JP2008507629A5

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Publication number: JP2008507629A5
Application number: JP2007522952A
Authority: JP
Filing date: 2005-07-08
Publication date: 2008-09-04
Anticipated expiration: 2025-07-08

Claims

基板の真空コーティング用装置であって、
真空室と、
少なくとも１つの基板を保持する装置と、
プラズマインパルス化学蒸着（plasma pulse-induced chemical vapor deposition）（ＰＩＣＶＤ）用の装置を有する前記真空室の少なくとも１つの第１のコーティング領域と、
少なくとも１つのスパッタコーティング用の装置を有する前記真空室の少なくとも１つの第２のコーティング領域と、
前記基板を前記コーティング領域に搬送する搬送装置と
を備え、
スパッタターゲットを覆うスクリーン装置を有することを特徴とする装置。
複数の基板を同時に搬送する搬送装置を有する請求項１に記載の基板の真空コーティング用装置。
前記スパッタコーティング用の装置が反応性スパッタリング用の装置からなる請求項１又は２に記載の基板の真空コーティング用装置。
窒素又は酸素を含有するプラズマを生成する装置を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
前記プラズマインパルス化学蒸着用の装置が窒素又は酸素を含有するプラズマを含む請求項４に記載の基板の真空コーティング用装置。
前記搬送装置が前記基板を回転させる１つ又は複数の装置を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
前記搬送装置が複数の軸を中心に前記基板を回転させる装置を含む請求項６に記載の基板の真空コーティング用装置。
前記搬送装置が前記基板を直線移動させる装置を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
前記搬送装置がコンベヤベルトを含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
前記搬送装置が互いに独立して駆動可能な、前記基板を移動させる複数の装置を含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
前記搬送装置が対向する前記プラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の装置と前記スパッタコーティング用の装置との間に配置される基板ホルダを含む請求項１〜１０のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
プラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の装置を複数有する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
スパッタコーティング用の装置を複数有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
前記搬送装置の前記コンベヤベルトの円形部分の円周方向に沿って配置されたコーティング領域を有する請求項１〜１３のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
前記プラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の装置及び前記スパッタコーティング用の装置の少なくとも一方は、前記搬送装置の前記コンベヤベルトの少なくとも１つの直線部分に沿って配置されている請求項１１又は１２に記載の基板の真空コーティング用装置。
前記真空室に対して複数の接続部を有するポンプ装置を有する請求項１〜１５のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
各コーティング領域に１つの接続部が割り当てられる請求項１６に記載の基板の真空コーティング用装置。
蒸着（evaporation）によってコーティングを施す装置を有する請求項１〜１７のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
電子サイクロトロン共鳴スパッタリング用の装置を有する請求項１〜１８のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
加熱装置を有する請求項１〜１９のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
基板の真空コーティング方法であって、少なくとも１つの基板を真空室内に保持し、コーティングの少なくとも１つの層(level)を、前記真空室の少なくとも１つの第１のコーティング領域でプラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）を用いて前記基板に堆積し（deposited）、前記コーティングの少なくとも１つの層を、前記真空室の第２のコーティング領域でスパッタリングによって堆積し、そして前記基板を搬送装置で前記コーティング領域に搬送することよりなり、プラズマインパルス化学蒸着中に又は前記基板上の水又は酸化物層を除去する洗浄手順中に、スパッタターゲットをスクリーン装置によって覆うことを特徴とする方法。
前記基板を、前記搬送装置で前記コーティング領域に順次配置し、前記コーティングの少なくとも１つの層を、前記コーティング領域でそれぞれ堆積する請求項２１に記載の基板の真空コーティング方法。
複数の基板を、前記搬送装置に配置して連続的又は同時にコーティングする請求項２１又は２２に記載の基板の真空コーティング方法。
前記基板に、反応性スパッタリングを用いてコーティングする請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
前記コーティングの少なくとも１つの堆積された層を、酸素又は窒素を含有するプラズマを用いて前記真空室内で窒化又は酸化する請求項２１〜２４のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
前記コーティングの１つの層を、前記真空室の前記少なくとも１つの第１のコーティング領域で前記基板にスパッタリングし、該基板を前記搬送装置で第２のコーティング領域に配置し、酸素又は窒素を含有するプラズマを用いてそこで酸化又は窒化する請求項２５に記載の基板の真空コーティング方法。
前記基板を前記搬送装置によって回転する請求項２１〜２６のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
前記基板を複数の軸を中心に回転させる請求項２７に記載の基板の真空コーティング方法。
前記基板を前記コーティング中に移動させる請求項２１〜２８のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
複数の基板の前記移動を互いに独立して駆動させる請求項２１〜２９のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
前記基板を、コンベヤベルトの円形部分又は直線部分に沿って、前記搬送装置によって前記コーティング領域に送る請求項２１〜３０のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
前記基板をコンベヤベルトによって移動する請求項２１〜３１のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
前記コーティングの複数の層を、プラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の複数の装置を用いて前記基板に堆積する請求項２１〜３２のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
前記コーティングの複数の層を、スパッタコーティング用の複数の装置を用いて前記基板に堆積する請求項２１〜３３のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
異なる組成の層を有する多層(multilevel)コーティングを堆積する請求項２１〜３４のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
交互の組成を有する交互多重(alternating multilevel)層を堆積する請求項２１〜３５のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
接着促進層を堆積する請求項２１〜３６のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
勾配層を堆積する請求項２１〜３７のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
少なくとも１つの金属層をスパッタリングする請求項２１〜３８のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
少なくとも１つの磁化可能層をスパッタリングする請求項２１〜３９のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
少なくとも１つの酸化インジウムスズ層を堆積する請求項２１〜４０のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
前記層の少なくとも１つの層を、電子サイクロトロン共鳴スパッタリングを用いて堆積する請求項２１〜４１のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
複数の基板に、前記コーティングの少なくとも１つの層を同時に又は順次コーティングする請求項２１〜４２のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
前記真空室及び前記基板の少なくとも一部を加熱する請求項２１〜４３のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
前記基板の表面をプラズマで活性化又は洗浄する請求項２１〜４４のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
ジルコニウム及びニオビウム又はタンタルを含有する層をスパッタリングする請求項２１〜４５のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
請求項１〜４６のいずれか１項に記載の装置又は方法を用いてコーティングした少なくとも１つの基板を有することを特徴とする特にＰＤＡ又はタッチスクリーン用の表示パネル。
前記基板が、
接着促進層、
酸化インジウムスズ層、
多重反射防止層、
耐引掻き性（scratchproof）層
を有するコーティングを含む請求項４７に記載の表示パネル。
請求項１〜４６のいずれか１項に記載の装置又は方法を用いてコーティングしたことを特徴とするランプリフレクタ。
請求項１〜４６のいずれか１項に記載の装置又は方法を用いて製造した多重干渉層を有することを特徴とする光学干渉フィルタ。