JP2008500256A - 疎水性コーティングの製造方法、本方法を実施するための装置及び疎水性コーティングを備えた支持体 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- 支持体上に、特にガラス表面上にコーティングを設ける方法であって、該支持体上に第一の金属酸化物を薄層として付着させ、該薄層に、その表面を粗面化するためにプラズマエッチング処理又はプラズマ活性化エッチング処理を施し、その後その粗面化された表面に、前記第一の金属酸化物の薄層に密着し得る第二のコーティングを適用する方法において、該第一の金属酸化物又は金属酸窒化物を少なくとも第二の金属酸化物又は金属酸窒化物と共に付着させ、該第二の金属酸化物又は金属酸窒化物を当該付着層内に分布させること、並びに該エッチング処理において、該エッチング処理後に少なくとも第二の金属酸化物又は金属酸窒化物からなる不規則隆起形状を該表面に形成するために、少なくとも該第二の金属酸化物又は金属酸窒化物の除去量を該第一の金属酸化物又は金属酸窒化物の除去量よりも減少させるプラズマ活性化ガスを使用すること、を特徴とする方法。
- 金属酸化物又は金属酸窒化物層が支持体に対するスパッタリングによって付着(deposit)され、表面の制御された粗面度がスパッタリング圧力及び/又はスパッタリングエネルギーを制御することによって与えられることを特徴とする、請求項1に記載された方法。
- 金属酸化物又は金属酸窒化物層がCVD又は蒸発のようなプロセスによって適用されることを特徴とする、請求項1に記載された方法。
- 金属酸化物又は金属酸窒化物層がアルミニウム化合物を、特にアルミニウム比率が8%で、ドープした珪素化合物を含んでいることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載された方法。
- 随意的に水素の付加を伴う、SiOx(ここでx≦2)、SiOxCy、SiOxNy、SiOyCyNzが珪素化合物として使用されることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載された方法。
- Na、K、B、Rb、Cs、K、Li、Ba、Sr、Mg、Ca、La、Ti、Zr、アルカリ金属、アルカリ土類金属又は希土類がドーピング元素として使用されることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載された方法。
- 金属酸化物又は金属酸窒化物層が、損傷を受けることなく、ガラス支持体を曲げるために必要な温度に耐えられるようなやり方で選択されること、及び前記熱処理後のその後もそれが特に少なくとも75%の光透過性を有することとを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載された方法。
- 金属酸化物又は金属酸窒化物層が、その中へガラスからの原子が拡散するようなやり方で熱処理されることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載された方法。
- 金属酸化物又は金属酸窒化物層の前に拡散障壁層が支持体に付着(deposit)されることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載された方法。
- エッチングを実施するために、フッ素を含むガスが使用され、そして該ガスは、この処理設備(installation)から抽出されることができるガス状の珪素及びフッ素化合物を、コートされた支持体を活性化したガスによりエッチングすることによって、形成するために、プラズマ活性化されることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載された方法。
- SF6、CF4、C2F6、CHF3又は一般的にCxFyHz+O2がエッチングガスとして使用される、請求項10に記載された方法。
- チャンバー(2)外でプラズマ活性化したエッチングガスによって、支持体(4)がチャンバー内で処理されることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載された方法。
- プラズマ活性化したエッチングガスが、コートされた基材へ分配器によって導かれることを特徴とする、請求項12に記載された方法。
- 支持体(4)はエッチング処理の間に静止状態に保たれることを特徴とする、請求項12及び13のいずれかに記載された方法。
- 支持体(4)はエッチング処理の間に真空チャンバー(2)を通過することを特徴とする、請求項12及び13のいずれかに記載された方法。
- エッチング操作によって粗面化した層が低反射率を有することを特徴とする、請求項1〜15のいずれか1項に記載された方法。
- CF3−(CF2)n−(CH2)2−Si(R4)3(nは7〜11の範囲にありそしてR4が僅かに残存するアルキル内容物を表す)のフッ素化合物が第二コーティングを適用するために使用される、請求項1〜16のいずれか1項に記載された方法。
- 請求項1〜17のいずれか1項に記載された方法を実施する装置(device)(1)であって、コートした支持体(4)の処理のための真空チャンバー(2)、チャンバー(2)に備えられたガス分配器(5)、及びガス分配器(5)へつながったプラズマチャンバー(7)を含み、その(プラズマチャンバー)中に導入される作業用又はエッチング用ガスを活性化するためにプラズマがそこ(プラズマチャンバー)で生み出される、ことを特徴とする装置。
- エッチング操作の間にエッチ処理したコーティングから揮発性粒子を抽出するためにポンプ装置(2P)が備えられていることを特徴とする、請求項18に記載された装置。
- 支持体(4)はエッチング処理の間に静止状態に保たれることを特徴とする、請求項18及び19のいずれかに記載された装置。
- エッチング処理の間に支持体(4)を真空チャンバー(2)を通じて移送する移送装置を含むことを特徴とする、請求項18及び19のいずれかに記載された装置。
- 請求項1〜17に記載された方法及び/又は請求項18に記載された装置で製造された疎水性のコーティングを備えた支持体、特にガラスの窓ガラス。
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