JP5224810B2 - 真空コーティング設備及び方法 - Google Patents
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Description
本発明は、包括的には、基板上への真空コーティング又は真空蒸着の分野に関し、特に、本発明は、真空コーティングシステム装置及び真空コーティング方法に関する。
1 基板の真空コーティング用装置
3 真空室
5、53、54 基板
6 基板コーティング
7 搬送装置
9、94〜99 PICVDコーティング装置
11、111〜116、12、121〜123 コーティング領域
13、134、135、136 スパッタコーティング装置
15 ポンプ装置
17 ガス供給装置
19 ローディング装置
20 加熱装置
21 バリア
51、52 5(基材)の面
61、62 6(基材コーティング)の層
71 回転可能な基板ホルダ
72、73 回転軸
75 カルーセル
76 コンベヤベルト
77 ローラ
80 PDA
81 表示パネル
90 アンテナ
91 調整ユニット
92 発生器
131 スパッタマグネトロン
132 アーク放電抑制装置
133 電源ユニット
134 スクリーン装置
151 高真空ポンプ装置
152 中真空ポンプ装置
153 圧力調節器
154、155 15(ポンプ装置)と3(真空室)との接続部
156 弁
160 予圧ポンプ装置
171 ガス入口
600 接着促進層
601 酸化インジウムスズ層
602 多層反射防止層
603 耐引掻き性層
604 スペーサ層
Claims (50)
- 基板の真空コーティング用装置であって、
真空室と、
少なくとも1つの基板を保持する装置と、
プラズマインパルス化学蒸着(plasma pulse-induced chemical vapor deposition)(PICVD)用の装置を有する前記真空室の少なくとも1つの第1のコーティング領域と、
少なくとも1つのスパッタコーティング用の装置を有する前記真空室の少なくとも1つの第2のコーティング領域と、
前記基板を前記コーティング領域に搬送する搬送装置と
を備え、
スパッタターゲットを覆うスクリーン装置を有することを特徴とする装置。 - 複数の基板を同時に搬送する搬送装置を有する請求項1に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 前記スパッタコーティング用の装置が反応性スパッタリング用の装置からなる請求項1又は2に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 窒素又は酸素を含有するプラズマを生成する装置を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 前記プラズマインパルス化学蒸着用の装置が窒素又は酸素を含有するプラズマを含む請求項4に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 前記搬送装置が前記基板を回転させる1つ又は複数の装置を含む請求項1〜5のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 前記搬送装置が複数の軸を中心に前記基板を回転させる装置を含む請求項6に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 前記搬送装置が前記基板を直線移動させる装置を含む請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 前記搬送装置がコンベヤベルトを含む請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 前記搬送装置が互いに独立して駆動可能な、前記基板を移動させる複数の装置を含む請求項1〜9のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 前記搬送装置が対向する前記プラズマインパルス化学蒸着(PICVD)用の装置と前記スパッタコーティング用の装置との間に配置される基板ホルダを含む請求項1〜10のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- プラズマインパルス化学蒸着(PICVD)用の装置を複数有する請求項1〜11のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- スパッタコーティング用の装置を複数有する請求項1〜12のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 前記搬送装置がコンベヤベルトを含み、前記コンベヤベルトの円形部分の円周方向に沿って配置されたコーティング領域を有する請求項1〜13のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 前記搬送装置がコンベヤベルトを含み、前記プラズマインパルス化学蒸着(PICVD)用の装置及び前記スパッタコーティング用の装置の少なくとも一方が、前記コンベヤベルトの少なくとも1つの直線部分に沿って配置されている請求項12又は13に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 前記真空室に対して複数の接続部を有するポンプ装置を有する請求項1〜15のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 各コーティング領域に1つの接続部が割り当てられる請求項16に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 蒸着(evaporation)によってコーティングを施す装置を有する請求項1〜17のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 電子サイクロトロン共鳴スパッタリング用の装置を有する請求項1〜18のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 加熱装置を有する請求項1〜19のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング用装置。
- 基板の真空コーティング方法であって、少なくとも1つの基板を真空室内に保持し、コーティングの少なくとも1つの層(level)を、前記真空室の少なくとも1つの第1のコーティング領域でプラズマインパルス化学蒸着(PICVD)を用いて前記基板に堆積し(deposited)、前記コーティングの少なくとも1つの層を、前記真空室の第2のコーティング領域でスパッタリングによって堆積し、そして前記基板を搬送装置で前記コーティング領域に搬送することよりなり、プラズマインパルス化学蒸着中に又は前記基板上の水又は酸化物層を除去する洗浄手順中に、スパッタターゲットをスクリーン装置によって覆うことを特徴とする方法。
- 前記基板を、前記搬送装置で前記コーティング領域に順次配置し、前記コーティングの少なくとも1つの層を、前記コーティング領域でそれぞれ堆積する請求項21に記載の基板の真空コーティング方法。
- 複数の基板を、前記搬送装置に配置して連続的又は同時にコーティングする請求項21又は22に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記基板に、反応性スパッタリングを用いてコーティングする請求項21〜23のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記コーティングの少なくとも1つの堆積された層を、酸素又は窒素を含有するプラズマを用いて前記真空室内で窒化又は酸化する請求項21〜24のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記コーティングの1つの層を、前記真空室の前記少なくとも1つの第1のコーティング領域で前記基板にスパッタリングし、該基板を前記搬送装置で第2のコーティング領域に配置し、酸素又は窒素を含有するプラズマを用いてそこで酸化又は窒化する請求項25に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記基板を前記搬送装置によって回転する請求項21〜26のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記基板を複数の軸を中心に回転させる請求項27に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記基板を前記コーティング中に移動させる請求項21〜28のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 複数の基板を互いに独立して駆動させることにより移動させる請求項21〜29のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記基板を、コンベヤベルトの円形部分又は直線部分に沿って、前記搬送装置によって前記コーティング領域に送る請求項21〜30のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記基板をコンベヤベルトによって移動する請求項21〜31のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記コーティングの複数の層を、プラズマインパルス化学蒸着(PICVD)用の複数の装置を用いて前記基板に堆積する請求項21〜32のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記コーティングの複数の層を、スパッタコーティング用の複数の装置を用いて前記基板に堆積する請求項21〜33のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 異なる組成の層を有する多層(multilevel)コーティングを堆積する請求項21〜34のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 交互の組成を有する交互多重(alternating multilevel)層を堆積する請求項21〜35のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 接着促進層を堆積する請求項21〜36のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 勾配層を堆積する請求項21〜37のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 少なくとも1つの金属層をスパッタリングする請求項21〜38のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 少なくとも1つの磁化可能層をスパッタリングする請求項21〜39のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 少なくとも1つの酸化インジウムスズ層を堆積する請求項21〜40のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記層の少なくとも1つの層を、電子サイクロトロン共鳴スパッタリングを用いて堆積する請求項21〜41のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 複数の基板に、前記コーティングの少なくとも1つの層を同時に又は順次コーティングする請求項21〜42のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記真空室及び前記基板の少なくとも一部を加熱する請求項21〜43のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 前記基板の表面をプラズマで活性化又は洗浄する請求項21〜44のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- ジルコニウム及びニオビウム又はタンタルを含有する層をスパッタリングする請求項21〜45のいずれか1項に記載の基板の真空コーティング方法。
- 少なくとも1つの基板を有するPDA又はタッチスクリーン用の表示パネルを製造するための、請求項1〜20のいずれか1項に記載の装置又は請求項21〜46のいずれか1項に記載の方法の使用。
- 前記基板が、
接着促進層、
酸化インジウムスズ層、
多重反射防止層、
耐引掻き性層
を有するコーティングを含む請求項47に記載の表示パネルを製造するための、請求項1〜20のいずれか1項に記載の装置又は請求項21〜46のいずれか1項に記載の方法の使用。 - ランプリフレクタを製造するための、請求項1〜20のいずれか1項に記載の装置又は請求項21〜46のいずれか1項に記載の方法の使用。
- 多重干渉層を有する光学干渉フィルタを製造するための、請求項1〜20のいずれか1項に記載の装置又は請求項21〜46のいずれか1項に記載の方法の使用。
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