JP2008501238A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 正端子及び負端子を有するショットキーデバイスであって、
   正端子及び負端子を有するショットキー同等のデバイスであって、前記ショットキー同等のデバイスの前記正端子は前記ショットキーデバイスの前記正端子として動作する、ショットキー同等のデバイスと、
   前記ショットキー同等のデバイスの前記負端子に接続される第一電極、前記ショットキー同等のデバイスの前記正端子に接続されるゲート、及び前記ショットキーデバイスの負端子として動作する第二電極を有するデプレーション・トランジスタと、
   を備え、前記ショットキー同等のデバイスは、互いに結合されて前記ショットキー同等のデバイスの正端子を形成する第一電流電極、ゲート、及び本体と、前記ショットキー同等のデバイスの負端子としての第二電流電極とを有するトランジスタ含む、ショットキーデバイス。
2. 前記トランジスタは、０．２ボルト未満の閾値電圧を有する非デプリーション・トランジスタである、請求項１に記載のショットキーデバイス。
3. 正端子及び負端子を有するショットキーデバイスであって、
   正端子及び負端子を有するショットキー同等のデバイスであって、前記ショットキー同等のデバイスの前記正端子は前記ショットキーデバイスの前記正端子として動作する、ショットキー同等のデバイスと、
   前記ショットキー同等のデバイスの前記負端子に接続される第一電流電極、前記ショットキー同等のデバイスの前記正端子に接続されるゲート、及び前記ショットキーデバイスの負端子として動作する第二電流電極を有するデプレーション・トランジスタと、
   を備え、前記ショットキーデバイスは基板の半導体領域に形成され、該基板は、
   第一導電性の第一ウエル領域と、
   前記第一ウエルに隣接する第二導電性の第二ウエル領域と、
   前記基板の表面に位置し、前記ショットキーデバイスの前記第一正端子に結合され、前記第一ウエル領域よりも高濃度にドープされ、且つ前記第一ウエル領域内にある、前記第一導電性である第一ドープ領域と、
   ショットキー・ダイオードを形成する前記第一ウエルの第一部分上の金属であって、前記金属は前記ショットキー・ダイオードの前記負端子であり、且つ前記第一ウエルの前記第一部分は前記ショットキー・ダイオードの前記正端子である、前記金属と、
   前記第一ウエル領域の前記第一部分と前記第一ドープ領域との間の前記第一ウエル領域内の第一素子分離領域と、
   前記第一ウエル領域の前記第一部分から離間し、前記第一ウエル領域内にあり、且つ前記基板の前記表面にある前記第二導電性のチャンネル領域と、
   前記チャンネル領域の上方にあるゲートと、
   前記第二導電性であり、前記デプレーション・トランジスタの前記第一電流電極であり、前記チャンネル領域よりも高濃度にドープされ、且つ前記チャンネル領域に隣接し且つ接続され、且つ前記金属の下にあり且つ前記金属に接触する少なくとも一部を有する第二ドープ領域と、
   前記チャンネル領域から離間し、前記第二導電性であり、前記デプリーション・トランジスタの前記第二電流電極であり、前記基板の前記表面にあり、前記第二ウエル領域内にあり、且つ前記ショットキーデバイスの前記負端子である、第三ドープ領域と、
   前記チャンネル領域と前記第三ドープ領域との間にある第二素子分離領域と、
   を有する、ショットキーデバイス。
4. 前記第二導電性がＮ型である、請求項３に記載のショットキーデバイス。
5. 前記金属がケイ化コバルトである、請求項４に記載のショットキーデバイス。