JP2008305870A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、半導体基板10の一部に酸素イオン注入を行うことで第1酸素含有領域24を形成する工程と、半導体基板10に熱処理を行い、第1酸素含有領域24に含まれる酸素を用いて第1酸素含有領域24を酸化させることで、第1酸素含有領域24を第1酸化領域26とする工程と、第1酸化領域26を除去することで半導体基板10に凹部16を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。
【選択図】図3
Description
12 酸化膜
14 窒化膜
16 凹部
18 酸化領域
20 開口部
22 フォトレジスト
24 第1酸素含有領域
26 第1酸化領域
28 凸部
30 ポリシリコン膜
32 第2酸素含有領域
34 第2酸化領域
38 絶縁膜
40 ゲート
42 ソース
44 ドレイン
Claims (15)
- 半導体基板の一部に酸素イオン注入を行うことで第1酸素含有領域を形成する工程と、
前記半導体基板に熱処理を行い、前記第1酸素含有領域に含まれる酸素を用いて前記第1酸素含有領域を酸化させることで、前記第1酸素含有領域を第1酸化領域とする工程と、
前記第1酸化領域を除去することで前記半導体基板に凹部を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1酸素含有領域を形成する工程は、複数の異なる注入エネルギーで前記酸素イオン注入を行うことで前記第1酸素含有領域を形成する工程であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記凹部を形成する工程は、ウエットエッチングにより前記第1酸化領域を除去することで前記凹部を形成する工程であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板はシリコン基板であり、
前記第1酸素含有領域を形成する工程は、前記半導体基板上に形成されたポリシリコン膜をマスクとして前記半導体基板の一部に前記酸素イオン注入を行うと同時に、前記ポリシリコン膜に前記酸素イオン注入を行うことで前記ポリシリコン膜に第2酸素含有領域を形成する工程を含み、
前記第1酸化領域とする工程は、前記半導体基板に熱処理を行い、前記第1酸素含有領域に含まれる酸素を用いて前記第1酸素含有領域を酸化させると同時に、前記第2酸素含有領域に含まれる酸素を用いて前記第2酸素含有領域を酸化させることで、前記第2酸素含有領域を第2酸化領域とする工程を含み、
前記凹部を形成する工程は、前記第1酸化領域を除去すると同時に、前記第2酸化領域を除去する工程を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。 - 前記凹部を形成する工程の後、前記半導体基板を熱酸化することで前記凹部の表面に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜をウエットエッチングで除去する工程と、を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板内の一部に酸素イオン注入を行うことで第1酸素含有領域を形成する工程と、
前記半導体基板に熱処理を行い、前記第1酸素含有領域に含まれる酸素を用いて前記第1酸素含有領域を酸化させることで、前記第1酸素含有領域を第1酸化領域とする工程と、
前記第1酸化領域をストッパー層として前記第1酸化領域上の前記半導体基板をドライエッチングすることで前記半導体基板に凹部を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板はシリコン基板であり、
前記第1酸素含有領域を形成する工程は、前記半導体基板上に形成されたポリシリコン膜および前記ポリシリコン膜上に形成されたフォトレジストをマスクとして前記酸素イオン注入を行うことで前記第1酸素含有領域を形成する工程であり、
前記凹部を形成する工程は、前記第1酸化領域上の前記半導体基板をドライエッチングすると同時に、前記ポリシリコン膜をドライエッチングすることで前記ポリシリコン膜を除去する工程を含むことを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板に複数の前記凹部を形成することにより、前記凹部の間に凸部を形成する工程と、
前記第1酸化領域をマスクとして、前記凸部の両側面および上面に活性領域を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項6または7記載の半導体装置の製造方法。 - 前記凸部の一部に両側面から上面にかけて絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に接するように前記凸部に交差して延びるゲートを形成する工程と、を有することを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜はONO膜であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理はバーズビークが生じないように行われることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理は不活性ガス雰囲気中で行われることを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
- 凸部の設けられた半導体基板と、
前記凸部の両側面および上面に設けられた活性領域と、
隣接する前記凸部間の前記半導体基板表面に設けられ、隣接する前記凸部の両側面および上面に設けられた前記活性領域を互いに電気的に分離する分離領域と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記凸部の一部に両側面から上面にかけて設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜に接するように設けられ、前記凸部に交差して延びるゲートと、を具備することを特徴とする請求項13記載の半導体装置。 - 前記絶縁膜はONO膜であることを特徴とする請求項14記載の半導体装置。
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