CN105204685A - 一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法，依次包括触摸屏的基板，所述基板材料上覆有真空溅镀的二氧化硅膜；所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜，制备过程简单，可制成抗刮性能良好的触摸屏，尤其，采用真空磁控溅射法制得的DLC多晶薄膜材料具有很高的透过性和良好的抗刮性能，适于推广与应用。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法。
背景技术
由于现有的触摸屏面板的结构一般为基板(如玻璃、PMMA等)再镀上一层抗指纹镀层,使触摸屏具有抗指纹功能,抗指纹镀层让触摸屏更顺滑更容易滑动且不易留下指纹。但是抗指纹膜没有抗刮的功能，所以抗指纹镀层一旦被刮掉以后触屏在使用过程中容易被刮伤，特别是手机和触摸屏电脑,很多使用者都自行买了贴膜来防止屏幕被刮伤，但是贴膜也容易刮花要不断更换。
类钻石薄膜是一种超硬的薄膜材料,其铅笔硬度远大于9H.类钻石薄膜是碳靶材在真空中溅射沉积制得,其具有高的透过率和抗刮性，可在不影响触摸屏基板光学的基础上增加触摸屏的抗刮性能。但其不具备抗指纹功能,所以必须在其上面覆盖一层抗指纹镀层.这样的结构即保留原来触摸屏的抗指纹功能又能保证抗指纹膜被刮掉的情况下,触屏基本不被刮花。由于碳键与基板材料及与抗指纹膜的结合力不佳,故在分别在其与基板的中间和其与抗指纹膜的中间镀上一层二氧化硅以增加其结合力。由于触摸屏行业的高速发展，长期以来很多制造商都在需求一种能同时制备即抗刮又抗指纹的触屏基板，但是由于技术的限制及材料的不匹配性一直未能成功制备出即抗刮又有抗指纹镀层的触屏基板。
发明内容
本发明为解决上述技术问题，提供一种具有抗刮性结构的抗刮抗指纹触摸屏。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种抗刮抗指纹触摸屏，依次包括触摸屏的基板，所述基板材料上覆有真空溅镀的二氧化硅膜；所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜。
作为优选的技术方案，所述基板采用玻璃基板、塑料基本或薄膜基板中的任意一种。
作为优选的技术方案，所述真空溅镀的二氧化硅膜厚度小于10nm。
作为优选的技术方案，所述真空溅镀的类钻石膜膜层厚度小于50nm。
作为优选的技术方案，所述真空蒸镀的二氧化硅膜的厚度小于20nm。
作为优选的技术方案，所述真空蒸镀的抗指纹膜厚度小于20nm。
所述类钻石为diamond-likecarbon，简称DLC。
本发明还提供一种制备所述抗刮抗指纹触摸屏的方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
一种制备抗刮抗指纹触摸屏的方法，依次包括以下步骤：
1)清洗用作触摸屏的基板材料
首先用去离子水清洗基板材料，然后将清洗过的基板材料放置在丙酮溶液中进行超声清洗，接着用酒精清洗基板材料，再用去离子水清洗,吹干，备用；
2)真空磁控溅射法沉积二氧化硅膜
将上述步骤1)所得基板先放置在真空溅射腔体内,该腔体装有平行于基板的硅靶材，关闭镀膜腔体,抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击基板材料5～30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0.5Pa～5Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压稳定后，在温度为25℃～200℃下加热基板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，转移基板进入下一个镀膜腔体；
3)真空磁控溅射法沉积类钻石膜
将上述步骤2)中的基板进入装有类钻石靶材的真空腔体，基板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压规显示气压稳定之后，再在温度为25℃～150℃下加热基板，待温度稳定之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在基板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出基板；
4)真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜
将上述步骤3)所得的基板放置到真空蒸镀机内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有二氧化硅的坩埚，关闭其余坩埚；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0Pa～0.01Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压稳定之后，再在温度为25℃～100℃下加热基板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚；
5)真空蒸镀法沉积抗指纹膜
打开装有抗指纹膜料的坩埚，接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压稳定之后，再在温度为25℃～100℃下加热基板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出基板。
作为优选的技术方案，所述步骤2)中真空磁控溅射的硅靶材纯度大于99.9％。
作为优选的技术方案，抗刮膜成分为类钻石靶材的碳原子SP3杂化程度大于70％，纯度大于99.9％。
作为优选的技术方案，所述真空蒸镀的二氧化硅膜料纯度大于99.9％。
所述真空磁控溅射法中氩气为轰击靶材的等离子，不参与反应。氧气为反应气体，在电流的作用下分解成氧离子与硅离子结合成二氧化硅。
本发明克服了现有触摸屏技术不具抗刮性的不足，提供了一种具有抗刮性的结构及其制备方法。该结构具有良好的透过性，不影响手机触摸屏的光学性能且具有良好的抗刮性能。本发明主要采用类钻石靶材(diamond-likecarbon)，此材料在沉积成薄膜时其碳原子的SP3杂化程度大于70％，固具有很高的硬度具有抗刮性能。在此制程中，当DLC大于5nm时，触摸屏的抗刮行性能是现在触摸屏技术的3倍及以上，随着DLC厚度的增加其抗刮性能增加。
本发明抗刮抗指纹触摸屏的制备方法制备过程简单，可制成抗刮性能良好的触摸屏，尤其，采用真空磁控溅射法制得的DLC多晶薄膜材料具有很高的透过性和良好的抗刮性能，该膜层对基板光学改变穿透率改变量小于1％，对L值改变量小于1％，a*值的改变量小于0.05，b*值的该变量小于0.1。在相同条件下本专利中的强化玻璃基板镀上本专利膜层结构以后的触摸屏可耐刮3000次及以上,耐磨3000次后水滴角大于108°。现有产品只镀抗指纹膜的强化玻璃耐刮次数约1000左右，耐磨3000次后水滴角大于100°，此方法极大改善了触屏的抗刮性能，相比手机保护贴膜此抗刮膜的成本更低且无须更换。且该抗刮抗指纹膜层制程简单，可用于工业生产。
由于采用了上述技术方案，一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法，依次包括触摸屏的基板，所述基板材料上覆有真空溅镀的二氧化硅膜；所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜，制备过程简单，可制成抗刮性能良好的触摸屏，尤其，采用真空磁控溅射法制得的DLC多晶薄膜材料具有很高的透过性和良好的抗刮性能。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述，但本发明的保护范围不仅仅局限于实施实例。
一种抗刮抗指纹触摸屏，依次包括触摸屏的基板，所述基板材料上覆有真空溅镀的二氧化硅膜；所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜。
所述基板采用玻璃基板、塑料基本或薄膜基板中的任意一种。
所述真空溅镀的二氧化硅膜厚度小于10nm。
所述真空溅镀的类钻石膜膜层厚度小于50nm。
所述真空蒸镀的二氧化硅膜的厚度小于20nm。
所述真空蒸镀的抗指纹膜厚度小于20nm。
所述类钻石为diamond-likecarbon，简称DLC。
一种制备抗刮抗指纹触摸屏的方法，依次包括以下步骤：
1)清洗用作触摸屏的基板材料
首先用去离子水清洗基板材料，然后将清洗过的基板材料放置在丙酮溶液中进行超声清洗，接着用酒精清洗基板材料，再用去离子水清洗,吹干，备用；
2)真空磁控溅射法沉积二氧化硅膜
将上述步骤1)所得基板先放置在真空溅射腔体内,该腔体装有平行于基板的硅靶材，关闭镀膜腔体,抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击基板材料5～30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0.5Pa～5Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压稳定后，在温度为25℃～200℃下加热基板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，转移基板进入下一个镀膜腔体；
3)真空磁控溅射法沉积类钻石膜
将上述步骤2)中的基板进入装有类钻石靶材的真空腔体，基板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压规显示气压稳定之后，再在温度为25℃～150℃下加热基板，待温度稳定之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在基板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出基板；
4)真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜
将上述步骤3)所得的基板放置到真空蒸镀机内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有二氧化硅的坩埚，关闭其余坩埚；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0Pa～0.01Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压稳定之后，再在温度为25℃～100℃下加热基板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚；
5)真空蒸镀法沉积抗指纹膜
打开装有抗指纹膜料的坩埚，接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压稳定之后，再在温度为25℃～100℃下加热基板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出基板。
所述步骤2)中真空磁控溅射的硅靶材纯度大于99.9％。
抗刮膜成分为类钻石靶材的碳原子SP3杂化程度大于70％，纯度大于99.9％。
所述真空蒸镀的二氧化硅膜料纯度大于99.9％。
所述真空磁控溅射法中氩气为轰击靶材的等离子，不参与反应。氧气为反应气体，在电流的作用下分解成氧离子与硅离子结合成二氧化硅。
下面结合具体实施例对本发明做进一步描述：
实施例1
S110、清洗用作手机触摸屏的玻璃基板材料
首先，选用玻璃基板作为手机触摸屏的基板材料并用去离子水清洗基板材料；然后将清洗过的基板材料放置在丙酮溶液中进行超声清洗15分钟，接着取出该玻璃基板用酒精溶液超声波清洗15分钟，再用去离子水清洗，吹干，备用；
S120、真空磁控溅射沉积二氧化硅薄膜
将上述步骤S110所得玻璃基板先放置在真空溅射腔体内,关闭镀膜腔体,抽真空到真空度为1.33*10-3Pa，停止抽真空；用离子束轰击基板材料10分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为1Pa，氩气的分压为1Pa,待气压规显示气压稳定之后，再在温度为80℃下加热基板，待温度显示稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完膜后，调节机器使基板进入下一个镀膜腔体；
S130、真空磁控溅射法沉积类钻石薄膜(DLC)
步骤S120中的基板进入装有类钻石(DLC)靶材的真空腔体，基板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压规显示气压稳定之后，再在温度为80℃下加热基板，待温度显示稳定之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在基板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完膜后，通入空气，接着取出基板；
S140、真空蒸镀法沉积的二氧化硅薄膜
将上述步骤S130所得的基板放置到真空蒸镀机内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有SiO2的坩埚，关闭其余坩埚。接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0.005Pa，氩气的分压为1Pa,待气压规显示气压稳定之后，不加热，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚。
S150、真空蒸镀抗指纹薄膜
打开装有AF膜料的坩埚。接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为1Pa,待气压规显示气压稳定之后，不加热，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完AF膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出基板即得具有抗刮及抗指纹性能的触摸屏。
本发明实施例1的制备方法能是触摸屏基板具有抗刮及抗指纹功能，制得的手机触摸屏光学性能良好，制程可控精度高。
实施例2
S210、清洗用作触摸屏的基板材料
首先选用玻璃基板作为电脑触摸屏的基板材料并用去离子水清洗基板材料；然后将清洗过的基板材料放置在丙酮溶液中进行超声清洗，接着用酒精清洗基板材料，再用去离子水清洗，吹干，备用；
S220、真空磁控溅射沉积二氧化硅薄膜
将上述步骤S210所得基板先放置在真空溅射腔体内,该腔体装有平行于基板的硅靶材，关闭镀膜腔体,抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击基板材料5～30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为1Pa，氩气的分压为1Pa,待气压规显示气压稳定之后，再在温度为100℃下加热基板，待温度显示稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完膜后，调节机器使基板进入下一个镀膜腔体；
S230、真空磁控溅射法沉积类钻石薄膜(DLC)
步骤S220中的基板进入装有类钻石(DLC)靶材的真空腔体，基板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为1Pa,待气压规显示气压稳定之后，再在温度为100℃下加热基板，待温度显示稳定之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在基板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完膜后，通入空气，接着取出基板；
S240、真空蒸镀的二氧化硅薄膜
将上述步骤S230所得的基板放置到真空蒸镀机内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有SiO2的坩埚，关闭其余坩埚。接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0.01Pa，氩气的分压为1Pa,待气压规显示气压稳定之后，加热基板到60℃，待温度显示稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完SiO2膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚。
S250、真空蒸镀抗指纹薄膜
打开装有AF膜料的坩埚。接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为1Pa,待气压规显示气压稳定之后，不加热基板，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完AF膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出基板即得具有抗刮及抗指纹性能的电脑触摸屏。
本方法制得的电脑触摸屏抗刮性能良好，光学性能良好，制程可控精度高。
本发明一种抗刮抗指纹触摸屏的制备方法步骤简单、合理，操作方便，其制备过程简单、成本低，可制成抗刮性能及光学性能良好的触摸屏。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明而并非限制本发明所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本发明已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本发明进行修改或等同替换；而一切不脱离本发明的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。
Claims (10)
1.一种抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于：依次包括触摸屏的基板，所述基板材料上覆有真空溅镀的二氧化硅膜；所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜。
2.如权利要求1所述的抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于：所述基板采用玻璃基板、塑料基本或薄膜基板中的任意一种。
3.如权利要求1所述的抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于：所述真空溅镀的二氧化硅膜厚度小于10nm。
4.如权利要求1所述的抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于：所述真空溅镀的类钻石膜膜层厚度小于50nm。
5.如权利要求1所述的抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于：所述真空蒸镀的二氧化硅膜的厚度小于20nm。
6.如权利要求1所述的抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于：所述真空蒸镀的抗指纹膜厚度小于20nm。
7.一种制备如权利要求1至6任一项权利要求所述的抗刮抗指纹触摸屏的方法，其特征在于，依次包括以下步骤：
1)清洗用作触摸屏的基板材料
首先用去离子水清洗基板材料，然后将清洗过的基板材料放置在丙酮溶液中进行超声清洗，接着用酒精清洗基板材料，再用去离子水清洗,吹干，备用；
2)真空磁控溅射法沉积二氧化硅膜
将上述步骤1)所得基板先放置在真空溅射腔体内,该腔体装有平行于基板的硅靶材，关闭镀膜腔体,抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击基板材料5～30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0.5Pa～5Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压稳定后，在温度为25℃～200℃下加热基板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，转移基板进入下一个镀膜腔体；
3)真空磁控溅射法沉积类钻石膜
将上述步骤2)中的基板进入装有类钻石靶材的真空腔体，基板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压规显示气压稳定之后，再在温度为25℃～150℃下加热基板，待温度稳定之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在基板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出基板；
4)真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜
将上述步骤3)所得的基板放置到真空蒸镀机内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有二氧化硅的坩埚，关闭其余坩埚；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0Pa～0.01Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压稳定之后，再在温度为25℃～100℃下加热基板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚；
5)真空蒸镀法沉积抗指纹膜
打开装有抗指纹膜料的坩埚，接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压稳定之后，再在温度为25℃～100℃下加热基板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出基板。
8.如权利要求7所述的制备抗刮抗指纹触摸屏的方法，其特征在于：所述步骤2)中真空磁控溅射的硅靶材纯度大于99.9％。
9.如权利要求7所述的制备抗刮抗指纹触摸屏的方法，其特征在于：抗刮膜成分为类钻石靶材的碳原子SP3杂化程度大于70％，纯度大于99.9％。
10.如权利要求7所述的制备抗刮抗指纹触摸屏的方法，其特征在于：所述真空蒸镀的二氧化硅膜料纯度大于99.9％。
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|---|---|
| CN (1) | CN105204685A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106648273A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-05-10 | 江西省平波电子有限公司 | 一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法 |
| CN107500566A (zh) * | 2017-10-17 | 2017-12-22 | 信利光电股份有限公司 | 一种耐磨防指纹磨砂玻璃及其制备方法 |
| CN107746186A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-03-02 | 信利光电股份有限公司 | 一种高硬度耐磨玻璃盖板及其制备方法 |
| CN108559951A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-09-21 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 仿陶瓷壳体及其制作方法、电子设备 |
| CN108642461A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-10-12 | 维沃移动通信有限公司 | 一种外壳的制造方法和外壳 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001092178A1 (en) * | 2000-06-01 | 2001-12-06 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating including dlc on substrate |
| TW200825202A (en) * | 2006-12-07 | 2008-06-16 | Kinik Co | The reinforced material made from superhard carbon film |
| KR20110138541A (ko) * | 2010-06-21 | 2011-12-28 | (주)에이엠피테크놀로지 | 내구성이 우수한 내지문 박막 구조물 및 그 형성 방법 |
| CN202208152U (zh) * | 2011-09-06 | 2012-05-02 | 南昌欧菲光科技有限公司 | 一种触摸屏用防指纹膜 |
| CN102529214A (zh) * | 2010-12-27 | 2012-07-04 | 宋健民 | 类钻碳保护装置及其相关方法 |
| CN102729566A (zh) * | 2011-04-12 | 2012-10-17 | 中国砂轮企业股份有限公司 | 复合式基板结构 |
| CN103019443A (zh) * | 2012-12-04 | 2013-04-03 | 江西沃格光电科技有限公司 | 防污触摸屏及其制备方法和手持移动设备 |
| CN103309540A (zh) * | 2013-06-25 | 2013-09-18 | 元亮科技有限公司 | 一种类金刚石镀膜电容触摸屏及其制备方法 |
| CN103882392A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 比亚迪股份有限公司 | 一种防指纹薄膜的制备方法及防指纹薄膜 |
| CN203834012U (zh) * | 2014-04-03 | 2014-09-17 | 蒋绍洪 | 类钻石薄膜连续型镀膜装置 |
| CN204463071U (zh) * | 2015-02-10 | 2015-07-08 | 深圳市正星光电技术有限公司 | 一种高透光率的保护玻璃、触摸屏与触摸屏显示器 |
| CN104881163A (zh) * | 2014-02-28 | 2015-09-02 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 一种复合基板结构及具有复合基板结构的触控面板 |
| CN104881164A (zh) * | 2014-02-28 | 2015-09-02 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 一种复合基板结构及具有复合基板结构的触控面板 |
-
2015
- 2015-09-22 CN CN201510607152.2A patent/CN105204685A/zh active Pending
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001092178A1 (en) * | 2000-06-01 | 2001-12-06 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating including dlc on substrate |
| TW200825202A (en) * | 2006-12-07 | 2008-06-16 | Kinik Co | The reinforced material made from superhard carbon film |
| KR20110138541A (ko) * | 2010-06-21 | 2011-12-28 | (주)에이엠피테크놀로지 | 내구성이 우수한 내지문 박막 구조물 및 그 형성 방법 |
| CN102529214A (zh) * | 2010-12-27 | 2012-07-04 | 宋健民 | 类钻碳保护装置及其相关方法 |
| CN102729566A (zh) * | 2011-04-12 | 2012-10-17 | 中国砂轮企业股份有限公司 | 复合式基板结构 |
| CN202208152U (zh) * | 2011-09-06 | 2012-05-02 | 南昌欧菲光科技有限公司 | 一种触摸屏用防指纹膜 |
| CN103019443A (zh) * | 2012-12-04 | 2013-04-03 | 江西沃格光电科技有限公司 | 防污触摸屏及其制备方法和手持移动设备 |
| CN103882392A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 比亚迪股份有限公司 | 一种防指纹薄膜的制备方法及防指纹薄膜 |
| CN103309540A (zh) * | 2013-06-25 | 2013-09-18 | 元亮科技有限公司 | 一种类金刚石镀膜电容触摸屏及其制备方法 |
| CN104881163A (zh) * | 2014-02-28 | 2015-09-02 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 一种复合基板结构及具有复合基板结构的触控面板 |
| CN104881164A (zh) * | 2014-02-28 | 2015-09-02 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 一种复合基板结构及具有复合基板结构的触控面板 |
| CN203834012U (zh) * | 2014-04-03 | 2014-09-17 | 蒋绍洪 | 类钻石薄膜连续型镀膜装置 |
| CN204463071U (zh) * | 2015-02-10 | 2015-07-08 | 深圳市正星光电技术有限公司 | 一种高透光率的保护玻璃、触摸屏与触摸屏显示器 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106648273A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-05-10 | 江西省平波电子有限公司 | 一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法 |
| CN107500566A (zh) * | 2017-10-17 | 2017-12-22 | 信利光电股份有限公司 | 一种耐磨防指纹磨砂玻璃及其制备方法 |
| CN107746186A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-03-02 | 信利光电股份有限公司 | 一种高硬度耐磨玻璃盖板及其制备方法 |
| CN107746186B (zh) * | 2017-10-17 | 2021-02-05 | 信利光电股份有限公司 | 一种高硬度耐磨玻璃盖板及其制备方法 |
| CN108559951A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-09-21 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 仿陶瓷壳体及其制作方法、电子设备 |
| CN108642461A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-10-12 | 维沃移动通信有限公司 | 一种外壳的制造方法和外壳 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |