形可能層４９２内のどのような残留引っ張り力も、上述したタイプの機械的損傷を引き起こそうとする傾向はないが、その代わりに、変形可能層４９２を、図１３Ｆに示す位置に戻すように付勢する。

別の実施形態においては、ポスト１１８に対して更なる剛性を提供するために、及び／又は上記メカニカル層及び他の形状構成のための多くの表面積を与えるために、追加の層または構造を前記ポスト１１８の上に形成することができる。一実施形態において、ポストの上にキャップ構造を形成する方法は、図１１Ａから図１１Ｉの工程を含み、上述したように、スピンオングラス等の材料物質を備える予め形成された支持ポストが形成され、実質的に平坦な面を形成するために、平坦化層が用いられ、メカニカル層が前記実質的に平坦な面の上に堆積され、エッチングされて、種々の形状構成（図示せず）が形成される。

次に、図１４Ａにおいて、絶縁材料物質からなる層７４０が、メカニカル層４９２の上に堆積される。次いで、図示する実施形態において、硬い材料物質からなる層７５０が絶縁層７４０の上に堆積される。しかし、以下に更に詳細に説明するように、ある実施形態において、絶縁材料物質からなる層７４０が十分に厚い及び／又は硬い場合には、前記硬い材料物質からなる層は、必要ではない。絶縁材料物質からなる層７４０は、一実施形態においては、シリコン酸化物等の酸化物を含んでもよいが、電気絶縁体として作用することができるどのような適当な材料物質も用いることができる。硬い材料物質からなる層７５０は、どのような適当な材料物質であってもよく、パターニングされたメカニカル層４９２と接触した絶縁層７４０の利用は、前記硬い層は、前記メカニカル層と電気的に絶縁されているため、硬い層７５０内での導電性材料物質の使用を可能にする。一実施形態において、硬い層７５０は、メカニカル層４９２に使用されているのと同じ材料物質を含む。一実施形態において、メカニカル層４９２及び硬い層７５０は共に、ニッケルを含む。代替の実施形態において、層４９２及び層７５０の一方または両方は、アルミニウムを含んでいてもよい。しかし、メカニカル層４９２は、たわみを可能にする材料物質で形成され、かつ硬い層７５０に対しては、更なる剛性が好ましいため、異なる材料物質を用いることが好ましい。それらの材料物質からなる十分に厚い層を堆積することは、必要な剛性を提供する可能性があるため、様々な種類の材料物質が硬い層７５０の使用に適している。

図１４Ｂにおいては、絶縁層７４０をエッチストップとして用いて、硬い層７５０がすでにエッチングされていることが見て分かる。次いで、メカニカル層４９２及び下にある犠牲層４６２及びレジスト層４７２の残存物をエッチストップとして用いて、絶縁層７４０自体がエッチングされる。これらのエッチングにより、絶縁層７４０の上に重なっている硬い層７５０を有するキャップ構造７６０が、ポスト１１８の上に形成される。

次に、図１４Ｃを見て分かるように、既に説明したように、例えば、アッシャを用いることにより、レジスト層４７２が除去されて、キャビティ４７４が残される。図１４Ｄにおいて、犠牲層４６２及び犠牲層４５２を除去するために、リリースエッチングが実行され、ミラー層１１４の上のフレキシブル層１３４及び前記ミラー層の下の光スタック１１６から前記ミラー層を分離する。これによって変調器素子７１２が形成される。メカニカル層４９２（図１４Ｃ参照）をポスト１１８の上から完全に除去するために、前記メカニカル層がすでにエッチングされている場合、メカニカル層４９２（図１４Ｃ参照）は、フレキシブル層１３４を形成し、前記フレキシブル層は、キャップ７６０の絶縁された下面からぶらさがっている。このことは、物理的支持のために必要な厚さを、フレキシブル層１３４の種々の形状構成間で必要な電気的絶縁を可能にするために上記ポストの上面において必要とされる表面積よりもかなり小さくすることができるので、非常に薄い支持ポストの形成を可能にする。キャップ７６０は、ミラー１１４上の少なくとも一部に及んでいるため、電気的絶縁に必要な表面積は、変調器素子７１２の機能領域の量に不利な影響を及ぼさない。代替の実施形態においては、上述したように、絶縁材料物質が、フレキシブル層１３４を支持するのに十分な厚さまたは剛性を有している場合には、キャップ７６０は、単に絶縁材料物質７４０で形成することができる。

別の実施形態においては、上記予め形成された支持ポストは、ポスト１１８の上面を、前記ポストの下に配設された素子と導通させて配置することができるように、導電性材料物質からなる柱を備えてもよい。このような状態においては、絶縁層７４０の堆積時に、パターニングされたメカニカル層４９２を露出させることなく、ポスト１１８内の導電性材料物質を露出させるように、絶縁層７４０を前記支持ポスト上でエッチングすることができる。硬い材料物質からなる層７５０が絶縁層７４０の上に堆積され、前記絶縁層内の上記キャビティが充填され、かつ硬い材料物質７５０が導電性である場合には、結果として生じるキャップ７６０と、ポスト１１８の下にある素子との間で、電気的接続を形成することができる。

上に重なる支持材料物質は、この出願で説明した他のタイプの支持ポストの上に形成することができる。例えば、上に重なるキャップ構造を形成する方法は、図１０Ａから図１０Ｆに示す工程を含む。しかし、図１５の実施形態においては、メカニカル層２８２がエッチングされ、かつレジスト層２９２（図１０Ｆ参照）が除去された後に、図１５Ａを見て分かるように、絶縁材料物質からなる層７４０が、パターニングされたメカニカル層２８２の上に堆積された後、硬い支持材料物質からなる層７５０が絶縁層７４０の上に堆積される。

図１５Ｂに移ると、絶縁層７４０をエッチストップとして用いて、硬い支持層７５０をエッチングすることにより、キャップ構造７６０が形成されていることが見て分かる。そして、絶縁層７４０が、下にあるメカニカル層２８２及び犠牲層２６２をエッチストップとして用いてエッチングされている。

次に、図１５Ｃにおいては、上述したように、犠牲材料物質２５２及び２６２をエッチングして、ミラー１１４をリリースすることにより、干渉変調器素子７１２が形成されることが見て分かる。こうして、干渉変調器素子７１２は、平坦化材料物質で形成されたポスト１１８と、フレキシブル層１３４のための追加的なサポートを実現できる上に重なるキャップ７６０とを備える。代替の実施形態においては、メカニカル層２８２は、ポスト１１８の湾曲した上面の上に重なる前記メカニカル層を完全に除去するために、エッチングすることができる。そして、キャップ７６０は、ポスト１１８の縁部を十分に越えて拡がって、フレキシブル層１３４を支持することができる。

図８Ｉの支持ポスト１１８等の支持ポストのための更なるサポートを可能にする他の方法は、図８Ａから図８Ｈの工程を含む。図８Ｈ及び図８Ｉに関して説明したように、メカニカル層２８２が一旦、パターニングされ、かつレジスト層２９２（図８Ｈ参照）が除去されると、図１６Ａに示すように、絶縁層７４０及び支持層７５０が、パターニングされたメカニカル層２８２の上に堆積される。次いで、図１６Ｂにおいて、硬い支持層７５０がまずエッチングされ、それに続いて絶縁層７４０がエッチングされ、追加的な支持材料物質からなるキャップ構造７６０が形成される。図１６Ｃにおいては、上述したように、リリースエッチングを実行し、犠牲層２６２及び２５２を除去し、ミラー１１４をリリースすることにより、干渉変調器７１２が形成される。

キャップ構造を形成する別の方法は、それ自体の自立構造で立っている支持ポスト６５２（図１７Ｆ参照）を備える干渉変調器を形成することを含む。この方法は、図８Ａから図８Ｅのプロセスを含む。それらのプロセスに続いて、図１７Ａにおいては、レジスト層６４０が犠牲層２６２の上に堆積される。しかし、図８Ｆのレジストマスク２７２とは違って、図１７Ａのレジストマスク６４０は、エッチングする開口部２７４を有する必要はない。むしろ、レジストマスク６４０は、レジストマスク６４０によって露出される犠牲層２６２の一部をエッチングするために、ポストホール２６０内に開口部を設けることのみを必要とする。

図１７Ｂにおいては、犠牲層２６２をエッチングして、図１７Ａのポストホール２６０の下にある酸化物層２５０を露出させるために、上記レジストマスクが用いられていることが見て分かる。次に、支持ポスト材料物質からなる層６５０が堆積される。この実施形態においては、前記支持ポスト材料物質は非平坦化され、それに伴って、前記堆積層は、下にある層の形状に一致し、前記ポストホール２６０の全体を充填するのではなく、ポストホール２６０の一部を充填せずに残す。いくつかの実施形態においては、支持ポスト材料物質からなる層６５０は、メカニカル層として用いるのに適した材料物質を含んでいてもよいが、支持ポスト材料物質の選択は、そのように限定する必要はないことが理解されよう。支持ポスト材料物質６５０は、有利には、どちらかといえば、メカニカル層の材料物質中に好ましくは、柔軟性よりもかなりの剛性を有する材料物質である。また、支持ポスト材料物質６５０は、好ましくは、犠牲層２６２に対して選択的にエッチング可能である。

図１７Ｃにおいては、支持ポスト材料物質６５０がすでにパターニングされてエッチングされ、その結果、ポストホール２６０（図１７Ａ参照）の近傍を越えるいくらかの支持ポスト材料物質が除去されていて、支持ポスト６５２が残っていることが見て分かる。一実施形態においては、これらの支持ポストは、中心軸に関して概ね対称的であり、それに伴って、前記中心に関して実質的に円錐形状であり、幅広の実質的に平坦な外縁領域を有している。他の実施形態においては、前記支持ポストは、一方の方向が他の方向よりも広くてもよく、かつそれに伴って実施的にくさび形状であってもよい。

次に、図１７Ｄにおいては、絶縁材料物質からなる層８４０が、支持ポスト６５２、および下にある露出した犠牲層２６２の上に堆積される。次いで、犠牲材料物質２６２の上に重なるいくらかの絶縁材料物質８４０を除去するために、絶縁材料物質８４０がパターニングされ、エッチングされ、支持ポスト６５２の周囲の領域内にのみ絶縁材料物質が残される。そして、開口部８７４が前記犠牲層内でエッチングされ、下にあるミラー層２５４が露出される。図１７Ｅにおいては、メカニカル層８６０が堆積され、その結果、前記メカニカル層が、絶縁材料物質８４０の上に重なり、開口部８７４を充填していることが見て分かる。そして、メカニカル層８６０は、パターニングされ、エッチングされて、形状構成（図示せず）が形成される。

図１７Ｆにおいては、リリースエッチングが実行されて、犠牲材料物質２６２及び２５２が除去されて、上述したように、ミラー１１４が周囲の材料物質から分離されていることが見て分かる。こうして、ポスト６５２の上に設けられて、フレキシブル層１３４のためのサポートを形成する絶縁材料物質８４０から形成されたキャップ構造を有する干渉変調器素子８１２が形成される。図示の実施形態においては、下にある広い支持ポスト６５２が十分な剛性を提供する可能性があるため、追加的な硬い支持層は必要ないであろう。

上記の実施形態における種々の層の順序及びそれらの層を形成する材料物質は、単に例示的なものであることを認識すべきである。例として、図１３Ａから図１３Ｆの方法においては、犠牲層を堆積させる必要はない。この場合、上記平坦化層が犠牲材料物質全体として作用することができ、前記平坦化層は、その後除去されて、上記変形可能な上部層と上記光スタックとの間に上記キャビティを形成する。また、いくつかの実施形態においては、図示しない他の層を堆積させて、処理し、干渉変調器素子１１２の部分を形成し、または、上記基板上に他の構造物を形成してもよい。他の実施形態においては、これらの層は、代替の堆積材料物質を用いて形成してもよく、また、異なる順序で堆積させてもよく、あるいは、公知のまたは上述した特許及び出願に詳細に記載されている異なる材料物質で構成してもよい。

別の例として、上述したキャップ構造は、上記フレキシブル層が上記可動反射層として作用する実施形態において用いることができる。例えば、図１３Ｆに示す実施形態は、前記フレキシブル反射層がそこからぶら下がる前記支持ポストの上部にキャップ構造を含むように変更してもよい。可動層と反射層の組合せを有する他の実施形態は、追加的なサポート、改良された機械的特性及び上記ディスプレイ内の増加した機能領域をもたらすように同様に変更してもよい。

また、実施形態により、本願明細書に記載したどの方法の動作または事象も、具体的かつ明確に他の方法で記述されていない限り、他の順序で実行することができ、かつ追加し、併合し、または、全て省いてもよい（例えば、全ての動作または事象が、上記方法の実施にとって必要なわけではない）。

様々な実施形態に適用するように、詳細な説明を示し、記載し、かつ本発明の新規な特徴を指摘してきたが、説明した上記デバイスまたはプロセスの構成及び詳細における様々な省略、置換え及び変更が、本発明の趣旨から逸脱することなく、当業者によって実行できることが理解されよう。認識されるように、本発明は、いくつかの特徴を、他の特徴とは分離して用いまたは実施することができるので、本願明細書に記載した特徴及び利益の全てを実現できないかたちで実施してもよい。

図１は、第１の干渉変調器の可動反射層が解放位置にあり、かつ第２の干渉変調器の可動反射層が作動位置にある、干渉変調器ディスプレイの一実施形態の一部を示す等角図である。 図２は、３×３干渉変調器ディスプレイを組み込んでいる電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。 図３は、図１の干渉変調器の１つの例示的な実施形態の場合の可動ミラー位置対印加電圧の図である。 図４は、干渉変調器ディスプレイを駆動するのに用いることができる行及び列電圧のセットの図である。 図５Ａは、図２の３×３干渉変調器ディスプレイにおける表示データの１つの例示的なフレームを示す図である。 図５Ｂは、図５Ａのフレームを書き込むのに用いることができる行及び列信号のための１つの例示的なタイミング図である。 図６Ａは、図１のデバイスの断面図である。 図６Ｂは、干渉変調器の代替の実施形態の断面図である。 図６Ｃは、干渉変調器の別の代替の実施形態の断面図である。 図７は、図６Ｃの干渉変調器と同様の干渉変調器体の実施形態の断面図である。 図８Ａは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図８Ｂは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図８Ｃは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図８Ｄは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図８Ｅは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図８Ｆは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図８Ｇは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図８Ｈは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図８Ｉは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図９Ａは、変形可能層が可動ミラーとして作用する干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図９Ｂは、変形可能層が可動ミラーとして作用する干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図９Ｃは、変形可能層が可動ミラーとして作用する干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図９Ｄは、変形可能層が可動ミラーとして作用する干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図９Ｅは、変形可能層が可動ミラーとして作用する干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１０Ａは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１０Ｂは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１０Ｃは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１０Ｄは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１０Ｅは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１０Ｆは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１０Ｇは、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１１Ａは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１１Ｂは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１１Ｃは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１１Ｄは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１１Ｅは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１１Ｆは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１１Ｇは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１１Ｈは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１１Ｉは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１１Ｊは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１１Ｋは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１２Ａは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の他の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１２Ｂは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の他の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１２Ｃは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の他の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１２Ｄは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の他の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１２Ｅは、基板上にポスト前構造を形成するための工程を含む、図７に示すような干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の他の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１３Ａは、図６Ａに示すような、変形可能層が可動ミラーとして作用する、干渉変調器体の別の実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１３Ｂは、図６Ａに示すような、変形可能層が可動ミラーとして作用する、干渉変調器体の別の実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１３Ｃは、図６Ａに示すような、変形可能層が可動ミラーとして作用する、干渉変調器体の別の実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１３Ｄは、図６Ａに示すような、変形可能層が可動ミラーとして作用する、干渉変調器体の別の実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１３Ｅは、図６Ａに示すような、変形可能層が可動ミラーとして作用する、干渉変調器体の別の実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１３Ｆは、図６Ａに示すような、変形可能層が可動ミラーとして作用する、干渉変調器体の別の実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１４Ａは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１４Ｂは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１４Ｃは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１４Ｄは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の一実施形態のある工程を示す断面図である。 図１５Ａは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１５Ｂは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１５Ｃは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１６Ａは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の他の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１６Ｂは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の他の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１６Ｃは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の他の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１７Ａは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１７Ｂは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１７Ｃは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１７Ｄは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１７Ｅは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１７Ｆは、キャップ構造が、支持ポストの上部に配設されている、干渉変調器体の一実施形態を形成する方法の別の実施形態のある工程を示す断面図である。 図１８Ａは、ディスプレイデバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。 図１８Ｂは、ディスプレイデバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。

Claims (104)

1. 干渉装置素子を形成する方法であって、
   基板を設けることと、
   前記基板の上に支持ポスト材料物質からなる層を堆積することと、
   前記支持ポスト材料物質からなる層をパターニングして、少なくとも２つの支持ポストを形成することと、
   前記少なくとも２つの支持ポストの形成後に、前記基板の上に電極を形成することと、
   前記電極層の上に、少なくとも第１の犠牲層を形成することと、
   前記犠牲層の上にメカニカル層を形成することであって、前記メカニカル層は、前記少なくとも２つの支持ポストの各々の一部を覆っていることと
   を備えた方法。
2. 前記支持ポスト材料物質はスピンオングラスを含む請求項１に記載の方法。
3. 前記支持ポスト材料物質は絶縁体を含む請求項１に記載の方法。
4. 前記絶縁体はシリコン酸化物を含む請求項３に記載の方法。
5. 前記支持ポスト材料物質は金属を含む請求項１に記載の方法。
6. 前記支持ポスト材料物質からなる層は平坦化材料物質を含む請求項１に記載の方法。
7. 前記メカニカル層は反射面を含む請求項１に記載の方法。
8. 前記電極層の上にミラー層を形成することと、
   前記ミラー層をパターニングして、ミラーを形成することと
   を更に備えた請求項１に記載の方法。
9. 前記ミラーの上に、犠牲材料物質からなる第２の層を堆積することと、
   前記犠牲材料物質からなる第２の層をパターニングし、前記犠牲材料物質からなる第２の層に少なくとも１つのホールを形成することであって、前記ホールは、前記ミラー要素の上に配設されていることと
   を更に備えた請求項８に記載の方法。
10. 請求項１に記載の方法において、前記犠牲層の上にメカニカル層を形成することは、
    前記犠牲層の上に平坦化層を形成することと、
    前記平坦化層をエッチバックして、実質的に平坦な面を形成することと、
    前記平坦化層の上にメカニカル層を形成することと
    を備えた方法。
11. 前記メカニカル層をパターニングし、下にある層の少なくとも一部を露出させることと、
    前記犠牲層をエッチングして、前記犠牲層を除去することと
    を更に備えた請求項１に記載の方法。
12. 前記電極層を形成した後に、前記少なくとも２つの支持ポストを形成することを更に備えた請求項１に記載の方法。
13. 前記支持ポスト材料物質からなる層は、前記電極層上に堆積される請求項１２に記載の方法。
14. 透明基板と、
    前記基板の上に配設された電極層と、
    干渉変調器キャビティのサイズを調節するメカニカル層であって、前記電極層の上に配設されたメカニカル層と、
    前記基板の上に配設され、前記メカニカル層を支持する少なくとも２つの支持ポストであって、前記電極層よりも低いアニール温度を備える、少なくとも２つの支持ポストと
    を備えた装置。
15. 前記メカニカル層は、前記基板と対向する反射面を備えた請求項１４に記載の装置。
16. 前記電極層の上に配設され、かつ前記メカニカル層に接続されているミラーを更に備えた請求項１４に記載の装置。
17. 前記支持ポストはスピンオングラスを含む請求項１４に記載の装置。
18. 前記支持ポストは、前記基板に直接接触している請求項１７に記載の装置。
19. 前記支持ポストは金属を含む請求項１４に記載の装置。
20. 前記支持ポストは絶縁体を含む請求項１４に記載の装置。
21. 前記支持ポストは平坦化材料物質を含む請求項１４に記載の装置。
22. 少なくとも２つの支持ポストを、前記電極層上に直接形成することを更に備えた請求項１４に記載の装置。
23. 前記電極層と電気的に通信するプロセッサであって、イメージデータを処理するように構成されているプロセッサと、
    前記プロセッサと電気的に通信する記憶装置と
    を更に備えた請求項１４に記載の装置。
24. 少なくとも１つの信号を前記電極層へ送るように構成された駆動回路を更に備えた請求項２３に記載の装置。
25. 前記イメージデータの少なくとも一部を前記駆動回路へ送るように構成されたコントローラを更に備えた請求項２４に記載の装置。
26. 前記イメージデータを前記プロセッサへ送るように構成されたイメージソースモジュールを更に備えた請求項２３に記載の装置。
27. 前記イメージソースモジュールは、受信機、トランシーバ、及び送信機のうちの少なくとも１つを備えた請求項２６に記載の装置。
28. 入力データを受け取り、前記入力データを前記プロセッサへ通信するように構成された入力装置を更に備えた請求項２３に記載の装置。
29. 光を伝達する手段と、
    前記伝達する手段の上に配設された導電手段と、
    干渉変調器キャビティのサイズを変更する手段であって、前記導電手段の上に配設された手段と、
    前記変更する手段を支持する手段であって、前記伝達する手段の上に配設され、前記導電手段よりも低いアニール温度を有する材料物質を含む手段と
    を備えた装置。
30. 前記伝達する手段は基板を備えた請求項２９に記載の装置。
31. 前記導電手段は電極層を備えた請求項２９に記載の装置。
32. 前記変更する手段はメカニカル層を備えた請求項２９に記載の装置。
33. 前記メカニカル層は、前記基板と対向する反射面を備えた請求項３２に記載の装置。
34. 前記メカニカル層は、前記基板と対向する反射面を備えた請求項３３に記載の装置。
35. ミラーを更に備え、前記ミラーは電極層の上に配設され、前記ミラーは前記メカニカル層に接続されている請求項３４に記載の装置。
36. 前記支持する手段は、少なくとも２つの支持ポストを備えた請求項２９に記載の装置。
37. 前記支持ポストはスピンオングラスを含む請求項３６に記載の装置。
38. 前記支持ポストは、前記伝達する手段に直接接触している請求項３６に記載の装置。
39. 前記支持ポストは金属を含む請求項３６に記載の装置。
40. 前記支持ポストは絶縁体を含む請求項３５に記載の装置。
41. 前記支持ポストは平坦化材料物質を含む請求項３５に記載の装置。
42. 前記支持ポストは、前記導電手段に直接接触している請求項３６に記載の装置。
43. 請求項１の方法によって製造される干渉装置素子。
44. 干渉装置素子を形成する方法であって、
    基板を設けることと、
    前記基板の上に支持ポストを形成することと、
    前記基板の上に電極層を形成することと、
    前記電極層の上に犠牲層を堆積することと、
    少なくとも前記犠牲層の上にメカニカル層を形成することと、
    前記メカニカル層の少なくとも一部の上に絶縁層を形成することと、
    前記絶縁層の上に、実質的に硬い支持層を形成することと
    を備えた方法。
45. 前記支持ポストはスピンオングラスを含む請求項４４に記載の方法。
46. 前記支持ポストは導電材料物質を含む請求項４４に記載の方法。
47. 前記支持ポストは絶縁体を含む請求項４４に記載の方法。
48. 請求項４４に記載の方法において、少なくとも前記犠牲層の上に前記メカニカル層を形成することは、
    前記犠牲層の上に実質的に平坦な面を形成することと、
    前記実質的に平坦な面の上にメカニカル層を形成することと
    を備えた請求項４４に記載の方法。
49. 請求項４８に記載の方法において、前記犠牲層の上に実質的に平坦な面を形成することは、
    前記犠牲材料物質からなる層の上に平坦化材料物質からなる層を堆積することと、
    前記平坦化材料物質をエッチバックして、実質的に平坦な面を形成することと
    を備えた請求項４８に記載の方法。
50. 前記電極層は、前記支持ポストが形成された後に形成される請求項４４に記載の方法。
51. 前記支持ポストは、前記電極層が形成された後に形成される請求項４４に記載の方法。
52. 請求項５１に記載の方法において、前記電極層が形成された後に前記支持ポストを形成することは、
    前記電極層をパターニングすることと、
    前記電極層の上に犠牲材料物質からなる層を堆積することと、
    前記犠牲材料物質からなる層をパターニングして、開口部を形成することと、
    前記開口部内に支持ポストを形成することと
    を備えた方法。
53. 請求項５２に記載の方法において、前記開口部内に支持ポストを形成することは、
    前記開口部内に、平坦化材料物質からなる層を堆積することと、
    前記平坦化材料物質を、前記平坦化材料物質を硬化させるのに十分高い温度にさらすことと
    を備えた方法。
54. 請求項５２に記載の方法において、前記開口部内に支持ポストを形成することは、
    前記開口部内に、非平坦化支持ポスト材料物質からなる層を堆積することと、
    前記非平坦化支持ポスト材料物質をパターニングして、前記開口部から支持ポスト材料物質を除去し、支持ポストを形成することと
    を備えた方法。
55. 前記支持ポストの上にメカニカル層を形成することと、
    前記犠牲材料物質を除去して、前記メカニカル層の前記基板に対する動きを可能にすることと
    を更に備えた請求項５４に記載の方法。
56. 請求項５５に記載の方法において、前記少なくとも支持ポストの上にメカニカル層を形成することは、
    少なくとも前記絶縁体層の上にメカニカル層を堆積することと、
    前記メカニカル層をパターニングすることと
    を備えた方法。
57. 少なくとも前記支持ポストの上に、絶縁材料物質からなる層を堆積することと、
    前記絶縁材料物質をパターニングして、前記支持ポストから絶縁材料物質を除去することと
    を更に備えた請求項５４に記載の方法。
58. 請求項４４に記載の方法において、前記基板の上に電極層を形成することは、前記基板の上に、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）からなる層を堆積することと、前記インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の上に、部分反射層を堆積することとを備え、前記支持ポストは、前記部分反射層の上に形成される方法。
59. 前記部分反射層は、クロムまたはクロム合金を含む請求項５８に記載の方法。
60. 請求項４４に記載の方法において、少なくとも前記犠牲層の上にメカニカル層を形成することは、
    前記実質的に平坦な面の上にメカニカル層を堆積することと、
    前記メカニカル層をパターニングすることと
    を備えた方法。
61. 請求項６０に記載の方法において、前記メカニカル層の少なくとも一部が、前記支持ポストの上に堆積され、前記メカニカル層をパターニングすることは、前記支持ポストの上に堆積された前記メカニカル層の一部を選択的に除去することを備えた方法。
62. 請求項４４に記載の方法において、前記メカニカル層の上に絶縁体層を形成することは、
    前記メカニカル層及び前記支持ポストの少なくとも一部の上に、絶縁材料物質からなる層を堆積することと、
    前記絶縁材料物質からなる層の少なくとも接触部分が、支持ポストの少なくとも一部、及び前記メカニカル層の少なくとも一部の上に残るように、前記絶縁材料物質からなる層をパターニングすることと
    を備えた方法。
63. 前記絶縁層をエッチングして、下にある前記支持ポストの少なくとも一部を露出させることを更に備えた請求項６２に記載の方法。
64. 前記支持ポストの前記露出した部分が導電材料物質を含む請求項６３に記載の方法。
65. 請求項４４に記載の方法において、前記絶縁層の上に、実質的に硬い支持層を形成することは、導電材料物質からなる層を堆積することを備えた方法。
66. 請求項４４に記載の方法において、
    前記絶縁層の上に、実質的に硬い支持層を形成することは、
    前記絶縁層の上に、支持材料物質からなる層を堆積することと、
    前記支持材料物質からなる層をパターニングすることであって、前記支持材料物質からなる層の少なくとも接触部分が、支持ポストの少なくとも一部、及び前記メカニカル層の少なくとも一部の上に残ることと
    を備えた方法。
67. 前記絶縁体層及び前記硬い支持層をパターニングして、前記支持ポストの上に重なるキャップ部材を形成することを更に備えた請求項４４に記載の方法。
68. 請求項４４の方法によって製造される干渉装置素子。
69. 透明基板と、
    前記基板の上に配設された電極層と、
    前記電極層の上に配設されたメカニカル層と、
    前記基板の上に配設され、前記メカニカル層を支持する少なくとも２つの支持ポストと、
    前記支持ポストの少なくとも一部、および絶縁体層を含む硬いキャップ部材の各々の上に配設された前記硬いキャップ部材であって、前記硬いキャップ部材の前記絶縁体層が前記メカニカル層に取り付けられている前記硬いキャップ部材と
    を備えた装置。
70. 前記メカニカル層は、前記メカニカル層の前記基板と同じ側に配設された反射面を備えた請求項６９に記載の装置。
71. ミラー層を更に備え、前記ミラー層は前記電極層の上に配設され、前記ミラー層は前記メカニカル層に接続されている請求項６９に記載の装置。
72. 前記絶縁体層は、前記基板に対向する前記硬いキャップ部材の面上に配設されている請求項７１に記載の装置。
73. 前記絶縁体層は、前記基板と反対側の、前記硬いキャップ部材の面上に配設されている請求項７１に記載の装置。
74. 前記電極層は、前記支持ポスト及び前記基板を越えて拡がっている請求項６９に記載の装置。
75. 前記支持ポストはスピンオングラスを含む請求項６６に記載の装置。
76. 前記支持ポストは、硬化した平坦化材料物質を含む請求項６９に記載の装置。
77. 前記支持ポストは、前記電極層の一部の上に配設されている請求項６９に記載の装置。
78. 前記支持ポストは絶縁体を含む請求項６６に記載の装置。
79. 前記支持ポストはシリコン酸化物を含む請求項６６に記載の装置。
80. 前記支持ポストは導電材料物質を含む請求項６６に記載の装置。
81. 請求項６９に記載の装置において、
    前記電極層と導通するプロセッサであって、イメージデータを処理するように構成されている前記プロセッサと、
    前記プロセッサと導通している記憶装置と
    を更に備えた装置。
82. 少なくとも１つの信号を前記電極層へ送るように構成された駆動回路を更に備えた請求項８１に記載の装置。
83. 前記イメージデータの少なくとも一部を前記駆動回路へ送るように構成されたコントローラを更に備えた請求項８２に記載の装置。
84. 前記イメージデータを前記プロセッサへ送るように構成されたイメージソースモジュールを更に備えた請求項８１に記載の装置。
85. 前記イメージソースモジュールは、受信機、トランシーバ及び送信機のうちの少なくとも１つを備えた請求項８４に記載の装置。
86. 入力データを受け取り、かつ前記入力データを前記プロセッサへ通信するように構成された入力装置を更に備えた請求項８１に記載の装置。
87. 光を伝達する手段と、
    前記伝達する手段の上に配設された導電手段と、
    干渉変調器キャビティのサイズを変更する手段と、
    前記変更する手段を支持する手段であって、前記伝達する手段上に配設された前記支持手段と、
    前記変更する手段に剛性を提供する手段であって、前記支持する手段の少なくとも一部の上に配設され、前記変更する手段に取り付けられている絶縁手段を備えたる手段と
    を備えた装置。
88. 前記伝達する手段は基板を含む請求項８７に記載の装置。
89. 前記導電手段は電極層を含む請求項８７に記載の装置。
90. 前記電極層は、支持ポスト及び基板を越えて拡がっている請求項８９に記載の装置。
91. 前記支持する手段は、少なくとも２つの支持ポストを備えた請求項８７に記載の装置。
92. 前記支持ポストはスピンオングラスを含む請求項９１に記載の装置。
93. 前記支持ポストは、硬化した平坦化材料を含む請求項９１に記載の装置。
94. 前記支持ポストは、前記電極層の一部の上に配設されている請求項９１に記載の装置。
95. 前記支持ポストは絶縁体を含む請求項９１に記載の装置。
96. 前記支持ポストはシリコン酸化物を含む請求項９１に記載の装置。
97. 前記支持ポストは導電材料物質を含む請求項９１に記載の装置。
98. 前記提供する手段は硬いキャップ部材を含む請求項８７に記載の装置。
99. 前記変更する手段はメカニカル層を含む請求項８７に記載の装置。
100. 前記メカニカル層は、前記基板に対向する反射面を備えた請求項９９に記載の装置。
101. 電極層の上に配設され、前記メカニカル層に接続されているミラーを更に備えた請求項１００に記載の装置。
102. 前記絶縁手段は絶縁体層を備えた請求項８７に記載の装置。
103. 前記絶縁体層は、前記伝達する手段に対向する前記提供する手段の面上に配設されている請求項１０２に記載の装置。
104. 前記絶縁体層は、前記伝達する手段の反対側の、前記提供する手段の面上に配設されている請求項１０２に記載の装置。

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